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積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒翱虅澭b置制造方法

文檔序號:1878955閱讀:148來源:國知局
積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒翱虅澭b置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明是有關(guān)于一種積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒翱虅澭b置,將在陶瓷基板上積層有金屬膜的積層陶瓷基板進行分?jǐn)?。使用圖案化工具沿刻劃預(yù)定線對積層陶瓷基板的金屬膜進行槽加工。其次,利用刻劃裝置自金屬膜或的槽或于陶瓷基板形成刻劃線。其次,使積層陶瓷基板反轉(zhuǎn)而沿刻劃線進行斷裂。如此,可使積層陶瓷基板完全地分?jǐn)唷?br> 【專利說明】積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒翱虅澭b置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種積層陶瓷基板,特別是涉及一種在陶瓷基板上積層有金屬膜的積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒翱虅澭b置。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有習(xí)知,將在陶瓷基板上積層有金屬膜的積層陶瓷基板分?jǐn)嗟那樾螘r,較多使用晶圓切割機等進行分?jǐn)?。又,專利文獻I中提出有如下的陶瓷接合基板的制造方法:對陶瓷基板進行刻劃后將金屬層接合,借由刻蝕將刻劃線的金屬層去除,之后進行斷裂。
[0003][發(fā)明所要解決的問題]
[0004]上述專利文獻I中存在如下問題點:必須在陶瓷基板上積層金屬薄膜的前進行刻劃,并非將已積層的積層陶瓷基板進行分?jǐn)唷?br> [0005]又,對將如圖1 (a)所示般于陶瓷基板101的兩面積層有金屬膜102、103的積層陶瓷基板100進行刻劃從而進行斷裂的情形進行說明。首先,如圖1(b)所示,使用刻劃輪104于金屬膜102的面實施刻劃,其次,如圖1(c)所示,使用斷裂棒105要使積層陶瓷基板100分?jǐn)?,即便如此,亦未于金屬?02形成充分的垂直裂縫,未于陶瓷基板101、金屬膜103產(chǎn)生垂直裂縫。因此,有難以斷裂,無法分離,或如圖1(d)所示般未按照刻劃線分離的問題點。
[0006]又,作為其它方法,如圖2 (b)所示般使用刻劃輪104于金屬膜102的面實施刻劃,其次,如圖2(c)所示般使用刻劃輪104于金屬膜103的面實施刻劃,其次,如圖2(d)所示,使用斷裂棒105要使積層陶瓷基板100分?jǐn)?,即便如此,亦未于金屬?02、103形成充分的垂直裂縫,未于陶瓷基板101產(chǎn)生垂直裂縫。因此,有難以斷裂,如圖2(e)所示般未按照刻劃線分離的問題點。
[0007]由此可見,上述現(xiàn)有的陶瓷接合基板在結(jié)構(gòu)與使用上,顯然仍存在有不便與缺陷,而亟待加以進一步改進。要因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒翱虅澭b置,亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進的目標(biāo)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的目的在于,克服現(xiàn)有的陶瓷接合基板存在的缺陷,而提供一種新型結(jié)構(gòu)的積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒翱虅澭b置,所要解決的技術(shù)問題是使其在于可使陶瓷基板上積層有金屬膜的積層陶瓷基板完全地分?jǐn)喽鴤€別化,非常適于實用。
[0009]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒?,其?在陶瓷基板的兩面積層有金屬膜的積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒?;利用圖案化工具沿該積層陶瓷基板的刻劃預(yù)定線對一者的金屬膜進行槽加工;利用圖案化工具沿該積層陶瓷基板的刻劃預(yù)定線對另一者的金屬膜進行槽加工;沿自該任一者的金屬膜去除金屬膜后的槽使刻劃輪轉(zhuǎn)動而對該陶瓷基板進行刻劃;按照該積層陶瓷基板的刻劃線進行斷裂。[0010]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒?,其?在陶瓷基板的兩面積層有金屬膜的積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒?;利用圖案化工具沿該積層陶瓷基板的刻劃預(yù)定線對一者的金屬膜進行槽加工;沿自該金屬膜的面去除金屬膜后的槽使刻劃輪轉(zhuǎn)動而對該陶瓷基板進行刻劃;利用圖案化工具沿該積層陶瓷基板的刻劃預(yù)定線對另一者的金屬膜進行槽加工;按照該積層陶瓷基板的刻劃線進行斷裂。
[0011]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。
[0012]前述的積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒ǎ涮卣髟谟谠撎沾苫宓目虅澥褂糜锌虅澼喌目虅潯?br> [0013]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種積層陶瓷基板的刻劃裝置,其中用于在陶瓷基板積層有金屬膜的積層陶瓷基板的分?jǐn)嗟目虅澭b置,具備:平臺,其保持成為刻劃的對象的積層陶瓷基板;橋,其具有平行于設(shè)置于該平臺的積層陶瓷基板之面的梁;第I刻劃頭,其沿該梁移動自如地設(shè)置,利用圖案化工具沿保持于該平臺的積層陶瓷基板的刻劃預(yù)定線對表面的金屬膜進行槽加工;及第2亥Ij劃頭,其沿該梁移動自如地設(shè)置,使刻劃輪轉(zhuǎn)動而對經(jīng)該槽加工的積層陶瓷基板的槽進行刻劃。
[0014]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。由以上可知,為達到上述目的,本發(fā)明提供了一種積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒翱虅澭b置。其解決問題的技術(shù)手段如下:本發(fā)明的積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒ㄓ谔沾苫宓膬擅娣e層有金屬膜的積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒?,其如下?利用圖案化工具沿上述積層陶瓷基板的刻劃預(yù)定線對一者的金屬膜進行槽加工,且利用圖案化工具沿上述積層陶瓷基板的刻劃預(yù)定線對另一者的金屬膜進行槽加工,沿自上述任一者的金屬膜去除金屬膜后的槽使刻劃輪轉(zhuǎn)動而對上述陶瓷基板進行刻劃,按照上述積層陶瓷基板的刻劃線進行斷裂。本發(fā)明的積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒ㄓ谔沾苫宓膬擅娣e層有金屬膜的積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒ǎ淙缦抡?利用圖案化工具沿上述積層陶瓷基板的刻劃預(yù)定線對一者的金屬膜進行槽加工,沿自上述金屬膜的面去除金屬膜后的槽使刻劃輪轉(zhuǎn)動而對上述陶瓷基板進行刻劃,利用圖案化工具沿上述積層陶瓷基板的刻劃預(yù)定線對另一者的金屬膜進行槽加工,按照上述積層陶瓷基板的刻劃線進行斷裂。此處,上述陶瓷基板的刻劃亦可設(shè)為使用有刻劃輪的刻劃。本發(fā)明的積層陶瓷基板的刻劃裝置用于在陶瓷基板上積層有金屬膜的積層陶瓷基板的分?jǐn)嗟目虅澭b置,其具備:平臺,其保持成為刻劃的對象的積層陶瓷基板;橋,其具有平行于設(shè)置于上述平臺的積層陶瓷基板的面的梁;第I刻劃頭,其沿上述梁移動自如地設(shè)置,利用圖案化工具沿保持于上述平臺的積層陶瓷基板的刻劃預(yù)定線對表面的金屬膜進行槽加工;及第2刻劃頭,其沿上述梁移動自如地設(shè)置,使刻劃輪轉(zhuǎn)動而對經(jīng)上述槽加工的積層陶瓷基板的槽進行刻劃。
[0015]借由上述技術(shù)方案,本發(fā)明積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒翱虅澭b置至少具有下列優(yōu)點及有益效果:根據(jù)具有此種特征的本發(fā)明,沿刻劃預(yù)定線對于陶瓷基板的兩面積層有金屬膜的積層陶瓷基板進行槽加工,對于上下的相同部分帶狀地將金屬膜去除。其次,自所去除的金屬膜的槽對陶瓷基板進行刻劃,其后使積層陶瓷基板反轉(zhuǎn)而斷裂。因此,可獲得如下效果:可使在兩面具有金屬膜的積層陶瓷基板完全地分?jǐn)酁樗璧男螤疃鴤€別化,可提高端面精度。又,技術(shù)方案4的刻劃裝置可獲得如下效果:可利用I臺刻劃裝置同時實現(xiàn)帶狀地將金屬膜去除與進行刻劃。
[0016]上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述,為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段,而可依照說明書的內(nèi)容予以實施,并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂,以下特舉較佳實施例,并配合附圖,詳細(xì)說明如下。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1(a)、圖1(b)、圖1(c)、圖1(d)表示自積層陶瓷基板的一面?zhèn)鹊慕饘倌?cè)進行刻劃及斷裂的情形的分?jǐn)嗵幚韴D。
[0018]圖2(a)、圖2(b)、圖2 (C)、圖2 (d)、圖2 (e)表示自積層陶瓷基板的相反面?zhèn)鹊慕饘倌?cè)進行刻劃且進行斷裂時的狀態(tài)圖。
[0019]圖3表示本發(fā)明的實施形態(tài)的積層陶瓷基板的分?jǐn)嘀兴褂玫目虅澭b置的立體圖。
[0020]圖4(a)、圖4(b)、圖4(c)表示本實施形態(tài)中所使用的用于金屬膜的槽加工的圖案化工具圖。
[0021]圖5 (a)、圖5 (b)、圖5 (C)、圖5 (d)表示本發(fā)明的實施形態(tài)的積層陶瓷基板的分?jǐn)嗵幚?、利用圖案化工具而進行的槽加工圖。
[0022]圖6 (e)、圖6 (f)、圖6 (g)、圖6 (h)表示本發(fā)明的實施形態(tài)的積層陶瓷基板的分?jǐn)嗵幚?、刻劃及斷裂圖。
[0023]10:刻 劃裝置11:移動臺
[0024]16:平臺2O:橋
[0025]22:梁23:線性馬達
[0026]24、26:刻劃頭 25:刻劃輪
[0027]27:圖案化工具 30:積層陶瓷基板
[0028]31:陶瓷基板32、33:金屬膜
[0029]32a、33a:槽34、35:支承構(gòu)件
[0030]36:膠帶37:斷裂棒
【具體實施方式】
[0031]為更進一步闡述本發(fā)明為達成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效,以下結(jié)合附圖及較佳實施例,對依據(jù)本發(fā)明提出的積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒翱虅澭b置其【具體實施方式】、結(jié)構(gòu)、特征及其功效,詳細(xì)說明如后。
[0032]圖3表示本發(fā)明的實施形態(tài)的積層陶瓷基板的分?jǐn)嘀兴褂玫目虅澭b置的一例的概略立體圖。該刻劃裝置10中,移動臺11沿一對導(dǎo)軌12a、12b在y軸方向上移動自如地保持。滾珠螺桿13與移動臺11螺合。滾珠螺桿13借由馬達14的驅(qū)動進行旋轉(zhuǎn),使移動臺11沿導(dǎo)軌12a、12b在y軸方向上移動。在移動臺11的上表面設(shè)置有馬達15。馬達15使平臺16在在xy平面上旋轉(zhuǎn)而定位于特定角度者。
[0033]在刻劃裝置10中,借由支柱21a、21b以橫跨移動臺11與其上部的平臺16的方式沿X軸方向架設(shè)有橋20。橋20在橫方向上平行于平臺16的面地設(shè)置有梁22,在梁22的長度方向上設(shè)置有線性馬達23。在線性馬達23設(shè)置有圖案化用的第I刻劃頭24。在刻劃頭24的下端部安裝有圖案化工具25。該圖案化工具25用于以固定的寬度將金屬膜剝離的工具,例如使用日本特開2011-216646號中所示的用作太陽能電池的槽加工工具的圖案化工具。圖案化工具25例如亦可為如圖4(a)中立體圖所示般圓錐臺形狀的工具。又,亦可為如圖4(b)所示般刀尖為角柱狀的工具,進而,亦可為如圖4(c)所示般將角柱狀的左右切去后的形狀者。又,亦可不僅工具的前端為角柱狀,整體亦為角柱狀。在刻劃頭24的內(nèi)部設(shè)置有可進行如此的升降動作的升降部,例如使用氣壓控制的氣缸或借由線性馬達的電動升降部等。
[0034]又,在線性馬達23設(shè)置有刻劃用的第2刻劃頭26??虅濐^26上下移動自如地保持刻劃輪27者。線性馬達23使刻劃頭24、26沿X軸方向移動的驅(qū)動源。
[0035]圖5(a)表示成為分?jǐn)嗟膶ο蟮姆e層陶瓷基板(以下,簡稱為積層基板)30的圖。積層基板30在陶瓷基板31的兩面積層有金屬膜32、33的基板。此處,陶瓷基板31可為LTCC基板,亦可為氧化鋁或氮化鋁、鈦酸鋇、鐵氧體、氮化硅等的陶瓷基板。又,金屬膜32、33為鎳、銀、金、銅及鉬等的薄膜,例如使膜厚為10?20 μ m。此時,金屬膜32、33亦可為形成有任何圖案者。
[0036]在以特定的圖案將如此的積層基板30分?jǐn)嗟那樾螘r,首先,將積層基板30載置于圖3的刻劃裝置10的平臺16。其次,如圖5(b)所示,利用圖案化工具25沿預(yù)定刻劃的線以固定的寬度直線地將金屬膜32去除。該金屬膜的去除借由線性馬達23使刻劃裝置10的刻劃頭24移動而進行。將以此方式去除金屬膜32后的積層陶瓷基板30的剖面圖示于圖5 (c)中。該槽32a的寬度例如設(shè)為25?200 μ m的寬度。
[0037]進而,如圖5(d)所示,使積層基板30反轉(zhuǎn),利用圖案化工具25對于與上述槽32a相同部分將金屬膜33去除,在與槽32a對稱的位置形成相同寬度的槽33a。如此,如圖6(e)所示,沿刻劃預(yù)定線而兩面的金屬膜被去除。
[0038]其次,自任一者的金屬膜此處為金屬膜33的面對帶狀的槽33a的內(nèi)側(cè)的陶瓷基板31進行刻劃。關(guān)于該刻劃亦使用圖3所示的刻劃裝置10,如圖6(f)所示,對積層基板30以固定的荷重按壓刻劃輪27且使其轉(zhuǎn)動,從而以使裂縫垂直地滲透的方式形成刻劃線SI。該刻劃中所使用的刻劃輪既可使用可進行高滲透的刻劃者,亦可使用通常者。例如,如日本專利文獻3074143號所示,提出有在圓周面上隔開特定間隔而形成大量槽,使其間成為突起而成為高滲透型的刻劃輪。
[0039]其次,如圖6(g)所示,使積層基板30反轉(zhuǎn),在斷裂裝置的一對支承構(gòu)件34、35的上表面配置膠帶36,以刻劃線位于支承構(gòu)件34、35的中間的方式配置積層基板30。其次,自其上部沿刻劃線SI按下斷裂棒37而進行斷裂。如此,如圖6(h)所示,可使積層基板沿刻劃線完全地分?jǐn)?,可提高端面精度。借由格子狀地進行該積層基板的分?jǐn)?,可形成單個的積層基板芯片。再者,圖6(f)所示的刻劃亦可對槽32a進行,此情形時亦在進行斷裂的前使積層陶瓷基板反轉(zhuǎn)而進行斷裂。
[0040]該實施形態(tài)中,如圖5(b)?圖6(f)所示般在金屬膜的兩面進行槽加工,其次,自金屬的槽對陶瓷基板進行刻劃。亦可取代此而對一面的金屬膜進行槽加工,自其槽對陶瓷基板進行刻劃,之后進行反轉(zhuǎn)而對另一者的金屬膜進行槽加工。其后的斷裂的步驟相同。
[0041]又,雖然該實施形態(tài)中以圖6(f)的步驟使用刻劃裝置使刻劃輪轉(zhuǎn)動而執(zhí)行刻劃,但亦可利用激光刻劃裝置進行刻劃。又,以圖6(g)的步驟使用斷裂裝置進行斷裂,但亦可代替此而在要分?jǐn)嗟乃槠男螤钕鄬^大的情形時作業(yè)人員直接用手進行分?jǐn)?。在此情形時無需膠帶36。
[0042]該實施形態(tài)的刻劃裝置不僅可應(yīng)用于對在兩面具有金屬膜的積層陶瓷基板剝離兩面的金屬膜而對陶瓷基板進行刻劃的分?jǐn)喾椒?,亦可用于在僅在任一面積層有金屬膜的積層陶瓷基板中剝離一者的金屬膜而對陶瓷基板進行刻劃的分?jǐn)喾椒ā?br> [0043][產(chǎn)業(yè)上的可利用性]
[0044]本發(fā)明可使用圖案化工具與刻劃裝置容易地將在陶瓷基板上積層有金屬膜的積層基板分?jǐn)?,對制造微小的積層基板有效。
[0045]以上所述,僅是本發(fā)明的較佳實施例而已,并非對本發(fā)明作任何形式上的限制,雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上,然而并非用以限定本發(fā)明,任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi),當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例,但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容,依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾,均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒?,在陶瓷基板的兩面積層有金屬膜的積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒?,其特征在? 利用圖案化工具沿該積層陶瓷基板的刻劃預(yù)定線對一者的金屬膜進行槽加工; 利用圖案化工具沿該積層陶瓷基板的刻劃預(yù)定線對另一者的金屬膜進行槽加工; 沿自該任一者的金屬膜去除金屬膜后的槽使刻劃輪轉(zhuǎn)動而對該陶瓷基板進行刻劃; 按照該積層陶瓷基板的刻劃線進行斷裂。
2.一種積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒ǎ谔沾苫宓膬擅娣e層有金屬膜的積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒?,其特征在? 利用圖案化工具沿該積層陶瓷基板的刻劃預(yù)定線對一者的金屬膜進行槽加工; 沿自該金屬膜的面去除金屬膜后的槽使刻劃輪轉(zhuǎn)動而對該陶瓷基板進行刻劃; 利用圖案化工具沿該積層陶瓷基板的刻劃預(yù)定線對另一者的金屬膜進行槽加工; 按照該積層陶瓷基板的刻劃線進行斷裂。
3.如權(quán)利要求1至2中任一權(quán)利要求所述的積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒?,其特征在于該陶瓷基板的刻劃使用有刻劃輪的刻劃?br> 4.一種積層陶瓷基板的刻劃裝置,用于在陶瓷基板積層有金屬膜的積層陶瓷基板的分?jǐn)嗟目虅澭b置,其特征在于具備: 平臺,其保持成為刻劃的對象的積層陶瓷基板; 橋,其具有平行于設(shè)置于該平臺的積層陶瓷基板之面的梁; 第I刻劃頭,其沿該梁移動自如地設(shè)置,利用圖案化工具沿保持于該平臺的積層陶瓷基板的刻劃預(yù)定線對表面的金屬膜進行槽加工;及 第2刻劃頭,其沿該梁移動自如地設(shè)置,使刻劃輪轉(zhuǎn)動而對經(jīng)該槽加工的積層陶瓷基板的槽進行刻劃。
【文檔編號】B28D1/00GK103786262SQ201310337997
【公開日】2014年5月14日 申請日期:2013年8月2日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月30日
【發(fā)明者】武田真和, 村上健二, 田村健太 申請人:三星鉆石工業(yè)股份有限公司
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