專利名稱：帶導(dǎo)電釉的陶瓷制品的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種包含陶瓷主體并在該主體的表面上具有一層導(dǎo)電釉面層的制品，該制品特別適合作為在電力輸送系統(tǒng)、電力分配系統(tǒng)和電力分站中使用的陶瓷電絕緣子。該絕緣子具有一個(gè)燒制的陶瓷主體并在該主體的表面上具有與該陶瓷主體共燒制的導(dǎo)電釉層。本發(fā)明可應(yīng)用于例如懸垂絕緣子。
已知可將導(dǎo)電釉應(yīng)用于陶瓷電絕緣子，特別是懸垂絕緣子上。釉的常規(guī)功能是提高強(qiáng)度。如果釉料是導(dǎo)電的，那末，當(dāng)通過(guò)絕緣子施加電壓時(shí)，在該絕緣子的兩端之間就會(huì)有一個(gè)小電流通過(guò)，例如2mA。該電流輕微地加熱了絕緣子的表面，因此有助于使附著在絕緣子上的積雪融化并使絕緣子表面干燥，從面使絕緣子經(jīng)常保持高電阻和低的電流泄漏。這樣就允許該絕緣子能在更高電壓的條件下工作。通常在絕緣子兩電極之間的釉面層的總電阻在2～10MΩ的范圍內(nèi)。
當(dāng)落在絕緣子表面上的塵埃顆粒受潮時(shí)，它就變成導(dǎo)電的并因此會(huì)在塵粒之間產(chǎn)生電弧。如果釉料是導(dǎo)電的，那末，由于在塵粒之間存在連續(xù)的電流通路，因此可以避免電弧的產(chǎn)生。而電流的通過(guò)也會(huì)使塵埃干燥。
已知可以通過(guò)將導(dǎo)電粒子加入絕緣的釉料基質(zhì)中來(lái)制造一種導(dǎo)電釉。GB-A-678718描述了使用一種所謂藍(lán)二氧化鈦(該氧化物欠氧)來(lái)向一種在電絕緣陶瓷元件上的釉層賦予導(dǎo)電性。藍(lán)TiO2可通過(guò)在低氧壓力的條件下焙燒來(lái)獲得。除了導(dǎo)電的TiO2之外，還可以包括其他氧化物，例如Be、Cr、Cu、Co、Ni、Mn、Mo、W和V的氧化物，以便抑制或者促進(jìn)TiO2呈現(xiàn)其導(dǎo)電形態(tài)的傾向。該TiO2可以分散在粘土、二氧化硅、長(zhǎng)石和皂石的稀釋劑中。將表面釉涂敷在含TiO2的物層之上。GB-A-848034描述了在GB-A-678178的釉料中加入二硅化鉬，二硅化鉬的加入量為二氧化鈦含量的0.1～20％(重量)。二硅化鉬的使用可以減少或者根本不需要對(duì)焙燒條件的精確控制。所說(shuō)，為了達(dá)到這一目的，二硅化鉬比氧化鉬有效得多。這樣就不必在含有藍(lán)二氧化鈦的導(dǎo)電釉上再涂敷一層保護(hù)釉，但是盡管如此，還是建議使用一層釉面層。
一種其中的TiO2是以導(dǎo)電的形態(tài)TiO2-x存在的含TiO2的釉料具有一個(gè)缺點(diǎn)，也就是在該釉料表面上的微小放電可能使其轉(zhuǎn)變成絕緣的TiO2。其次，該釉料的電阻在受熱時(shí)可能發(fā)生較大的變化(降低)，因此，其熱穩(wěn)定性差。
在“陶瓷”(日本陶瓷學(xué)會(huì)會(huì)刊)[“Ceramics”(Bulletin of theCeramics Society of Japan)]Vol.11，No.10,905-910(1976)中建議使用一種含F(xiàn)e2O3的釉料。這種導(dǎo)電釉的組成例如為30-70wt％的Fe2O3+TiO2+Cr2O3和30-70wt％的基礎(chǔ)釉成分。該導(dǎo)電釉含有金屬氧化物，其中含有Fe2O3作為主成分以及TiO2、Cr2O3、V2O5、MnO2、BeO、ZnO等。這類導(dǎo)電釉的問(wèn)題是由于對(duì)導(dǎo)電氧化物的電化學(xué)洗提作用而存在溫度控制性能損失的危險(xiǎn)性以及抗電腐蝕性能的劣化。
通常，導(dǎo)電釉的電阻隨溫度的變化屬負(fù)型，也就是說(shuō)，當(dāng)溫度升高時(shí)，其表面電阻率降低。溫度與表面電阻率之間的相互關(guān)系可以用下列關(guān)系式表示，它與用于熱敏電阻的關(guān)系式相類似R＝R0exp(B(1/T-1/T0))其中，R是在溫度T(K)時(shí)的表面電阻率(Ω)，R0是在溫度T0(K)時(shí)的表面電阻率(Ω)，以及B是熱敏電阻常數(shù)(K)。電阻對(duì)溫度的依賴關(guān)系可以用該關(guān)系式中B的數(shù)值來(lái)表示。B的值越高，則電阻隨溫度升高所導(dǎo)致的降低值越大，并且溫度控制性能損失的危險(xiǎn)性增加。
一種氧化鐵類的導(dǎo)電釉具有高達(dá)約3000-4000K的B值。溫度升高約15～20℃就足以使電阻降低至原來(lái)的一半。這是因?yàn)?，由于電流通過(guò)絕緣子表面時(shí)所產(chǎn)生的熱導(dǎo)致電阻值降低并因此使漏電量增加，這又進(jìn)一步產(chǎn)生熱。最后，絕緣子的溫度顯著地升高，這時(shí)絕緣子可能被燒壞。因此，這種釉不能作為在全部表面上的導(dǎo)電釉使用而只是被作為局部涂敷的導(dǎo)電釉使用，在此情況下，將其涂敷在一種細(xì)桿式(pin)絕緣子頂端上或附近的電板區(qū)域，為的是避免電暈噪聲。
NGK絕緣子公司已出售一種帶有氧化錫類導(dǎo)電釉的高壓懸垂絕緣子，其中的導(dǎo)電釉的組成為20-40wt％的SnO2+Sb2O5和60-80wt％的基礎(chǔ)釉成分。將氧化錫和三氧化銻按預(yù)定比例混合并將此混合物加入造釉成分中。摻雜有Sb5+的SnO2具有導(dǎo)電性。這種導(dǎo)電釉的電阻按照上述關(guān)系式中的B值1000-1500K而隨溫度變化，由于這種導(dǎo)電釉與上面討論的導(dǎo)電釉相比，其溫度控制性能損失的危險(xiǎn)較小，因此它可以涂敷在全部表面上。然而，當(dāng)這些絕緣子投入使用時(shí)，在每一個(gè)絕緣子上必須維持低電壓并且必須控制絕緣子表面上的放熱量。也就是說(shuō)，必須把大量的絕緣子相互連接起來(lái)。
雖然，在氧化鐵類導(dǎo)電釉中成為電化學(xué)洗提主要原因的電腐蝕很少發(fā)生在氧化錫類導(dǎo)電釉中，但當(dāng)該絕緣子經(jīng)受較長(zhǎng)時(shí)間的電場(chǎng)試驗(yàn)時(shí)，絕緣子的表面變粗，因此產(chǎn)生了碎裂的危險(xiǎn)性。相應(yīng)地，表面電阻率逐漸升高并使得所需的導(dǎo)電釉的作用消失。其原因似乎是由于在導(dǎo)電釉與雜質(zhì)之間的電流分離所引起的物理和化學(xué)反應(yīng)。由于在直流電的操作中，電阻的劣化特別顯著，因此這種導(dǎo)電釉在直流電的操作中沒(méi)有被用作全部表面的導(dǎo)電釉。
另外，氧化錫類導(dǎo)電釉必須在氧化氣氛中焙燒，當(dāng)它在還原氣氛中焙燒時(shí)，不能獲得為絕緣子所要求的預(yù)定表面電阻率。
本發(fā)明的目的是要克服或減輕上述的缺點(diǎn)。
根據(jù)本發(fā)明，提供了一種至少包含一個(gè)陶瓷主體以及在其至少一部分表面上具有導(dǎo)電釉層的制品，所說(shuō)釉層具有一種電絕緣基質(zhì)以及分散在該基質(zhì)中的導(dǎo)電粒子，所說(shuō)導(dǎo)電粒子的至少50％(重量)由這樣一些粒子組成，其中的每一個(gè)粒子皆含有至少50％(重量)選自金屬狀態(tài)的Mo和Mo化合物的含Mo物質(zhì)，其中，該含有含Mo物質(zhì)的導(dǎo)電粒子含有金屬狀態(tài)的Mo和至少一種Mo的化合物。
含Mo物質(zhì)可以是單獨(dú)呈金屬狀態(tài)的Mo，或者也可以是金屬狀態(tài)的Mo粒子和含Mo化合物或諸如硅化鉬之類化合物類的粒子。被加入的MoSi2在焙燒時(shí)可能轉(zhuǎn)變成其他的導(dǎo)電硅化物類和/或MoO2。
由于釉中的導(dǎo)電粒子既含Mo又含一種Mo的化合物，所以導(dǎo)電粒子的總量可以減少。由此達(dá)到了下列的效果。這又可減少成本。
焙燒時(shí)，在所加入的Mo化合物(例如MoSi2)和Mo中均會(huì)進(jìn)行氧化反應(yīng)，并形成下列物質(zhì)。
(氧化MoSi2后形成的產(chǎn)物)SiO2，Mo，MoO2，MoO3(高溫下為揮發(fā)性)，Mo5Si3，Mo3Si，等(氧化Mo后形成的產(chǎn)物)
MoO2，MoO3(高溫下為揮發(fā)性)這些物質(zhì)中除SiO2和MoO3外的每一種物質(zhì)的電阻率均為10-3Ωcm或更小(10-4～10-5Ωcm)，并且該電阻率不會(huì)由于這些物質(zhì)的形成而有大的變化。MoO3對(duì)變化幾乎沒(méi)有影響。因?yàn)樗诟邷叵律A。另一方面，SiO3是一種絕緣體，它的形成是使電阻率增高的一種因素。
MoSi2的氧化反應(yīng)在表面上開(kāi)始，并且SiO2在粒子表面上作為表層形成。因此，當(dāng)SiO2表層變厚時(shí)，粒子之間的接觸電阻率增加，甚至當(dāng)導(dǎo)電物質(zhì)仍保留在粒子上的情況下，其電導(dǎo)率也要下降?？梢哉J(rèn)為，氧化的表層的形成差異會(huì)引起電導(dǎo)率的差異。
另一方面，Mo金屬及其氧化物具有足夠的電導(dǎo)率，當(dāng)加入Mo時(shí)，可預(yù)計(jì)接觸電阻率會(huì)降低，并且由于在MoSi2粒子之間有Mo存在，所以電阻率會(huì)是穩(wěn)定的。
此外，在生產(chǎn)本發(fā)明的陶瓷制品時(shí)，最好使用一種經(jīng)預(yù)先煅燒得到的每一粒子表面帶有氧化表層的如MoSi2的粉末。
即，使用在先前煅燒獲得的每一粒子表面帶有氧化表層的粉末作為MoSi2原材料可以防止焙燒時(shí)的進(jìn)一步氧化和由釉或其類似物的剝落引起的外觀低劣性。
在含有含Mo物質(zhì)的釉中的粒子，優(yōu)選是每個(gè)粒子至少含有90％(重量)的所說(shuō)含Mo物質(zhì)，更優(yōu)選是基本上完全由含Mo物質(zhì)組成。
優(yōu)選是在釉層中至少有90％(重量)的導(dǎo)電粒子由該含有含Mo物質(zhì)的粒子組成，更優(yōu)選是在釉層中基本上所有的導(dǎo)電粒子由該含有含Mo物質(zhì)的粒子組成。
導(dǎo)電含Mo粒子的數(shù)量可根據(jù)所需的性能來(lái)選擇，其數(shù)量可以在釉的1～90％(重量)的范圍內(nèi)。
含Mo導(dǎo)電粒子的主要粒徑優(yōu)選在1～50μm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在15μm的范圍內(nèi)。
電絕緣基質(zhì)可以是通常用作絕緣子釉料中的一種，例如象鈉玻璃之類的玻璃。一種優(yōu)選的玻璃具有下列成分，這些成分按照塞格爾(Seger)公式以摩爾比例表示K2O+Na2O 10-70molCaO 0-70molMgO 0-90mol
條件是(K2O+Na2O+CaO+MgO)的總摩爾數(shù)為100molAl2O30-120mol，以及SiO2400-800mol該基質(zhì)中可以含有Fe，這種Fe至少以一種Fe化合物的形式存在。Fe2O3可以賦予褐色。
適用于本發(fā)明中的釉料，其電阻的溫度系數(shù)(B值)可以小到0-200K。因此，在使用時(shí)不必考慮溫度控制性能損失的問(wèn)題，并且適合作為電絕緣子全部表面的導(dǎo)電釉使用。由于可以安全地施加到一個(gè)在其全部表面上帶有導(dǎo)電釉的絕緣子上的電壓可以提高，因此，為了滿足給定電壓水平而需要連接在一起的絕緣子的數(shù)目可以減少。
當(dāng)把帶有本發(fā)明導(dǎo)電釉的絕緣子用于交流電或直流電操作時(shí)，皆沒(méi)有發(fā)現(xiàn)電學(xué)性能的劣化，并且其表面電阻率也沒(méi)有變化。因此，不必考慮由于電腐蝕所引起的壽命期限問(wèn)題，這一點(diǎn)與那些使用常規(guī)釉作為全部表面釉的絕緣子的情況是不同的。
使用本發(fā)明的導(dǎo)電釉，在進(jìn)行焙燒時(shí)即便使用從氧化氣氛至還原氣氛的寬廣范圍內(nèi)的任何氣氛，皆能獲得帶有導(dǎo)電釉的絕緣子所要求的預(yù)定表面電阻率。
本發(fā)明可以提供一種具有選擇熱膨脹系數(shù)(CTE)的導(dǎo)電釉。通常絕緣子主體(body)的熱膨脹系數(shù)為8.0-4.5×10-6K-1。而本發(fā)明中使用的導(dǎo)電釉比絕緣子主體具有小得多的CTE，由此絕緣子主體對(duì)絕緣子表面賦予足夠的壓縮，借此提高絕緣子的機(jī)械強(qiáng)度。特別是在本發(fā)明中使用的釉料的CTE優(yōu)選至少比絕緣子主體的CTE低2.0×10-6K-1。上述的已知氧化錫類導(dǎo)電釉的CTE為4.5-5.5×10-6K-1，因此常常不能向絕緣子賦予足夠的壓縮，而在實(shí)際應(yīng)用中，具有低CTE的常規(guī)釉料只能涂敷于需要高強(qiáng)度的部位。然而，本發(fā)明的釉料可以涂敷于絕緣子的全部表面上，因此可以向絕緣子賦予足夠的強(qiáng)度。
借助于添加劑的作用，本發(fā)明的釉料可以進(jìn)行顏色選擇。已經(jīng)被使用的已知氧化錫類導(dǎo)電釉只能具有灰色，這是由氧化錫帶來(lái)的顏色。在某些國(guó)家中需要一種褐色的絕緣子。本發(fā)明的導(dǎo)電釉可以具有褐色。
其粒子被包含在釉料中的導(dǎo)電物質(zhì)必須具有適當(dāng)?shù)偷碾娮杪剩瑑?yōu)選低于1000Ωcm，更優(yōu)選不超過(guò)100Ωcm，并且必須能夠在絕緣子焙燒的條件下，例如在1200～1300℃的焙燒溫度下進(jìn)行焙燒。這些粒子必須在釉料的玻璃基質(zhì)內(nèi)保持均勻分布。這些物質(zhì)在釉料中必須呈導(dǎo)電的狀態(tài)。
在本發(fā)明中可以獲得的優(yōu)點(diǎn)是，具有所需電阻率溫度系數(shù)的物質(zhì)的粒子可以應(yīng)用于釉料中，該釉料可以具有正的或者稍為負(fù)的電阻率溫度系數(shù)，該系數(shù)(在上述熱敏電阻公式中的常數(shù)B)可以處于-300至300K之間。使用導(dǎo)電物質(zhì)粒子，通過(guò)選擇導(dǎo)電物質(zhì)或通過(guò)調(diào)整包含在釉料中粒子的數(shù)量，即可以控制釉料的電阻率。也可以通過(guò)改變釉料基質(zhì)的組合物來(lái)調(diào)節(jié)其電阻率。對(duì)于本發(fā)明的釉料來(lái)說(shuō)，可以獲得例如在10-1至109Ωcm之間的表面電阻率。
通過(guò)選擇粒子的物質(zhì)種類及其使用量，可以將焙燒時(shí)粒子的氧化降低至最小程度，而且本發(fā)明的絕緣子可以在寬的氧分壓，例如在0.1至10-10atm的氧分壓下焙燒，這就能使絕緣子陶瓷主體的焙燒條件達(dá)到最佳化。在本發(fā)明中使用的某些釉料可以在還原條件下焙燒。在焙燒時(shí)能夠采用低氧濃度的這種能力改善了絕緣子的質(zhì)量并降低了成本。
除了導(dǎo)電粒子之外，還可以將非導(dǎo)電粒子分散在釉料基質(zhì)中，以便調(diào)整釉料的顏色及釉料的熱膨脹系數(shù)。例如可以包括顏料粒子以及由那些具有低熱膨脹系數(shù)的物質(zhì)，例如堇青石，構(gòu)成的非導(dǎo)電粒子。
陶瓷絕緣子的生產(chǎn)技術(shù)是眾所周知的，此處不需要介紹，但是應(yīng)予說(shuō)明，釉料可以按照諸如流動(dòng)涂敷法或浸漬涂敷法等常規(guī)方法涂敷到例如絕緣子主體上，其焙燒操作可以在氧化條件(氧分壓0.2～10-3atm)或還原條件(氧分壓10-3～10-10atm)下進(jìn)行，這取決于組合物成分。
焙燒條件，例如焙燒溫度和焙燒程序也能影響釉料的電阻率。其粒子可以被包含在釉料中的某些導(dǎo)電物質(zhì)對(duì)焙燒條件是敏感的，因此必須當(dāng)心。例如，在800℃時(shí)MoO3可能從釉料中損失掉，因此必須選擇能夠使這種損失減少至最低程度的加熱曲線。
本發(fā)明主要描述涂敷到電絕緣子上。其他可以被涂敷的制品有電熱瓦，其應(yīng)用例子是使積雪融化，以及一種導(dǎo)電鋪面材料，例如道路。
鋪面材料可以包含那些具有釉料作為表面涂層的陶瓷顆粒，這些釉料將許多顆粒粘結(jié)在一起，同時(shí)保留空隙以供排水之用。
實(shí)施例下面給出本發(fā)明的實(shí)施例，但這些實(shí)施例只用于解釋本發(fā)明而不能限制本發(fā)明。
下面表1(a)和表1(b)給出了以“Mo類導(dǎo)電釉”作為標(biāo)志的本發(fā)明電絕緣子的實(shí)施例以及以“氧化錫類導(dǎo)電釉”作為標(biāo)志的比較例。
為了準(zhǔn)備釉料基質(zhì)的成分，將各種氧化物成分按所需比例混合并進(jìn)行濕磨。可以包括一些不導(dǎo)電的填料粒子。然后將所需的導(dǎo)電粒子(Mo、MoSi2)加入混合物中，并接著進(jìn)行攪拌。優(yōu)選是導(dǎo)電粒子的粒徑分布不會(huì)由于攪拌而改變。按常規(guī)方法將釉料涂敷到陶瓷絕緣子主體上。SnO2和Sb2O5填料的主要粒徑在0.5～3μm的范圍內(nèi)。MoSi2填料和Mo填料的主要粒徑分別為8μm和3μm。
術(shù)語(yǔ)“氧化焰焙燒”和“還原焰焙燒”是指在1000℃以上的高溫階段的焙燒氣氛而言。最高焙燒溫度為1270℃。超過(guò)10-3atm(0.1MPa)的氧分壓被認(rèn)為是氧化性的，而低于10-3atm的氧分壓則被認(rèn)為是還原性的。
表1b示出了可以通過(guò)改變焙燒條件獲得的表面電阻率的范圍。
表1(c)示出，金屬M(fèi)o和Mo化合物的共同存在可以控制電阻率的變化。
如表1(c)所示，在使用低膨脹釉時(shí)，單一MoSi2以及MoSi2和Mo的混合物在同樣條件下各自獨(dú)立焙燒。從表1(c)明顯看出，在每種情況下，所得之制品的平均表面電阻率為103Ωcm。但是，由于加入金屬M(fèi)o，使電阻率的波動(dòng)范圍大大減小。其波動(dòng)范圍從4位數(shù)變到1位數(shù)。
表1(d)示出焙燒時(shí)的外觀低劣性可采用先前煅燒過(guò)的MoSi2粉末來(lái)加以防止。
MoSi是在維持最高溫度為850℃的空氣中煅燒2小時(shí)。使用每一粒子中的MoSi2含量為13％(體積)的褐色釉作為基礎(chǔ)釉來(lái)對(duì)煅燒過(guò)的MoSi2和未煅燒過(guò)的MoSi2進(jìn)行比較。所得之釉涂敷到陶瓷絕緣子的表面上，并且該絕緣子在以三種升溫速率(650℃/時(shí)、300℃/時(shí)、100℃/時(shí))升至最高溫1000℃的條件下進(jìn)行氧化焰焙燒。然后觀察其外觀。
從表1(d)明顯看出，在未煅燒過(guò)的MoSi2的情況下，隨升溫速率下降，其釉開(kāi)始剝離。另一方面，在煅燒過(guò)的MoSi2的情況下，對(duì)任何升溫速率均未產(chǎn)生外觀低劣性，這是由于氧化表層的形成使MoSi2的氧化得以控制的緣故。因?yàn)樵谡１簾龝r(shí)，升溫速率約為100℃小時(shí)，所以必須使用煅燒過(guò)的MoSi2以防止外觀的低劣性。
表1(a)<
重量比SnO2∶Sb2O5＝29∶1
表1(b)
表1(c)
注焙燒條件與表1(a)不同表1(d)
評(píng)價(jià)×釉層剝落；△釉層部分剝落；○良好(無(wú)剝落)
在本發(fā)明的這些含Mo釉料中，我們已經(jīng)通過(guò)X-射線衍射分析發(fā)現(xiàn)了其中存在MoSi2、Mo5Si3、Mo3Si、MoO2和Mo的證據(jù)。由此看來(lái)，MoSi2在焙燒時(shí)轉(zhuǎn)變成其他的化合物。以金屬狀態(tài)加入的Mo仍保留其原有狀態(tài)。所有這些物質(zhì)都是導(dǎo)電的。
權(quán)利要求
1.一種至少包含一個(gè)陶瓷主體以及在其至少一部分表面上具有導(dǎo)電釉層的制品，所說(shuō)釉層具有一種電絕緣基質(zhì)以及分散在該基質(zhì)中的導(dǎo)電粒子，所說(shuō)導(dǎo)電粒子的至少50％(重量)由這樣一些粒子組成，其中的每一個(gè)粒子皆含有至少50％(重量)選自金屬狀態(tài)的Mo和Mo化合物的含Mo物質(zhì)，其中該含有含Mo物質(zhì)的導(dǎo)電粒子含有金屬狀態(tài)的Mo和至少一種Mo的化合物。
2.如權(quán)利要求1所述的制品，其中所說(shuō)含有含Mo物質(zhì)的粒子中的每個(gè)粒子含有至少90％(重量)的所說(shuō)含Mo物質(zhì)。
3.如權(quán)利要求2所述的制品，其中所說(shuō)含有含Mo物質(zhì)的粒子中的每個(gè)粒子基本上完全由含Mo物質(zhì)組成。
4.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的制品，其中，在所說(shuō)釉層中至少有90％(重量)的所說(shuō)導(dǎo)電粒子由所說(shuō)含有含Mo物質(zhì)的粒子組成。
5.如權(quán)利要求4所述的制品，其中，在所說(shuō)釉層中基本上所有的所說(shuō)導(dǎo)電粒子由所說(shuō)含有含Mo物質(zhì)的粒子組成。
6.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的制品，其中所說(shuō)的含有含Mo物質(zhì)的導(dǎo)電粒子構(gòu)成了所說(shuō)釉料的1～90％(重量)。
7.如權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的制品，其中所說(shuō)的含有含Mo物質(zhì)的粒子含有一種或多種硅化鉬。
8.如權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的制品，其中所說(shuō)電絕緣基質(zhì)是玻璃。
9.如權(quán)利要求8所述的制品，其中所說(shuō)的玻璃具有下列成分，按摩爾比為K2O+Na2O 10-70molCaO 0-70molMgO 0-90mol條件是(K2O+Na2O+CaO+MgO)的總摩爾數(shù)為100molAl2O30-120mol，以及SiO2400-800mol
10.如權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的制品，其中所說(shuō)的基質(zhì)含有以至少一種鐵化合物形式存在的Fe。
11.如權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的以陶瓷電絕緣子形式存在的制品。12、如權(quán)利要求11所述的電絕緣子，其中所說(shuō)導(dǎo)電釉的熱膨脹系數(shù)小于所說(shuō)陶瓷主體的熱膨脹系數(shù)。
13.如權(quán)利要求12所述的電絕緣子，其中所說(shuō)導(dǎo)電釉的熱膨脹系數(shù)要比所說(shuō)陶瓷主體的熱膨脹系數(shù)至少小2.0×10-6K-1。
14.如權(quán)利要求10～13中任一項(xiàng)所述的制品，其中所說(shuō)的釉層除了含有所說(shuō)導(dǎo)電粒子外，還含有分散在所說(shuō)基質(zhì)中的電絕緣粒子。
15.如權(quán)利要求14所述的電絕緣子，其中所說(shuō)電絕緣粒子由堇青石制成。
16.如權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的制品，該制品含有許多以陶瓷粒子形式存在的陶瓷主體，所說(shuō)陶瓷粒子在其表面上具有所說(shuō)的導(dǎo)電釉層，該釉層與所說(shuō)粒子相互粘結(jié)在一起。
17.一種生產(chǎn)如權(quán)利要求7-16中任一項(xiàng)所述的制品的方法，其中使用一種經(jīng)預(yù)先煅燒得到的每一粒子表面帶有氧化表層的如MoSi2的粉末。
全文摘要
一種制品,特別是一種懸垂絕緣子,它具有陶瓷主體和導(dǎo)電釉層。該釉層具有電絕緣基質(zhì)以及分散在該基質(zhì)中的導(dǎo)電粒子。每個(gè)導(dǎo)電粒子至少含有50%(重量)選自金屬狀態(tài)的Mo和諸如硅化鉬等Mo化合物的含Mo物質(zhì),這些粒子含有金屬狀態(tài)的Mo和至少一種Mo化合物。該釉料可以獲得所需的電學(xué)性能并可容易地制造。
文檔編號(hào)C04B38/00GK1201022SQ9810871
公開(kāi)日1998年12月9日 申請(qǐng)日期1998年6月1日 優(yōu)先權(quán)日1997年6月2日
發(fā)明者石田順彥, 伊神俊市, 飯味孝夫, 松田和幸 申請(qǐng)人:日本礙子株式會(huì)社