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光學(xué)元件的制作方法

文檔序號(hào):2443082閱讀:248來源:國知局
專利名稱:光學(xué)元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種光學(xué)元件,尤其涉及一種具有抗反射膜的光學(xué)元件。
背景技術(shù)
鏡頭模組一般由若干光學(xué)元件組成,如凹透鏡、凸透鏡、影像感測器等。當(dāng)光線進(jìn)入鏡 頭模組時(shí), 一般來講,得到的影像以入射角為O度的光線強(qiáng)度最強(qiáng),并隨著入射角的增大而 淺弱,因此,影像的邊緣部分通常是大角度的入射光聚焦而得到,在亮度跟影像中央存在較 大的落差,使得影像亮度不均勻。
由于光線經(jīng)過多次的反射、折射等入射到影像感測器上進(jìn)而在影像感測器上成像,角度 大的入射光的光強(qiáng)已經(jīng)減弱,由于多次的反射,光強(qiáng)再次被減弱,使得圖像邊緣的亮度與中 央的亮度存在更大的落差。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,有必要提供一種可增加大角度入射光的穿透率的具抗反射單元的光學(xué)元件。
一種光學(xué)元件,其包括本體和設(shè)置在所述本體一個(gè)表面上的抗反射單元,所述抗反射單 元包括依次設(shè)置在所述本體上的第一鍍膜層、第二鍍膜層、第三鍍膜層、第四鍍膜層以及最 外面的第五鍍膜層,所述第一鍍膜層、第三鍍膜層和第五鍍膜層為厚度在6至100納米之間的 二氧化硅膜層,所述第二鍍膜層和第四鍍膜層為厚度在10至200納米之間的二氧化鈦膜層。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)元件上設(shè)置有間隔設(shè)置的二氧化硅、二氧化鈦的 鍍膜,在鍍膜之間形成一些折射率不同的界面,使得入射光經(jīng)由各個(gè)界面反射回來的光波之 間產(chǎn)生破壞性的干涉,較少的反射光或者無反射光產(chǎn)生,從而使得光的穿透率增高。


圖l是本發(fā)明實(shí)施例光學(xué)元件的示意圖,其包括抗反射單元。 圖2是光線通過兩種抗反射單元時(shí)波長與穿透率關(guān)系示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
請(qǐng)參閱圖l,本發(fā)明實(shí)施例提供的光學(xué)元件10包括本體12和位于本體12上的抗反射單元14。
本體12可由無色或者有色的光學(xué)玻璃或者光學(xué)塑料制成,其包括相對(duì)設(shè)置的入光面121和出光面122,光線經(jīng)由入光面121入射到本體12內(nèi)部并傳輸,然后由出光面122射出。
抗反射單元14位于入光面121上,包括依次設(shè)置在入光面121上的第一鍍膜層141、第二 鍍膜層142、第三鍍膜層143、第四鍍膜層144和第五鍍膜層145,第五鍍膜層145位于最外層
第一鍍膜層141、第三鍍膜層143和第五鍍膜層145為厚度在6至100納米(nm)之間、具
有低折射率的二氧化硅(&Q)膜層。
第二鍍膜層142和第四鍍膜層144為厚度在10至200納米之間、具有高折射率的二氧化鈦
(力'Q)膜層。
利用氣相沉積方法如真空沉積方法、等離子體沉積方法、濺射方法等方法在入光面121 上依次形成第一鍍膜層141、第二鍍膜層142、第三鍍膜層143、第四鍍膜層144和第五鍍膜層 145。
入射光依次通過第五鍍膜層145、第四鍍膜層144、第三鍍膜層143、第二鍍膜層142和第 一鍍膜層141入射到入光面121上,由于鍍膜層之間存在一些折射率不同的界面,使得入射光 經(jīng)由各個(gè)界面反射回來的光波之間產(chǎn)生破壞性的干涉,較少的反射光或者無反射光產(chǎn)生,更 多的入射光進(jìn)入本體l2內(nèi),從而使得光的穿透率增高。
請(qǐng)參閱圖2,橫坐標(biāo)代表入射光的波長(nm),縱坐標(biāo)代表光線的穿透率(%)。
曲線l、 2分別抗反射單元14為樣本1、 2和入射角為45度時(shí),波長與穿透率的關(guān)系,樣本 1、 2的具體結(jié)構(gòu)如下表所示。
樣本l樣本2
鍍膜層厚度(納米)鍍膜層厚度(納米)
第一鍍膜層14141.353第一鍍膜層1418. 822
第二鍍膜層14216.219第二鍍膜層14215.566
第三鍍膜層14336.758第三鍍膜層14336.654
第四鍍膜層144130.622第四鍍膜層144131.999
第五鍍膜層14587.300第五鍍膜層14597.785
由曲線1可知,波長在480. l納米至619. 5納米之間,樣本1的穿透率在93. 2%至93. 7%之間,穿透率與波長之間的關(guān)系變化比較復(fù)雜,隨著波長的增加,穿透率逐漸下降,然后逐漸上
升;當(dāng)波長大于619.5納米時(shí),穿透率有所下降。
由曲線2可知,波長在480. l納米至619. 5納米之間,樣本2的穿透率均在93. 7%以上,穿 透率的變化比較平緩,隨著波長的增加,穿透率也逐漸增加,;當(dāng)波長大于619.5納米時(shí),穿透率有所下降,但是,穿透率大于樣本l在同樣波長下的穿透率。
雖然,入射光通過樣本l、 2的穿透率的變化趨勢不同,但是,二者均有較高的穿透率。 另外,本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以在本發(fā)明精神內(nèi)做其它變化,當(dāng)然,這些依據(jù)本發(fā)明精神
所做的變化,都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種光學(xué)元件,其包括本體和設(shè)置在所述本體一個(gè)表面上的抗反射單元,其特征在于所述抗反射單元包括依次設(shè)置在所述本體上的第一鍍膜層、第二鍍膜層、第三鍍膜層、第四鍍膜層以及最外面的第五鍍膜層,所述第一鍍膜層、第三鍍膜層和第五鍍膜層為厚度在6至100納米之間的二氧化硅膜層,所述第二鍍膜層和第四鍍膜層為厚度在10至200納米之間的二氧化鈦膜層。
2.如權(quán)利要求l所述的光學(xué)元件,其特征在于所述第一鍍膜層、 第二鍍膜、第三鍍膜層、第四鍍膜層、第五鍍膜層的厚度分別為41.353納米、16.219納米、 36. 758納米、130. 622納米、87. 300納米。
3.如權(quán)利要求l所述的光學(xué)元件,其特征在于所述第一鍍膜層、 第二鍍膜、第三鍍膜層、第四鍍膜層、第五鍍膜層的厚度分別為8.822納米、15.566納米、 36. 654納米、131.999納米、97. 785納米。
4.如權(quán)利要求l所述的光學(xué)元件,其特征在于所述本體的材料為光學(xué)玻璃。
5.如權(quán)利要求l所述的光學(xué)元件,其特征在于所述本體的材料為光學(xué)塑料。
全文摘要
本發(fā)明提供一種光學(xué)元件,其包括本體和設(shè)置在所述本體一個(gè)表面上的抗反射單元,所述抗反射單元包括依次設(shè)置在所述本體上的第一鍍膜層、第二鍍膜層、第三鍍膜層、第四鍍膜層以及最外面的第五鍍膜層,所述第一鍍膜層、第三鍍膜層和第五鍍膜層為厚度在6至100納米之間的二氧化硅膜層,所述第二鍍膜層和第四鍍膜層為厚度在10至200納米之間的二氧化鈦膜層。所述光學(xué)元件具有較高的穿透率。
文檔編號(hào)B32B7/02GK101556344SQ2008103010
公開日2009年10月14日 申請(qǐng)日期2008年4月11日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月11日
發(fā)明者凌維成 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
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