一種低溫燒結(jié)微波陶瓷材料及其制備方法【專利摘要】一種低溫燒結(jié)微波陶瓷材料及其制備方法，屬于電子材料與器件領(lǐng)域。包括Li2O-ZnO-TiO2主料及添加劑，Li2O-ZnO-TiO2主料的主晶相為TiO2和Li2ZnTi3O8，其中Li2O∶ZnO∶TiO2摩爾比為1∶1∶(3～4)；所述添加劑為復合氧化物aA+bB+cC，其中，A代表堿金屬氧化物，B代表金屬氧化物，C代表非金屬氧化物；a、b、c是系數(shù)，以重量百分比計算，a+b+c＝100wt％，5wt％≤a≤15wt％，0wt％≤b≤85wt％，0wt％≤c≤55wt％，所述添加劑的種類為一種或多種，添加劑的總的質(zhì)量百分比為Li2O-ZnO-TiO2主料的0.2wt％～4wt％。成本低廉，環(huán)保性好；工藝簡單，重復性好，易于實現(xiàn)，能夠制備出低損耗、近零系列化的頻率溫度系數(shù)且性能穩(wěn)定的，能與銀電極材料實現(xiàn)低溫燒結(jié)的具有中高介電常數(shù)的微波陶瓷材料。本發(fā)明適用于制作低溫共燒多層陶瓷濾波器和諧振器。【專利說明】一種低溫燒結(jié)微波陶瓷材料及其制備方法【
技術(shù)領(lǐng)域：
】[0001]本發(fā)明屬于電子材料與器件領(lǐng)域，具體涉及一種微波陶瓷材料及其制備方法，尤其是涉及一種低溫燒結(jié)微波陶瓷材料及其制備方法。【
背景技術(shù)：
】[0002]隨著信息技術(shù)迅速朝高頻化、大功率化、集成化、多功能化方向發(fā)展，微電子器件和集成器件的快速發(fā)展對電子設(shè)備小型化及輕量化提出了更高的要求，單一的有源器件集成已經(jīng)不能滿足目前通信系統(tǒng)中的應用要求，傳統(tǒng)的大體積金屬諧振腔使微帶電路的集成變得困難，而無源器件的小型化已經(jīng)成為一種趨勢。微波多芯片組件（MMCM)模塊因其重量輕、體積小、成本低和可靠性高的優(yōu)點而得到廣泛的應用，實現(xiàn)這一技術(shù)的有效途徑是發(fā)展多層片式元件。低溫共燒陶瓷（LowTemperatureCo-firedceramic,LTCC)技術(shù)因其集成密度高、高頻特性好，已經(jīng)被廣泛的應用于制造集成電子元器件之中。LTCC技術(shù)采用的是多層布線結(jié)構(gòu)，是一種三維立體組裝的無源器件集成及無源有源器件混合集成技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)無源元件（（電阻、電容、電感及濾波器）與傳輸線的集成，又可表面貼裝1C元件，以實現(xiàn)器件的小型化、多重功能的模塊化和提高信號的可靠性。LTCC技術(shù)使用的互連導體一般是具有優(yōu)異導電特性的銀金屬，其熔點約為961°C，這就要求用在LTCC技術(shù)上的陶瓷材料的燒結(jié)溫度必須低于950°C。然而，當前商業(yè)化應用的低溫共燒陶瓷材料大都屬于玻璃-陶瓷（glass-ceramic)體系，其介電常數(shù)偏小，介電損耗偏大，主要應用于介質(zhì)基板材料，如美國Ferro公司的A6(εr=5.7,tgδ=〇·0012)、Dupont公司的951(εr=7.85，tgδ=〇.0063)，而具有中高介電常數(shù)的微波介電性能優(yōu)異的商用低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料還比較匱乏。此外，當前商業(yè)化應用的其它微波介質(zhì)陶瓷材料，如CaTi03-SmA103(CT-SA)、BaO-Nd203-Ti02(BNT)、ZrTi04-ZnNb206，其燒結(jié)溫度過高，往往大于1300°C，而不能實現(xiàn)于金屬銀進行共燒。[0003]Li20-A0-Ti02(A=Mg,Zn)系微波介質(zhì)陶瓷是最近才新發(fā)現(xiàn)的微波介質(zhì)材料，因其具有優(yōu)異的微波介電性能而得到廣泛的關(guān)注。S.George等人在2010年《美國陶瓷學會雜志》（JournaloftheAmericanCeramicSociety)的文章《具有優(yōu)異溫度穩(wěn)定性和高品質(zhì)因數(shù)的新型微波介質(zhì)陶瓷Li2ATi308(A=Mg,Zn)的合成》（SynthesisandMicrowaveDielectricPropertiesofNovelTemperatureStableHighQ,Li2ATi308(A=Mg,Zn)Ceramics)中最早報道了Li20-A0-Ti02(A=Zn,Mg,Co)體系的微波介質(zhì)陶瓷，其中Li2ZnTi308陶瓷的微波介電性能：ε^?26.2,QXf?72,000GHz，τf=-15ppm/°C。緊接著，國內(nèi)外的學者對Li20-Zn0-Ti02基微波介質(zhì)陶瓷進行了低溫燒結(jié)研究，Li20-Zn0-Ti02體系陶瓷的燒結(jié)溫度在ll〇〇°C左右，其低溫燒結(jié)主要采用添加液相燒結(jié)助劑的途徑實現(xiàn)。如《材料研究公告》（MaterialsResearchBulletin)2011年的文章《BaCu(B205)摻雜的低溫燒結(jié)Li2ZnTi30jl^瓷微波介電性能》（Low-firingLi2ZnTi308microwavedielectricceramicswithBaCu(B205)additive)中報道了BaCu(B205)玻璃可以降低Li2ZnTi308陶瓷的燒結(jié)溫度至925°C，但它們之間會發(fā)生反應生成新的雜相，嚴重破壞微波介電性能，1.5wt%BaCu(B205)玻璃摻雜的Li2ZnTi308基微波介質(zhì)陶瓷在925°C/4h下得到微波介電性能：εr=23.1，QXf=2,2732GHz，τf=-17.6ppm/°C。《材料科學雜志-電子材料》(JournalofMaterialsScience-MaterialsinElectronics)2012年的文章〈〈LBS慘雜的低溫燒結(jié)Li2ZnTi308陶瓷和加入Ti02的陶瓷微波介電性能》（Low-temperaturefiringandmicrowavedielectricpropertiesofLBSglass-addedLi2ZnTi308ceramicswithTi〇2)中報道了1.〇wt%Li20-B203-Si02+3.5wt%Ti02摻雜的Li2ZnTi308陶瓷在875°C燒結(jié)4h，可得到微波介電性能：εr=36.0，QXf=4,4023GHz，τf=-4.4ppm/°C。Ti02的加入可以有效地調(diào)節(jié)Li2ZnTi308陶瓷體系的頻率溫度系數(shù)并且能保持良好微波介電性能。其后，Y.X.Li等人在2013年《電子材料雜志》（JournalofElectronicMaterials)的文章《1102比例對Li2ZnTi3+x08+2JI|瓷相組成和微波介電性能的影響》（EffectofTi02RatioonthePhaseandMicrowaveDielectricPropertiesofLi2ZnTi3+x08+2xCeramics)中報道了Li20-Zn0-Ti02體系中，采用一次合成陶瓷的工藝，Ti02比例的變化能有效地調(diào)節(jié)其頻率溫度系數(shù)到零，并且保持該體系優(yōu)異的微波介電性能。XRD物相分析顯示其形成了具有穩(wěn)定的兩相結(jié)構(gòu)的Li2ZnTi308_Ti02陶瓷材料。得到的復相Li2ZnTi308_Ti02陶瓷的微波介電性能：81?28.51，〇父€?58,5116取，1{=+2.3--111/1：。其原因是1102的存在能夠減少陶瓷體內(nèi)的氣孔率，提高相對密度以及其本身就具有優(yōu)良的微波介電性能（ε^=105,QXf=40000GHz，τf=+400ppm/°C)。之前對Li2ATi308(A=Mg,Ζη)陶瓷體系大部分研究主要集中于降低燒結(jié)溫度方面，可以發(fā)現(xiàn)，對于低熔點氧化物或者玻璃摻雜，大多數(shù)研究者都集中于選擇B203、B203-Si02、B203-Zn0、BaCu(B205)等。其中有部分摻雜顯示出對Li20-Zn0-Ti02基微波介質(zhì)陶瓷具有獨特的液相燒結(jié)作用，能有效降低燒結(jié)溫度，可是上述低溫燒結(jié)微波介質(zhì)陶瓷具有優(yōu)異的綜合微波介電性能的還不多，主要表現(xiàn)在QXf值不高，大都在20000GHz以下，或者諧振頻率溫度系數(shù)Tf值偏高無法滿足實際應用需求。[0004]目前使用的低溫燒結(jié)微波介質(zhì)陶瓷材料都在盡力追求其高介電常數(shù)、低損耗和近零諧振頻率溫度系數(shù)特征，從材料介電常數(shù)系列化以及減小電子元器件尺寸方面來說，亟需一種成本低廉、工藝簡單、具有中高介電常數(shù)、低損耗、在較低燒結(jié)溫度（低于950°c)條件下能與金屬銀共燒并且不與銀發(fā)生化學反應的陶瓷材料，以滿足微波通信行業(yè)的應用需求。【
發(fā)明內(nèi)容】[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種具有中高介電常數(shù)、低損耗、能與金屬銀共燒并且不與銀發(fā)生化學反應的低溫燒結(jié)微波陶瓷材料及其制備方法，以克服現(xiàn)有低溫低溫燒結(jié)微波介質(zhì)材料損耗特性較差和頻率溫度系數(shù)不易調(diào)零的缺陷。[0006]本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：一種低溫燒結(jié)微波陶瓷材料，包括Li20-Zn0-Ti02主料及添加劑，所述Li20-Zn0-Ti02主料的主晶相為Ti02和Li2ZnTi308,其中1^20:211〇:1102摩爾比為1:1:(3?4);所述添加劑為復合氧化物aA+bB+cC，其中，A代表堿金屬氧化物，B代表金屬氧化物，C代表非金屬氧化物；a、b、c是系數(shù)，以重量百分比計算，a+b+c=100wt%,5wt%<a<15wt%,Owt%<b<85wt%,Owt%<c<55wt%,所述添加劑的種類為一種或多種，添加劑的總的質(zhì)量百分比為Li20-Zn0-Ti02主料的0.2wt%?4wt%。[0007]具體的，所述堿金屬氧化物為Li20、Ca0、Mg0、La203中的一種或多種。[0008]具體的，所述金屬氧化物為A1203、W03、ZnO中的一種或多種。[0009]具體的，所述非金屬氧化物為B203、Si02或B203與Si02的混合物。[0010]優(yōu)選的，所述添加劑為Ca0-Mg0-B203-Si02、Li20-Al203-B203、La203-Zn0-B203和Li2W04〇toon]本發(fā)明解決其技術(shù)問題的另一技術(shù)方案是：一種低溫燒結(jié)微波陶瓷材料的制備方法，包括以下步驟：[0012]A.選擇Li2C03、Zn0和Ti02作為原料，按照摩爾比為1:1:(3?4)進行備料，將備料以去離子水為介質(zhì)進行球磨，并于100°c下烘干并過40目篩，而后在850°C?920°C溫度條件下預燒3?5小時，得到主晶相為Ti02和Li2ZnTi308的Li20-Zn0-Ti02主料；[0013]B.選擇堿金屬氧化物、金屬氧化物及非金屬氧化物中的一種或多種作為原料，并按照一定比例進行備料，得到復合氧化物aA+bB+cC，其中，A代表堿金屬氧化物，B代表金屬氧化物，C代表非金屬氧化物；a、b、c是系數(shù)，以重量百分比計算，a+b+c=lOOwt^Awt%<a<15wt%，0wt%i^b<85wt%，0wt%i^c<55wt%;將備料以酒精為介質(zhì)進行球磨，并于75°C下烘干并過40目篩；而后在一定溫度條件下欲燒熔制，然后球磨3h，烘干得到粉末狀的添加劑；[0014]C.在Li20-Zn0-Ti02主料中加入步驟B得到的添加劑，添加劑的總的質(zhì)量百分比為Li20-Zn0_Ti02主料的0.2wt%?4wt%，以去離子水為介質(zhì)混合球磨；[0015]D.將步驟C球磨后得到的混合物經(jīng)干燥、過篩、造粒、成型后排膠；[0016]E.在空氣中燒結(jié)，自然冷卻后得到低溫燒結(jié)微波陶瓷材料，所述燒結(jié)溫度為840?940°C，燒結(jié)120?180分鐘。[0017]優(yōu)選的，步驟B具體為選擇CaC03、MgO、Si0jPB203作為原料，按Ca:Mg:Si:B=1:1:2:4摩爾比進行備料，將備料以酒精為介質(zhì)進行球磨，并于75°C下烘干并過40目篩，而后在1250°C溫度條件下熔制玻璃，然后球磨3h，烘干得到玻璃粉末Ca0-Mg0-B203-Si02添加劑。[0018]優(yōu)選的，步驟B具體為選擇Li20、A1203和B203作為原料，按照一定摩爾比進行備料，將備料以酒精為介質(zhì)進行球磨，并于75°C下烘干并過40目篩，而后在1250°C溫度條件下熔制玻璃，然后球磨3h，烘干得到玻璃粉末Li20-A1203_B203添加劑。[0019]優(yōu)選的，步驟B具體為選擇La203、ZnO及B203作為原料，按一定摩爾比進行備料，將備料以酒精作為介質(zhì)進行球磨，并于75°C下烘干并過40目篩，而后在1250°C溫度條件下熔制玻璃，并球磨3h，烘干后得到粉末狀La203-Zn0-B203添加劑。[0020]進一步的，步驟B具體為選擇Li2C〇dPH2W(Ut為原料，按Li:W=2:1摩爾比進行備料，將備料以酒精為介質(zhì)進行球磨，并于75°C下烘干并過40目篩，而后在500°C溫度條件下預燒3?5小時，得到粉末狀的Li2W04添加劑。[0021]本發(fā)明的有益效果是：微波陶瓷材料的原料充足，成本低廉，不含Pb、Cd、Bi等揮發(fā)性或重金屬，環(huán)保性好；添加劑能夠顯著降低燒結(jié)溫度，不與金屬銀發(fā)生化學反應，并且能夠與陶瓷實現(xiàn)良好的匹配，減少助燒劑帶來的損耗惡化因素，實現(xiàn)低溫度燒結(jié)；工藝簡單，重復性好，易于實現(xiàn)，能夠制備出低損耗、近零系列化的頻率溫度系數(shù)且性能穩(wěn)定的，能與銀電極材料實現(xiàn)低溫（低于950°C)燒結(jié)的具有中高介電常數(shù)的微波陶瓷材料。本發(fā)明適用于微波通信行業(yè)。【專利附圖】【附圖說明】[0022]圖1是本發(fā)明的流程示意圖；[0023]圖2是本發(fā)明低溫燒結(jié)微波陶瓷材料的X射線衍射圖譜；[0024]圖3是本發(fā)明低溫燒結(jié)微波陶瓷材料SEM掃描電鏡圖。【具體實施方式】[0025]下面結(jié)合附圖及實施例，詳細描述本發(fā)明的技術(shù)方案。[0026]如圖1所示，本發(fā)明的一種低溫燒結(jié)微波陶瓷材料，包括Li20-Zn0-Ti02主料及添加劑，Li20-Zn0-Ti02主料的主晶相為Ti02和Li2ZnTi308，其中Li20:Zn0:Ti02摩爾比為1:1:(3?4);所述添加劑為復合氧化物aA+bB+cC，其中，A代表堿金屬氧化物，包括Li20、Ca0、Mg0、La203中的一種或多種，B代表金屬氧化物，包括Al203、W03、Zn0中的一種或多種，C代表非金屬氧化物，包括B203、Si02或氏03與Si02的混合物；a、b、c是系數(shù)，以重量百分比計算，a+b+c=100wt%,5wt%<a<15wt%,Owt%<b<85wt%,Owt%<c<55wt%,所述添加劑的種類為一種或多種，添加劑的總的質(zhì)量百分比質(zhì)量為Li20-Zn0-Ti02主料的0.2wt%?4wt%。[0027]通過調(diào)整Li20-Zn0-Ti02中Ti02的比例，及加入上述添加劑，使得微波陶瓷材料能夠?qū)崿F(xiàn)在860°C左右低溫燒成陶瓷的高性能：具有較高QXf值（16000?60000)，中等介電常數(shù)（24?30)和系列化近零的頻率溫度系數(shù)（-16?6)。[0028]基于成本及實現(xiàn)效果考慮，所述添加劑為四種，例如Ca〇-Mg〇-B203_Si02、Li20_Al203_B203、La203_Zn0_B203和Li2W04。[0029]如圖2所示是用XRD衍射法對燒成后的低溫燒結(jié)微波陶瓷試樣進行的物相分析，可以證實所得到陶瓷主晶相為Li2ZnTi308和Ti02，主相沒有受到助燒劑摻雜的影響。用掃描電鏡SEM對陶瓷表面進行觀察如圖3所示，可以看出陶瓷表面晶粒較大且較為均勻致密，降溫后燒成的陶瓷沒有出現(xiàn)助燒劑引入帶來的大面積玻璃相及晶粒異常生長。[0030]為制備上述低溫燒結(jié)微波陶瓷材料，使用的制備方法，包括以下步驟：[0031]A.制備Li20-Zn0-Ti02主料。選擇Li2C03、ZnO和Ti02作為原料，按照摩爾比為1:1:(3?4)進行備料，將備料以去離子水為介質(zhì)進行球磨，并于KKTC下烘干并過40目篩，而后在850°C?920°C溫度條件下預燒3?5小時，得到主晶相為Ti02和Li2ZnTi308的Li20-Zn0-Ti02主料；[0032]B.制備復合氧化物添加劑。選擇堿金屬氧化物、金屬氧化物及非金屬氧化物中的一種或多種作為原料，并按照一定比例進行備料，得到復合氧化物aA+bB+cC，其中，A代表堿金屬氧化物，B代表金屬氧化物，C代表非金屬氧化物；a、b、c是系數(shù)，以重量百分比計算，a+b+c=100wt%,5wt%<a<15wt%,Owt%<b<85wt%,Owt%<c<55wt%;將備料以酒精為介質(zhì)進行球磨，并于75°C下烘干并過40目篩；而后在一定溫度條件下欲燒熔制，然后球磨3h，烘干得到粉末狀的添加劑；[0033]所述添加劑可以為一種或多種。優(yōu)選的，同時添加四種添加劑：低熔點的Ca0-Mg0-B203-Si02、Li20-A1203_B203、La203-Zn0-B203及Li2TO4,以便提高制備效果。[0034]C.在Li20-Zn0-Ti02主料中加入步驟B得到的添加劑，添加劑的總的質(zhì)量百分比為Li20-Zn0_Ti02主料的0.2wt%?4wt%，以去離子水為介質(zhì)混合球磨；[0035]D.將步驟C球磨后得到的混合物經(jīng)干燥、過篩、造粒、成型后排膠；[0036]E.在空氣中燒結(jié)，自然冷卻后得到低溫燒結(jié)微波陶瓷材料，所述燒結(jié)溫度為840?940°C，燒結(jié)120?180分鐘。[0037]實施例1:添加劑Ca0-Mg0-B203-Si02摻雜量變化比較[0038]按照Li20:Zn0:Ti02=1:1:3.17合成主料，將瓷料配方按Li20-Zn0-Ti02主料固定為100g，第一添加劑Ca0-Mg0-B203-Si02分別為0.5g、lg、2g、3g、4g配比稱料。濕磨，烘干后的物料加入聚乙烯醇水溶液進行造粒，在25Mpa壓力下壓制成型，得到直徑為15mm，厚度為8mm的圓柱生坯，然后置于空氣中燒結(jié)，根據(jù)主料配比不同燒結(jié)條件略有變化，升溫速率為：TC/min，隨爐冷卻即可制得低溫燒結(jié)微波介質(zhì)陶瓷，陶瓷主要配方變化情況、燒結(jié)工藝及介電性能參數(shù)見表1。[0039]表1[0040]【權(quán)利要求】1.一種低溫燒結(jié)微波陶瓷材料，其特征在于，包括Li20-Zn0-Ti02主料及添加劑，所述Li20-Zn0-Ti02主料的主晶相為Ti02和Li2ZnTi308，其中Li20:ZnO:Ti02摩爾比為1:1:(3?4);所述添加劑為復合氧化物aA+bB+cC，其中，A代表堿金屬氧化物，B代表金屬氧化物，C代表非金屬氧化物；a、b、c是系數(shù)，以重量百分比計算，a+b+c=lOOwt^Awt%<a<lSwtOwt%：^b<c<55wt%，所述添加劑的種類為一種或多種，添加劑的總的質(zhì)量百分比為Li20-Zn0-Ti02主料的0.2wt%?4wt%。2.如權(quán)利要求1所述的一種低溫燒結(jié)微波陶瓷材料，其特征在于，所述堿金屬氧化物為Li20、CaO、MgO、La203中的一種或多種。3.如權(quán)利要求1或2所述的一種低溫燒結(jié)微波陶瓷材料，其特征在于，所述金屬氧化物為A1203、W03、ZnO中的一種或多種。4.如權(quán)利要求3所述的一種低溫燒結(jié)微波陶瓷材料，其特征在于，所述非金屬氧化物為B203、Si02或B203與Si02的混合物。5.如權(quán)利要求1所述的一種低溫燒結(jié)微波陶瓷材料，其特征在于，所述添加劑為Ca0_Mg0_B203_Si02、Li20_Al203_B203、La203_Zn0_B203和Li2W04。6.-種低溫燒結(jié)微波陶瓷材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：A.選擇Li2C03、ZnO和Ti02作為原料，按照摩爾比為1:1:(3?4)進行備料，將備料以去離子水為介質(zhì)進行球磨，并于l〇〇°C下烘干并過40目篩，而后在850°C?920°C溫度條件下預燒3?5小時，得到主晶相為Ti02和Li2ZnTi308的Li20-Zn0-Ti02主料；B.選擇堿金屬氧化物、金屬氧化物及非金屬氧化物中的一種或多種作為原料，并按照一定比例進行備料，得到復合氧化物aA+bB+cC，其中，A代表堿金屬氧化物，B代表金屬氧化物，C代表非金屬氧化物；a、b、c是系數(shù)，以重量百分比計算，a+b+c=lOOwt^Awt%<a<lSwtOwt%：^b<c<55wt%;將備料以酒精為介質(zhì)進行球磨，并于75°C下烘干并過40目篩；而后在一定溫度條件下欲燒熔制，然后球磨3h，烘干得到粉末狀的添加劑；C.在Li20-Zn0-Ti02主料中加入步驟B得到的添加劑，添加劑的總的質(zhì)量百分比為Li20-Zn0-Ti02主料的0.2wt%?4wt%，以去離子水為介質(zhì)混合球磨；D.將步驟C球磨后得到的混合物經(jīng)干燥、過篩、造粒、成型后排膠；E.在空氣中燒結(jié)，自然冷卻后得到低溫燒結(jié)微波陶瓷材料，所述燒結(jié)溫度為840?940°C，燒結(jié)120?180分鐘。7.如權(quán)利要求6所述的一種低溫燒結(jié)微波陶瓷材料的制備方法，其特征在于，步驟B具體為選擇CaC03、Mg0、Si02和B203作為原料，按Ca:Mg:Si:B=1:1:2:4摩爾比進行備料，將備料以酒精為介質(zhì)進行球磨，并于75°C下烘干并過40目篩，而后在1250°C溫度條件下熔制玻璃，然后球磨3h，烘干得到玻璃粉末Ca0-Mg0-B203-Si02添加劑。8.如權(quán)利要求6所述的一種低溫燒結(jié)微波陶瓷材料的制備方法，其特征在于，步驟B具體為選擇Li20、Al203和B203作為原料，按照一定摩爾比進行備料，將備料以酒精為介質(zhì)進行球磨，并于75°C下烘干并過40目篩，而后在1250°C溫度條件下熔制玻璃，然后球磨3h，烘干得到玻璃粉末Li20-A1203_B203添加劑。9.如權(quán)利要求6所述的一種低溫燒結(jié)微波陶瓷材料的制備方法，其特征在于，步驟B具體為選擇La203、ZnO及B203作為原料，按一定摩爾比進行備料，將備料以酒精作為介質(zhì)進行球磨，并于75°C下烘干并過40目篩，而后在1250°C溫度條件下熔制玻璃，并球磨3h，烘干后得到粉末狀La203-Zn0-B203添加劑。10.如權(quán)利要求6所述的一種低溫燒結(jié)微波陶瓷材料的制備方法，其特征在于，步驟B具體為選擇Li2C03和H2W04作為原料，按Li:W=2:1摩爾比進行備料，將備料以酒精為介質(zhì)進行球磨，并于75°C下烘干并過40目篩，而后在500°C溫度條件下預燒3?5小時，得到粉末狀的Li2W(U^加劑?！疚臋n編號】C04B35/462GK104230329SQ201410468369【公開日】2014年12月24日申請日期:2014年9月15日優(yōu)先權(quán)日:2014年9月15日【發(fā)明者】唐斌,李穎翔,李恩竹,鐘朝位,張樹人申請人:電子科技大學