專利名稱：一種超低剝離力的離型膜的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種離型膜，特別是ー種最小離型カ小于3g/in的超低剝離カ的離型膜，屬于粘接材料技術領域。
背景技術：
離型膜廣泛應用于電子，電腦，家電等加工領域；目前，帶有粘性的軟質(zhì)產(chǎn)品需要一種離型膜，所述軟質(zhì)產(chǎn)品放置于其上再揭起時不會破壞軟質(zhì)產(chǎn)品的質(zhì)量；目前的硅油離型膜不能符合此要求。目前的硅油離型膜是在原膜層Ia上涂ー層硅油層2a，如圖1所示，目前的硅油離型膜的最小剝離カ在5g/in且穩(wěn)定性不高。目前我們的軟質(zhì)產(chǎn)品要求離型膜的最小離型カ必須控制在< 3g/in剝離カ且要穩(wěn)定。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供ー種最小離型カ小于3g/in的超低剝離カ的離型膜。為達到上述目的，本發(fā)明采用的技術方案是一種超低剝離カ的離型膜，包括原膜層；所述原膜層的表面上均勻地設置有點狀硅油層。由于上述技術方案的運用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比具有下列優(yōu)點本發(fā)明的超低剝離カ的離型膜，在原膜層的表面上設置點狀硅油層，減小了產(chǎn)品與離型膜表面上的硅油層的接觸面積，有效地降低離型膜的離型カ且更穩(wěn)定；同時也解決了貼合時氣泡的工程難題；本發(fā)明方案的離型膜的最小離型カ小于3g/in。


下面結合附圖對本發(fā)明技術方案作進ー步說明圖1為現(xiàn)有技術的離型膜的截面圖；圖2為本發(fā)明的超低剝離カ的離型膜的截面圖；圖3為圖2的俯視圖；其中1a、原I旲層；2a、娃油層；lb、原I旲層；2b、點狀娃油層。
具體實施例方式下面結合附圖來說明本發(fā)明。如附圖2、3所示為本發(fā)明的一種超低剝離カ的離型膜，包括原膜層Ib ;所述原膜層Ib的表面上均勻地設置有點狀硅油層2b。由于上述技術方案的運用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比具有下列優(yōu)點本發(fā)明的超低剝離カ的離型膜，在原膜層的表面上設置點狀硅油層，減小了產(chǎn)品與離型膜表面上的硅油層的接觸面積，有效地降低離型膜的離型カ且更穩(wěn)定；同時也解決了貼合時氣泡的工程難題；本發(fā)明方案的離型膜的最小離型カ小于3g/in。上述實施例只為說明本發(fā)明的技術構思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術的人 士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并加以實施，并不能以此限制本發(fā)明的保護范圍，凡根據(jù)本發(fā)明
精神實質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
權利要求
1. 一種超低剝離カ的離型膜，包括原膜層；其特征在于所述原膜層的表面上均勻地設置有點狀硅油層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種超低剝離力的離型膜，包括原膜層；所述原膜層的表面上均勻地設置有點狀硅油層；本發(fā)明的超低剝離力的離型膜，在原膜層的表面上設置點狀硅油層，減小了產(chǎn)品與離型膜表面上的硅油層的接觸面積，有效地降低離型膜的離型力且更穩(wěn)定；同時也解決了貼合時氣泡的工程難題；本發(fā)明方案的離型膜的最小離型力小于3g/in。
文檔編號B32B9/04GK103029364SQ2011102702
公開日2013年4月10日 申請日期2011年9月14日 優(yōu)先權日2011年9月14日
發(fā)明者王春生 申請人:蘇州安潔科技股份有限公司