專利名稱：用于減少光學基片反射的涂層、方法和設備的制作方法
背景技術(shù)：
本發(fā)明一般涉及改善光透過光學材料(例如眼鏡片)的透明度，同時減少來自光學材料的可導致眩光的雜散光的反射。
所有未經(jīng)涂敷的光學透明材料均反射一部分入射光。反射量隨入射光的波長、偏振和入射角以及隨透明材料依波長變化的折射率而改變。如光學領域?qū)嵺`人員公知的那樣，這種菲涅爾反射為用于電磁輻射的麥克斯韋方程所描述，并且由例如M.Born和E.Wolf在“光學原理”(紐約Pergammon出版社，1980年)一書中描述。具有區(qū)別于基片折射率的透光材料層能夠減少反射量，也是已知的。該減少量取決于涂敷材料隨波長變化的折射率、它們的厚度以及入射光的波長、偏振和入射角。這些涂層的設計和制造在H.A.Macleod的“薄膜光學濾光片”(紐約McGraw-Hill出版社，1989年)第3章和第9章中作了充分地描述。
例如由Gunter Wyszecki與W.S.Stiles在色彩科學概念與方法；定量數(shù)據(jù)與公式(紐約Wiley出版社，1982年)和Nicholas Wade與Michael Swanston在“視覺”(倫敦Routledge出版社，1991年)中所述，人的視覺系統(tǒng)的靈敏度也隨入射光的波長和它的入射角變化。通過設計和制造帶有涂層的光學制品以開拓人的視覺響應功能是有利的，該光學制品具有的涂層厚度和組成可將其菲涅爾反射的可覺察的角度和波長變化減至最小。
用于產(chǎn)生減反射(AR)涂層的已有方法使用物理氣相沉積，其中高能量電子束被用于在真空室中加熱無機材料樣品例如鈦(Ti)、硅(Si)或氟化鎂(MgF2)。直到它們蒸發(fā)并沉積在較冷的基片上。被蒸發(fā)材料的通量是均質(zhì)的并且隨著待涂敷的基片與蒸發(fā)源之間的距離平方遞減。該方法需要其尺寸比基片尺寸大的真空室。這種方法的典型裝置被發(fā)現(xiàn)在1100型高真空沉積系統(tǒng)(Leybold-Hereaus GmbH，Hanau，德國)和BAK 760型高真空鍍膜系統(tǒng)(Balzers A.G.，Liechtenstein)中。以已有方法生產(chǎn)減反射涂層的生產(chǎn)率以及購買、操作與維護該設備的高成本，限制了它們對主要生產(chǎn)設施的使用。因此，需要為在眼鏡片上產(chǎn)生減反涂層提供一種方法，其僅僅需要緊湊而不昂貴的設備且能在任意場合例如零售商品的配鏡技術(shù)員營業(yè)所就可進行。
蒸鍍方法還會引起基片加熱，因為對流冷卻在真空中是不充分的，并且熱基片材料發(fā)出的熱輻射可被基片吸收。加熱能引起基片損壞，例如內(nèi)部應力和變形，尤其是塑料基片。因此，在室溫或室溫附近生產(chǎn)減反射涂層來避免這種損害是所想望的。
已知的減反射涂層使用一或更多層耐熱材料，例如無機氧化物，氧化物或氟化物，以實現(xiàn)減反射。用于這種減反射涂層的通用薄膜材料在Maclead的書中第9章和附錄I中進行了描述，并且包括Al、Sb、Be、Bi、Ce、Hf、La、Mg、Nd、Pr、Sc、Si、Ta、Ti、Th、Y和Zr的氧化物。Maclead的表還包括Bi、Ca、Ce、Na、Pb、Li、Mg、Nd和Th的氟化物，以及一些硫化物和硒化物。類似的表可在“多層系統(tǒng)的光學”(Sh.A.Furman和A.V.Tikhonravov，出版領域Gif-sur-Yvette，法國，1992年)第179頁表4.1中找到。
減反射涂層的一個問題是無機化合物的機械特征，例如熱膨脹系數(shù)和彈性模量非常不同于那些塑料基片。因此，生產(chǎn)有機反射涂層是有利的。生產(chǎn)一種減反射涂層，它的特性介于已知的無機減反射涂層和塑料基片之間以在有機和無機層之間充當過渡層，也是所想望的。
涂敷的光學制品的反射率嚴格依賴于減反射涂層的厚度。在已有技術(shù)中，涂層厚度已通過使用石英微量天平就地測量物質(zhì)沉積速率進行監(jiān)測。薄膜質(zhì)量并不直接進入描述膜層光學特性的方程。利用更直接依賴于涂敷制品的減反射特性的光學信號監(jiān)測薄膜成長，這將是非常有利的。
發(fā)明概要根據(jù)本發(fā)明，一種減反射涂層是利用光學基片上一或更多薄層隨波長和角度變化的折射特性進行設計的?？捎X察出來的反射，由人的視覺系統(tǒng)的角度與波長靈敏度加權(quán)的隨角度和波長變化的菲涅爾反射，被最小化為受到可獲得的涂層材料所施加的限制。
涂層(也被稱作“涂敷層”或“薄膜”)是通過揮發(fā)性先質(zhì)(precursor)例如c-C4F8，Si(CH3)4，Ti(OC2H5)4，C4H4O和C6H6的等離子體增強的化學氣相沉積(PECVD)形成。該先質(zhì)的組成包括有機和有機金屬化合物，并且所得到的涂層可以光色散的(即具有隨波長變化的折射率)。或者換一種方式，所得到的涂層也可以不是光色散的。
一稍大于待涂敷基片的緊湊室，被抽成真空并充以化學惰性氣體。電能被電積(deposit)在惰性氣體中，或者直接使用電極并加一靜電場，或者間接通過電容或電感耦合使用隨時間變化的電場。其結(jié)果是弱離子化的等離子體?；瑑?yōu)選通過例如利用在惰性氣體的等離子體(例如He，Ar，N2)中產(chǎn)生的陽離子濺射基片表面，或在活性等離子體(例如O2、HBr)中蝕刻表面而被清洗。一或更多的揮發(fā)性分子的先質(zhì)然后準許或者單獨或者與惰性氣體流一起進入室內(nèi)，并且被電激勵。電能激發(fā)、分離并且離子化該先質(zhì)，產(chǎn)生出被運送到鏡片表面且聚合或凝結(jié)以形成薄膜的活性成份。
在本發(fā)明的一個實施例中，減反射層通過由等離子體周圍的靜電殼層(electrostatic sheath)加速到超熱動能(大于0.025eV)的陽離子(例如C2F4+，Si(CH3)3+)形成。這些涂層具有依賴于先質(zhì)、沉積條件和薄膜厚度的折射特性。單層或多層的減反射涂層都可以這種方式制備。
在一優(yōu)選實施例中，減反射薄膜具有至少一層聚碳氟化合物，例如由PEVCD產(chǎn)生的c-C4F8，C2F4，或其它全氟先質(zhì)材料。這些含氟聚合物薄膜通常具有小于1.4的折射率，并且能用作有用的單層減反射涂層以及多層設計中的基元。
在另一實施例中，例如由PECVD(CH3)4Si或(CH3)3SiH形成的有機金屬層，被用于改善有機基片或涂層與無機基片或涂層之間的鍵合(bonding)。在又一個實施例中，一或更多的光學薄金屬層例如鉻涂層，可由有機金屬先質(zhì)例如鉻酰氯中沉積出來，以改善涂層的粘著性。
本發(fā)明還提供一種用于光學監(jiān)測基片清洗和薄膜生長的方法，其使用被偏振發(fā)光二極管、偏振的光學濾光片以及光電二極管。來自光學監(jiān)視器的反饋，通過例如單獨或聯(lián)合控制先質(zhì)的流速、室壓或者電激勵，被用于控制清洗和減反射沉積，以產(chǎn)生具有預定的減反射特性的單層或多層薄膜或涂層。
附圖簡述

圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的減反射涂層，其S-偏振反射率作為波長和入射角函數(shù)的三維曲線圖；圖2是對于圖1討論的減反射涂層，其P-偏振反射率作為波長和入射角函數(shù)的三維曲線圖；圖3是人的視覺響應作為波長函數(shù)的曲線圖；圖4是人的視覺響應作為入射角函數(shù)的曲線圖；圖5是對于圖6討論的減反射涂層的若干光學厚度，其反射率作為波長函數(shù)的曲線圖；圖6是對于本發(fā)明另一實施例的減反射涂層的若干光學厚度，其反射率作為波長函數(shù)的曲線圖；圖7是對于本發(fā)明又一實施例的減反射涂層，其S-偏振反射率作為在若干入射角時光學厚度函數(shù)的曲線圖；圖8是對于圖5討論的減反射涂層，其P-偏振反射率作為在若干入射角時光學厚度函數(shù)的曲線圖；圖9是光學監(jiān)測基片上薄膜生長用的裝置的示意圖；圖10是根據(jù)本發(fā)明在光學基片上產(chǎn)生減反射涂層用的優(yōu)選設備示意圖；圖11是對于本發(fā)明又一實施例的多層減反射涂層，其反射率作為波長函數(shù)的曲線圖；圖12是對于圖11討論的減反射涂層，其S-偏振反射率作為波長函數(shù)的曲線圖；圖13是根據(jù)本發(fā)明制造的，具有單一減反射涂層眼鏡片橫截面示意圖；并且圖14是根據(jù)本發(fā)明制造的，具有雙減反射涂層眼鏡片橫截面示意圖。
優(yōu)選實施例描述本發(fā)明提供減少光學基片上反射用的方法與裝置，以及在光學基片上的單與多層減反射涂層。如在這里使用的術(shù)語“光學材料”，“光學基片”和“光學制品”，一般是指透明或半透明的材料，例如玻璃或塑料，以及由這些材料制成的制品。這些制品非限定的例子，包括透鏡，窗戶，電視與計算機監(jiān)視器屏幕和防風罩。
反射率R是光的被反射部分的強度Ir和入射的探測光的強度Ii之比R(λ,θ,P)=IrIi=ρρ*=|y0-yi|2|y0+yi|2*----(1)]]>反射率隨光波長λ、入射角度θ和光的偏振P改變。它等于菲涅爾反射系數(shù)ρ和它的共軛復數(shù)ρ*的乘積，后者也可利用對于基片介質(zhì)yo的光學導納(optical admittance)和對于入射介質(zhì)yi的光學導納表示。該光學導納為y＝2.6544×10-3(n-ik)＝(C/B)(2)其中n是折射率的實部，k是折射率的吸收(虛)部，并且數(shù)字常數(shù)是SI單位制的轉(zhuǎn)換因子。當一或多個薄層被加到其導納為ηm的基片上時，光學制品的光學導納變?yōu)閥＝(C/B)，其中C和B通過解矩陣方程計算出來BC=(Πr=1qcosδr(isinδr)/ηriηrsinδrcosδrlηm_)----(3)]]>
其中ηr是特定的一層的傾斜光學導納。在方程(3)中，對于其實際厚度是dr的每層r來說，該三角函數(shù)的自變量是δr＝2π(n-ik)drcos(θr)/λ，(4)在法向入射情況下，θ＝0，并且該導納對于任何偏振都是相同的。在其它入射角的情況下，把入射波分為P和S兩個偏振，并且限定傾斜的光學導納為ηp＝2.6544×10-3(n-ik)/cos(θ)(5)ηs＝2.6544×10-3(n-ik)×cos(θ)由其經(jīng)由公式導致總反射率R、透射T和吸收AR=(η0B-Cη0B+C)(η0B-Cη0B+C)*]]>T=4η0Re(ηm)(η0B+C)(η0B+C)*----(6)]]>A=4η0Re(BC*-ηm)(η0B+C)(η0B+C)*]]>其中下標o和m分別指入射介質(zhì)和基片。這些方程式的推導在所引用的H.A.Maclead的“薄膜光學濾光片”一書第1章中進行了描述。
對于涂敷以200nm SiO2與135nm CFx聚合物的聚碳酸酯基片來說，使用波長在300和750nm之間，入射角在60度以內(nèi)的這些方程解的例子，對于S-和P-偏振光被表示在圖1和2中。對于基片、涂層反射特性或它們被涂敷在基片上的順序的改變，可導致反射率R(λ，θ，P)復雜但可容易計算的變化。
例如由Gunter Wyszecki與W.S.Stiles在“色彩科學”概念與方法；定量數(shù)據(jù)與公式(紐約Wiley出版社，1982年)和Nicholas Wade與Michael Swanston在“視覺”(倫敦Routledge出版社，1991年)所描述的那樣，人的視覺靈敏度隨入射光的波長和入射角度變化。然而，人的視覺系統(tǒng)對偏振并不敏感。
人的視覺靈敏度隨波長的變化S(λ)被以曲線表示在圖3中，它表示對于每一圓錐細胞顏色(標定的紅、綠和藍)的靈敏度以及該響應之和。這個總和被稱作明視響應。
圖4表示對于人的視覺的光靈敏度作為在一定角度范圍內(nèi)角度函數(shù)S(θ)的平均值。雖然人眼能覺察通過視網(wǎng)膜在水平擴展208°和垂直擴展120°的折射光，但是眼睛并沒有以相等的靈敏度和可信度感知整個這個角度范圍的光；這種可變性由S(θ)來描述。作為眼科處方案例，存在著平均值和與這些平均值的標準偏差，其發(fā)表在BrianWandell的“視覺基礎”(Sunderland，MASinauer Associates，1995年)中。如圖3所示，人對波長的最高視覺靈敏度約發(fā)生在550nm。如圖4所示，人對角度的最高視覺靈敏度發(fā)生在離中心位置約20°范圍之內(nèi)。函數(shù)S(θ)依賴于生理學上可變細節(jié)，例如鼻子的尺寸與位置，角膜的結(jié)構(gòu)和光學均質(zhì)性，以及為那些實踐于精神物理感知領域的人們所熟悉的其它因素。
根據(jù)本發(fā)明，減反射涂層的設計是基于被感知的反射。由人觀察來自表面光的被感知的反射F，被定義為反射率R(λ，θ)和人的靈敏度函數(shù)S(λ，θ)乘積的積分F＝∫∫S(λ，θ)R(λ，θ)dλdθ(7)其中R(λ，θ)是P-和S-偏振反射率的平均值，并且因為人的視覺系統(tǒng)對偏振并不敏感而被使用。
F值取決于基片和涂層介質(zhì)隨波長變化的折射率和涂層的厚度。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，對于給定人數(shù)的人群按統(tǒng)計學確定的平均值S(λ，θ)，被用來確定擬于設計減反射涂層中使用的優(yōu)選響應因子。然而，對于在S(θ)上具有特殊限制的個人來說，例如可能發(fā)生在一只眼睛失明或者遭受不清潔的破壞的個人身上，其個人分布圖編制也為被發(fā)明所包括。
對光學基片上的一或多個涂層所感知的反射率F，在數(shù)值上被評估為厚度、組成及其在基片上涂敷順序的函數(shù)。R(λ，θ)在每一減反射涂層的厚度范圍內(nèi)被計算。對于多層減反射涂層來說，R(λ，θ)在每層厚度范圍內(nèi)計算同時保持其它涂層厚度固定，盡管對于單層減反射涂層來說，R(λ，θ)僅在單層厚度范圍內(nèi)被計算。例如，在設計在基片上包括具有物理厚度d1的第一層TiO和具有物理厚度d2的第二層CFx的最優(yōu)化多層減反射涂層時，R(λ，θ)對給定d2的CFx層例如10nm等等進行計算，以使d1的范圍在d2范圍內(nèi)再假定以5nm為間隔在5-300nm范圍內(nèi)進行計算。對方程(1)來說，感知的反射率F，對于這個減反射涂層是對厚度d1(5到300nm)和d2(5到300nm)范圍內(nèi)計算出來的R(λ，θ，d)值由R(λ，θ)×S(λ，θ)之積計算出來的。F的一或多個最小值然后從厚度d1、d2范圍內(nèi)計算的F值確定。
涂層的組成和順序可被其它材料因素例如附著力，表面能，化學耐性等所限制。根據(jù)本發(fā)明，在減反射涂層中涂層的優(yōu)選厚度、組成和順序使受這些限制的F值最小化。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，具有平均感知反射率Fo的光學基片被涂敷以上述設計的減反射涂層，以使被涂敷制品的平均感知反射率FAR小于Fo，并且優(yōu)選小于或等于Fo的約一半。如在這里使用的“平均感知反射率”是從人的靈敏度響應S(λ，θ)的統(tǒng)計確定平均值計算出來的感知反射率。
一旦優(yōu)選基片和涂層系統(tǒng)(在組成、厚度和沉積順序方面)被限定，下一步驟就是被涂敷制品的準備。
根據(jù)本發(fā)明，一或多個基片例如眼鏡片被放在稍微大于被涂敷基片的緊湊室中。優(yōu)選該室具有不大于被涂敷基片體積約兩倍的體積。室內(nèi)被抽真空并被注入化學惰性氣體，例如氬或氮。該惰性氣體被電能激勵而產(chǎn)生等離子體。正如在等離子處理領域?qū)嵺`的人們所熟悉的那樣，該基片表面或是通過惰性氣體(例如He、N2、Ar)濺射或是通過使用活性氣體(例如O2、HBr)化學蝕刻表面來清潔。
一或多個分子組成的先質(zhì)(下面描述)與惰性氣流混合，并且用電能激勵而產(chǎn)生等離子體。等離子體激勵、分離并離子化該先質(zhì)，以產(chǎn)生被輸送至基片表面并聚合而形成薄膜的活性成份。這些薄膜所具有的折射率特性取決于先質(zhì)、沉積條件和薄膜的厚度；因此，各種各樣減反射的單層或多層涂層可被合成。分子組成的先質(zhì)、所得到的薄膜的組成以及平均薄膜折射率的非限定性例子，被表示在表I中。
表I用于減反射膜低壓等離子合成的典型先質(zhì)
已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，一類特別有用的先質(zhì)包括全氟有機化合物例如全氟脂族、全氟環(huán)脂族和其它碳氟化合物。非限定性的例子包括全氟環(huán)丁烷、六氟乙烷、四氟乙烯和六氟丙烯。由這種先質(zhì)的等離子沉積制成的聚碳氟化合物薄膜具有非常低的折射率，通常小于1，4，使它們很好地適用于減反射涂層中。對于低折射率的含氟聚合物材料的理論基礎，由W.Groh和A.Zimmerman在“高分子”24，6660-3(1991)中進行了討論。以前，含氟聚合物薄膜已被廣泛應用，因為它們有益的潤滑特性以及它們排水和改善基片清潔的能力。這些特性對含氟聚合物薄膜的厚度一般并不非常明顯。
反射率隨單層減反射涂層厚度變化的典型例證表示在圖5中。厚度為250nm的涂層在500nm光波長處的反射率等于未被涂敷基片的反射率，同時厚度為387nm(516nm波長的3/4)涂層的反射率被減小到等于在500nm處1/4波長(125nm)被觀測的反射率值。換句話說，碳氟化合物本身的成份不足以提供減反射特性。涂層的厚度必須為待獲得的減反射特性進行選擇并精確控制。在單層含氟聚合物薄膜的情況下，感知反射率函數(shù)F的定域最小量在光學厚度是550/4的奇數(shù)倍時獲得。(光學厚度ndr是涂層折射率n和它的物理厚度dr的積)。
本發(fā)明的一個重要特征是，偏振光在一或多個波長和一或多個入射角下的反射被用于監(jiān)視和控制減反射涂層的生長。在選擇了涂層厚度和組成之后，方程(2)到(6)對于涂層厚度范圍并包括優(yōu)選厚度的不連續(xù)值求解。如圖1和2所示，對于每一中間厚度，結(jié)果是三維表面，一個用于S-偏振反射率，一個用于P-偏振反射率。圖6表示對于光學厚度在90nm到180nm范圍內(nèi)且光學波長在350nm和750nm之間的聚碳酸酯上的聚碳氟化合物薄膜在法向入射(θ＝0)下這些表面的橫斷面。圖7和圖8表示在0°、10°、20°、30°、40°和50°入射角下在500nm固定波長處穿過同一表面的橫斷面?！矎姆匠?5)想起，在法向入射下P-和S-偏振是相同的〕。
利用反射率R(λ，θ，P)隨薄膜厚度變化，一或多個探測波長和一或多個探測角度被選擇，以就地進行減反射涂敷過程的光學監(jiān)測。選擇是根據(jù)反射率在厚度需要控制的范圍內(nèi)例如當在兩薄膜先質(zhì)間進行轉(zhuǎn)換時的變化。優(yōu)選探測波長被進一步選擇，以使等離子體發(fā)射將會干擾檢測器處的波長被避免。按照類似方式，探測角度受反應物(reactor)的幾何形狀和常識所限制大約小于5°或大約等于90°的角度應該避免，因為這樣的角度下電極或其它結(jié)構(gòu)元件可能干擾探測光束的傳播或接收。
基片上薄膜的生長使用光學輻射發(fā)射器(例如偏振發(fā)光二極管)和檢測器(例如與光電二極管相結(jié)合的偏振光學濾光片)進行光學監(jiān)測。來自于薄膜生長監(jiān)測器的測量為反饋系統(tǒng)使用，以控制薄膜的沉積速率，容許具有予定減反射特性的涂層被制造。該反饋系統(tǒng)通過控制先質(zhì)流束、等離子體激勵和/或室壓控制沉積速率。
光學監(jiān)視器14的一個實施例被示意表示在圖9中。光源36發(fā)射具有限定波長和偏振的探測光37。在這個實施例中，光源36是帶有偏振濾光片40和干涉濾光片42的燈38。換一種方式，光源是激光器或者偏振發(fā)生二極管。探測光束可以是單色的，但不是必須的。探測光波長可包括較窄或甚至中等的帶寬，只要它能為下面更詳細討論的反饋系統(tǒng)在所要求的沉積厚度下提供可容易檢測的反射率變化。被濾過的探測光的波長或帶寬被進行選擇，以與周圍光或在PECVD過程中由活性等離子體發(fā)出的光的波長區(qū)分。探測光在基片表面上具有限定的入射角θ。探測光通過放在通路上的窗口44通向基片。窗口44的表面垂直于入射的探測光束定位，并且窗口安裝在一窄管46的末端，而窄管46應足夠長以防止在它的內(nèi)表面上的薄膜沉積，例如它一般長超過其直徑的4倍。
探測光在基片上的入射角部分受窗口44的配置和其光學特性的限制。角度范圍可從0°到90°，優(yōu)選角度在5°和50°之間，以避免受來自于窗口表面反射的干擾和容易對準。
探測光的一部分從基片表面上反射掉，同時未反射的部分當它通過沉積的薄膜和下面的基片時被折射和/或吸收。探測光被反射的部分通過被合適配置的檢測器設備，它包括管子48、窗口50、干涉濾光片52、偏振濾光片54和檢測器56，例如緊湊的光電倍增管或光電二極管。此外，管子48的長度應該是它直徑的大約4倍，以保護窗口表面不受薄膜先質(zhì)的影響。等離子體發(fā)光的影響，通過將探測波長或帶寬選擇為等離子體并不發(fā)射的波長或帶寬來控制。干涉和偏振濾光片允許僅僅探測光波長的光通過，由此確保探測光被反射部分強度的精確讀取。
圖10示意表示根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設備10。它具有適于容納一付眼鏡片的實際大小，而眼鏡片可以是玻璃或塑料的(例如碳氟化合物，雙酚A樹脂如CR-39TM可從PPG產(chǎn)業(yè)等獲得)。此PECVD設備包括微處理器12、光學監(jiān)視器14、反應物源(reagent source)16、集氣管18、壓力控制閥20，流量控制閥22，等離子體反應器24、電源26、基片支架28、真空泵30和廢氣過濾器32。塑料或玻璃的眼鏡基片34、35被裝在或放在基片支架28上并被插入等離子體反應器室，該室優(yōu)選具有約小于待涂敷基片兩倍的體積。
PECVD包括把基片放入反應器室中，以與涂層表面相關的層流方式在合適的壓力下讓能形成理想涂層的至少一先質(zhì)材料通過該反應器室，然后產(chǎn)生電場以形成帶有先質(zhì)的等離子體。能量耦合入氣體經(jīng)由靜態(tài)(直流耦合)或動態(tài)(交流耦合)的電場發(fā)生。交流耦合可以是容性的、感性的或容性且感性的。先質(zhì)在等離子體中分裂并反應，且在涂層表面上形成理想涂層。取決于先質(zhì)的成份、電場強度和其它參數(shù)，該薄膜可具有正規(guī)重復的分子成份的沿長陣列、非晶區(qū)或有序和無序聚合區(qū)的混合。
在室溫和室壓下，列在表I中的大多數(shù)先質(zhì)化合物是液態(tài)。在優(yōu)選實施例中，液態(tài)先質(zhì)通過使它冷卻然后使其真空來排氣。取決于它的沸點。該液體然后被加熱到環(huán)境溫度或更高，以便提供足夠的正性蒸氣以從聯(lián)通系統(tǒng)流過。換一種方式，運載氣體例如氦，可被吹送通過該液體，以獲取理想組分的稀釋氣體混合物。
形成本發(fā)明減反射涂層的氣態(tài)先質(zhì)可從外部發(fā)生源通過一系列進氣管進入反應器室。把各種氣體導入反應器室的技術(shù)細節(jié)在本領域中是公知的。
運載氣體和反應性氣體流入反應器可被流量控制閥控制，流量控制閥在本領域中是公知的并且既用來測量氣流流量又控制這種流動。此外，當運載氣體被使用時，可預先將其與氣體反應物混合或通過單獨的進氣口被輸送到中心供給線中。
如圖10所示，進入等離子體反應器24的先質(zhì)氣體的壓力和流量受流量控制閥22電控。反應器室的溫度優(yōu)選在環(huán)境溫度或其附近。
裝置10包括反饋系統(tǒng)以容許精確控制基片上減反射涂層的沉積。減反射涂層可包括單一涂層或多個涂層，每一涂層具有預定的溫度。每一涂層的厚度精確對應預定的設計厚度以使該涂層的減反射特性最高是重要的。反饋系統(tǒng)在每一涂層沉積時測量它的厚度并且因此控制沉積速率，從而精確控制被沉積涂層的厚度。該反饋系統(tǒng)包括微處理器12、光學監(jiān)視器14、一或多個壓力控制閥20、流量控制閥22，和包括等離子體發(fā)生器與反應器室的等離子體反應器24以及電源26。優(yōu)選將微處理器連接到所有的控制閥和電源上。為響應來自光學監(jiān)視器14的反饋信號的微處理器12所支配的初級控制部件，是通過流量控制閥22的氣體流速和被等離子體反應器24用的電源26激勵的等離子體。在某些實施例中，當在清洗或蝕刻基片和沉積多層涂敷材料之間切換時，利用壓力控制閥24調(diào)整室壓是有利的。
下面是對于不同的減反射涂層從方程(1)-(6)計算出來的反射率分布圖的一些例子。其目的在于這些例子被看作本發(fā)明的說明，而不是對這里所公開的和要求保護的內(nèi)容的限制。
圖1和圖2表示來自塑料眼鏡基片上典型的雙層減反射涂層非偏振光源的S-和P-偏振分量的反射率。該計算被表示為對于聚碳酸酯基片上200nm厚的SiO2涂層之上的135nm厚的含氟聚合物涂層(CFx)。
圖7表示以500nm的光學波長，在從0°到50°范圍內(nèi)的六種不同入射角的情況下，對來自含氟聚合物薄膜的計算出來的S-偏振反射率。
圖8表示以500nm的光學波長，在從0°到50°范圍內(nèi)的六種不同入射角的情況下，對來自含氟聚合物薄膜的計算出來的P-偏振反射率。
如比較圖7和8可看到的那樣，P-偏振反射光隨涂層厚度和入射角的變化完全不同于S-偏振光的變化。把用綠色探測光(500nm)以50°入射角測量的125nm光學厚度的理想薄膜看作這個特征的例子。如圖7所示，當目標厚度從80變到125nm時，S-偏振反射率從90nm光學厚度的9.6％降到6％。在同一薄膜厚度范圍內(nèi)，P-偏振反射率從0.5％降到0.4％(圖8)，是相當小且更難于精確測量的變化。在所有其它因素相等時，S-偏振信號將被選擇來反饋控制光探測器在50°入射角時的沉積過程。
換句話說，按照本發(fā)明的一個方面，對于一或多層涂層的目標光學厚度加以識別，然后方程(1)-(6)被解出，以發(fā)現(xiàn)偏振反射率隨波長、入射角度和涂層厚度的變化。一或多個角度和一或多個波長被選擇，以探測(監(jiān)測)沉積過程中的涂層。當反射光強度達到為目標厚度在被選擇的波長和角度下計算出來的值時，沉積過程被例如微處理器12所終止。該方法容易推廣到不止一個涂層。
在某些實施例中，形成一多層而不是單層涂層是有利的。多層涂層可以提供比使用單層涂層可以達到的具有低反射率的廣泛的光譜區(qū)。其它材料考慮包括粘著性、耐擦傷性、耐化學性(例如耐蝕性)、耐磨性以及其所希望的特性。圖11為聚碳酸酯基片上雙層涂層的一個非限定性實例提供被計算的平均反射率數(shù)據(jù)。第一層是具有180nm光學厚度(81.8nm物理厚度)的通過化學氣相沉積Ti(i-PrO)4形成的TiO。跟著是使用c-C4F4作用先質(zhì)制成的碳氟化合物(CFx)薄膜(125nm的光學厚度)。注意到低折射率的區(qū)域比圖6中對于簡單的CFx涂層所發(fā)現(xiàn)的低折射率區(qū)域展寬了。
就使用單層減反射涂層或薄膜來說，不同角度和波長下的偏振反射率可被用來在準備多層減反射膜時控制沉積過程。例如，圖12表示對所完成的雙層涂層在角度0-50°下的S-偏振反射率。類似于圖7和圖8中表示的對于單一含氟聚合物涂層的一族曲線，可被用來計算偏振反射率，并且偏振反射率的被選擇值對應于引發(fā)從TiO先質(zhì)到CFx先質(zhì)轉(zhuǎn)換所想望的厚度。
非偏振探測光也可使用偏振濾光片54和替代單個檢測器56(圖9)的兩個匹配檢測器之間的偏振分光器進行分解。該檢測器輸出之比等于對應菲涅爾反射系數(shù)的平方比，這可從上面方程(1)-(6)中計算出來。這個比對于單一厚度薄膜產(chǎn)生一由圖1和圖2之比表征的一響應表面，對于一生長薄膜或多層產(chǎn)生一組這樣的表面。
在某些實施例中，選擇不只一種入射的探測光波長和/或偏振是有利的，特別是如果不只一種先質(zhì)被使用，或者如果一種波長對清洗步驟是最優(yōu)的，并且一種不同的波長對沉積是優(yōu)選的。
基片的組成通過它的光學導納yo進入方程(2)。實際上，基片的厚度的差別并不進入方程，因為眼鏡片的厚度遠大于入射光的波長?；男螤畈⒉贿M入方程，只要探測器接觸鏡片處通過光斑半徑的基片曲率半徑之比遠大于1，而這個條件對于眼鏡基片上足夠小的探測光斑總能被滿足。
根據(jù)一個實施例，在薄膜沉積之前，基片通過把它暴露到惰性氣體離子的等離子體中、活性基中或通過本領域公知的其它手段來清洗。產(chǎn)生并施加電場以產(chǎn)生等離子體的方法對于這個過程并非關鍵。例如電場可通過直接的、感性的或容性的耦合系統(tǒng)產(chǎn)生。這些系統(tǒng)的非限定性例子在Don Smith的“薄膜沉積”，原理與實踐(紐約McGraw Hill出版社1995年)中可以找到。
被用來清洗基片的步驟隨基片組成、污染的程度與類型以及由所使用的特定等離子體室的流量與電氣限制引起的等離子體狀態(tài)的范圍而變化。例如，通常使用氧的等離子體在薄膜沉積之前蝕刻有機材料若干分鐘。有機污染物和表面氧化物的蝕刻也可通過釋放鹵化氣體例如HBr來完成。
在一個實施例中，清洗步驟通過開動真空泵30并且使Ar氣以1-20毫巴的壓力進入管中來啟動。等離子體通過加50KHz電能到安裝在等離子反應器24內(nèi)(用于直接耦合)或外(用于容性或感性耦合)的環(huán)狀電極上來觸發(fā)。利用電子、Ar+離子、被激發(fā)的物質(zhì)和光沖擊基片的兩面，去除被吸收的雜質(zhì)并且活化用于減反射涂層粘著的表面。
這種表面處理可改變表面層的折射率。折射率的改變也可用來光學監(jiān)測清洗步驟。表面涂層折射率的變化引起該表面菲涅爾反射的變化，菲涅爾反射的變化可用光學監(jiān)視器14來測量。因此，清洗步驟可使用本發(fā)明的反饋系統(tǒng)來控制，如上所述通過連續(xù)清洗步驟，直到對應于被充分清洗的基片所想望的折射率被檢測到為止。
根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，清潔過程通過觀察雜質(zhì)從等離子體反應器24清除時來自該雜質(zhì)的熒光來監(jiān)測。例如，被激發(fā)的OH通過產(chǎn)生可觀測熒光發(fā)射的電子碰撞從水蒸氣的離解激發(fā)中產(chǎn)生。隨著等離子體清潔過程中等離子體反應器24中水蒸氣凝聚的減少，這些熒光發(fā)射的強度將衰減。
反應器室在氣體反應物進入之前被抽真空。適于本發(fā)明過程的室壓一般小于一個大氣壓的二十分之一，并且通常在大約50毫乇到10乇范圍內(nèi)。
當先質(zhì)如上所述在涂層表面被清潔且被處理之后進入反應器室時，電場在預先的頻率和功率條件下產(chǎn)生，以離子化氣體混合物，由此形成等離子體。當放電在低壓下形成薄膜的氣態(tài)先質(zhì)中產(chǎn)生時，該先質(zhì)被離子化，形成等離子體。一部分材料以離子、電子和中性自由基的形式先于基片上形成薄膜產(chǎn)生在等離子體中。在電極間產(chǎn)生電場的方法在本領域中是公知的，并且描述在例如“薄膜沉積”原理與實踐(出處同上)中。
優(yōu)選的沉積速率大約在0.1nm/sec和10nm/sec之間；然而速率達到65nm/sec是可能的。沉積速率僅由均質(zhì)的等離子體能夠產(chǎn)生以形成均勻的沉積層時的速率所限制。
優(yōu)選減反射涂層在兩涂層之間無中斷地被連續(xù)沉積。它的完成是通過減少第一先質(zhì)的流速同時開始第二先質(zhì)流速的增加，以使兩種材料被同時沉積。以這種方式，在折射率分布圖中更多的梯度變化可被產(chǎn)生。換一種方式，可以有例如清除內(nèi)部應力或改善層間界面粘連為所希望的中間層清潔或活化步驟的情況。
優(yōu)選多層減反射涂層被“覆蓋”以疏水材料光學薄層(例如ndr＜20nm)。例如，疏水的聚碳氟化合物薄膜可由例如全氟有機化合物先質(zhì)，例如全氟環(huán)丁烷(c-C4F8)、三氟甲烷(HCF3)、四氟乙烯(C2F4)或六氟丙烯(C3F6)制成。這種涂層的存在使得清潔被涂敷的基片更為容易，并可抑制水或油點的形成。
根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，在清潔步驟和沉積步驟之間存在平滑的過渡。在接近清潔周期的末尾，沉積先質(zhì)材料被放入室中，并且清潔劑例如氧氣逐漸以平衡方式被限制。以便表面在第一層薄膜形成過程中被充滿能量的粒子連續(xù)碰撞。這是重要的，因為即使雜質(zhì)在10-6乇濃度下存在，單層也會在不到一秒內(nèi)形成。以這種方式從清潔到沉積步驟的平滑轉(zhuǎn)換，也能改善薄膜的粘著性。
活性離子的PEVCD對于具有正規(guī)表面以及包含在雙焦點眼鏡片上發(fā)現(xiàn)的突出部分的不規(guī)則表面的涂層基片都是適合的。在沉積過程中，產(chǎn)生薄膜涂層的離子通量方向由靜電殼層和離子熱力溫度(用eV表示)對殼層電勢的比來決定。此殼層取向?qū)τ诨砻嫔系那衅矫鏋榉ㄏ虻牟⑶耶斣摻Y(jié)構(gòu)的空間尺寸大約小于10德拜長度時不再改變，德拜長度是描繪電場能被保持在導電等離子體介質(zhì)中的距離的等離子體參數(shù)。如果每立方厘米電子數(shù)是Ne且用eV表示的電子溫度是Te，那么用厘米表示的德拜長度l是l＝525(TeNe-1)1/2(8)在一組典型的等離子體狀態(tài)下，109cm-3的電子密度和2電子伏特(ev)電子溫度下，這個德拜長度是0.02cm，所以具有曲率半徑小于大約10l＝2mm的特征將不會影響電場殼層的方向。離子通量的角偏向由離子熱能對靜電殼層電勢比的平方根的反正切給出θ＝tan-1(TiV-1殼層)1/2(9)這個角偏向?qū)τ谝话?00°K的離子溫度和2ev的殼層勢能來說是9°。這個角度平均產(chǎn)生了與沒有橫向能量的單能量離子束情況相比在外形上更為均勻的涂敷。
對于眼鏡基片實際重要步驟的敷形涂敷，如對雙焦點鏡片的邊緣部分，能通過改變等離子體狀態(tài)，例如升高Te或減少Ne以擴展敷形涂敷的空間尺寸來獲得。
值得贊賞的是，除了上面描述的方法和裝置外，本發(fā)明還提供獨特制品的生產(chǎn)，其特征在于低反射率。一般說來制品是透明的，例如眼鏡片、窗戶、防風罩、電視屏幕和計算機監(jiān)視器等。透明制品和基片在為人的視覺系統(tǒng)所感知的光譜區(qū)域內(nèi)沒有光吸收，這大約在350nm和750nm之間。然而在某些實施例中，制品可以是半透明的。半透明的制品和基片在某些可見光波長處透射光，但在一或多種可見波長上吸收某些或所有的光。半透明制品的非限定性例子包括染色并遮蔽的太陽鏡、污染的玻璃窗戶和染色的防風罩。
在一實施例中，透明或半透明的低反射制品包括光學基片和一或多層減反射材料。優(yōu)選至少涂層之一是含氟聚合物薄膜。圖13是一個這樣的制品眼鏡片100的示意圖。該鏡片包括具有背對著的第一與第二表面104、106的光學預成型坯102和被涂敷(更準確地說是沉積)在至少一部分眼鏡片第一表面104上的減反射材料108的涂層。在其它實施例中(沒有表示)，減反射材料被沉積在鏡片的底表面上，鏡片的頂與底兩表面上和/或鏡片的邊緣。
圖14是另一個低反射制品眼鏡片100的橫斷面示意圖。該鏡片包括被涂敷以兩種不同減反射材料涂層110和112的光學預成型坯。兩種涂層都被認為是沉積或“涂敷”在光學基片上，雖然如圖所示，僅有一這樣的涂層110與基片鄰接而其它的涂層112與減反射材料的第一涂層鄰接。值得欣賞的是，具有超過兩層沉積在下面光學基片上材料的低反射率制品也在本發(fā)明范圍內(nèi)。
本發(fā)明已在優(yōu)選和典型實施例中描述，但并不限于此。許多操作方式和實施例的改進均為本領域的技術(shù)人員所掌握，可以不脫離本發(fā)明來實現(xiàn)。例如，減反射涂層和設計與應用它們的方法可在除了眼鏡片之外的許多光學基片上使用，即使是大型制品象汽車防風罩，如果適合大小的反應器能建造，那么也能給以減反射涂敷。
這里所有的參考資料均被結(jié)合作參考，仿佛這里提出的參考資料都在它們的整體中。在原文和權(quán)利要求書中與一系列數(shù)字關連使用的詞語“大約”，目的在于修飾被闡明的高低值。
權(quán)利要求
1.一種透明或半透明的被涂敷的制品，其呈現(xiàn)一平均感知的反射率FAR，它包括(a)一在涂敷之前呈現(xiàn)一平均感知的反射率FO的光學基片；以及(b)涂敷在光學基片至少一部分上的一或多個減反射材料層，而且每一涂層具有一光學厚度，以使FAR小于或等于FO的大約一半。
2.如權(quán)利要求1所述的制品，其中光學基片是眼鏡片。
3.如權(quán)利要求2所述的制品，其中眼鏡片在其一或兩個鏡片表面和/或它的邊緣至少一部分上被涂敷以減反射材料。
4.如權(quán)利要求1所述的制品，其中光學基片是窗戶。
5.如權(quán)利要求1所述的制品，其中光學基片是電視屏幕或計算機監(jiān)視器。
6.如權(quán)利要求1所述的被涂敷的制品，其中至少一層減反射材料包括碳氟化合物薄膜。
7.如權(quán)利要求6所述的制品，其中碳氟化合物薄膜是全氟有機化合物的等離子體沉積產(chǎn)品。
8.如權(quán)利要求7所述的制品，其中全氟有機化合物是全氟脂族或全氟環(huán)脂族化合物。
9.如權(quán)利要求8所述的制品，其中全氟有機化合物從包括全氟環(huán)丁烷、六氟乙烷、四氟乙烯、全氟丙烯及其混合物的組中選擇。
10.如權(quán)利要求6所述的制品，其中碳氟化合物薄膜包括聚四氟乙烯。
11.如權(quán)利要求1所述的被涂敷的制品，其中至少一層減反射材料包括有機或有機硅薄膜。
12.如權(quán)利要求1所述的被涂敷的制品，其中至少一層減反射材料包括選自由Si(CH3)4、HSi(CH3)3、噻吩、呋喃、苯、Ti(OC2H5)4、Ti(N(C2H5)2)4以及全氟有機化合物構(gòu)成的組中的一或多個先質(zhì)的等離子體增強的化學氣相沉積產(chǎn)品。
13.如權(quán)利要求1所述的制品，其中每層減反射材料具有大約大于5nm且小于1μ的物理厚度。
14.如權(quán)利要求1所述的制品，其進一步包括沉積在光學基片和/或在減反射材料涂層上的光學薄金屬涂層。
15.如權(quán)利要求1所述的制品，其進一步包括疏水材料層。
16.一種在光學基片上減反射薄膜，它包括至少一聚碳氟化合物涂層，其具有大約小于1μ的物理厚度。
17.如權(quán)利要求16所述的薄膜，其該涂層包括全氟有機化合物的等離子體沉積產(chǎn)品。
18.如權(quán)利要求17所述的薄膜，其中全氟有機化合物從包括全氟環(huán)丁烷、四氟乙烯、六氟乙烷、全氟丙烯和其混合物的組中選取。
19.如權(quán)利要求15所述的薄膜，其進一步包括第二減反射材料層。
20.如權(quán)利要求19所述的薄膜，其中第二材料選自包括Si(OC2H5)4、Si(ch3)4、HSi(CH3)3、噻吩、呋喃、苯、Ti(OC2H5)4、Ti(OC3H7)4、Ti(N(C2H5)2)4以及全氟有機化合物組中的一或多種化合物的等離子體沉積產(chǎn)品。
21.如權(quán)利要求19所述的薄膜，其進一步包括一或更多附加的減反射材料層。
22.一種設備，用于在光學基片上沉積減反射薄膜，它包括反應器室，用于接納光學基站；等離子體發(fā)生器，它被耦合到反應器室中，并適于把等離子體引入反應器室中；以及光學監(jiān)視器，最接近反應器室，適于控制減反射薄膜的薄膜厚度。
23.根據(jù)權(quán)利要求22的設備，它進一步包括-流量控制閥，可操作地耦合到等離子體發(fā)生器的進口；以及-壓力控制閥，用于控制反應器室內(nèi)的壓力。
24.根據(jù)權(quán)利要求23的設備，其中光學監(jiān)視器包括-偏振光發(fā)射器，用于把選定波長或帶寬的偏振光束以選定的入射角射到基片上；-光檢測器，用于測量從基片射出的偏振光被反射部分的強度；以及-微處理器，它被耦合到光檢測器和一或多個流量控制閥、壓力控制閥以及電源上，根據(jù)為光檢測器所檢測出的偏振光反射部分的強度，微處理器能控制上述一或多個流量控制閥、壓力控制閥以及電源。
25.根據(jù)權(quán)利要求24的設備，其中微處理器是可編程的；以(A)由偏振光被反射部分的強度確定減反射薄膜厚度；(B)控制流量控制閥，以選擇性地允許或限制對等離子體發(fā)生器的一或多個先質(zhì)材料的流量；以及(C)通過控制一或多個流量控制閥，壓力控制閥和電源，控制一或多個先質(zhì)材料的沉積速率。
26.根據(jù)權(quán)利要求24的設備，其中發(fā)射器是激光器。
27.根據(jù)權(quán)利要求24的設備，其中發(fā)射器包括被耦合到干涉濾光片和偏振濾光片上的光源。
28.根據(jù)權(quán)利要求24的設備，其中發(fā)射器是偏振光發(fā)光二極管。
29.根據(jù)權(quán)利要求22的設備，其中反應器室具有不大于大約兩倍光學基片的體積。
30一種在光學基片上沉積減反射涂層的方法，它包括啟動基片上至少一減反射材料層的沉積；隨其沉積，光學監(jiān)測涂層的厚度；以及當涂層達到理想厚度時終止沉積。
31.根據(jù)權(quán)利要求30的方法，其中涂層的厚度通過以下步驟被光學監(jiān)測；反射具有選定強度和選定波長或帶寬的偏振光束離開基片表面，而基片表面上材料層以選定的入射角被沉積；檢測偏振光來被反射部分的強度；以及由光束被反射部分的強度確定涂層厚度。
32.根據(jù)權(quán)利要求30的方法，其中該涂層通過等離子體增強的化學氣相沉積被沉積。
33.根據(jù)權(quán)利要求30的方法，其中光學基片是鏡片。
34.如權(quán)利要求30所述的方法，它進一步包括以下步驟產(chǎn)生鄰接基片的等離子體；促使等離子體中被離子化了的第一材料的流動，用于在基片上沉積以形成第一涂層；當?shù)谝煌繉颖怀练e時光學監(jiān)測它的厚度；當?shù)谝煌繉舆_到第一理想厚度時終止第一材料的流動；促使等離子體中第二材料流動，用于在基片上沉積以形成第二涂層；當?shù)诙繉颖怀练e時光學監(jiān)測它的厚度；以及當?shù)诙繉舆_到第二理想厚度時終止第二材料的沉積。
35.根據(jù)權(quán)利要求34的方法，它進一步包括以下步驟隨著第一涂層接近第一理想厚度制止第一材料的流動；并且隨著第二涂層接近第二理想厚度制止第二材料的流動。
36.根據(jù)權(quán)利要求30的方法，它進一步包括在減反射涂層上沉積聚碳氟化合物保護層的步驟。
37.根據(jù)權(quán)利要求30的方法，它進一步包括在基片上至少一減反射材料層沉積之前用等離子體清潔基片。
38.根據(jù)權(quán)利要求37的方法，它進一步包括光學監(jiān)測基片清潔；并且當基片理想表面狀態(tài)獲得時，終止基片的清潔。
39.根據(jù)權(quán)利要求38的方法，其中理想表面狀態(tài)對應從等離子體中基片發(fā)射雜質(zhì)的理想速率。
40.根據(jù)權(quán)利要求39的方法，其中光學監(jiān)測基片清潔的步驟包括觀察來自等離子體中雜質(zhì)的熒光發(fā)射。
41.根據(jù)權(quán)利要求39的方法，其中基片理想表面狀態(tài)對應基片的理想折射率。
42.如權(quán)利要求30所述的方法，其中理想厚度通過把感知的反射率F減至最小來計算F＝∫∫s(λ，θ)R(λ，θ)dλdθ其中s(λ，θ)是人的靈敏度函數(shù)，并且R(λ，θ)是在預定范圍波長λ和角度θ內(nèi)的平均p-偏振反射率的s-偏振反射率。
43.如權(quán)利要求42所述的方法，其中s(λ，θ)具有統(tǒng)計學確定的平均值。
44.如權(quán)利要求42所述的方法，光學基片在涂敷之前具有一感知的反射率FO，而涂敷減反射材料之后具有一感知的反射率FAR，并且FAR小于或等于大約一半FO。
全文摘要
描述了一種對光學基片涂敷減反射(AR)涂層的方法。該涂層的厚度和成分,可通過將對于與人的視覺系統(tǒng)靈敏度成角度相關和成波長相關的涂層的菲涅爾反射系數(shù)之積減至最小來確定,以將此涂敷制品感知的反射率減至最小。帶有化學惰性氣體如氬和氮的緊湊的反應室被抽真空并沖入化學惰性氣體,例如氬或氮。一或多個分子組成的先質(zhì)通過等離子體增強的化學氣相沉積(PECVD)進行沉積,以形成減反射薄膜。基于被控制厚度的含氟聚合物薄膜的單層減反射涂層以及有機、有機硅的和或無機多涂層被描述。也被提供的是使用偏振發(fā)光二極管、偏振光學濾光片和光電二極管的光學監(jiān)測薄膜生長的方法。來自監(jiān)測器的反饋被用于控制先質(zhì)流量,以預定的減反射特性產(chǎn)生單涂層和多涂層。
文檔編號C03C17/30GK1249040SQ97182041
公開日2000年3月29日 申請日期1997年12月12日 優(yōu)先權(quán)日1997年1月27日
發(fā)明者彼得·D·霍蘭, B·文森特·穆科 申請人:彼得·D·霍蘭, B·文森特·穆科