一種光纖預(yù)制棒的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種光纖預(yù)制棒的制造方法，包括：（1）選取基管；（2）以氧氣作為載體將待反應(yīng)的原料載帶進(jìn)基管內(nèi)部；（3）加熱基管；（4）靜待基管冷卻；（5）在基管的內(nèi)壁上形成若干沉積層；（6）將基管內(nèi)部沒有反應(yīng)完全的原料帶出基管。通過上述方式，本發(fā)明光纖預(yù)制棒的制造方法具有方法新穎、厚度均勻、沉積穩(wěn)定、傳輸特性優(yōu)良、制造精密、生產(chǎn)效率提高、品質(zhì)優(yōu)化、產(chǎn)品使用壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，在光纖預(yù)制棒的制造方法的普及上有著廣泛的市場(chǎng)前景。
【專利說明】一種光纖預(yù)制棒的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子電器領(lǐng)域，特別是涉及一種光纖預(yù)制棒的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著現(xiàn)代社會(huì)與技術(shù)的不斷進(jìn)步，電子電器產(chǎn)品逐漸走上了生活與工業(yè)的舞臺(tái)，電子電器產(chǎn)品的更新?lián)Q代也日趨加速，主要包括電子電器工具、電子電器零部件和安防電子電器等等，其中各個(gè)電子電器之間的連接問題日益突出，傳輸線本體就應(yīng)運(yùn)而生，而影響傳輸線本體質(zhì)量的因素主要包括絕緣效果、信號(hào)屏蔽效果、傳輸速率等，其中光纖是數(shù)據(jù)傳輸?shù)闹饕d體之一，而現(xiàn)有的光纖預(yù)制棒的制造方法程序冗雜、預(yù)制棒的端口的沉積層厚度偏小，從而導(dǎo)致傳輸特性差、產(chǎn)品品質(zhì)低、傳輸品質(zhì)有待提高。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種光纖預(yù)制棒的制造方法，通過使用流程化管理生產(chǎn)的步驟，對(duì)每個(gè)步驟嚴(yán)格把控，對(duì)基管內(nèi)壁反復(fù)沉積形成沉積層，有利于進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)控制、品質(zhì)優(yōu)化，從而提升產(chǎn)品的使用壽命和傳輸特性，在光纖預(yù)制棒的制造方法的普及上有著廣泛的市場(chǎng)前景。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種光纖預(yù)制棒的制造方法，包括以下步驟:
(1)選取基管:選取粗細(xì)均勻、高純度、低水分、低雜質(zhì)的石英管作為基管；
(2)在基管的一端以氧氣作為載體將待反應(yīng)的原料載帶進(jìn)基管內(nèi)部，原料的質(zhì)量百分比包括二氧化硅75~85%、二氧化鍺4~8%、五氧化二磷4~7%、氟氧化硅4~6%和氧化硼3~4% ；
(3)在基管的外側(cè)點(diǎn)燃?xì)溲跹孢_(dá)到1900°C的溫度來加熱基管，從而間接加熱基管內(nèi)部的反應(yīng)原料，使之沉積在基管的內(nèi)壁上形成第一沉積層；
(4)撤去氫氧焰，靜待基管冷卻；
(5)待基管冷卻后反復(fù)重復(fù)步驟(2)、步驟(3)和步驟(4)，在基管的內(nèi)壁上形成若干沉積層；
(6)待若干沉積層完成之后，繼續(xù)使用氧氣作為載體將基管內(nèi)部沒有反應(yīng)完全的原料帶出基管，進(jìn)行收集并洗滌。
[0005]在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，步驟(1)中的所述石英管的橫向直徑的范圍為2~20mmo
[0006]在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，步驟(2)中的所述原料的顆粒直徑為150-200目。
[0007]在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，步驟(2)中的所述氧氣與所述原料的流量均勻。
[0008]在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，步驟(4)中的溫度要求冷卻到80°C以下。
[0009]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明光纖預(yù)制棒的制造方法具有方法新穎、厚度均勻、沉積穩(wěn)定、傳輸特性優(yōu)良、制造精密、生產(chǎn)效率提高、品質(zhì)優(yōu)化、產(chǎn)品使用壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，在光纖預(yù)制棒的制造方法的普及上有著廣泛的市場(chǎng)前景。

【具體實(shí)施方式】
[0010]下面將對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0011]本發(fā)明實(shí)施例包括:
一種光纖預(yù)制棒的制造方法，包括以下步驟:
(1)選取基管:選取粗細(xì)均勻、高純度、低水分、低雜質(zhì)的石英管作為基管，基管的水分低、純度高、雜質(zhì)低有利于提高信號(hào)的傳輸速率、傳輸帶寬、傳輸品質(zhì)；
(2)在基管的一端以氧氣作為載體將待反應(yīng)的原料載帶進(jìn)基管內(nèi)部，其中氧氣既作為載體又作為反應(yīng)氣體，原料的質(zhì)量百分比包括二氧化硅7515%、二氧化鍺4~8%、五氧化二磷4~7%、氟氧化硅4~6%和氧化硼3~4%，其中二氧化硅在基管的內(nèi)沉積星辰高純度的玻璃，二氧化鍺使得二氧化硅玻璃基體折射率變大，是形成光纖預(yù)制棒芯層的優(yōu)選物質(zhì)；
(3)在基管的外側(cè)點(diǎn)燃?xì)溲跹孢_(dá)到1900°C的溫度來加熱基管，從而間接加熱基管內(nèi)部的反應(yīng)原料，各個(gè)原料分別進(jìn)行反應(yīng)，使之沉積在基管的內(nèi)壁上形成第一沉積層；
(4)撤去氫氧焰，靜待基管冷卻；
(5)待基管冷卻后反復(fù)重復(fù)步驟(2)、步驟(3)和步驟(4)，在基管的內(nèi)壁上形成若干沉積層，以往的光纖預(yù)制棒的制作方法容易導(dǎo)致在基管的端口形成偏薄的沉積層，從而影響了沉積層分布的均勻度、影響光纖的傳輸特性、或者無形增加了工序的復(fù)雜度，這里反復(fù)加熱反復(fù)冷卻以形成若干層沉積層，從而有利于改善光纖芯層的均勻度；
(6)待若干沉積層完成之后，繼續(xù)使用氧氣作為載體將基管內(nèi)部沒有反應(yīng)完全的原料帶出基管，進(jìn)行收集并洗滌。
[0012]優(yōu)選地，步驟(1)中的所述石英管的橫向直徑的范圍為2~20mm，符合一般光纖的使用制作標(biāo)準(zhǔn)，選擇性廣、適用性強(qiáng)。
[0013]優(yōu)選地，步驟(2)中的所述原料的顆粒直徑為150-200目，顆粒細(xì)小，從而方便載帶、提高了反應(yīng)的充分性和反應(yīng)速率。
[0014]優(yōu)選地，步驟(2)中的所述氧氣與所述原料的流量均勻恒定，流量使用儀器精密控制，從而有利于提升沉積層的均勻度，一般在原料中還添加一定的氯氣和氦氣，氯氣用于干燥氣體，可有效降低反應(yīng)物和沉積物中水分，氦氣用于改善氣相混合物的熱擴(kuò)散性能。
[0015]優(yōu)選地，步驟(4)中的溫度要求冷卻到80°C以下，有利于若干沉積層的充分固化，堅(jiān)固耐用。
[0016]本發(fā)明光纖預(yù)制棒的制造方法的有益效果是:
一、通過采用流程化管理生產(chǎn)的步驟，對(duì)每個(gè)步驟嚴(yán)格把控，對(duì)基管內(nèi)壁反復(fù)沉積形成沉積層，有利于進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)控制、品質(zhì)優(yōu)化，從而提升產(chǎn)品的使用壽命和傳輸特性；
二、通過在基管的內(nèi)壁上反復(fù)形成沉積層，克服了以往的光纖預(yù)制棒的制作方法容易導(dǎo)致在基管的端口形成偏薄的沉積層的缺點(diǎn)，從而有利于改善沉積層分布的均勻度和影響光纖的傳輸特性；
三、相對(duì)于一般的光纖預(yù)制棒的制造方法，這里的光纖預(yù)制棒的制造方法的原料的質(zhì)量百分比包括二氧化硅75~85%、二氧化鍺4~8%、五氧化二磷4~7%、氟氧化硅4~6%和氧化硼3~4%，經(jīng)過大量的實(shí)驗(yàn)和長(zhǎng)期的實(shí)踐表明，該配方下的原料形成的沉積層質(zhì)量最好，品質(zhì)最優(yōu)。
[0017] 以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其它相關(guān)的【技術(shù)領(lǐng)域】，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種光纖預(yù)制棒的制造方法，其特征在于，包括以下步驟: (1)選取基管:選取粗細(xì)均勻、高純度、低水分、低雜質(zhì)的石英管作為基管； (2)在基管的一端以氧氣作為載體將待反應(yīng)的原料載帶進(jìn)基管內(nèi)部，原料的質(zhì)量百分比包括二氧化硅75~85%、二氧化鍺4~8%、五氧化二磷4~7%、氟氧化硅4~6%和氧化硼3~4% ； (3)在基管的外側(cè)點(diǎn)燃?xì)溲跹孢_(dá)到1900°C的溫度來加熱基管，從而間接加熱基管內(nèi)部的反應(yīng)原料，使之沉積在基管的內(nèi)壁上形成第一沉積層； (4)撤去氫氧焰，靜待基管冷卻； (5)待基管冷卻后反復(fù)重復(fù)步驟(2)、步驟(3)和步驟(4)，在基管的內(nèi)壁上形成若干沉積層； (6)待若干沉積層完成之后，繼續(xù)使用氧氣作為載體將基管內(nèi)部沒有反應(yīng)完全的原料帶出基管，進(jìn)行收集并洗滌。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖預(yù)制棒的制造方法，其特征在于，步驟(1)中的所述石英管的橫向直徑的范圍為疒20mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖預(yù)制棒的制造方法，其特征在于，步驟(2)中的所述原料的顆粒直徑為150~200目。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖預(yù)制棒的制造方法，其特征在于，步驟(2)中的所述氧氣與所述原料的流量均勻。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖預(yù)制棒的制造方法，其特征在于，步驟(4)中的溫度要求冷卻到80°C以下。
【文檔編號(hào)】C03B37/018GK104129916SQ201410405372
【公開日】2014年11月5日 申請(qǐng)日期:2014年8月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月18日
【發(fā)明者】王玉南 申請(qǐng)人:蘇州新協(xié)力環(huán)?？萍加邢薰?br>