電致變色窗制造方法
【專利摘要】描述了制造電致變色窗的方法。例如在搬運(yùn)和運(yùn)輸期間,絕緣玻璃單元(IGU)由保護(hù)緩沖墊片來保護(hù)。所述緩沖墊片可使用從所述IGU制造工具接收的IGU尺寸數(shù)據(jù)來定制。所述緩沖墊片可由環(huán)保材料制成。描述了激光隔離配置和在基板上圖案化和/或配置電致變色設(shè)備的相關(guān)方法。使用邊緣刪除來確保IGU中墊片和玻璃之間的良好密封,且從而更好地保護(hù)所述IGU中密封的電致變色設(shè)備。也描述了用于用所述主密封件保護(hù)所述電致變色設(shè)備邊緣并最大化IGU的電致變色窗格中可視區(qū)域的配置。
【專利說明】電致變色窗制造方法
[0001] 相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002] 本申請(qǐng)請(qǐng)求2012年4月25日提交的、題為"ELECTR0CHR0MI C WINDOW FABRICATION METHODS"的美國專利申請(qǐng)?zhí)?3/456, 056的權(quán)益和優(yōu)先權(quán),美國專利申請(qǐng)?zhí)?13/456,056 是 2012年 3 月 27 日提交的、題為 "ELECTR0CHR0MIC WINDOW FABRICATION M ETHODS"的美國專利申請(qǐng)?zhí)?3/431,729的部分繼續(xù)申請(qǐng)案,美國專利申請(qǐng)?zhí)?3/431,729 是2010年11月8日提交的美國專利申請(qǐng)?zhí)?2/941,882的繼續(xù)申請(qǐng)案。美國專利申請(qǐng)?zhí)?13/456, 056 也是 2011 年 12 月 6 日提交的、題為"SPACERS FOR INSULATED GLASS UNITS" 的美國專利申請(qǐng)?zhí)?3/312,057的部分繼續(xù)申請(qǐng)案。該些申請(qǐng)都通過引用的方式整體并入 本文且用于所有目的。 發(fā)明領(lǐng)域
[0003] 本發(fā)明一般涉及電致變色設(shè)備,更具體說來,涉及電致變色窗。
[0004] 發(fā)明背景
[0005] 電致變色是當(dāng)材料被放置在不同的電子狀態(tài)下時(shí),通常通過經(jīng)受電壓變化而展現(xiàn) 出光學(xué)特性的可逆電化學(xué)介導(dǎo)的變化的現(xiàn)象。光學(xué)特性通常是顏色、透射率、吸收率和反射 率中的一個(gè)或多個(gè)。一種公知的電致變色材料是氧化鶴(W〇3)。氧化鶴一種陰極電致變色 材料,其中顏色過渡(透明到藍(lán)色)通過電化學(xué)還原來發(fā)生。
[0006] 電致變色材料可例如并入用于家庭、商業(yè)和其它用途的窗。所述窗的顏色、透射 率、吸收率和/或反射率可通過誘導(dǎo)電致變色材料的變化來改變,即,電致變色窗是可電子 地變暗或變亮的窗。施加到窗的電致變色設(shè)備的小電壓將使其變暗;扭轉(zhuǎn)電壓使其變亮。 該種能力允許控制穿過窗的光的量,并提供了將電致變色窗用作節(jié)能設(shè)備的機(jī)會(huì)。
[0007] 雖然電致變色是在20世紀(jì)60年代被發(fā)現(xiàn)的,但是電致變色設(shè)備且尤其是電致變 色窗仍遺憾地存在各種問題,且盡管制造和/或使用電致變色設(shè)備的電致變色技術(shù)、裝置 和相關(guān)方法近期有許多進(jìn)步,但尚未開始實(shí)現(xiàn)其全部的商業(yè)潛力。 發(fā)明概要
[000引描述了制造電致變色窗的方法。電致變色(或"EC")設(shè)備被制造W基本上覆蓋玻 璃板(例如,浮法玻璃),且切割圖案是基于切割一個(gè)或多個(gè)電致變色窗格的設(shè)備中的一個(gè) 或多個(gè)區(qū)域來限定。在各種實(shí)施方案中,切割圖案至少部分只有在電致變色設(shè)備已被制造 且特征化之后才被限定。在一些情況下,在考慮電致變色設(shè)備的整體質(zhì)量和/或設(shè)備中缺 陷的位置之后,限定切割圖案。例如,可探測(cè)電致變色設(shè)備,W確定所有缺陷或某些類型或 類別缺陷的位置。切割圖案然后從可用的窗窗格排除該些缺陷,從而產(chǎn)生整體高質(zhì)量的產(chǎn) 品和高產(chǎn)量的工藝。在另一實(shí)例中,檢查完整的設(shè)備板,W確定EC設(shè)備的漏電流或EC設(shè)備 的電極層中一個(gè)或兩個(gè)的電阻率。如果漏電流高于闊值或TCO層的電阻率高于闊值,那么 就限制電致變色窗格的大小,W確保盡管設(shè)備的高漏電或TCO的高電阻率,所得窗也能適 當(dāng)?shù)貓?zhí)行。
[0009] 在某些實(shí)施方案中,檢查玻璃板和/或個(gè)別窗格是在制造工藝的一個(gè)或多個(gè)點(diǎn)執(zhí) 行的。例如,在EC設(shè)備形成之后,可使用各種光學(xué)、電學(xué)、化學(xué)和/或機(jī)械計(jì)量測(cè)試來探測(cè) 產(chǎn)品,W限定玻璃板的切割圖案,和/或在切割個(gè)別窗格之后來測(cè)試個(gè)別窗格。可檢查EC 設(shè)備的個(gè)別層、下層基板等。例如,檢查可包括檢測(cè)EC設(shè)備中的缺陷和/或玻璃的邊緣。
[0010] 去除玻璃板的一個(gè)或多個(gè)邊緣部分可在圖案化工藝之前進(jìn)行,和/或作為圖案化 工藝的部分,W去除潛在邊緣相關(guān)缺陷。另外,可例如經(jīng)由通過機(jī)械和/或光處理來去除玻 璃中的缺陷而修改邊緣的強(qiáng)度。例如可通過局部激光加熱來分別去除或減輕整個(gè)電致變色 設(shè)備中的缺陷區(qū)域。
[0011] 用于隔離個(gè)別電致變色窗格上EC設(shè)備的個(gè)別電極的激光劃線可在切割窗格之前 或之后添加。類似地,將電力輸送到EC設(shè)備電極的母線可在切割窗格之前或之后制造。已 知為邊緣刪除的技術(shù)(下文所述)也可在從玻璃板切割電致變色窗格之前或之后執(zhí)行。
[0012] 絕緣玻璃單元(IGU)從切割的電致變色窗格制造,且可選地,IGU的窗格中的一個(gè) 或多個(gè)被強(qiáng)化。在某些實(shí)施方案中,強(qiáng)化是通過把玻璃或其它加強(qiáng)基板層壓到切割窗格來 完成的。在具體實(shí)施方案中,層壓是在組裝IGU之后執(zhí)行的。
[0013] 一種制造一個(gè)或多個(gè)電致變色窗格的方法的特征可在于W下操作;(a)在玻璃板 上制造電致變色設(shè)備;化)限定切割玻璃板的切割圖案,W創(chuàng)建一個(gè)或多個(gè)電致變色窗格, 切割圖案至少部分在制造電致變色設(shè)備之后通過由一個(gè)或多個(gè)物理特征(特性)特征化玻 璃板和/或電致變色設(shè)備來限定;和(C)根據(jù)切割圖案切割玻璃板,W創(chuàng)建一個(gè)或多個(gè)電致 變色窗格。在一個(gè)實(shí)施方案中,特征化玻璃板和/或電致變色設(shè)備包括:識(shí)別一個(gè)或多個(gè)低 缺陷率區(qū)域、在玻璃板的一個(gè)或多個(gè)邊緣附近劃線一個(gè)或多個(gè)隔離溝槽、把臨時(shí)母線應(yīng)用 到電致變色設(shè)備,和激活電致變色設(shè)備W評(píng)價(jià)電致變色設(shè)備的缺陷率。在EC設(shè)備中識(shí)別缺 陷(包括非均勻性區(qū)域)的其它方法包括將偏振光應(yīng)用到玻璃窗格等。在一個(gè)實(shí)施方案中, 映射數(shù)據(jù)集是基于電致變色設(shè)備上一個(gè)或多個(gè)低缺陷率區(qū)域和/或非均勻區(qū)域創(chuàng)建的,且 數(shù)據(jù)集被進(jìn)行比較W最大限度地有效利用玻璃板。
[0014] 在一些實(shí)施方案中,電致變色設(shè)備利用個(gè)別電致變色窗格上所有的非穿透性母 線。該樣,在電致變色窗格中可獲得更多可視區(qū)域。改進(jìn)的電致變色窗格可被集成到IGU 中,且窗格中的一個(gè)或多個(gè)可包含強(qiáng)化特征,例如玻璃、塑料或其它合適材料的層壓基板。
[0015] 某些實(shí)施方案涉及用于例如在搬運(yùn)和/或運(yùn)輸期間保護(hù)IGU的邊緣的方法和裝 置。描述了邊緣緩沖墊片化umper) W及制造邊緣緩沖墊片的方法、優(yōu)勢(shì)和實(shí)施。邊緣緩沖 墊片尤其適用于保護(hù)包括退火玻璃的IGU,但也保護(hù)回火或強(qiáng)化玻璃IGU。
[0016] 各種實(shí)施方案包括激光隔離配置和在基板上圖案化和/或配置電致變色設(shè)備的 相關(guān)方法。在某些實(shí)施方案中,使用邊緣刪除來確保IGU中墊片和玻璃之間的良好密封,且 從而更好地保護(hù)IGU中密封的電致變色設(shè)備。某些實(shí)施方案包括沒有隔離劃線的EC設(shè)備。 也描述了用于用主密封件保護(hù)EC設(shè)備邊緣并最大化IGU的電致變色窗格中可視區(qū)域的配 置。該些實(shí)施方案同樣適用于退火玻璃、強(qiáng)化和回火玻璃基板W及非玻璃基板。
[0017] 下文將參考相關(guān)附圖進(jìn)一步詳細(xì)描述該些和其它特征和優(yōu)勢(shì)。
[0018] 附圖簡(jiǎn)述
[0019] 當(dāng)結(jié)合附圖考慮時(shí),可更全面地理解W下詳細(xì)描述,在附圖中:
[0020] 圖IA-B描繪了描述本發(fā)明的制造方法的方面的工藝流程。
[0021] 圖2A-B是描繪本發(fā)明的制造方法的方面的示意圖。
[0022] 圖2C-D描繪了邊緣保護(hù)設(shè)備的方面。
[002引圖3A描繪了加強(qiáng)板到IGU的液態(tài)樹脂層壓。
[0024] 圖3B描繪了如相對(duì)于圖3A描述的層壓IGU的橫截面。
[0025] 圖4A-B是描繪電致變色設(shè)備的兩個(gè)側(cè)視圖的橫截面示意圖。
[0026] 圖4C是相對(duì)于圖4A-B描述的電致變色設(shè)備的示意頂視圖。
[0027] 圖5A是示出相對(duì)于圖4A-C描述的集成到IGU的設(shè)備的橫截面示意圖。
[002引圖5B是示出如圖5A中的IGU的橫截面示意圖,其中EC窗格通過層壓來強(qiáng)化。
[0029] 圖6A-B是電致變色設(shè)備的橫截面示意圖。
[0030] 圖6C是相對(duì)于圖6A-B描述的電致變色設(shè)備的示意頂視圖。
[003。 圖7是示出相對(duì)于圖6A-C描述的集成到IGU的設(shè)備的橫截面示意圖。
[0032] 圖8A是相對(duì)于圖8B-C描述的電致變色設(shè)備的示意頂視圖。
[0033] 圖8B-C是描繪電致變色設(shè)備的兩個(gè)側(cè)視圖的橫截面示意圖。
[0034] 圖9A-B是描繪電致變色設(shè)備的兩個(gè)側(cè)視圖的橫截面示意圖。
[0035] 圖9C是相對(duì)于圖9A-B描述的電致變色設(shè)備的示意頂視圖。
[0036] 圖10描繪了與被配置W遮蔽所有劃片線的有色電致變色窗格相比的被配置W免 遮蔽某些劃片線的有色電致變色窗格。
[0037] 圖11是示出玻璃基板、電致變色設(shè)備、母線、墊片、主密封件和次密封件的相對(duì)配 置的IGU的部分橫截面。
[00測(cè)詳細(xì)描述
[0039] 對(duì)于窗的應(yīng)用,電致變色窗格很結(jié)實(shí)并且相對(duì)無缺陷是非常重要的。傳統(tǒng)上,玻璃 窗格是通過回火來強(qiáng)化。遺憾的是,回火工藝可把缺陷引入電致變色設(shè)備。因此,對(duì)產(chǎn)生電 致變色窗的大多數(shù)的努力利用首先把玻璃窗格切割成一定尺寸、然后回火玻璃W及最后在 回火窗格上形成電致變色設(shè)備的制造順序。電致變色設(shè)備通常通過在預(yù)切割和回火玻璃窗 格的一側(cè)上沉積一系列薄層來形成。遺憾的是,切割W及之后形成EC設(shè)備的所述順序經(jīng)常 會(huì)導(dǎo)致一些低質(zhì)量的電致變色窗,因?yàn)楝F(xiàn)代制造工藝經(jīng)常在電致變色設(shè)備上產(chǎn)生一個(gè)或多 個(gè)可見缺陷。當(dāng)然,制造商可拒絕容忍低質(zhì)量的設(shè)備,但拒絕低質(zhì)量的窗格對(duì)應(yīng)于產(chǎn)量降 低。
[0040] 如本文所述,各種制造方法可改進(jìn)產(chǎn)量和質(zhì)量。在該些方法中,最初制造電致變色 設(shè)備W基本上覆蓋玻璃板。直到后來才在玻璃板上限定多個(gè)電致變色窗格的切割圖案。切 割圖案可考慮各方面的考慮,包括利用板、所制造的EC設(shè)備中的缺陷、EC窗格的特定尺寸 和形狀的經(jīng)濟(jì)需求、設(shè)備和/或玻璃板中的非均勻性等。
[0041] 通常,有問題的缺陷只在玻璃板的非常小或有限的一個(gè)或多個(gè)區(qū)域中發(fā)生。一旦 被識(shí)別,當(dāng)在切割圖案中限定電致變色窗格時(shí)就可排除該些區(qū)域。W此方式,切割圖案可能 解釋玻璃板的高(或低)缺陷率區(qū)域。雖然經(jīng)常需要在大玻璃板上探測(cè)EC設(shè)備W識(shí)別并排 除缺陷區(qū)域,但是在不探測(cè)設(shè)備的情況下排除某些區(qū)域有時(shí)可能是適當(dāng)?shù)摹@纾袝r(shí)觀察 至IJ,缺陷集中在大玻璃板的周邊。因此,有時(shí)希望從電致變色窗格的圖案排除周邊區(qū)域。在 一個(gè)實(shí)例中,在玻璃上制造電致變色設(shè)備之后,去除玻璃板的周邊周圍的約1英寸和約10 英寸之間。在各種實(shí)施方案中,排除所述周邊區(qū)域是理所當(dāng)然的事,其中被排除的周邊區(qū)域 的確切的量基于明確定義的生產(chǎn)制造工藝的質(zhì)量控制(QC)的知識(shí)。
[0042] 在限定切割圖案之后的某個(gè)點(diǎn)提供個(gè)別窗格的劃線和/或母線。如所提及,可在 根據(jù)圖案把玻璃板切割成一個(gè)或多個(gè)電致變色窗格之前和/或之后,把該些特征提供到個(gè) 別EC窗格。切割本身可利用改進(jìn)所得切割窗格的強(qiáng)度的過程。另外,如下所述,邊緣可被 "精加工"W減輕切割產(chǎn)生的問題。另外,在一些實(shí)施方案中,IGU被從切割電致變色窗格制 造,且可選地,IGU的窗格中的一個(gè)或多個(gè)被強(qiáng)化。下文參照附圖描述了本發(fā)明的方面的更 多細(xì)節(jié)。
[0043] 圖IA描繪了工藝流程100,包括制造一個(gè)或多個(gè)電致變色窗格的一系列操作。首 先接收玻璃板,參看110。為了本文所述實(shí)施方案的目的,在該工藝的稍后階段,大玻璃板 旨在被切割成較小的窗格。通常,窗格旨在被用作窗,所W基板的物理尺寸W及光學(xué)和機(jī)械 性能應(yīng)適合于預(yù)期的窗應(yīng)用。在典型的實(shí)例中,在操作100利用的大玻璃板是至少一個(gè)側(cè) 面的長(zhǎng)度為約3米和約6米之間的一塊玻璃。在一些情況下,玻璃是矩形,為約3至6米高 且約1.5至3米寬。在【具體實(shí)施方式】中,玻璃板為約2米寬且約3米高。在一個(gè)實(shí)施方案 中,玻璃為6英尺乘10英尺。無論玻璃板的尺寸是多少,EC窗格制造設(shè)備都被設(shè)計(jì)W容納 并處理許多該樣的板,從而一個(gè)接一個(gè)連續(xù)地在所述板上制造EC設(shè)備。
[0044] 用于玻璃板的合適的玻璃包括浮法玻璃、CioriUa'"?玻璃(可購自Midland, Michigan的Dow Corning公司的商標(biāo)名堿鉛娃酸鹽玻璃板)等。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí) 至IJ,EC設(shè)備可在玻璃基板之外的基板上形成。本文所述的方法也意欲包括無機(jī)玻璃W外的 其它基板,例如,在一些實(shí)例中,有機(jī)玻璃也行。為了簡(jiǎn)潔的目的,本文使用的"玻璃板"包 括所有類型的窗基板,除非另有具體限定。
[0045] 在一個(gè)實(shí)施方案中,玻璃板是浮法玻璃,所述浮法玻璃可選地涂覆有透明導(dǎo)電 氧化物(TCO)和擴(kuò)散阻擋層。所述玻璃的實(shí)例包括W Toledo,化io的Pi化ington的商 標(biāo)TEC?玻璃和Pittsbur曲,化nnsylvania的PPG工業(yè)公司的商標(biāo)SUNGATE? 300和 SUNGATE'k 500出售的導(dǎo)電層涂覆的玻璃。玻璃板的尺寸至少等于預(yù)期用于制造的最大 EC玻璃窗格。teg?玻璃是涂覆有氣化氧化錫導(dǎo)電層的玻璃。所述玻璃通常也具有TCO和 浮法玻璃之間的擴(kuò)散阻擋層,W防止軸從玻璃擴(kuò)散到TCO中。在一個(gè)實(shí)施方案中,玻璃板上 不具有預(yù)成型的TCO或擴(kuò)散阻擋,例如,在一個(gè)實(shí)施方案中,擴(kuò)散阻擋、第一 TC0、電致變色 堆疊和第二TCO都在受控周圍環(huán)境下在單個(gè)裝置中形成(見下文)。在玻璃板上制造電致 變色巧C)設(shè)備之前,可熱強(qiáng)化所述玻璃板。
[0046] 接下來,在所描繪的工藝中,在玻璃板上制備電致變色巧C)設(shè)備,參看120。倘若 玻璃板包括預(yù)成型擴(kuò)散阻擋和TC0,則EC設(shè)備將TCO用作其導(dǎo)體之一。倘若玻璃板是不具 有任何預(yù)成型涂層的浮法玻璃,則120通常包括最初沉積擴(kuò)散阻擋層、然后透明導(dǎo)體(通常 TC0)層W及此后形成EC設(shè)備的剩余部分。該包括具有電致變色巧C)層、對(duì)電極仰)層 和離子導(dǎo)電(IC)層的EC堆疊。形成EC堆疊之后,另一透明導(dǎo)體層(通常為TCO層)被沉 積作為第二導(dǎo)體(W將電力傳輸給EC堆疊)。此時(shí),EC設(shè)備完成且操作120結(jié)束。也可 涂覆一個(gè)或多個(gè)覆蓋層。在一個(gè)實(shí)例中,涂覆密封層W使設(shè)備防潮。在另一實(shí)例中,涂覆低 E(發(fā)射率)涂層。
[0047] 如本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解,存在許多不同類型的電致變色設(shè)備,其中每種電致變 色設(shè)備具有其自己的結(jié)構(gòu)、電極組成、電荷載體等。該些設(shè)備中的任何設(shè)備可用于本文所 述的窗中。某些實(shí)施方案結(jié)合所有固態(tài)和無機(jī)電致變色設(shè)備進(jìn)行了描述。在W下美國專 利申請(qǐng)中更詳細(xì)地描述了所述所有固態(tài)和無機(jī)電致變色設(shè)備和制造所述電致變色設(shè)備的 方法:2009年12月22日提交并命名Mark Kozlowski等人為發(fā)明人的題為"F油rication of Low-Defectivity Electroc虹omic Devices"的序列號(hào) 12/645, 111 ;2009 年 12 月 22 日提交并命名化ongchun Wang等人為發(fā)明人的題為"Electroc虹omic Devices"的序列號(hào) 12/645, 159 ;2010 年 4 月 30 日提交的序列號(hào) 12/772, 055 和 12/772, 075 W及 2010 年 6 月 11 日提交的序列號(hào)12/814, 277和12/814, 279,后四個(gè)申請(qǐng)中每一個(gè)都題為"Electroc虹omic Devices",每一個(gè)都命名化ongchun Wang等人為發(fā)明人。W上專利申請(qǐng)中的每一個(gè)都W引 用的方式并入本文W用于所有目的。在一個(gè)實(shí)施方案中,電致變色設(shè)備為如W上申請(qǐng)中描 述的低缺陷率的全固態(tài)和無機(jī)電致變色設(shè)備。在一個(gè)實(shí)施方案中,EC設(shè)備是在具有受控周 圍環(huán)境的裝置中的玻璃板上制造的,即,其中沉積層而不會(huì)離開裝置且例如不會(huì)在沉積步 驟之間破壞真空的裝置,從而減少污染并提高最終設(shè)備的性能。該種制造可包括在玻璃板 上沉積擴(kuò)散阻擋和包括兩個(gè)電極(TC0層)的EC設(shè)備。
[0048] 如所提及,檢查可在制造流程中各個(gè)點(diǎn)內(nèi)部地進(jìn)行。例如,可在處理期間檢查TC0、 EC、1C、CE層中的一個(gè)或多個(gè)??墒褂霉?、電、化學(xué)或機(jī)械檢查來特征化層的一個(gè)或多個(gè)參 數(shù)。所述參數(shù)包括例如玻璃基板表面上的層中的任何層的光學(xué)密度、片電阻、厚度、缺陷率、 形態(tài)W及均勻性??稍诓AО灞砻嫔现圃煺麄€(gè)EC設(shè)備之后,分開執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)檢查。如 本文其它處所闡釋,所述檢查可特征化表面上各區(qū)域處的缺陷率和/或EC設(shè)備中的非均勻 性。
[0049] 本領(lǐng)域一般技術(shù)人員應(yīng)理解,除了電致變色設(shè)備W外,所述工藝中也可使用其它 可切換光學(xué)設(shè)備。許多所述設(shè)備被形成為下層基板上的層。合適的光學(xué)設(shè)備的實(shí)例包括各 種液晶設(shè)備和電泳設(shè)備,包括旋轉(zhuǎn)元件和息浮顆粒設(shè)備。該些設(shè)備中的任何設(shè)備可被制造 或W其它方式提供在大玻璃板上,且然后本文所述地處理。
[0050] 再次參看圖1A,一旦制備了 EC設(shè)備,切割圖案就被限定,參看130。如所闡釋,在 沉積電致變色設(shè)備之后限定切割圖案提供相當(dāng)大的靈活性來確定窗格中使用制造設(shè)備的 哪些區(qū)域W及未使用制造設(shè)備的哪些區(qū)域。該也提供了靈活性來基于制造電致變色設(shè)備的 整體質(zhì)量而確定窗格的適當(dāng)尺寸。當(dāng)然,有驅(qū)動(dòng)切割圖案的一系列的考慮,且只有一些考慮 涉及制造設(shè)備的質(zhì)量或條件??傮w而言,用于限定玻璃板上EC窗格的圖案的特性可包括W 下中的任意一個(gè)或多個(gè);(1)局部缺陷率或局部質(zhì)量的其它測(cè)量(例如,片電阻的局部非均 勻性),(2)對(duì)特定等級(jí)的產(chǎn)品的需求(例如,一些終端用戶指定EC窗格的特定等級(jí)或質(zhì) 量),(3)對(duì)特定尺寸和形狀的產(chǎn)品的需求,(4)重制需求(由某些類型的EC窗格的斷裂和 /或低產(chǎn)制造引起),(5)玻璃板和/或個(gè)別EC窗格上EC設(shè)備類型的當(dāng)前庫存,(6)利用總 體玻璃板的面積,和(7化C設(shè)備的全局屬性(例如,EC設(shè)備漏電流和電極(TCO)電阻)。全 局屬性可能決定了最終EC窗格的適當(dāng)?shù)拇笮』虻燃?jí)。例如,高EC設(shè)備漏電流或高TCO電 阻可能表明所得EC窗格必須相對(duì)較小(例如,不大于約20英寸)。換種方式說,上面具有 制造的EC設(shè)備的玻璃板基于全局屬性分檔。
[0051] 在一些實(shí)施方案中,圖案中限定的窗格中的一個(gè)或多個(gè)被調(diào)整尺寸和形狀W用于 住宅窗應(yīng)用。在一些情況下,圖案中限定的窗格中的一個(gè)或多個(gè)被調(diào)整尺寸和形狀W用于 商業(yè)窗應(yīng)用。
[0052] 基于W上的考慮,限定切割玻璃板的切割圖案W創(chuàng)建一個(gè)或多個(gè)電致變色窗格可 包括;在制造電致變色設(shè)備之后,特征化玻璃板和/或電致變色設(shè)備的一個(gè)或多個(gè)物理特 征。在一個(gè)實(shí)施方案中,特征化一個(gè)或多個(gè)物理特征包括W下中的至少一個(gè):1)識(shí)別電致 變色設(shè)備上的一個(gè)或多個(gè)低缺陷率區(qū)域,2)識(shí)別電致變色設(shè)備中的一個(gè)或多個(gè)非均勻性區(qū) 域,3)識(shí)別用W制造電致變色設(shè)備的材料被沉積在玻璃板的背側(cè)上的一個(gè)或多個(gè)區(qū)域;4) 識(shí)別電致變色設(shè)備的一個(gè)或多個(gè)性能特性;和5)識(shí)別玻璃板中的一個(gè)或多個(gè)缺陷。下文更 詳細(xì)地描述了識(shí)別電致變色設(shè)備中的一個(gè)或多個(gè)低缺陷率區(qū)域。EC設(shè)備中的非均勻區(qū)域例 如是其中例如由于EC設(shè)備的各層的厚度的變化而產(chǎn)生的著色不均勻、例如由于EC堆疊形 成期間的不均勻加熱而產(chǎn)生的設(shè)備的特性的變化等的區(qū)域。非均勻區(qū)域因此可獨(dú)立于例如 短的相關(guān)光學(xué)缺陷的數(shù)目。可能需要從切割圖案去除該些區(qū)域,或把該些區(qū)域包括在切割 圖案中但例如將該些區(qū)域識(shí)別為將切割不同質(zhì)量的EC窗格的區(qū)域。又,取決于工藝條件, 用W制造電致變色設(shè)備的材料可能由于過噴而被沉積在玻璃板的背側(cè)。該是不希望的,且 因此在EC設(shè)備形成之后,存在背面沉積是玻璃板的有用的特性。具有背面材料的區(qū)域可被 清洗W去除不需要的材料,和/或該些區(qū)域被排除到切割圖案之外。電致變色設(shè)備的性能 特性也是用于特征化EC設(shè)備的重要參數(shù)。如上文所述,例如,EC設(shè)備可用不同的方式來使 用,該取決于它是否落入某一規(guī)范類別。例如,不論EC設(shè)備的性能怎樣,識(shí)別玻璃板中的一 個(gè)或多個(gè)缺陷都很重要,玻璃板中可能有缺陷,如被困在玻璃中的氣泡或裂縫,所述缺陷由 于其不理想的光學(xué)性質(zhì)而將被排除到切割圖案之外。
[0053] 在具體實(shí)施方案中,通過首先檢測(cè)設(shè)備的缺陷并把設(shè)備的缺陷映射到玻璃板上W 及然后從切割圖案中一個(gè)或多個(gè)電致變色窗格排除或驅(qū)除高缺陷率區(qū)域來限定切割圖案 (圖IA的操作130)。圖IB提供了該個(gè)實(shí)施方案的示范性工藝流程。首先,如方塊131中 所描繪,玻璃板的設(shè)備被劃線W限定可用區(qū)域,所述可用區(qū)域通常為玻璃板上制備的設(shè)備 的基本上整個(gè)區(qū)域。劃線可達(dá)到兩個(gè)目的。首先,劃線電隔離了兩個(gè)電極W提供功能設(shè)備, 且其次,劃線去除了 EC堆疊的明顯缺陷部分。在一些情況下,在玻璃板的邊緣區(qū)域中沉積 EC膜表現(xiàn)出無社和/或其它缺陷,且從而呈現(xiàn)短路的非常實(shí)際的問題。為了解決該個(gè)問題, 設(shè)備的邊緣區(qū)域被隔離或去除。實(shí)現(xiàn)該一點(diǎn)的技術(shù)包括劃線(在圖IB中展示)、邊緣刪除 或僅去除玻璃板和相關(guān)設(shè)備的周邊的某些部分。
[0054] 劃線之后,應(yīng)用臨時(shí)母線,參看132。然后,通過施加電能來激活設(shè)備,W著色或W 其它方式改變?cè)O(shè)備的光學(xué)性能,使得可特征化設(shè)備且可檢測(cè)任何缺陷,參看133。然后,設(shè) 備被特征化,包括識(shí)別任何缺陷和就類型和/或嚴(yán)重性而可選地分類缺陷,參看134。在一 些實(shí)施方案中,EC設(shè)備中的非均勻性也在該個(gè)階段被特征化,且當(dāng)限定切割圖案時(shí),所述非 均勻性被納入考量。在一些實(shí)施方案中,該個(gè)特征化包括玻璃窗格W及玻璃窗格上的EC設(shè) 備。在一些實(shí)例中,識(shí)別和/或分類通過肉眼執(zhí)行。在其它實(shí)例中,該個(gè)操作通過自動(dòng)掃描 設(shè)備執(zhí)行。在一個(gè)實(shí)施方案中,較大的短型視覺缺陷通過應(yīng)用電或光能來減輕。在具體實(shí) 施方案中,所述缺陷受激光燒蝕限制,W創(chuàng)建更小的針孔型缺陷。當(dāng)識(shí)別低缺陷率區(qū)域時(shí), 該些減輕的缺陷可被包括在缺陷計(jì)數(shù)中。在另一實(shí)施方案中,該個(gè)燒蝕或其它減輕在從玻 璃板切割窗格之后執(zhí)行。
[00巧]應(yīng)理解,激活EC設(shè)備和詳細(xì)檢查設(shè)備只是檢測(cè)并識(shí)別缺陷的一種方式。其它方法 包括:使用與EC設(shè)備互動(dòng)的各種形式的電磁福射的衍射、反射或折射,例如,偏振光和/或 鎖相紅外(IR)熱成像法。鎖相IR熱成像法是一種用于空間分辨檢測(cè)電子材料中小的漏電 流的非破壞性和非接觸技術(shù),所述技術(shù)涉及將溫度源應(yīng)用到材料(在該種情況下為EC設(shè) 備)和使用例如紅外照相機(jī)來檢測(cè)漏電流引起的溫度變化。因此,各實(shí)施方案不僅包括激 活EC設(shè)備W識(shí)別缺陷,也可包括或替代性地使用識(shí)別缺陷的其它方法。
[0056] 如圖所示,在玻璃板上限定的切割圖案可排除玻璃板上提供的電致變色設(shè)備的一 個(gè)或多個(gè)高缺陷率區(qū)域。因此,本文所考慮的制造順序通常涉及在限定切割圖案之前識(shí)別 低缺陷率或高缺陷率區(qū)域。在某些實(shí)施方案中,"低缺陷率"區(qū)域是低于缺陷的闊值數(shù)目或 密度的電致變色設(shè)備的區(qū)域。缺陷可用各種方式來識(shí)別和特征化。在某些實(shí)施方案中,女口 美國專利申請(qǐng)12/645, 111和12/645, 159中所述識(shí)別和/或分類缺陷,兩個(gè)美國專利申請(qǐng) 之前都W引用的方式并入。
[0057] 在某些具體實(shí)施方案中,當(dāng)限定切割圖案時(shí),只考慮視覺缺陷。視覺缺陷包括當(dāng)設(shè) 備變暗時(shí)產(chǎn)生光環(huán)的短型缺陷。光環(huán)是設(shè)備中電致變色堆疊上的電短路使短路周圍的區(qū)域 將電流漏入短路且因此短路周圍的區(qū)域不會(huì)變暗的區(qū)域。該些短路缺陷傳統(tǒng)上在制造電致 變色設(shè)備之后處理,例如激光限制W隔離所述短路缺陷,或直接燒蝕殺死"所述短路,并 去除光環(huán)效應(yīng),從而留下較小的短路相關(guān)針孔缺陷。在典型的實(shí)例中,肉眼可見的缺陷的直 徑為大約IOOy m。在一個(gè)實(shí)施方案中,對(duì)于尺寸范圍大于IOOiim的缺陷,在低缺陷率區(qū)域 中隔離可見短路相關(guān)缺陷所產(chǎn)生的可見缺陷、針孔和短路相關(guān)針孔的總數(shù)目小于約每平方 厘米0. 1個(gè)缺陷,在另一實(shí)施方案中,小于約每平方厘米0. 08個(gè)缺陷,在另一實(shí)施方案中, 小于約每平方厘米0. 045個(gè)缺陷(小于約每平方米電致變色窗格450個(gè)缺陷)。在一些實(shí) 施方案中,例如肉眼不可見的缺陷(大約40 ym或更?。┑妮^小缺陷在較高的密度下可為 可容忍的。
[005引在玻璃板中被檢測(cè)且可選地分類的缺陷被映射,參看圖IB的操作135。該可例如 通過標(biāo)記玻璃W示出一旦設(shè)備處于不活動(dòng)狀態(tài)缺陷位于哪里和/或通過把缺陷圖案存儲(chǔ) 在存儲(chǔ)器中作為映射來進(jìn)行。該個(gè)映射信息被分析W識(shí)別從其切割一個(gè)或多個(gè)EC窗格的 一個(gè)或多個(gè)低缺陷率區(qū)域,參看136。所描繪方法的一個(gè)實(shí)施方案通過W下動(dòng)作來限定切割 圖案(a)基于電致變色設(shè)備上的一個(gè)或多個(gè)低缺陷率區(qū)域來創(chuàng)建第一映射數(shù)據(jù)集;化)基 于第二玻璃板上的第二電致變色設(shè)備上的另一個(gè)或多個(gè)低缺陷率區(qū)域來創(chuàng)建第二映射數(shù) 據(jù)集;(C)將第一和第二映射數(shù)據(jù)集作比較;和(d)使用第一和第二映射數(shù)據(jù)集的對(duì)比來限 定切割圖案,從而最大限度地有效利用玻璃板。例如,映射可用W匹配兩個(gè)兼容EC板W用 于單個(gè)IGU中,使得各自窗格中的缺陷不對(duì)齊。在一個(gè)實(shí)施中,第一和第二映射數(shù)據(jù)集被存 儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中,且(C)和(d)是使用合適的算法或其它邏輯來執(zhí)行。因此,該些映射數(shù)據(jù)集 及其對(duì)比限定玻璃板設(shè)備的最有效的使用。例如,兩個(gè)玻璃板的映射數(shù)據(jù)可指示玻璃的最 有效的使用將是切割兩個(gè)板W適應(yīng)不同客戶的要求,該是由于如果不存在缺陷圖案就將根 據(jù)單個(gè)客戶的要求來決定切割板。另外,邏輯可限定來自每個(gè)玻璃板的不同尺寸的窗格W 向各種窗類型和終端用戶提供電致變色窗格,例如,根據(jù)窗格尺寸、缺陷率水平等。一旦一 個(gè)或多個(gè)低缺陷率區(qū)域被用W限定切割圖案,那么工藝流程130結(jié)束。
[0059] 圖2A描繪了玻璃板200,玻璃板200例如約3米乘約2米,或約120英寸乘72英 寸,其上具有EC設(shè)備(未分開示出)。在該個(gè)實(shí)例中,根據(jù)工藝流程100,限定用于從玻璃板 200切割一個(gè)或多個(gè)電致變色窗格的切割圖案(W虛線示出)。取決于例如上述缺陷率、要 求或其它參數(shù),切割圖案可為規(guī)則的(例如,圖案202),或不規(guī)則的(例如,圖案204)。例 女口,圖案204示出區(qū)域206a和20化,所述區(qū)域共同構(gòu)成例如由于無社和/或比玻璃板的其 它部分高的缺陷水平而要被丟棄的玻璃帶。因?yàn)檫^噴形成的EC設(shè)備材料的背面污染,所W 該些周邊區(qū)域也可被去除。從單個(gè)玻璃板看來,一個(gè)或多個(gè)EC窗格可根據(jù)不同需要為相同 尺寸或不同尺寸。
[0060] 在一些實(shí)施方案中,在切割玻璃板之前,可去除板的一些或所有邊緣。在一些實(shí)施 方案中,去除玻璃板周邊的一些或所有周邊周圍的玻璃的約1到10英寸。可出于各種原因 進(jìn)行該種邊緣修整。例如,玻璃板的周邊周圍的EC設(shè)備的質(zhì)量可能較差。周邊周圍的該種 低質(zhì)量可能是由于EC設(shè)備堆疊的無社、玻璃板的邊緣中的缺陷(該可干擾EC設(shè)備制造)、 所述邊緣缺陷(例如,裂紋)的傳播和陰極尺寸(因?yàn)槌练e期間,陰極尺寸與玻璃板尺寸 相關(guān))。又,由于過噴而把材料沉積到玻璃板的背面可能需要修整玻璃邊緣。EC設(shè)備中的 非均勻性可能由于在EC設(shè)備的處理期間接觸支撐巧盤或玻璃邊緣附近的非均勻加熱而發(fā) 生。可在不啟動(dòng)EC設(shè)備的情況下評(píng)價(jià)該些缺陷中的一些缺陷,且因此邊緣修整可在測(cè)試設(shè) 備之前執(zhí)行。因此,邊緣修整可作為理所當(dāng)然的事來執(zhí)行,或者例如作為執(zhí)行EC形成的測(cè) 試運(yùn)行和發(fā)現(xiàn)工藝參數(shù)需要邊緣修整在設(shè)備制造之后執(zhí)行W去除非均勻性和/或背面過 噴的結(jié)果來執(zhí)行。
[0061] 再次參看圖1A,在限定一個(gè)或多個(gè)EC窗格的切割圖案之后,根據(jù)將要從玻璃板切 割的每個(gè)個(gè)別EC窗格的需要來執(zhí)行劃線,參看140。下文與圖3A-C相關(guān)地描述了用W制 造個(gè)別EC窗格的劃線的更詳細(xì)的描述。在該個(gè)工藝流程中,劃線在從玻璃板切割個(gè)別EC 窗格之前進(jìn)行。該節(jié)省了另外劃線個(gè)別窗格所需要的時(shí)間和資源,因?yàn)榭紤]到單個(gè)玻璃板 可能出現(xiàn)各種窗格尺寸。在其它實(shí)施方案中,劃線在玻璃板被切割成個(gè)別EC窗格之后進(jìn)行 (見下文)。
[0062] 在所描繪的實(shí)例中,在玻璃板上的EC設(shè)備已被劃線之后,所述EC設(shè)備被根據(jù)切割 圖案從玻璃板切割,參看150。切割可通過任何合適的工藝來完成。在一些情況下,切割伴 隨有邊緣加工操作。機(jī)械切割通常涉及用硬的工具(例如輪上的鉆頭)來刻劃玻璃,隨后 沿刻痕線折斷玻璃。因此,機(jī)械切割包括"刻劃"和折斷。有時(shí),術(shù)語"刻劃"在玻璃窗制造 行業(yè)稱為"劃線"。然而,為了避免混淆本文所述的其它操作,將保留"劃線"的使用W用于 該些其它操作。
[0063] 切割可在切口附近產(chǎn)生微裂紋和內(nèi)應(yīng)力。該些可導(dǎo)致玻璃的碎裂或斷裂,特別是 在邊緣附近。為了減輕切割產(chǎn)生的問題,切割玻璃可能經(jīng)受邊緣精加工,例如,通過機(jī)械和 /或激光方法。機(jī)械邊緣精加工通常涉及使用例如磨輪來研磨,所述磨輪包含粘±、石頭、 金剛石等。通常,在機(jī)械邊緣精加工期間,水在邊緣上流動(dòng)。所得邊緣表面相對(duì)圓形且無裂 紋。激光邊緣精加工通常產(chǎn)生平的、基本上無缺陷的表面。例如,垂直于玻璃表面的穿過玻 璃的初始切割可形成基本上無缺陷的切口。然而,玻璃周邊上的直角邊緣容易因搬運(yùn)破損。 在一些實(shí)施方案中,激光隨后被用W切掉該些90度的邊緣,W產(chǎn)生稍微更圓或多邊形的邊 緣。
[0064] 切割和可選邊緣精加工工藝的實(shí)例包括W下;(1)機(jī)械切割,(2)機(jī)械切割和機(jī)械 邊緣精加工,(3)激光切割,(4)激光切割和機(jī)械邊緣精加工,和(5)激光切割和激光邊緣精 加工。
[0065] 在一個(gè)實(shí)施方案中,W實(shí)際上強(qiáng)化和/或改進(jìn)所得窗格的邊緣質(zhì)量的方式從玻璃 板切割窗格。在具體實(shí)例中,該通過使用激光誘導(dǎo)的刻劃由張力來實(shí)現(xiàn)。在該個(gè)方法中,氣 體激光(例如,波長(zhǎng)為10. 6 U m的(?激光)用W沿一線加熱玻璃表面,從而沿該線在玻璃 中產(chǎn)生壓縮應(yīng)力。冷卻設(shè)備(例如,氣體噴口和/或噴水器)用W快速冷卻被加熱的線。該 使得沿該線在玻璃中形成刻痕。玻璃然后例如由常規(guī)的機(jī)械斷裂設(shè)備沿刻痕折斷。通過使 用該個(gè)方法,切割邊緣非常干凈,即,玻璃中的缺陷(如果有的話)最小,所述缺陷由于施加 到窗格的應(yīng)力可傳播并產(chǎn)生進(jìn)一步的斷裂。在一個(gè)實(shí)施方案中,邊緣隨后被機(jī)械和/或激 光精加工W去除90度邊緣,從而創(chuàng)建更圓形和/或多邊形的邊緣。
[0066] 再次參看圖1A,可選地,在個(gè)別EC窗格上執(zhí)行邊緣刪除,參看160。邊緣刪除是用 于將電致變色設(shè)備集成到例如IGU的制造工藝的一部分,其中EC設(shè)備的邊緣部分例如無社 (其中設(shè)備的各層可由于例如掩模的邊緣附近的非均勻性而進(jìn)行接觸)和/或其中形成切 口,在把設(shè)備集成到IGU或窗中之前去除所述EC設(shè)備的邊緣部分。在某些實(shí)施方案中,在 使用未屏蔽玻璃的情況下,去除另外將延伸至IGU墊片下方的涂層在集成到IGU中之前執(zhí) 行。當(dāng)從玻璃板切割窗格時(shí),也使用邊緣刪除,因?yàn)榇案駥⒕哂醒由斓酱案竦倪吘壍腅C材 料。在一個(gè)實(shí)施方案中,切割隔離溝槽且EC設(shè)備在窗格周邊上的隔離部分通過邊緣刪除來 去除。
[0067] 在所述工藝流程中,邊緣刪除可在形成EC設(shè)備之后任何階段執(zhí)行。在一些實(shí)施方 案中,執(zhí)行邊緣刪除的工藝是機(jī)械工藝,例如研磨或噴砂工藝。砂輪可用于研磨。在一個(gè)實(shí) 施方案中,邊緣刪除由激光進(jìn)行,例如,其中激光用W從窗格的周邊燒蝕EC材料。工藝可去 除所有EC層,包括底層的TCO層,或者所述工藝可去除所有EC層,除了該個(gè)底部TCO層之 夕F。當(dāng)邊緣刪除用W向母線提供暴露的接觸時(shí),后一種情況是適當(dāng)?shù)模霰┞兜慕佑|必須 被連接到底部TCO層。在一些實(shí)施方案中,激光劃線用W把底部TCO的延伸到玻璃邊緣的所 述部分與被連接到母線的所述部分隔離,W避免具有從玻璃邊緣到設(shè)備的導(dǎo)電路徑,W及 保護(hù)W免濕氣沿與設(shè)備層自身相同的路徑侵入IGU,因?yàn)樵O(shè)備層通常對(duì)于濕氣可滲透(盡 管速度緩慢)。
[0068] 在特定的實(shí)施方案中,電磁福射用W執(zhí)行邊緣刪除并提供基本上無EC設(shè)備的基 板的周邊區(qū)域。在一個(gè)實(shí)施方案中,如下文更詳細(xì)地描述,至少執(zhí)行邊緣刪除W去除包括底 部透明導(dǎo)體的材料。在一個(gè)實(shí)施方案中,邊緣刪除也去除任何擴(kuò)散阻擋。在某些實(shí)施方案 中,對(duì)基板(例如浮法玻璃)的表面執(zhí)行邊緣刪除,且邊緣刪除可包括去除基板表面的某一 部分。示范性電磁福射包括UV、激光等。例如,材料可使用包括248, 355皿扣V)、1030皿(IR, 例如盤狀激光)、l〇64nm (例如Nd =YAG激光)和532nm (例如綠激光)的波長(zhǎng)中的一個(gè)波長(zhǎng) 的引導(dǎo)和聚焦能量來去除。使用例如光纖或開放光束路徑來將激光照射傳遞到基板。可取 決于電磁福射波長(zhǎng)的選擇和例如基板搬運(yùn)設(shè)備配置參數(shù),從任一基板側(cè)或EC膜側(cè)來執(zhí)行 燒蝕。燒蝕膜厚度所需的能量密度是通過使激光束穿過光學(xué)透鏡來實(shí)現(xiàn)的。透鏡將激光束 聚焦成所需的形狀和大小。在一個(gè)實(shí)施方案中,使用"平頂"光束配置,例如,所述光束配置 具有約0. 2皿2到約2皿2之間的聚焦區(qū)域。在一個(gè)實(shí)施方案中,光束的聚焦水平被用W實(shí)現(xiàn) 燒蝕EC膜堆疊所要求的能量密度。在一個(gè)實(shí)施方案中,用于燒蝕的能量密度在約2J/cm 2和 約6J/cm2之間。
[0069] 在激光邊緣刪除工藝期間,在EC設(shè)備的表面上沿周邊掃描激光光斑。在一個(gè)實(shí)施 方案中,使用掃描平場(chǎng)聚焦透鏡來掃描激光光斑。均質(zhì)去除EC膜是通過在掃描期間重疊光 斑區(qū)域達(dá)約5%和約75%之間來實(shí)現(xiàn)的。例如,在激光邊緣刪除工藝期間的第一激光掃描 可被用W去除EC設(shè)備的一部分。在激光邊緣刪除工藝期間的第二激光掃描中,激光光斑可 與第一掃描重疊(即,EC設(shè)備材料已被去除)達(dá)約5%和約75%之間,W協(xié)助實(shí)現(xiàn)均質(zhì)去除 EC膜??墒褂酶鞣N掃描圖案,例如,沿直線或曲線的掃描,且可掃描各種圖案,例如,掃描矩 形或其它形狀的部分,該些部分一起創(chuàng)建周邊邊緣刪除區(qū)域。在一個(gè)實(shí)施方案中,掃描線重 疊了約5%和約75%之間。目P,之前掃描的線的路徑所限定的燒蝕材料的區(qū)域與之后的掃 描線重疊,使得產(chǎn)生重疊。在另一實(shí)施方案中,圖案重疊了約5%和約50%之間。目P,燒蝕的 圖案區(qū)域與后續(xù)燒蝕圖案區(qū)域重疊。對(duì)于使用重疊的實(shí)施方案,可使用例如在約IlKHz和 約500KHZ之間的范圍的較高頻率激光。為了最小化在暴露的邊緣(熱影響區(qū)域或"HAZ") 處對(duì)EC設(shè)備的熱相關(guān)的損壞,使用較短脈沖持續(xù)時(shí)間的激光。在一個(gè)實(shí)例中,脈沖持續(xù)時(shí) 間在約IOOfs (飛砂)和約l(K)ns (納砂)之間,在另一實(shí)施方案中,在約IOOfs和約IOns 之間,在又一實(shí)施方案中,在約IOOfs和約Ins之間。
[0070] 當(dāng)將使用邊緣刪除時(shí),它可在從玻璃板切割EC窗格之前或之后進(jìn)行。在某些實(shí)施 方案中,邊緣刪除可在切割EC窗格之前在一些邊緣區(qū)域中執(zhí)行和在切割EC窗格之后再次 在一些邊緣區(qū)域中執(zhí)行。在某些實(shí)施方案中,所有邊緣刪除都在切割窗格之前執(zhí)行。在切 割窗格之前利用"邊緣刪除"的實(shí)施方案中,可通過預(yù)期新形成的EC窗格的切口(且因此, 邊緣)將在哪里來去除玻璃板上EC設(shè)備的部分。換句話說,還沒有實(shí)際的邊緣,只有將形 成切口 W產(chǎn)生邊緣的限定區(qū)域。因此,"邊緣刪除"意謂包括在預(yù)期存在邊緣的區(qū)域中去除 EC設(shè)備材料。
[0071] 再次參看圖1A,在可選邊緣刪除之后,母線被應(yīng)用到一個(gè)或多個(gè)EC窗格,參看 170。如對(duì)于邊緣刪除所述,添加母線可在EC窗格被從玻璃板切割之后或之前但在劃線之 后執(zhí)行。通過在從玻璃板切割窗格之前執(zhí)行劃線、邊緣刪除和母線應(yīng)用,避免了用于各種EC 窗格尺寸的相關(guān)的特殊搬運(yùn)步驟。目P,在從玻璃板切割個(gè)別窗格之前執(zhí)行各種操作和/或 部件的集成允許最大效率地使用用于搬運(yùn)均勻尺寸的玻璃板的裝置。然而,在一個(gè)實(shí)施方 案中,根據(jù)150切割玻璃板,然后根據(jù)160執(zhí)行邊緣刪除,且此后,根據(jù)140劃線EC設(shè)備。在 該個(gè)實(shí)施方案中,邊緣刪除在個(gè)別EC窗格的邊緣處執(zhí)行,且然后應(yīng)用劃線。在另一實(shí)施方 案中,根據(jù)150切割玻璃板,然后根據(jù)140劃線EC設(shè)備,且然后根據(jù)160執(zhí)行邊緣刪除。在 切割之后劃線和刪除的一個(gè)優(yōu)勢(shì)是邊緣刪除工藝中的均勻性,因?yàn)橹蝗コ藖碜詫?shí)際切割 邊緣(而不是來自預(yù)期在切割之后存在邊緣的區(qū)域)的周邊的材料。該個(gè)方法可包括較高 的質(zhì)量控制,因?yàn)椴AУ倪吘壙杀挥米鬟吘墑h除的導(dǎo)向。
[0072] 在完成具有完全組裝的EC設(shè)備的窗格之后,IGU是使用一個(gè)或多個(gè)EC窗格來制 造的,參看180。通常,IGU通過把密封分離器放置在玻璃板的周邊來形成,所述密封分離器 例如墊圈或密封件(例如,由PVB (聚己帰醇縮下酵)、PIB或其它合適的彈性體制成)。在 一些實(shí)施方案中,密封分離器包括金屬或其它剛性材料、墊片和墊片與每個(gè)玻璃窗格之間 的密封劑。在窗格被密封到墊片之后,在墊片的外周邊周圍提供次密封件,例如抗水并增加 了對(duì)組件的結(jié)構(gòu)支持的聚合物材料。通常,但并非必須地,在組裝過程中,IGU框或墊片中 包括干燥劑W吸收任何濕氣。在一個(gè)實(shí)施方案中,密封分離器圍繞母線,且母線的電引線延 伸穿過密封件。通常,但并非必須地,IGU填充有惰性氣體,例如氮?dú)?。完成的IGU可被安 裝在例如框或幕墻中并被連接到電力源和控制器W操作電致變色窗。
[0073] 參考圖2B,根據(jù)例如如本文所述衍生的切割圖案來切割玻璃板200。在該個(gè)實(shí)例 中,產(chǎn)生四個(gè)巧C)窗格208。另外,在該個(gè)實(shí)例中,窗格208中的兩個(gè)成對(duì)且與密封分離器 210組合,W形成IGU 212。在該個(gè)實(shí)例中,IGU 212具有兩個(gè)EC窗格。通常,但并非必須 地,窗格被設(shè)置,使得EC設(shè)備面向IGU內(nèi)側(cè),W保護(hù)免受環(huán)境影響。2010年8月5日提交的 且題為"Multipane Electroc虹omic Windows"的美國專利申請(qǐng)序列號(hào)12/851, 514中描述 了具有兩個(gè)或更多個(gè)電致變色窗格的電致變色窗,所述美國專利申請(qǐng)W引用的方式并入本 文W用于所有目的。其中所描述的方法尤其適用于制備一個(gè)或多個(gè)電致變色窗格W用于多 窗格電致變色窗。所述多窗格電致變色窗的一個(gè)優(yōu)勢(shì)在于兩個(gè)缺陷完全對(duì)準(zhǔn)并從而可被終 端用戶觀察到的可能性相當(dāng)小。當(dāng)使用低缺陷率窗格時(shí),該個(gè)優(yōu)勢(shì)突出。在例如單個(gè)窗中 使用兩個(gè)電致變色窗格的實(shí)施方案中,上述(缺陷)映射數(shù)據(jù)集可被用W進(jìn)一步確保當(dāng)在 IGU中探測(cè)時(shí),個(gè)別窗格上的缺陷不對(duì)齊。該是圖案化玻璃板時(shí)可考慮的又一標(biāo)準(zhǔn)。
[0074] 在某些實(shí)施方案中,玻璃板高達(dá)5mm或甚至高達(dá)6mm厚(高達(dá)1/4英寸)。在一 些實(shí)施方案中,一個(gè)或多個(gè)窗格被強(qiáng)化。再次參看圖1A,可選地,IGU的一個(gè)或兩個(gè)窗格被 強(qiáng)化,參看190。例如,在一個(gè)實(shí)施方案中,強(qiáng)化包括用例如浮法玻璃的較厚窗格、回火玻璃 的窗格、例如有機(jī)玻璃、Gor川a"i玻璃的聚合物窗格等來層壓IGU的窗格中的一個(gè)或多個(gè)。 在另一實(shí)施方案中,強(qiáng)化包括把聚合物涂層施加到IGU的一個(gè)或多個(gè)窗格。所述聚合物涂 層的實(shí)例包括有機(jī)改性娃酸鹽聚合物涂層(環(huán)氧樹脂、胺固化劑和娃焼)、溶膠-凝膠涂層、 丙帰酸類釉料和其它安全釉料,例如符合一個(gè)或多個(gè)沖擊試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)的市售釉料。再次參看 圖1A,在強(qiáng)化IGU的一個(gè)或多個(gè)窗格之后,工藝流程100結(jié)束。
[00巧]在一些實(shí)施方案中,在并入IGU之后,使用邊緣緩沖墊片來保護(hù)玻璃的邊緣。例 女口,保護(hù)允許將IGU從制造商安全地運(yùn)輸?shù)桨惭b。保護(hù)性邊緣緩沖墊片可被應(yīng)用到具有 或不具有強(qiáng)化窗格的IGU。因此,例如,在強(qiáng)化一個(gè)或兩個(gè)窗格之前,可將緩沖墊片安裝到 IGU,直到需要強(qiáng)化的所述時(shí)間為止,例如,因?yàn)榭赡苡嘘P(guān)于期望哪種類型的強(qiáng)化的決定。通 過使用本文所述的方法,該個(gè)選擇可在IGU制造后任何時(shí)間做出。例如,本文所述的邊緣緩 沖墊片允許搬運(yùn)、運(yùn)輸和存儲(chǔ)IGU,直到選擇了強(qiáng)化類型(如果有的話)。在一個(gè)實(shí)施方案 中,保護(hù)緩沖墊片是裝配在IGU的周邊周圍的玻璃邊緣上的U形通道帽。所述U形通道帽可 由彈性體或塑性材料制成。在一個(gè)實(shí)例中,所述U形通道帽是己帰帽。本文所述的邊緣緩 沖墊片適用于任何IGU W保護(hù)IGU的邊緣。下文更詳細(xì)地描述了邊緣緩沖墊片實(shí)施方案。
[0076] 通常,邊緣緩沖墊片被配置W保護(hù)IGU中玻璃的邊緣。當(dāng)使用非回火玻璃時(shí),該尤 其重要。如果未被保護(hù)就可能很容易發(fā)生對(duì)玻璃邊緣的損壞,因?yàn)樵诠S中制造之后、在運(yùn) 輸期間和在現(xiàn)場(chǎng)安裝期間,IGU被手動(dòng)和/或機(jī)械地處理。轉(zhuǎn)角特別脆弱,因?yàn)镮GU通常但 并非必須地為矩形,且因此,轉(zhuǎn)角最容易不小也撞到其它表面,從而對(duì)玻璃邊緣造成損壞。 因此,在各種實(shí)施方案中,邊緣緩沖墊片被配置W保護(hù)IGU的玻璃邊緣,尤其是轉(zhuǎn)角。由于 本文所述的邊緣緩沖墊片也覆蓋IGU的每個(gè)面的至少一些部分,所W所述邊緣緩沖墊片也 對(duì)IGU的各面給予了一定的保護(hù)。例如,如果具有邊緣緩沖墊片的IGU被面朝下放置在平坦 的表面上或面抵靠平坦的表面,那么玻璃的面不接觸平坦的表面,因?yàn)檫吘壘彌_墊片充當(dāng) 平坦的表面和玻璃的面之間的墊片。又,如果類似地,受保護(hù)IGU水平或豎直地彼此堆疊, 那么只有它們各自的邊緣緩沖墊片彼此接觸,因此避免了 IGU彼此接觸。
[0077] 如本文所述的邊緣緩沖墊片可由各種材料制成,例如,塑料、橡膠、紙、棉、紙板、淀 粉等。在一個(gè)實(shí)施方案中,邊緣緩沖墊片由塑料制成,例如聚帰化合物(polya化alene),例 如聚己帰、聚丙帰、它們的混合物等;聚己帰化合物,例如聚氯己帰(PVC)、聚氣己帰、聚己 酸己帰醋、它們的混合物等;聚苯己帰;尼龍;人造絲;或聚醋。在一個(gè)實(shí)施方案中,邊緣緩 沖墊片由可生物降解的材料制成,尤其是可生物降解的聚合物,無論是合成的或天然的。通 常,期望可生物降解的聚合物無毒、具有良好的機(jī)械完整性,即保持它的形狀,并在不產(chǎn)生 毒性產(chǎn)物的情況下降解??缮锝到獾木酆衔锏膶?shí)例包括聚醋,例如聚輕基焼酸醋(PHA), 例如3-輕基丙酸、聚乳酸(PLA)、聚-3-輕基下酸醋(P皿)、聚輕基戊酸醋(PHV)和聚輕基 己酸醋(PHH);聚酢、聚己帰基醇、聚下帰玻巧酸醋(合成物)、聚己內(nèi)醋(P化,合成物)、淀 粉衍生物、纖維素醋、賽端巧等。
[0078] 在一個(gè)實(shí)施方案中,邊緣緩沖墊片由橡膠或保持其形狀的軟柔初的塑料(例如 PVC)制成。在該個(gè)實(shí)施方案中,邊緣緩沖墊片具有成形為閉環(huán)配置中U形或C形通道的整 體主體,所述整體主體裝配在IGU上并在周邊周圍符合(最外層)玻璃窗格的各面的邊緣 和至少某一部分。在該個(gè)實(shí)施方案中,邊緣緩沖墊片被拉伸或W其它方式操縱,使得其裝配 在IGU上,很像用于手持設(shè)備(如智能電話)的緩沖墊片,但是只需要覆蓋IGU的每個(gè)面的 周邊部分。
[0079] 在另一實(shí)施方案中,邊緣緩沖墊片由塑料制成,例如,如上文所述,其中塑料是剛 性或半剛性的。在一個(gè)實(shí)施方案中,邊緣緩沖墊片被擠壓成U形或C形通道,且然后被切割 成一定尺寸W保護(hù)IGU。在一個(gè)實(shí)施方案中,擠壓通道被切斷為各自保護(hù)IGU的一側(cè)的單獨(dú) 的塊。在一個(gè)實(shí)施方案中,個(gè)別通道塊的端部被成一定角度地切割,使得當(dāng)所有四個(gè)塊被裝 配到IGU上時(shí),所述四個(gè)塊在邊緣處緊密地配合在一起W保護(hù)IGU的轉(zhuǎn)角。在一個(gè)實(shí)施方 案中,通道被擠壓成在擠壓之后圍繞IGU折疊的整體構(gòu)件。相對(duì)于圖2C和2D描述了一個(gè) 所述實(shí)施方案。
[0080] 圖2C描繪了通道214的一部分的透視圖,通道214可用W形成如本文所述的邊緣 緩沖墊片。通道214具有一般U形橫截面,通道214在通道的開口處(參看尺寸A (通道214 的橫截面,在圖2C的左下方))比通道的底部(參看尺寸B)窄。尺寸A小于將要應(yīng)用通道 214 W形成邊緣緩沖墊片的IGU的厚度。因?yàn)橥ǖ?14通常較薄,例如,包括通道214的材 料的厚度在約Imm和約IOmm之間,通常厚度在約Imm和約5mm之間,所W IGU可W通過尺 寸A被擠壓到通道中并位于通道的底部,如在圖2C的右下方的橫截面中所描繪。IGU 212 的玻璃窗格208的邊緣(也參看圖2B)(其中墊片210被描繪為周圍具有主和次密封劑,且 內(nèi)部具有干燥劑)可抵靠通道214的底部并由所述底部保護(hù)。通道214可具有唇部216,唇 部216允許IGU更容易地進(jìn)入通道,例如,通道被引導(dǎo)到IGU的邊緣,該是由通道214的開 口的另一側(cè)上的唇部的開放性質(zhì)所促進(jìn)的。通道也可具有其內(nèi)表面(通道內(nèi)部的表面)的 至少某一部分,所述至少某一部分被配置W用基本上平行的方式來接觸IGU的玻璃窗格的 各面。在該個(gè)實(shí)例中,通道214具有其內(nèi)表面的部分218,部分218與IGU的玻璃匹配W更 好地固持在玻璃上。由于通道214的剛性和尺寸A,有一個(gè)彈黃作用,使得通道214被固持 在玻璃上而不滑落。在一個(gè)實(shí)施方案中,通道214由剛性或半剛性的塑料材料制成,例如, 可生物降解的聚合物。
[0081] 圖2D示出了從通道材料(例如,如相對(duì)于圖2C描述的通道214)制備邊緣緩沖墊 片和安裝邊緣緩沖墊片的方法的各方面。例如,制造IGU 212。通道214的一部分被擠壓; 所述部分的長(zhǎng)度近似為IGU 212的周邊的長(zhǎng)度。一系列缺口 220被切割到通道214中。該 些缺口在邊緣緩沖墊片將被折疊W容納IGU 212的轉(zhuǎn)角的位置處被切割。通道的底部部分 (參看圖2C)保持完整,使得當(dāng)圍繞IGU的邊緣折疊通道時(shí),IGU玻璃的轉(zhuǎn)角將被保護(hù)。缺口 允許該種折疊,而通道底部處剩余的材料形成折疊的頂點(diǎn)且一旦被應(yīng)用到IGU就保護(hù)IGU 的轉(zhuǎn)角。缺口從而劃定通道214的整體部分的子部分;每個(gè)子通道將各自沿IGU 212的邊 緣配合。一個(gè)實(shí)施方案是如所述的邊緣緩沖墊片,其具有折疊W容納IGU的轉(zhuǎn)角的至少H 個(gè)缺口。如果只使用H個(gè)缺口,那么緩沖墊片的端部將在未被緩沖墊片的開槽/折疊部分 覆蓋的轉(zhuǎn)角處結(jié)合。該些端部可被膠布封住W有助于在搬運(yùn)期間進(jìn)行固定。在圖2D描繪 的實(shí)施方案中,有四個(gè)缺口,使得末端可沿IGU的側(cè)面結(jié)合。該樣相同地保護(hù)了所有轉(zhuǎn)角, 因?yàn)槊總€(gè)轉(zhuǎn)角由通道的開槽部分來保護(hù)。
[0082] 在一個(gè)實(shí)施方案中,IGU的尺寸被發(fā)送到擠出機(jī)(或分配之前擠出的通道的機(jī) 器),使得當(dāng)分配缺口時(shí),缺口 220可在擠壓時(shí)在適當(dāng)位置上被切割。該節(jié)省了寶貴的時(shí)間 和金錢,因?yàn)檫吘壘彌_墊片只有在實(shí)際制造了 IGU之后且具體而言在配合脫離IGU生產(chǎn)線 的IGU之后才使用來自制備IGU的裝置的IGU尺寸來制造。因此,不需要在預(yù)期制備大量 IGU時(shí)制造大批的邊緣緩沖墊片。通過將可生物降解的材料用于邊緣緩沖墊片,例如在將 IGU安裝到建筑物中時(shí)就不用太擔(dān)也現(xiàn)場(chǎng)處理的問題。
[0083] 再次參看圖2D,從附圖的頂部開始并向下移動(dòng),適當(dāng)?shù)亻_槽適當(dāng)長(zhǎng)度的邊緣緩沖 墊片214,且邊緣緩沖墊片214被沿一個(gè)邊緣裝配到IGU 212上。緩沖墊片214的兩個(gè)相 鄰的子部分被沿著垂直于與通道214配合的第一邊緣的邊緣配合,如虛線箭頭所描繪。最 后,兩個(gè)剩余子部分被折疊W覆蓋與第一邊緣相對(duì)的IGU 212的邊緣。該是向IGU應(yīng)用通 道214的一種有效的方式,因?yàn)槠渲恍枰獌蓚€(gè)折疊操作來覆蓋IGU的四個(gè)邊緣。該些操作 可用手動(dòng)或自動(dòng)的方式來進(jìn)行,例如,其中吸盤設(shè)備適當(dāng)?shù)乇3帧⑿D(zhuǎn)和平移IGU,且例如機(jī) 械手臂、抓取器、柱、壁、滾子和/或類似設(shè)備的其它構(gòu)件被用W促進(jìn)折疊操作。
[0084] 如圖2D示出,膠帶可被應(yīng)用到通道214的端部上,W確保膠帶保持在IGU 212上, 直到期望去除膠帶為止。在該個(gè)實(shí)例中,一片膠帶被應(yīng)用到IGU的一側(cè),越過邊緣緩沖墊 片,并到達(dá)IGU的另一側(cè),使得邊緣緩沖墊片在IGU的兩側(cè)上都被固定到玻璃。
[0085] 本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解,折疊操作可用各種方式來執(zhí)行。又,例如,當(dāng)通道被擠出 并被開槽時(shí),通道可被應(yīng)用到IGU,而不是切割整個(gè)長(zhǎng)度、開槽W及然后應(yīng)用。
[0086] 在一個(gè)實(shí)施方案中,緩沖墊片被用作在應(yīng)用到IGU期間柔初的熱或溫?cái)D壓品。例 女口,當(dāng)IGU在與IGU的玻璃窗格的各面平行的平面上旋轉(zhuǎn)時(shí),柔初擠壓品被模制到IGU的每 個(gè)邊緣。當(dāng)應(yīng)用柔初擠壓品并將其模制到IGU的邊緣時(shí),在轉(zhuǎn)角處,柔初材料被在玻璃窗格 的各自面中的每一個(gè)面上折疊,W容納當(dāng)圍繞轉(zhuǎn)角折疊材料時(shí)發(fā)生的額外的材料。在一個(gè) 實(shí)施方案中,柔初擠壓品被切割成足夠的長(zhǎng)度,使得柔初擠壓品的整體件的端部可結(jié)合和/ 或重疊并彼此結(jié)合。在另一實(shí)施方案中,柔初擠壓品被切割成足夠的長(zhǎng)度,使得柔初擠壓品 的整體件的端部不結(jié)合,而是有小的間隙保留(例如,如圖2D中所描繪,通道214中的間隙 (被膠帶覆蓋)),W有助于去除柔初材料。柔初材料可被硬化到一定程度,W固持到玻璃且 也有助于去除,即,材料可在無顯著或任何撕化或撕裂的情況下被剝離。
[0087] -個(gè)實(shí)施方案是一種制造絕緣玻璃單元(IGU)的方法,方法包括;(a)在透明基板 上制造電致變色設(shè)備,W創(chuàng)建電致變色窗窗格;化)制造包括所述電致變色窗窗格的絕緣 玻璃單元(IGU);和(C)把邊緣緩沖墊片應(yīng)用到所述IGU。在一個(gè)實(shí)施方案中,緩沖墊片包 括U形通道帽,所述U形通道帽裝配在所述IGU的所述周邊上的所述玻璃邊緣上。在一個(gè)實(shí) 施方案中,緩沖墊片包括彈性體或塑性材料。在一個(gè)實(shí)施方案中,方法還包括:在應(yīng)用所述 緩沖墊片的情況下,把所述IGU從制造商運(yùn)輸?shù)桨惭b者。在一個(gè)實(shí)施方案中,方法還包括: 在安裝緩沖墊片之前,強(qiáng)化電致變色窗窗格。在一個(gè)實(shí)施方案中,強(qiáng)化包括當(dāng)在所述IGU中 時(shí),把第二窗格層壓到所述電致變色窗窗格。在一個(gè)實(shí)施方案中,把邊緣緩沖墊片應(yīng)用到 IGU包括在IGU的周邊周圍折疊包括U形通道的擠出的材料。在一個(gè)實(shí)施方案中,擠出的材 料被開槽W容納IGU的轉(zhuǎn)角處的折疊。在一個(gè)實(shí)施方案中,一片膠帶(例如覆蓋膠帶)用 W把邊緣緩沖墊片固定到IGU。在一個(gè)實(shí)施方案中,擠出的材料是可生物降解的。
[0088] 另一實(shí)施方案是一種制造用于IGU的邊緣緩沖墊片的方法,方法包括;1)從制造 IGU的單元接收IGU的尺寸,2)把U形通道材料切割到適當(dāng)?shù)拈L(zhǎng)度,W覆蓋IGU的周邊,和 3)適當(dāng)開槽U形通道材料,W把U形通道材料中的折疊容納在IGU的轉(zhuǎn)角處。在一個(gè)實(shí)施 方案中,U形通道材料具有四個(gè)缺口和五個(gè)子部分。另一實(shí)施方案是一種應(yīng)用上述開槽U形 通道材料的方法,所述方法包括:1)把開槽U形通道材料的中也子部分應(yīng)用到IGU的一個(gè) 邊緣上,2)在垂直于一個(gè)邊緣的兩個(gè)邊緣上折疊相鄰的兩個(gè)子部分,和3)在與所述一個(gè)邊 緣相對(duì)的所述剩余邊緣上折疊剩余兩個(gè)子部分。在一個(gè)實(shí)施方案中,所述方法W 1、2 W及 然后3的順序執(zhí)行。另一實(shí)施方案是一種被配置W用自動(dòng)方式執(zhí)行操作1、2和3的裝置。 在一個(gè)實(shí)施方案中,方法還包括:用一片膠帶將U形通道固定到IGU。
[0089] -個(gè)實(shí)施方案是一種被配置W執(zhí)行與邊緣緩沖墊片制造和/或安裝到IGU上相關(guān) 的本文所述的操作的裝置。
[0090] 就保護(hù)矩形IGU描述了與邊緣緩沖墊片相關(guān)的本文所述的實(shí)施方案。本領(lǐng)域技術(shù) 人員應(yīng)理解,IGU的其它形狀也是可能的,且邊緣緩沖墊片、制造并應(yīng)用所述邊緣緩沖墊片 的方法也適用于其它IGU形狀。例如,梯形IGU、H角形或其它多邊形IGU將可容納本文所 述的邊緣緩沖墊片,例如,剛性緩沖墊片將只需要具有適當(dāng)數(shù)量的缺口來在多邊形IGU周 圍折疊。在另一實(shí)例中,如果由高剛性材料制成,那么圓形或楠圓形IGU將容納例如具有許 多缺口的邊緣緩沖墊片(W在不破壞緩沖墊片的情況下形成曲線),或可使用沒有缺口的 更柔性的材料。
[0091] 并入IGU之后用加強(qiáng)基板(或窗格)層壓EC窗格具有許多益處。例如,在EC窗 格被組裝到IGU中之后進(jìn)行層壓在層壓工藝期間保護(hù)EC設(shè)備并易于處理。如果EC設(shè)備在 IGU的面向內(nèi)表面上(即,在IGU的內(nèi)部絕緣區(qū)域),那么該尤其是真的,因?yàn)閷訅汗に嚿婕?在相對(duì)惡劣的條件下接觸構(gòu)成層壓結(jié)構(gòu)的玻璃窗格的外表面。在該種條件下,如果EC設(shè)備 位于層壓結(jié)構(gòu)的外表面上,那么EC設(shè)備將被損壞。IGU因此在層壓期間保護(hù)設(shè)備。如果EC 設(shè)備位于IGU上玻璃的面向外表面上,那么EC窗格的層壓將需要用用W附接到其(層壓窗 格)的加強(qiáng)窗格和/或粘合劑來直接層壓到EC設(shè)備上。雖然可在不損壞EC設(shè)備的情況下 進(jìn)行層壓,但是該種方法有一些缺點(diǎn)。最值得注意的是,IGU將是不太有效的熱絕緣體,因 為福射僅在IGU的內(nèi)部被阻擋。另外,位于IGU周邊周圍的EC設(shè)備的暴露邊緣可在安裝之 后提供濕氣的入口點(diǎn)。
[0092] 可在公開的實(shí)施方案中利用許多不同的層壓工藝。實(shí)例包括親壓和高壓滅菌法、 真空裝袋和液態(tài)樹脂層壓,每個(gè)實(shí)例在窗制造行業(yè)都是眾所周知的。在一個(gè)實(shí)施方案中,在 EC窗格被并入IGU之后,使用液態(tài)樹脂層壓來強(qiáng)化EC窗格。
[0093] 圖3A示意性地描繪IGU 300的液態(tài)樹脂層壓的工藝流程的各方面。在圖3A中, IGU 300繪制得沒有例如相對(duì)于圖2B描述的IGU 212那么詳細(xì)。在該個(gè)實(shí)例中,IGU 300 具有EC窗格和非EC窗格。通常,雙面膠帶305被應(yīng)用到EC窗格的周邊區(qū)域。周邊膠帶中 例如在窗格的轉(zhuǎn)角中留有間隙315。加強(qiáng)窗格310被應(yīng)用到雙面膠帶,使得形成H重窗格 (也參看圖3B,在該個(gè)實(shí)例中,加強(qiáng)窗格被層壓到IGU的EC窗格,且也有不是層壓的一部分 的IGU的非EC窗格)結(jié)構(gòu)320。液態(tài)樹脂325被例如從如所描繪的底部引入到EC窗格和 加強(qiáng)窗格310之間形成的體積中。該例如可通過當(dāng)窗格310被應(yīng)用到膠帶且與EC窗格對(duì) 齊時(shí)使膠帶背襯的一小部分離開來實(shí)現(xiàn)。呈薄刀片形狀的分配噴嘴被插入窗格310和具有 背襯剩余的膠帶的一部分之間。在樹脂被引入體積且刀片被去除之后,剩余膠帶背襯被去 除,使得樹脂出口的唯一手段是間隙315。如彎曲和虛線粗箭頭所示出,單元320然后轉(zhuǎn)動(dòng), 使得液態(tài)樹脂325流向間隙315 (如在左下圖中由粗虛線箭頭向下指示)。適量的樹脂被引 入體積,使得當(dāng)樹脂覆蓋窗格之間和膠帶內(nèi)的整個(gè)區(qū)域時(shí),窗格基本上彼此平行。一旦體積 填充有樹脂,那么樹脂就例如通過加熱、催化劑和/或暴露于紫外線照射來固化,W形成窗 格之間的牢固的結(jié)合。在最終組裝中,如在圖3A中的右下方所示,固化樹脂具有層壓所需 的光學(xué)、機(jī)械和其它性質(zhì)。通過使用液態(tài)樹脂,在層壓過程中,層壓向EC窗格施加最?。ㄈ?果有的話)的應(yīng)力。
[0094] 圖3B是示出最終組裝320的更多細(xì)節(jié)的橫截面。IGU部分300包括第一窗格301 和EC窗格302, EC窗格302上包括EC設(shè)備303。窗格301和302被密封分離器304隔開, 密封分離器304橫跨窗格的周邊并具有其與每個(gè)窗格之間的密封件。內(nèi)部空間330由窗格 和密封分離器來限定。膠帶305位于IGU的內(nèi)部空間外面的EC窗格的面的周邊和窗格310 之間(且鄰近所述周邊)。EC窗格和窗格310之間創(chuàng)建的體積內(nèi)部是固化樹脂325。
[0095] 因?yàn)榛跇渲膶訅阂蕾囉趭A在將要層壓的兩個(gè)玻璃窗格之間的樹脂板或膜,所 W樹脂類型的選擇可給予窗單元光學(xué)特性。在某些實(shí)施方案中,樹脂可包含添加劑,所述添 加劑向所得層壓給予所需光學(xué)特性。所述光學(xué)特性的實(shí)例包括顏色、不透明度、散射和反射 率。在具體實(shí)例中,樹脂給予藍(lán)色。當(dāng)與具有天然微黃色調(diào)的一些EC設(shè)備連用時(shí),該可能 是特別有益的。光學(xué)特性可通過在引入層壓的體積之前向液態(tài)樹脂添加染料、顏料、散射粒 子、金屬塵埃等來給予。在某些實(shí)施方案中,藍(lán)色是作為在樹脂被引入窗格之間的體積之后 發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)的結(jié)果而獲得的。例如,反應(yīng)可由與催化樹脂的固化相同的能量或試劑來 催化。在另一實(shí)施方案中,在固化之后,樹脂例如通過暴露于正常的環(huán)境照明和/或特定的 照射和/或固化后加熱變?yōu)樗{(lán)色。
[0096] 參考圖4A-C描述了電致變色窗格的特定實(shí)例。圖4A是電致變色窗格400的橫截 面圖,電致變色窗格400的制造始于例如如工藝流程100中概述的玻璃板405。圖4B示出 EC窗格400的另一側(cè)的橫截面,且圖4C示出EC窗格400的頂視圖(圖4A是如圖4C描繪 的從右邊或左邊的視圖;且圖4B是如圖4C描繪的從底側(cè)仰視的視圖)。圖4A示出被從玻 璃板切割、邊緣刪除、激光劃線和附接母線之后的個(gè)別電致變色窗格。玻璃窗格405具有擴(kuò) 散阻擋410和擴(kuò)散阻擋上的第一透明導(dǎo)電氧化物(TC0)415。TCO層415是用W形成玻璃板 上制造的電致變色設(shè)備的電極的兩個(gè)導(dǎo)電層中的第一層。在該個(gè)實(shí)例中,玻璃板包括底層 玻璃和擴(kuò)散阻擋層。因此,在該個(gè)實(shí)例中,形成擴(kuò)散阻擋,然后是第一 TCO,然后是EC堆疊, W及然后是第二TCO。在一個(gè)實(shí)施方案中,在集成沉積系統(tǒng)中制造電致變色設(shè)備(EC堆疊和 第二TCO),其中玻璃板在堆疊的制造過程中的任何時(shí)候都不離開集成沉積系統(tǒng)。在一個(gè)實(shí) 施方案中,也使用集成沉積系統(tǒng)來形成第一 TCO層,其中玻璃板在沉積EC堆疊和(第二) TCO層期間不離開集成沉積系統(tǒng)。在一個(gè)實(shí)施方案中,在集成沉積系統(tǒng)中沉積(擴(kuò)散阻擋、 第一 TC0、EC堆疊和第二TC0)所有層,其中玻璃板在沉積期間不離開集成沉積系統(tǒng)。
[0097] 在形成EC設(shè)備之后,執(zhí)行邊緣刪除和激光劃線。圖4A描繪了區(qū)域440,在該個(gè)實(shí) 例中,在區(qū)域440中已從圍繞激光劃線溝槽430、431、432和433的周邊區(qū)域去除了設(shè)備,所 述激光劃線溝槽穿過第二TCO和EC堆疊,但不穿過第一 TC0,所述激光劃線溝槽被制造W 隔離EC設(shè)備的部分435、436、437和438,所述部分在從可操作EC設(shè)備邊緣刪除期間很可 能受到損壞。在一個(gè)實(shí)施方案中,激光劃線430、432和433穿過第一 TCO W有助于隔離設(shè) 備(激光劃線431不穿過第一 TC0,否則會(huì)切斷母線2與第一 TCO并從而與EC堆疊的電連 通)。用于激光劃線的一個(gè)或多個(gè)激光通常但并非必須地是脈沖式激光,例如二極管粟浦固 態(tài)激光。例如,可使用來自(Oxford Massachusetts)的 IPG Photonics 或來自(Vilnius Lithuania)的化spla的合適的激光來執(zhí)行激光劃線。也可例如通過鉆頭劃線來機(jī)械地執(zhí) 行劃線。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解,激光劃線可在不同的深度執(zhí)行和/或用單個(gè)工藝執(zhí)行,借 此激光切割深度在EC設(shè)備的周邊周圍的連續(xù)路徑期間變化或不變化。在一個(gè)實(shí)施方案中, 邊緣刪除被執(zhí)行到第一 TCO下方的深度。在另一實(shí)施方案中,第二激光劃線被執(zhí)行W隔離 玻璃窗格的邊緣附近的第一 TCO的一部分(例如,如圖4A-C所描繪)與朝向內(nèi)部的部分。 在一個(gè)實(shí)例中,該個(gè)劃線至少沿著邊緣在母線2和邊緣之間,其中母線2被應(yīng)用到第一 TC0。 [009引在激光劃線完成之后,附接母線。非穿透性母線(1)被應(yīng)用到第二TC0。非穿透性 母線(2)被應(yīng)用到設(shè)備未被沉積的區(qū)域(例如,保護(hù)第一 TCO免受設(shè)備沉積影響的掩模), 與第一 TCO接觸,或在該個(gè)實(shí)例中,其中邊緣刪除被用W向下去除材料到第一 TC0。在該個(gè) 實(shí)例中,母線1和母線2都是非穿透性母線。穿透性母線是通常壓入并通過EC堆疊W與堆 疊底部的TCO接觸的母線。非穿透性母線是不穿透EC堆疊層但與導(dǎo)電層(例如,TC0)的 表面形成電氣和物理接觸的母線。
[0099] TCO層可使用例如屏幕和光刻圖案化方法的非傳統(tǒng)的母線來進(jìn)行電連接。在一個(gè) 實(shí)施方案中,通過絲網(wǎng)印刷(或使用另一種圖案化方法)導(dǎo)電性油墨之后加熱固化或燒結(jié) 油墨來與設(shè)備的透明導(dǎo)電層建立電連通。使用上述設(shè)備配置的優(yōu)勢(shì)包括較簡(jiǎn)單的制造例如 比使用穿透性母線的常規(guī)技術(shù)少的激光劃線,和W下事實(shí):EC設(shè)備著色到母線1(不像當(dāng)母 線1是穿透型母線時(shí)切割隔離溝槽穿過設(shè)備的常規(guī)方法)且在母線1下方,該提供了更大 的著色區(qū)域。例如,可代替非穿透性母線1而使用穿透性母線,但該會(huì)犧牲可著色區(qū)域并將 需要在玻璃上制造EC堆疊之前穿過第一 TCO的劃線。一個(gè)實(shí)施方案設(shè)想在玻璃板上制造 EC設(shè)備之前對(duì)玻璃板上的一個(gè)或多個(gè)EC設(shè)備執(zhí)行該第一劃線。在所述實(shí)施方案中,例如相 對(duì)于圖IA和IB所描述的方法流的剩余部分仍然是類似的。
[0100] 如上文所述,在連接母線之后,設(shè)備被集成到IGU,該例如包括連接母線等。在一 些實(shí)施方案中,母線中一個(gè)或兩個(gè)在精加工的IGU內(nèi),然而,在一個(gè)實(shí)施方案中,一個(gè)母線 在IGU的密封件外面而一個(gè)母線在IGU內(nèi)。圖5A描繪了如相對(duì)于圖4A-C描述的集成到 IG呪OO的EC窗格的橫截面。使用墊片505來把EC窗格400與另一窗格510隔開。在該 個(gè)實(shí)例中,第二窗格510是非EC窗格,然而,本發(fā)明并不局限于此。窗格510上可具有EC 設(shè)備和/或一個(gè)或多個(gè)涂層,例如低E涂層等。在該個(gè)實(shí)例中,主密封件515在墊片505和 EC設(shè)備400的第一 TCO之間。該個(gè)密封件也在分離器505和第二玻璃窗格之間。次密封件 520在分離器505的周邊周圍(母線接線穿過密封件W連接到控制器)。該些密封件有助 于使IGU的內(nèi)部空間550防潮。
[0101] 圖5B描繪了與加強(qiáng)窗格530層壓之后的IGU 500。在該個(gè)實(shí)例中,使用液態(tài)樹脂 層壓,且因此固化樹脂535位于加強(qiáng)窗格和EC窗格的玻璃之間。雖然未被描繪,但是本領(lǐng) 域技術(shù)人員應(yīng)理解,如果玻璃2上也具有EC設(shè)備,那么其也可被層壓。一個(gè)實(shí)施方案是包 括由內(nèi)部空間隔開的兩個(gè)EC窗格的IGU,在一個(gè)實(shí)例中,兩個(gè)EC設(shè)備都在IGU的內(nèi)部空間 中,其中兩個(gè)EC窗格被加強(qiáng)。在一個(gè)實(shí)施方案中,EC窗格使用如本文所述的液態(tài)樹脂層壓 來加強(qiáng)。在其它實(shí)施方案中,EC窗格中一個(gè)或兩個(gè)通過施加如本文所述的涂層來加強(qiáng)或強(qiáng) 化。
[0102] 圖6A和她像圖4A和4B -樣,示出了結(jié)構(gòu)600,結(jié)構(gòu)600是在玻璃基板上制造的 EC設(shè)備。圖6C是頂視圖,示出圖6A描繪了橫截面X-X',且圖她描繪了橫截面Y-Y'。在該 個(gè)實(shí)例中,區(qū)域640代表已從圍繞激光劃線溝槽630、631、632和633的周邊區(qū)域(在該個(gè) 實(shí)例中)去除設(shè)備的區(qū)域。在該個(gè)實(shí)例中,激光劃線630、632和633穿過第二TC0、EC堆疊 和第一 TC0,且隔離可操作EC設(shè)備、EC設(shè)備的部分635、637和638,所述部分在邊緣刪除期 間很可能受到損壞。激光劃線631穿過第二TCO和設(shè)備堆疊,但不穿過底部TC0,因?yàn)樵摮?當(dāng)與母線2電連通的下部導(dǎo)體。在該個(gè)實(shí)例中,EC堆疊、第一 TCO和擴(kuò)散阻擋被在邊緣刪除 區(qū)域640中去除。該是被執(zhí)行到第一 TCO下方深度的邊緣刪除的實(shí)例。通過去除下部TCO 且可選地去除擴(kuò)散阻擋,當(dāng)被密封在IGU中時(shí),EC設(shè)備被更有效地與環(huán)境隔離,即,TCO的邊 緣(EC設(shè)備的一部分)不暴露于周圍環(huán)境。又,主密封件和次密封件可能是更可靠的,因?yàn)?它們不經(jīng)受擴(kuò)散阻擋或TCO的分層,而是在墊片和玻璃基板之間進(jìn)行。如圖6C所描繪,邊 緣刪除區(qū)域640橫跨EC設(shè)備的周邊,在玻璃的外周邊周圍。圖7示出如圖6A中并入IGU 700的橫截面。使用墊片705來把EC窗格600與另一窗格710隔開。在該個(gè)實(shí)例中,第二 窗格710是非EC窗格,然而,本發(fā)明并不局限于此。窗格710上可具有EC設(shè)備和/或一個(gè) 或多個(gè)涂層,例如低E涂層等。在該個(gè)實(shí)例中,主密封件715在墊片705和EC設(shè)備600的 玻璃基板之間。該個(gè)密封件也在分離器705和第二玻璃窗格之間。次密封件720在分離器 705的周邊周圍(母線接線穿過主密封件W連接到控制器)。該些密封件有助于使IGU的 內(nèi)部空間750防潮。類似于圖5B中所描繪,IGU 700可使用例如固化樹脂來層壓到另一玻 璃板。
[0103] 圖8A描繪了結(jié)構(gòu)800的頂視圖,結(jié)構(gòu)800包括玻璃板上的EC設(shè)備805,結(jié)構(gòu)800 類似于如圖6C中描繪的600,但是其中不形成隔離溝槽(劃線)W例如由于設(shè)備中邊緣刪 除造成的周邊周圍的缺陷而隔離EC設(shè)備805的部分。在該個(gè)實(shí)例中,周邊周圍的邊緣刪除 區(qū)域840是使用激光技術(shù)來形成的,所述激光技術(shù)在EC設(shè)備周圍留下干凈的邊緣,并從而 不需要進(jìn)一步的隔離溝槽(例如,使用如本文所述的激光、功率密度、光斑配置等)。隨著激 光燒蝕技術(shù)的更嚴(yán)格控制(例如,改進(jìn)的計(jì)算機(jī)算法、電源、激光聚焦和跟蹤方法)的問世, 所述干凈邊緣刪除是可能的,而不需要額外的激光隔離溝槽。一個(gè)實(shí)施方案是在透明基板 上制造的EC設(shè)備,其中EC設(shè)備的周邊部分(邊緣刪除)通過激光燒蝕來去除。在一個(gè)實(shí) 施方案中,周邊部分的寬在約Imm和約20mm之間,在另一實(shí)施方案中,寬在約5mm和約15mm 之間,且在又一實(shí)施方案中,寬在約8mm和約IOmm之間。在一個(gè)實(shí)施方案中,在設(shè)備制造過 程中,不形成額外的隔離溝槽、激光等。
[0104] 圖8B描繪了橫截面Z-Z'且圖8C描繪了橫截面W-W'。W此方式制造的設(shè)備不需 要隔離劃線。具體說來,EC設(shè)備是在例如包括所有所描繪的層的玻璃基板上制造的。執(zhí)行 邊緣刪除。又,向下去除EC設(shè)備的一部分到在該個(gè)實(shí)例中是透明的下電極,W創(chuàng)建母線2 的"著陸區(qū)"。該個(gè)著陸區(qū)有時(shí)稱為"母線墊暴露"或"B陽",其中暴露下部導(dǎo)體的一部分, 使得可在其上形成母線??捎萌魏雾樞騺韴?zhí)行邊緣刪除區(qū)域和BPE的形成。在一個(gè)實(shí)施方 案中,邊緣刪除在BPE之前執(zhí)行。下文更詳細(xì)地描述BPE的各種方面。
[0105] 如上文所述,在各種實(shí)施方案中,BPE是EC設(shè)備的一部分被向下去除到下部電極 (例如透明導(dǎo)電氧化物)W創(chuàng)建將要應(yīng)用母線的表面并從而與電極形成電接觸的區(qū)域。應(yīng) 用的母線可為焊接的母線和墨母線等。BPE通常具有矩形區(qū)域,但該不是必需的;BPE可為 任何幾何形狀或隨機(jī)形狀。例如,根據(jù)需要,BPE可為圓形、H角形、楠圓形、梯形和其它多 邊形形狀。形狀可取決于EC設(shè)備的配置、承載EC設(shè)備(例如,不規(guī)則形狀的窗)的基板或 甚至例如用W創(chuàng)建EC設(shè)備的更有效的激光燒蝕圖案。在一個(gè)實(shí)施方案中,BPE基本上跨越 EC設(shè)備的一側(cè),并且足夠?qū)扺使用至少在EC設(shè)備堆疊和母線之間的空間來容納母線。在一 個(gè)實(shí)施方案中,BPE基本上為矩形,長(zhǎng)度近似EC設(shè)備的一側(cè),且寬度在約5mm和約15mm之 間,在另一實(shí)施方案中,在約5mm和約IOmm之間,且在又一實(shí)施方案中,在約7mm和約9mm 之間。如所提及,母線的寬度可在約Imm和約5mm之間,通常為約3mm寬。
[0106] B陽通常但并非必須地足夠?qū)扺容納母線的寬度,且又在母線和EC設(shè)備之間留有 空間(因?yàn)橹挥心妇€能接觸下部電極)。母線寬度可超過BPE的寬度(且因此,會(huì)有母線材 料接觸到下部導(dǎo)體和玻璃兩者),只要母線和EC設(shè)備之間有空間。在母線寬度由BPE容納 (即,母線完全在下部導(dǎo)體頂上)的實(shí)施方案中,母線沿長(zhǎng)度的外邊緣可與BPE的外邊緣對(duì) 齊,或嵌入約Imm到約3mm。同樣地,母線和EC設(shè)備之間的空間在約Imm和約3mm之間,在 另一實(shí)施方案中,在約Imm和2mm之間,在另一實(shí)施方案中,為約1. 5mm。下文相對(duì)于具有為 TCO的下部電極的EC設(shè)備更詳細(xì)地描述了 BPE的形成。該僅僅是為了方便,電極可W是透 明的或不透明的任何合適的電極。
[0107] 為了形成BPE,需要清除底部TCO區(qū)域的沉積材料,使得可在BPE上制造母線。在 一個(gè)實(shí)施方案中,該是通過當(dāng)使底部TCO暴露在限定位置上的限定區(qū)域中時(shí)選擇性地去除 沉積膜層的激光處理來實(shí)現(xiàn)的。在一個(gè)實(shí)施方案中,利用底部電極和沉積層的吸收特性,W 在激光燒蝕期間達(dá)成選擇性,即,使得選擇性地去除TCO上的EC材料而保持TCO材料完整。 在某些實(shí)施方案中,也去除TCO層的上部分,W確保母線的良好的電接觸,從而例如去除可 能會(huì)在沉積過程中發(fā)生的TCO和EC材料的任何混合。在某些實(shí)施方案中,當(dāng)BPE邊緣被激 光加工W最小化在該些邊緣的損壞時(shí),可避免對(duì)限制漏電流的隔離劃片線(例如,參看上 文相對(duì)于圖8A-C的描述)的需要-該消除了一個(gè)處理步驟,同時(shí)實(shí)現(xiàn)了所希望的設(shè)備性能 結(jié)果。
[010引在某些實(shí)施方案中,用W制造BPE的電磁福射與上文所述用于執(zhí)行邊緣刪除的福 射相同。(激光)磁福被使用光纖或開放光束路徑傳遞到基板。可取決于電磁福射波長(zhǎng)的 選擇來從玻璃側(cè)或膜側(cè)執(zhí)行燒蝕。燒蝕膜厚度所需的能量密度是通過使激光束穿過光學(xué)透 鏡來實(shí)現(xiàn)的。透鏡將激光束聚焦成所需的形狀和大小,例如,在一個(gè)實(shí)施方案中,具有上述 尺寸的"平頂",具有約0. 5J/cm2和約4J/cm2之間的能量密度。在一個(gè)實(shí)施方案中,如上文 激光邊緣刪除所述般對(duì)BPE進(jìn)行激光掃描。
[0109] 通過使用上述方法,在使用邊緣刪除和BPE而無額外隔離劃線的情況下,排除了 對(duì)掩模的需要,即,在邊緣刪除時(shí)去除了 EC設(shè)備的周邊周圍的無社和/或損壞或不需要的 材料。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解,如果基板被例如夾子或其它裝置保持在適當(dāng)位置,那么可不 涂覆基板的部分。該意謂不需要用于圖案化設(shè)備的掩模。又,因?yàn)檫吘墑h除在設(shè)備上形成 了干凈的邊緣,所W不需要隔離劃線來進(jìn)一步"清理"邊緣,例如,其中當(dāng)暴露EC設(shè)備的個(gè) 別層時(shí),邊緣刪除不去除材料W形成干凈邊緣。該些方法的又一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是不需要在沉積EC 設(shè)備的個(gè)別層之間進(jìn)行圖案化。例如,在基板上涂覆形成EC設(shè)備的連續(xù)材料層。一旦制造 了 EC設(shè)備層,就執(zhí)行邊緣刪除和BPE。如本文所述,該些方法尤其適用于"涂覆并切割"技 術(shù),即,其中EC設(shè)備被涂覆到在沉積EC設(shè)備之后可被切割的退火玻璃或其它基板上。例如, 如本文所述,EC設(shè)備被涂覆,且玻璃基板被根據(jù)如本文所述的期望的尺寸切割。然后執(zhí)行 邊緣刪除和BPE。最后,附接母線??蛇x地,密封劑涂層可被施加到整個(gè)結(jié)構(gòu)W氣封設(shè)備,包 括母線和暴露個(gè)別層的邊緣的設(shè)備側(cè)。在具有或不具有所述密封劑涂層的情況下,設(shè)備可 被氣封在IGU中,例如,如圖5A、5B或7中所述。
[0110] 一個(gè)實(shí)施方案是一種制造EC設(shè)備的方法,所述方法包括;1)在不使用EC設(shè)備的 個(gè)別層的圖案化的情況下,用EC設(shè)備涂覆基板,2)圍繞基板的周邊邊緣刪除設(shè)備的周邊部 分,和3)去除EC設(shè)備的部分炬PE) W暴露下導(dǎo)電層;其中周邊部分(邊緣刪除)的寬度在 約Imm和約20mm之間,寬度在約5mm和約15mm之間,或?qū)挾仍诩s8mm和約IOmm之間。
[0111] 如在本文各種實(shí)施方案中所述,有時(shí)期望使用一個(gè)或多個(gè)激光隔離劃線來制造EC 設(shè)備。圖9A描繪了 EC薄片900的橫截面U-U',且圖9B描繪了橫截面V-V',如圖9C中所 指示,900包括玻璃板上的EC設(shè)備。參考圖9A,該個(gè)結(jié)構(gòu)的制備始于玻璃基板,所述玻璃基 板具有擴(kuò)散阻擋和沉積在所述擴(kuò)散阻擋上的第一透明導(dǎo)電氧化物。掩模可用W保護(hù)周邊區(qū) 域940,或者區(qū)域940可通過如本文所述的邊緣刪除來形成。在沉積EC堆疊之前,形成隔離 劃線920,隔離劃線920將擴(kuò)散阻擋層/TCO層分為兩個(gè)區(qū)域(參看圖9C)。然后形成EC堆 疊和頂部TC0。取決于例如姍射沉積的沉積參數(shù),EC堆疊和頂部TCO層可具有在第一 TCO 的頂部的由掩?;蜻吘墑h除過程限定的區(qū)域的周邊周圍的無社材料930。與溝槽920平行 但在設(shè)備中與溝槽920的相對(duì)側(cè)上形成隔離劃線950。在一個(gè)實(shí)施方案中,使用BPE,且不 需要隔離劃線950。參考圖9B,也形成隔離溝槽960和970。形成隔離溝槽950、960和970 W將大塊設(shè)備與無社930在周邊的H側(cè)周圍隔開。在該個(gè)實(shí)例中,劃線960和970穿過第 一(下部)TC0和擴(kuò)散阻擋,而劃線950不穿透第一 TC0。母線1被作為非穿透性母線應(yīng)用, 而母線2是穿透型(例如,焊接型)母線,其穿過第二TCO和EC堆疊W與底部(第一)TC0 形成電連接。在一個(gè)實(shí)施方案中,當(dāng)BPE用W去除材料930的一部分時(shí),其中將放置母線到 下部電極(在該個(gè)實(shí)例中為母線2),使用非穿透性母線。在特定的實(shí)施方案中,在BPE中 只去除了部分930a(參看圖9C)(劃線960和970的外面上的部分930保持完整)。EC設(shè) 備運(yùn)行正常,因?yàn)橛捎跓o社930接觸第一(底部)TCO而可能發(fā)生的任何短路都被隔離溝槽 920、960和970切斷。隔離溝槽920是有效的,因?yàn)槠涮畛溆蠩C堆疊材料,且因此導(dǎo)電性比 TCO差很多。隔離溝槽950通過頂部TCO斷開了母線I和2之間的電連接。
[0112] 例如900的電致變色薄片有時(shí)是優(yōu)選的,因?yàn)槔缈蓪C設(shè)備沉積到玻璃基板上 而不必一定使用掩模。例如,EC設(shè)備的各層向下放置在玻璃基板上,而無需使用任何掩模 或邊緣刪除。然后,使用邊緣刪除來從玻璃基板的周邊部分去除材料。使用隔離溝槽來隔 離任何剩余無社,且不需要BPE,因?yàn)樵跍喜壑械囊粋€(gè)溝槽(例如950)隔離的無社區(qū)域中的 一個(gè)無社區(qū)域頂部使用穿透性母線。然而,如所提及,一個(gè)實(shí)施方案是如相對(duì)于圖9A-C描 述但具有BPE而不是隔離劃線950的設(shè)備。
[0113] 值得注意的是,當(dāng)著色EC設(shè)備時(shí),上述隔離溝槽沒有顏色或色調(diào)。該是因?yàn)闇喜?不包含EC設(shè)備材料,或者如在溝槽920中一般,設(shè)備材料可能在溝槽中受到影響和/或沒 有底部TCO W在溝槽的區(qū)域中形成可行設(shè)備。如果該些溝槽未從包含EC薄片的窗的可視區(qū) 域遮蔽,那么當(dāng)窗被著色時(shí),隔離溝槽將相對(duì)于有色窗的彩色背景表現(xiàn)為亮線。該種高對(duì)比 度是可能的,因?yàn)镋C窗可染成阻止透過窗的幾乎所有的傳輸,幾乎不透明。劃片線和著色 設(shè)備之間的對(duì)比從美學(xué)角度來看是不理想的。注意,例如,在圖9A-C中描繪的設(shè)備中,靠近 母線的隔離溝槽920和950不位于母線下方,且因此不會(huì)被母線遮蔽而看不見。又注意,相 對(duì)于例如圖5A、5B和7描述的實(shí)施方案描述了不覆蓋玻璃薄片上EC設(shè)備的任何部分(母 線或劃片線)的墊片。發(fā)明人已認(rèn)識(shí)到,當(dāng)制造EC窗IGU時(shí),墊片可被配置W遮蔽組裝IGU 中的母線和任何隔離劃線。下方更詳細(xì)地描述了該些實(shí)施方案和各種相關(guān)優(yōu)勢(shì)。一個(gè)實(shí)施 方案是并入IGU的本文所述的任何EC設(shè)備,其中墊片被配置W從EC設(shè)備的可視區(qū)域遮蔽 母線和任何劃片線。在某些實(shí)施方案中,EC設(shè)備的周邊邊緣由主密封件密封。在該些實(shí)施 方案中,如果存在BPE,那么BPE也可由主密封件來密封。
[0114] 傳統(tǒng)上,避免了金屬墊片與母線的物理重疊,從而避免了母線和金屬墊片之間的 電短路。目P,通常,墊片和母線之間有粘合劑,但因?yàn)镮GU形成需要組件被壓在一起,所W墊 片和母線之間有發(fā)生電短路的機(jī)會(huì)。因此,墊片和母線被配置為不重疊。該種偏移設(shè)置減小 了 EC窗的可視區(qū)域。該違背了最大化EC窗的可視區(qū)域的理想目標(biāo)。克服該個(gè)問題的一種 方法是使用絕緣墊片(例如,聚合物(發(fā)泡或非發(fā)泡的塑料)墊片)或用電絕緣材料涂覆 金屬墊片至少否則將與母線接觸的表面,使得涂層是母線和墊片之間的插入絕緣體。2011 年12月6日提交的題為"Spacers化r Insulated Glass化its"的美國專利申請(qǐng)序列號(hào) 13/312,057中描述了所述涂覆墊片,所述美國專利申請(qǐng)W引用的方式并入本文。設(shè)想申請(qǐng) 13/312,057中描述的墊片適于本文所述的實(shí)施方案,因此,一個(gè)實(shí)施方案是描述墊片的本 文所述的任何實(shí)施方案,其中墊片是申請(qǐng)13/312, 057中描述的墊片。
[0115] 因此,通過使用適當(dāng)?shù)慕^緣保護(hù),墊片可位于母線上方W避免電短路,且也通過從 EC窗的可視區(qū)域遮蔽母線來節(jié)省有價(jià)值的EC設(shè)備基板面。墊片可被設(shè)置W也遮蔽劃片線; 該在圖10中示出。圖10描繪了具有處于低透射率(有色)狀態(tài)下的EC設(shè)備的IGU,其中 墊片不位于劃片線上方;參看圖10的左側(cè)的IGU。該是相比于其中墊片被設(shè)置W遮蔽劃片 線的IGU ;參看圖10的右側(cè)的IGU。很明顯,變暗窗中的可見劃片線分散用戶的注意力,因?yàn)?劃片線和有色窗的暗背景之間的高對(duì)比度。遮蔽的劃片線并非視覺上分散注意力,因?yàn)樗?們被遮蔽不可見。一個(gè)實(shí)施方案是包括具有一個(gè)或多個(gè)劃片線的至少一個(gè)EC薄片的IGU, 其中所有劃片線被IGU的墊片遮蔽。在一個(gè)實(shí)施方案中,墊片由聚合物材料制成,例如,發(fā) 泡或非發(fā)泡的材料。在一個(gè)實(shí)施方案中,墊片是金屬墊片。在另一實(shí)施方案中,金屬墊片包 括至少在靠近母線的側(cè)面上的絕緣涂層。除了遮蔽劃片線之外,該種配置還有其它優(yōu)勢(shì);該 些在下文中更詳細(xì)地進(jìn)行了描述。
[0116] 在該種情況下,各種實(shí)施方案針對(duì)IGU配置,其中IGU包含薄片上的至少一個(gè)EC 設(shè)備,且各種實(shí)施方案尤其針對(duì)IGU的玻璃窗格、墊片、EC設(shè)備、設(shè)備中的任何劃片線、母 線、主密封件和次密封件之間的相對(duì)取向和空間關(guān)系。所述IGU配置最大化EC窗的可視區(qū) 域,同時(shí)遮蔽EC設(shè)備中否則將與有色EC薄片形成高對(duì)比的母線和任何劃片線。又,該些實(shí) 施方案保護(hù)EC設(shè)備的邊緣免受IGU的主密封件內(nèi)環(huán)境的影響。下文相對(duì)于圖11更詳細(xì)地 描述了該些實(shí)施方案。
[0117] 包含在透明基板上的EC設(shè)備的常規(guī)的IGU被用相對(duì)于EC設(shè)備的兩種方式中的 一種方式來配置。在第一配置中,EC設(shè)備覆蓋基板的整個(gè)區(qū)域,且IGU的墊片位于EC設(shè) 備上。該種配置潛在地把EC設(shè)備的邊緣暴露到環(huán)境,因?yàn)镋C設(shè)備跨越主密封件和次密封 件。如果未采取額外的措施來保護(hù)EC設(shè)備的外周邊免受濕氣和環(huán)境的影響,例如允許次密 封劑或相鄰層壓粘合劑的一部分覆蓋EC設(shè)備的邊緣,那么EC設(shè)備可隨時(shí)間降級(jí)。具體說 來,該種配置允許水通過設(shè)備層的路徑進(jìn)入另外氣封的IGU內(nèi)空間并使設(shè)備的可視區(qū)域受 到影響。在第二配置中,設(shè)備被配置使得其區(qū)域位于主密封件的內(nèi)周邊中,即墊片和粘合劑 用W將墊片密封到玻璃。目P,EC設(shè)備不在墊片下方延伸,而是位于墊片的內(nèi)周邊中。換句話 說,濕氣在到達(dá)IGU的體積內(nèi)的EC設(shè)備之前將必須穿過次密封件和整個(gè)主密封件。該種配 置雖然比第一配置更多地保護(hù)EC設(shè)備,但是犧牲了 EC窗的可視區(qū)域中寶貴的EC設(shè)備占地 面積。該兩種配置出現(xiàn)的一個(gè)原因(除了第一配置中有在第二配置中被避免的水的通道之 外)是母線。由于許多原因,所W在IGU中使用金屬墊片是理想的。如上文所述,常規(guī)的金 屬墊片可缺乏母線,且因此母線被設(shè)置于主密封件的任一側(cè),即,在次密封件區(qū)域中,或IGU 的體積內(nèi)。
[0118] 在下文所述的實(shí)施方案中,母線和任何劃片線都被主密封件遮蔽,例如,它們位于 墊片和玻璃薄片之間W免對(duì)于EC窗的終端用戶可見。EC設(shè)備的邊緣直接由主密封件保護(hù), 母線和劃片線對(duì)于終端用戶不可見,且EC設(shè)備的可視區(qū)域被最大化。在其它實(shí)施方案中, 執(zhí)行邊緣刪除,且然后EC設(shè)備被密封在層壓密封件內(nèi),即,EC基板與另一窗格的層壓的結(jié) 合粘合劑保護(hù)EC設(shè)備,包括邊緣刪除留下暴露的邊緣的邊緣部分。一個(gè)實(shí)施方案是一種處 理EC設(shè)備的方法,所述方法包括;1)通過如本文所述的電磁福射從基板的周邊區(qū)域去除所 述EC設(shè)備;和2)用IGU的主密封件或在層壓密封件內(nèi)密封EC設(shè)備的周邊邊緣。本文描述 了周邊區(qū)域(邊緣刪除)的尺寸。在一個(gè)實(shí)施方案中,EC設(shè)備不具有劃片線,只有邊緣刪 除和BPE。在另一實(shí)施方案中,EC設(shè)備只具有一個(gè)劃片線,例如圖9A中描繪的劃片線920。
[0119] 在某些實(shí)施方案中,例如當(dāng)IGU被部署在高海拔地區(qū)且因此壓力變化可能需要 IGU的均壓能力時(shí),IGU可裝配有毛細(xì)呼吸管。當(dāng)使用所述毛細(xì)管時(shí),采取措施W確保氣體 的交換不允許濕氣進(jìn)入IGU,即,使用干燥劑或干燥機(jī)制來干燥通過毛細(xì)管進(jìn)入IGU的氣 體。
[0120] 圖11是IGU 1100的部分橫截面,具體說來是靠近且包括IGU的邊緣的IGU 1100 的一部分。絕緣玻璃單元1100包含基本上彼此平行的兩個(gè)玻璃基板(薄片)(參看圖2B 的下部部分和IGU制造的通用方面的相關(guān)描述)。在該個(gè)實(shí)例中,下部薄片具有通常稱為 EC涂層的EC設(shè)備1110。通常,EC涂層大約小于1微米厚至幾微米厚,所W該個(gè)附圖不是 按比例繪制的,即,涂層的橫截面在該種規(guī)格下將不可識(shí)別(又,可能有劃片線例如靠近母 線,但所述劃片線并未示出)。墊片1120在玻璃薄片之間,在該個(gè)實(shí)例中,墊片1120是金屬 墊片。主密封劑1130在墊片1120和玻璃薄片之間,主密封劑1130例如為PIB或其它合適 的粘合劑密封劑。該種結(jié)構(gòu)被稱為IGU的主密封件;其用W氣封IGU的內(nèi)部空間1150免受 環(huán)境影響,且通常,內(nèi)部空間填充有惰性氣體,例如氮?dú)?。密封?160在主密封件的周邊周 圍和各薄片之間,密封劑1160形成IGU的次密封件。母線1170在EC涂層1110上,在墊片 1120和下部薄片之間。母線1170也可在B陽上。母線的寬度可在約Imm和約5mm之間, 通常為約3mm寬。在該個(gè)實(shí)例中,墊片1120至少在靠近母線1170的側(cè)面上涂覆有絕緣材 料,W免在金屬墊片和母線之間形成無意的電短路。在一個(gè)實(shí)施方案中,母線1170沿EC設(shè) 備的基本上所有或所有長(zhǎng)度與EC設(shè)備的邊緣重疊。目P,母線部分位于設(shè)備和/或BPE區(qū)域 (穿透型或非穿透型)上,而母線的其它部分沿其長(zhǎng)度位于設(shè)備和/或BPE外。盡管不希 望被理論束縛,但相信,該種配置可有助于通過有效地短接所述區(qū)域中的設(shè)備來防止操作 過程中在墊片下方著色。墊片1120可替代性地為聚合物墊片,或者絕緣材料可被應(yīng)用到母 線,使得金屬墊片不會(huì)在母線上短路。又,具有通道W容納母線的金屬墊片可能為合適的。 [012。 尺寸C、D、E、F和G限定用于最大化可視區(qū)域同時(shí)保護(hù)EC設(shè)備的邊緣免受主密封 件中周圍環(huán)境的影響的IGU的各實(shí)施方案的許多配置方面。一個(gè)所述實(shí)施方案是具有如下 文所述尺寸C、D、E、F和G中的至少一個(gè)的IGU。在一個(gè)實(shí)施方案中,IGU具有包括如下文 所述尺寸C、D、E、F和G中的所有尺寸的配置。
[0122] 尺寸C限定玻璃薄片的內(nèi)表面之間的距離。通常測(cè)量尺寸C,因?yàn)槔绮AП∑?可具有不同的厚度,所W即使薄片具有不同的厚度,尺寸C也將相同。尺寸C在約6mm和約 30mm之間,約IOmm和約20mm之間,或約12mm和約13mm之間。尺寸C也是主密封件和次密 封件的高度的測(cè)量。主密封件和次密封件的長(zhǎng)度將取決于IGU的大小,因?yàn)樵撔┟芊饧?自跨越IGU的玻璃薄片的周邊的內(nèi)部周邊。
[012引主密封件的寬度近似為墊片1120的寬度D ± 2mm,其中一些變化是由于IGU制造期 間密封劑1130從墊片和玻璃之間擠掉(負(fù)變化是由于一些密封劑不擴(kuò)大至墊片的寬度)。 在一個(gè)實(shí)施方案中,墊片的寬度在約5mm和約15mm之間。在另一實(shí)施方案中,墊片的寬度 在約5mm和約IOmm之間,在另一實(shí)施方案中,約7mm和8mm之間。
[0124] 距離E限定次密封件的寬度。在一個(gè)實(shí)施方案中,次密封件的寬度在約2mm和約 15mm之間,在另一實(shí)施方案中,寬度在約3mm和約IOmm之間,且在又一實(shí)施方案中,寬度在 約4mm和約8mm之間。次密封件的寬度可獨(dú)立于相對(duì)于圖11描述的其它尺寸設(shè)置,或者例 如可被設(shè)置為選擇尺寸D、F和G的工件。下文描述了尺寸F和G。
[0125] 距離F是潤流,其為墊片的內(nèi)邊緣和母線或劃線的內(nèi)邊緣之間的距離。潤流是對(duì) "背"母線或劃線被設(shè)置離墊片的內(nèi)邊緣有多遠(yuǎn)的測(cè)量W從EC涂層的可視區(qū)域遮蔽母線和 /或劃線。在一個(gè)實(shí)施方案中,潤流在約Imm和約5mm之間,在另一實(shí)施方案中,在約2mm和 約3mm之間,在又一實(shí)施方案中,為約2mm。潤流可在IGU的不同側(cè)不同,如在所述實(shí)施方案 中,墊片被配置W遮蔽該些特征,且該些特征不需要相對(duì)于墊片對(duì)稱地調(diào)整尺寸,墊片只需 要遮蔽它們即可。換句話說,給定特征、劃片線或母線的潤流在IGU的一側(cè)上可與IGU的另 一側(cè)上不同。圖11示出了 EC設(shè)備1110的邊緣被主密封件保護(hù)。潤流允許遮蔽任何母線 或劃片線并確保EC設(shè)備的邊緣被主密封件保護(hù)。
[0126] 在一個(gè)實(shí)施方案中,主密封件是兩部分的密封。例如,保護(hù)EC設(shè)備的邊緣的主密 封件的一部分是如所描繪的聚合物粘合劑密封件,而外側(cè)部分更靠近墊片的外側(cè),其中墊 片在邊緣刪除區(qū)域上方,密封件是擴(kuò)散接合型密封件,其中金屬墊片和玻璃擴(kuò)散接合在墊 片的所述部分上。
[0127] 距離G是如上所述的邊緣刪除的測(cè)量。該是被去除W暴露玻璃和/或擴(kuò)散阻擋的 EC設(shè)備的周邊部分的寬度。如上文所述,在一個(gè)實(shí)施方案中,周邊部分的寬度在約Imm和約 20mm之間,在另一實(shí)施方案中,寬度在約5mm和約15mm之間,且在又一實(shí)施方案中,寬度在 約8mm和約IOmm之間。在一個(gè)實(shí)施方案中,暴露玻璃,即,EC設(shè)備和任何擴(kuò)散阻擋被在邊緣 刪除中去除。在一個(gè)實(shí)施方案中,執(zhí)行邊緣刪除,W也去除約0. 5微米(ym)和約3ym之 間的玻璃基板,例如W確保完成EC設(shè)備和擴(kuò)散阻擋的去除(從而解釋了基板的厚度和平坦 性的變化)。在一個(gè)實(shí)施方案中,執(zhí)行邊緣刪除,W也去除約Iym和約2 ym之間的玻璃基 板。在另一實(shí)施方案中,執(zhí)行邊緣刪除,W也去除約1. Sum的玻璃基板。
[012引一個(gè)實(shí)施方案是一種IGU,其中C在約12mm和約13mm之間,D在約7mm和約8mm 之間,E在約4mm和約8mm之間,F(xiàn)在約2mm和約3mm之間,和G在約8mm和約IOmm之間。 在一個(gè)實(shí)施方案中,IGU具有兩個(gè)玻璃窗格,所述玻璃窗格的寬度各自獨(dú)立地在約3mm和約 6mm之間。在一個(gè)實(shí)施方案中,每個(gè)玻璃窗格的厚度相同。在另一實(shí)施方案中,玻璃窗格的 厚度變化不超過1mm。
[0129] 雖然已經(jīng)詳細(xì)描述了本發(fā)明W便于理解,但是所述實(shí)施方案應(yīng)理解為說明性的而 不是限制性的。本領(lǐng)域技術(shù)人員將明顯,可在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)實(shí)踐某些變化和修改。
【權(quán)利要求】
1. 一種制造絕緣玻璃單元(IGU)的方法,所述方法包括: (a) 在透明基板上制造電致變色設(shè)備,以創(chuàng)建電致變色窗窗格; (b) 制造包括所述電致變色窗窗格的絕緣玻璃單元(IGU);和 (c) 把緩沖墊片應(yīng)用到所述I⑶。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述緩沖墊片包括U形通道帽,所述U形通道帽裝配 在所述IGU的周邊上的所述玻璃邊緣上。
3. 如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述緩沖墊片包括彈性體或塑性材料。
4. 如權(quán)利要求3所述的方法,其中所述緩沖墊片包括乙烯基帽。
5. 如權(quán)利要求1所述的方法,其還包括:在應(yīng)用所述緩沖墊片的情況下,把所述IGU從 制造商運(yùn)輸?shù)桨惭b者。
6. 如權(quán)利要求1所述的方法,其還包括:強(qiáng)化所述電致變色窗窗格。
7. 如權(quán)利要求1所述的方法,其還包括:當(dāng)在所述IGU中時(shí),把第二窗格層壓到所述電 致變色窗窗格。
8. -種用于I⑶的邊緣緩沖墊片,其包括: a) 整體主體,所述整體主體是由剛性或半剛性材料制成的U形或C形通道;和 b) 至少三個(gè)缺口,所述缺口被配置以允許彎曲所述U形或C形通道來容納所述I⑶的 轉(zhuǎn)角。
9. 如權(quán)利要求8所述的邊緣緩沖墊片,其包括塑料。
10. 如權(quán)利要求8所述的邊緣緩沖墊片,其為擠出成型的。
11. 如權(quán)利要求9所述的邊緣緩沖墊片,其中所述塑料包括至少一種可生物降解的聚 合物。
12. 如權(quán)利要求8所述的邊緣緩沖墊片,其中所述邊緣緩沖墊片的所述材料的厚度在 約Imm和約10mm之間。
13. 如權(quán)利要求8所述的邊緣緩沖墊片,其中所述U形或C形通道的開口比所述通道的 底部窄。
14. 一種制造用于I⑶的邊緣緩沖墊片的方法,所述方法包括: a) 接收所述IGU的尺寸; b) 把U形通道材料切割成適當(dāng)?shù)拈L(zhǎng)度,以基本上覆蓋所述IGU的周邊;和 c) 適當(dāng)?shù)亻_槽所述U形通道材料,以把所述U形通道材料中的折疊容納在所述I⑶的 轉(zhuǎn)角處。
15. 如權(quán)利要求14所述的方法,其中所述IGU的所述尺寸由IGU制造單元來提供。
16. 如權(quán)利要求15所述的方法,其中a)-c)由裝置以自動(dòng)方式來執(zhí)行,所述裝置結(jié)合所 述I⑶制造單元工作。
17. 如權(quán)利要求16所述的方法,其中所述裝置被配置以擠出所述U形通道材料。
18. 如權(quán)利要求14所述的方法,其中所述I⑶是矩形,且c)包括制造四個(gè)缺口,以容納 所述IGU的所有四個(gè)轉(zhuǎn)角。
19. 如權(quán)利要求17所述的方法,其中所述裝置還被配置以把所述邊緣緩沖墊片應(yīng)用到 所述I⑶。
20. 一種如權(quán)利要求16-19中任一權(quán)利要求所述的裝置。
21. -種將具有四個(gè)缺口和五個(gè)子部分的U形通道邊緣緩沖墊片應(yīng)用到矩形IGU的方 法,所述方法包括: 1) 把所述開槽U形通道材料的中心子部分應(yīng)用到所述IGU的一個(gè)邊緣上; 2) 在基本上垂直于所述一個(gè)邊緣的兩個(gè)邊緣上折疊相鄰的兩個(gè)子部分;和 3) 在與所述一個(gè)邊緣相對(duì)的剩余邊緣上折疊剩余兩個(gè)子部分。
22. 如權(quán)利要求21所述的方法,其以1、2以及然后3的順序執(zhí)行。
23. 如權(quán)利要求22所述的方法,其還包括:使用膠帶來把所述U形通道固定到所述 IGU。
24. -種被配置以執(zhí)行如權(quán)利要求21-23中任一權(quán)利要求所述的方法的裝置。
25. -種處理EC設(shè)備的方法,其包括: 1) 通過電磁輻射從基板的周邊區(qū)域去除所述EC設(shè)備,其中所述周邊區(qū)域的寬度在約 1mm和約20mm之間;和 2) 用IGU的主密封件或在層壓密封件內(nèi)密封所述EC設(shè)備的所述周邊邊緣。
26. 如權(quán)利要求25所述的方法,其中所述EC設(shè)備的所述周邊邊緣是用IGU的所述主密 封件來密封的。
27. 如權(quán)利要求25所述的方法,其中所述周邊區(qū)域的寬度在約5mm和約15mm之間。
28. 如權(quán)利要求25所述的方法,其中所述周邊區(qū)域的寬度在約8mm和約IOmm之間。
29. 如權(quán)利要求26所述的方法,其中也去除所述基板表面的至少一部分。
30. 如權(quán)利要求29所述的方法,其中去除約0. 5 μ m和約3 μ m之間的所述基板表面。
31. 如權(quán)利要求25所述的方法,其中所述電磁輻射包括選自248、355nm、1030nm、 1064nm和532nm的至少一個(gè)波長(zhǎng)的激光照射。
32. 如權(quán)利要求31所述的方法,其中所述激光照射的能量密度在約2J/cm2和約6J/cm2 之間。
33. 如權(quán)利要求32所述的方法,其中所述激光照射包括平頂光束配置,所述平頂光束 配置包括約0. 2mm2和約2mm2之間的聚焦區(qū)域。
34. 如權(quán)利要求32所述的方法,其中使用掃描平場(chǎng)聚焦透鏡在要被去除的所述EC設(shè)備 的所述表面上掃描所述聚焦區(qū)域。
35. 如權(quán)利要求34所述的方法,其中在掃描期間,所述聚焦區(qū)域的重疊在約5%和約 75%之間。
36. 如權(quán)利要求35所述的方法,其中所述掃描線的重疊在約5%和約75%之間。
37. 如權(quán)利要求36所述的方法,其中多個(gè)圖案被燒蝕,所述周邊區(qū)域的所述總面積的 一個(gè)子集一個(gè)圖案,其中在掃描期間所述圖案的重疊在約5%和約50%之間。
38. 如權(quán)利要求31所述的方法,其中所述激光照射具有在約IlKHz和約500KHz之間的 范圍內(nèi)的頻率。
39. 如權(quán)利要求31所述的方法,其中所述激光照射具有約IOOfs和約IOOns之間的脈 沖持續(xù)時(shí)間。
40. -種在并入IGU的基板上的電致變色設(shè)備,其中所述電致變色設(shè)備不具有隔離劃 片線。
41. 如權(quán)利要求40所述的電致變色設(shè)備,其還包括邊緣刪除和ΒΡΕ。
42. 如權(quán)利要求41所述的電致變色設(shè)備,其中母線被墊片從所述IGU的可視區(qū)域遮蔽。
43. 如權(quán)利要求42所述的電致變色設(shè)備,其中所述邊緣刪除的寬度在約5mm和約15mm 之間。
44. 如權(quán)利要求43所述的電致變色設(shè)備,其中所述BPE基本上為矩形,長(zhǎng)度近似為所述 EC設(shè)備的一側(cè),且寬度在約5mm和約IOmm之間。
45. 如權(quán)利要求44所述的電致變色設(shè)備,其中所述BPE上所述母線和所述EC設(shè)備之間 的所述空間在約Imm和約3mm之間。
46. 如權(quán)利要求45所述的電致變色設(shè)備,其中所述EC設(shè)備的周邊邊緣由所述IGU的主 密封件來密封。
47. -種制造 EC設(shè)備的方法,其包括: 1) 用所述EC設(shè)備來涂覆基板,其中未圖案化的劃片線或僅一個(gè)基本上直的劃片線被 用以圖案化所述EC設(shè)備; 2) 邊緣刪除所述EC設(shè)備中圍繞所述基板的周邊的寬度在約5_和約15_之間的周邊 部分;和 3) 沿一個(gè)邊緣去除所述EC設(shè)備的一部分,以形成BPE,從而暴露下部導(dǎo)電層。
48. 如權(quán)利要求47所述的方法,其還包括:將第一母線應(yīng)用到所述暴露的下部導(dǎo)電層。
49. 如權(quán)利要求48所述的方法,其中所述BPE基本上為矩形,長(zhǎng)度近似為所述EC設(shè)備 的所述一個(gè)邊緣,且寬度在約5mm和約IOmm之間。
50. 如權(quán)利要求49所述的方法,其中所述BPE上所述第一母線和所述EC設(shè)備之間的空 間在約Imm和約3mm之間。
51. 如權(quán)利要求50所述的方法,其中所述第一母線為非穿透性母線。
52. 如權(quán)利要求50所述的方法,其中第二母線被應(yīng)用到所述EC設(shè)備的頂部導(dǎo)電層,且 所述基板被并入I⑶。
53. 如權(quán)利要求52所述的方法,其中所述第一和第二母線被墊片從所述IGU的可視區(qū) 域遮蔽。
54. 如權(quán)利要求53所述的方法,其中所述EC設(shè)備的周邊邊緣是用所述IGU的主密封件 來密封的。
55. 如權(quán)利要求54所述的方法,其中所述BPE是由所述IGU的所述主密封件來密封的。
56. -種I⑶,其包括: a) 兩個(gè)透明基板; b) 其間的金屬墊片,所述金屬墊片使用所述兩個(gè)透明基板之間的粘合劑來與所述兩個(gè) 透明基板形成主密封件;和 c) 所述兩個(gè)透明基板中至少一個(gè)上的EC設(shè)備; 其中所述EC設(shè)備的周邊邊緣位于所述主密封件中。
57. 如權(quán)利要求56所述的IGU,其中所述EC設(shè)備中任何圖案化線位于所述主密封件 中。
58. 如權(quán)利要求57所述的IGU,其中與所述設(shè)備相關(guān)的任何母線位于所述主密封件中。
59. 如權(quán)利要求58所述的IGU,其中所述金屬墊片涂覆有電絕緣材料。
60. 如權(quán)利要求58所述的IGU,其中所述金屬墊片的寬度在約5mm和約IOmm之間。
61. 如權(quán)利要求58所述的IGU,其還包括:具有寬度在約3mm和約IOmm之間的次密封 件。
62. 如權(quán)利要求58所述的I⑶,其中渦流在約Imm和約5mm之間。
63. 如權(quán)利要求58所述的IGU,其還包括:寬度在約5mm和約15mm之間的邊緣刪除。
64. 如權(quán)利要求63所述的IGU,其中所述邊緣刪除包括去除約0. 5 μ m和約3 μ m之間 的上面形成邊緣刪除的所述透明基板。
65. 如權(quán)利要求58所述的IGU,其中所述金屬墊片的寬度在約7mm和約8mm之間,次密 封件的寬度在約4mm和約8mm之間,渦流的寬度在約2mm和約3mm之間,邊緣刪除的寬度在 約8mm和約IOmm之間,且所述兩個(gè)透明基板為玻璃。
66. 如權(quán)利要求65所述的IGU,其中所述兩個(gè)透明基板的內(nèi)表面之間的距離在約12mm 和約13mm之間。
【文檔編號(hào)】E06B9/24GK104321696SQ201380025955
【公開日】2015年1月28日 申請(qǐng)日期:2013年4月22日 優(yōu)先權(quán)日:2012年4月25日
【發(fā)明者】羅納德·M·帕克, 羅伯特·T·羅茲比金, 拉什勞伊·巴特納格爾, 阿比什克·阿南特·迪克西特, 安舒·A·普拉丹 申請(qǐng)人:唯景公司