專利名稱：半導體熱膨脹玻璃氈的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種半導體熱膨脹玻璃氈，主要用于電機襯墊材料，受熱膨脹， VPI吸漆多，絕緣耐熱等級可達H級(180°C )。
背景技術(shù)：
原來為了達到電機防暈?zāi)康?，在槽部及層間絕緣往往采用中間為熱膨脹玻 璃氈，上下兩面用半導體層壓玻璃布板三層組合而成，半導體層壓玻璃布板它的厚度 規(guī)格可以是0. 5-0. 8mm(±0. 20mm) ;1. 0-1. 5mm(±0. 25mm) ;1. 8-2. Omm(士O. 30mm); 2. 5-3. 0mm (±0. 40mm) ;3. 5-4. 0mm (±0. 50mm)， 密度 > 1. 6g/cm3， 表面電阻 1. OX 103-1. OX 105Q 。半導體層壓玻璃布板要作電機槽底墊條或?qū)娱g墊條時必須按要求尺 寸經(jīng)加工、切割、磨頭，因此不但造成材料浪費，且切割磨頭產(chǎn)生的粉塵還污染環(huán)境，不利于 環(huán)保。并且還由于軟硬搭配、厚度拼湊，會造成墊條竄動等缺陷，造成電機運行可靠性差

實用新型內(nèi)容本實用新型所要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足而提供一種能延長電
機使用壽命、能使電機防暈、使用便利、簡單、省工省時的半導體熱膨脹玻璃氈。
本實用新型解決上述技術(shù)問題采用的技術(shù)方案是該半導體熱膨脹玻璃氈，為多
層結(jié)構(gòu)，其特點在于包括熱膨脹玻璃氈和半導體低阻布，所述熱膨脹玻璃氈至少一個表面
上復(fù)合有半導體低阻布。 本實用新型所述的熱膨脹玻璃氈的單個表面上設(shè)置有半導體低阻布，半導體低阻 布與熱膨脹玻璃氈復(fù)合壓制。 本實用新型所述的熱膨脹玻璃氈的兩個表面上設(shè)置有半導體低阻布，半導體低阻 布與熱膨脹玻璃氈復(fù)合壓制。 本實用新型所述的半導體低阻布厚度為0.2士0.02mm，拉伸強度至少為
60N/10mm，表面電阻為200-1500 Q ，寬度為520 ± 5mm。 本實用新型所述的半導體熱膨脹玻璃氈密度為1. 4-1. 5g/cm3。 本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點1、本實用新型兼具剛性絕緣材料(層
壓板)和柔性絕緣材料(預(yù)浸環(huán)氧適形材料等)二者的優(yōu)點，同時又具有半導體性能。它在
常態(tài)下呈板材狀，有較大剛度，受熱后，內(nèi)層的玻璃絲膨脹后結(jié)構(gòu)相對疏松，極易吸漆。VPI
浸漆、烘焙處理后，能與相鄰的部件粘接成一堅實整體，具較好的絕緣性能和機械強度，還
可防止電暈產(chǎn)生，是一種兼具襯墊、膨脹和防電暈"三合一"的新型材料。2、由于半導體熱膨
脹玻璃氈外層有半導體低阻布，使得線圈在槽內(nèi)電位均勻，電場降低能有效的防止電暈產(chǎn)
生。減少線圈的發(fā)熱，延長絕緣的老化壽命。3、由于半導體熱膨脹玻璃氈的受熱膨脹的特
性，浸漆處理后槽內(nèi)各部分(線圈、墊條、槽楔等)能形成一個有機整體，減小電機的振動，
提高絕緣結(jié)構(gòu)的機械強度。4、由于半導體熱膨脹玻璃氈結(jié)構(gòu)疏松，受熱膨脹后能有效的填
充槽內(nèi)細微間隙，減少發(fā)熱，增強散熱能力，從而延長電機壽命。5、由于半導體熱膨脹玻璃氈中膠粘劑的含量極少，在制造工藝中僅起成型作用，其余絕大部分均為耐熱性高的無堿 玻璃絲，當它與不同耐熱等級的浸漬漆配合使用時，可達到相應(yīng)的耐溫等級。5、本實用新型 能起到防電暈的效果，且使用便利、簡單、省工省時。半導體熱膨脹玻璃氈經(jīng)復(fù)合、壓制成一 整體，可有效免除搭配、厚度拼湊、墊條竄動等缺點。

圖1為本實用新型實施例1截面結(jié)構(gòu)示意圖。 圖2為本實用新型實施例2截面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式實施例1 本實施例中的半導體熱膨脹玻璃氈包括熱膨脹玻璃氈l和半導體低阻布2，半 導體低阻布2熱壓復(fù)合在熱膨脹玻璃氈1的一面上，所述熱膨脹玻璃氈1采用中國專利 2008100624601 "—種用于制造熱膨脹性玻璃氈的膠及熱膨脹玻璃氈制造方法"中所述方 法制造，其厚度為3mm。半導體低阻布2其厚度為0. 2±0. 02mm，其表面電阻為200 Q ，拉伸 強度至少為60N/10mm，寬度為520士5mm。在上述生產(chǎn)過程中制得的熱膨脹玻璃氈1 (B階狀 態(tài))與經(jīng)選擇符合低阻布技術(shù)要求的半導體低阻布復(fù)合。將熱膨脹玻璃氈l與半導體低阻 布2復(fù)合品送入壓機，通過導向輥，在120°C -13(rC下經(jīng)3h左右壓制成半導體熱膨脹玻璃 氈。成批量生產(chǎn)時，各層相鄰半導體熱膨脹玻璃氈之間襯聚酯薄膜，起到隔離作用。半導 體熱膨脹玻璃氈密度為1. 4-1. 5g/cm3，膠粘劑含量為5% 11% (重量百分數(shù))，熱膨脹率 8(TC、30min時，厚度方向上膨脹大于等于50% ， 130°C 、30min時，厚度方向上膨脹大于等于 100 % ，浸漆前表面電阻103-106 Q ，浸漆后表面電阻大于等于1. 0 X 1012 Q 。 實施例2 本實施例中的半導體熱膨脹玻璃氈包括熱膨脹玻璃氈l和半導體低阻布2，半 導體低阻布2熱壓復(fù)合在熱膨脹玻璃氈1的兩面上，所述熱膨脹玻璃氈1采用中國專利 2008100624601 "—種用于制造熱膨脹性玻璃氈的膠及熱膨脹玻璃氈制造方法"中所述方法 制造，其厚度為lmm。半導體低阻布2其厚度為0. 2士0.02mm，其表面電阻為1500 Q，拉伸 強度至少為60N/10mm，寬度為520士5mm。。在上述生產(chǎn)過程中制得的熱膨脹玻璃氈1 (B階 狀態(tài))與經(jīng)選擇符合低阻布技術(shù)要求的半導體低阻布復(fù)合。將熱膨脹玻璃氈1與半導體低 阻布2復(fù)合品送入壓機，通過導向輥，在120°C -13(rC下經(jīng)3h左右壓制成半導體熱膨脹玻 璃氈。成批量生產(chǎn)時，各層相鄰半導體熱膨脹玻璃氈之間襯聚酯薄膜，起到隔離作用。半導 體熱膨脹玻璃氈密度為1. 4-1. 5g/cm3，膠粘劑含量為5% 11% (重量百分數(shù))，熱膨脹率 80°C 、30min時，厚度方向上大于等于50% ， 130°C 、30min時，厚度方向上大于等于100% ，浸 漆前表面電阻103-106 Q ，浸漆后表面電阻大于等于1. 0X1012Q 。 本實用新型所述的熱膨脹玻璃氈常規(guī)厚度可為lmm±15%、1.5mm±15%、 2mm±15%、2. 5mm± 15% 、3mm± 15% 、4mm± 15% 、5mm± 15% ，或按具體要求。未壓制前的白 坯玻璃氈厚度一般為0. 4-0. 6mm，如是厚度較厚可以由幾層浸膠烘焙后的熱膨脹玻璃氈在 壓機上壓制得到。 本實用新型應(yīng)用時，當作為電機槽底墊條使用時，可以采用0.5mm單面半導體低阻布復(fù)合熱膨脹玻璃氈。當作為電機層間墊條時，當層間墊條厚度大于等于3.5mm時，采 用兩條O. 5mm單面半導體低阻布復(fù)合熱膨脹玻璃氈，低電阻面相對，當層間墊條厚度小于 3. 5mm時，采用一條雙面半導體低阻布復(fù)合熱膨脹玻璃氈。 雖然本實用新型已以實施例公開如上，但其并非用以限定本實用新型的保護范 圍，任何熟悉該項技術(shù)的技術(shù)人員，在不脫離本實用新型的構(gòu)思和范圍內(nèi)所作的更動與潤 飾，均應(yīng)屬于本實用新型的保護范圍。
權(quán)利要求一種半導體熱膨脹玻璃氈，為多層結(jié)構(gòu)，其特征在于包括熱膨脹玻璃氈和半導體低阻布，所述熱膨脹玻璃氈至少一個表面上復(fù)合有半導體低阻布。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體熱膨脹玻璃氈，其特征在于所述的熱膨脹玻璃氈的 單個表面上設(shè)置有半導體低阻布，半導體低阻布與熱膨脹玻璃氈復(fù)合壓制。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體熱膨脹玻璃氈，其特征在于所述的熱膨脹玻璃氈的 兩個表面上設(shè)置有半導體低阻布，半導體低阻布與熱膨脹玻璃氈復(fù)合壓制。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的半導體熱膨脹玻璃氈，其特征在于所述的半導體低阻布厚度為0. 2±0. 02mm，拉伸強度至少為60N/10mm，表面電阻為200-1500 Q ，寬度為 520士5mm。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的半導體熱膨脹玻璃氈，其特征在于所述的半導體熱 膨脹玻璃氈密度為1. 4-1. 5g/cm3。
專利摘要本實用新型公開了一種半導體熱膨脹玻璃氈及其生產(chǎn)方法，該半導體熱膨脹玻璃氈為多層結(jié)構(gòu)，其特點在于包括熱膨脹玻璃氈和半導體低阻布，所述熱膨脹玻璃氈至少一個表面上復(fù)合有半導體低阻布。本實用新型能延長電機使用壽命，能使電機防暈、使用便利、簡單、省工省時。
文檔編號B32B17/02GK201520088SQ20092019656
公開日2010年7月7日 申請日期2009年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月21日
發(fā)明者劉剛, 趙金球, 陸云峰 申請人:嘉興市新大陸機電有限公司