專利名稱：長余輝發(fā)光陶瓷的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型屬于發(fā)光陶瓷材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及ー種長余輝發(fā)光陶瓷。
背景技術(shù)：
發(fā)光陶瓷是將發(fā)光材料與傳統(tǒng)陶瓷經(jīng)過燒結(jié)復(fù)合在一起的一種高科技材料。它除了具有傳統(tǒng)陶瓷原有的共性外，還可以在有光時吸收其它光源的能量，在暗處或夜晚再持續(xù)釋放出光，并可以無限次蓄光、釋光，這ー特點使陶瓷制品的應(yīng)用范圍更加廣闊。發(fā)光陶瓷可被用于制作應(yīng)急照明產(chǎn)品，采用長余輝發(fā)光陶瓷制品不僅可以節(jié)約能源，還可以在緊急情況下起到很好的照明作用，引導(dǎo)人們疏散、撤離。發(fā)光陶瓷制品還可以 用于居民住宅或公共建筑中，它們不僅可以美化居室和工作環(huán)境，在夜間或暗處還可以方便人們的生活和工作。此外，發(fā)光陶瓷中摻入抑菌成分，如果用于廚房或衛(wèi)生間可以起到一定的抑菌作用，非常符合人們追求健康的生活理念。鑒于以上優(yōu)點，再加上陶瓷耐磨、阻燃、耐腐蝕等特點，它可以廣泛應(yīng)用于住宅、公共建筑等場合。目前使用的ZnS類發(fā)光材料發(fā)光陶瓷雖然性能比較穩(wěn)定，但是發(fā)光亮度較低，余輝時間也不長，而且在潮濕的環(huán)境中會分解放出H2S有害氣體，在長期紫外光照射下此類發(fā)光陶瓷容易分解而變黑，甚至喪失發(fā)光效果。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型所要解決的技術(shù)問題是彌補上述現(xiàn)有材料存在的缺陷，提出用稀土摻雜的鋁酸鍶發(fā)光材料制作發(fā)光陶瓷，并利用電子束燒結(jié)方法將素坯與發(fā)光層燒結(jié)在一起，制備余輝時間長、亮度高的發(fā)光陶瓷制品。為實現(xiàn)上述實用新型的目的，本實用新型采用的技術(shù)方案是長余輝發(fā)光陶瓷，包括陶瓷素坯層，在所述陶瓷素坯層表面開有溝槽，溝槽中設(shè)有長余輝發(fā)光層，在陶瓷素坯層對應(yīng)溝槽處的表面覆蓋有ー層透明陶瓷釉層。所述的溝槽的形狀呈待顯示的圖案或標(biāo)識性文字，溝槽的深度為O. 5-1毫米。所述的陶瓷釉層的厚度為2-3毫米。本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)對比的優(yōu)點在于本實用新型將稀土離子摻雜的鋁酸鍶發(fā)光材料應(yīng)用于發(fā)光陶瓷，填充在陶瓷素坯層開設(shè)的溝槽中經(jīng)電子束燒結(jié)エ藝制備發(fā)光層，并在外面覆蓋ー層高透明陶瓷釉層。這樣可以避免將發(fā)光材料直接摻入釉料燒結(jié)導(dǎo)致的釉裂缺陷，保持良好的耐水性、發(fā)光強度和余輝時間。此發(fā)光陶瓷制品不含任何放射性物質(zhì)，無毒無害，將發(fā)光層制作成圖案或標(biāo)識性文字的形式，在白天吸收太陽光后，在暗處或夜晚可以緩慢發(fā)光，使居室更美觀，人們生活更方便。

圖I為本實用新型剖視圖；[0012]圖2為本實用新型具體實施例的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
下面根據(jù)具體實施例和附圖進行詳細說明，本實用新型的目的和效果將變得更加明顯。長余輝發(fā)光陶瓷，包括陶瓷素坯層2，在陶瓷素坯層2表面開有溝槽1，溝槽中設(shè)有長余輝發(fā)光層，即發(fā)光層填充在溝槽內(nèi)。在陶瓷素坯層對應(yīng)溝槽處的表面覆蓋有ー層透明陶瓷釉層3。吸收光能后，發(fā)光層可以在光線暗處或夜晚緩慢發(fā)光。所開溝槽的形狀呈待顯示的圖案或標(biāo)識性文字，溝槽的深度為I毫米，溝槽中填充稀土離子Eu，Dy共摻雜的SrAl2O4長余輝發(fā)光粉原料，長余輝發(fā)光層通過電子束燒結(jié)エ藝制備，同時與陶瓷素坯層經(jīng)燒結(jié)復(fù)合成一體。為使該長余輝發(fā)光陶瓷表面更加耐磨，更加光亮，在發(fā)光圖案層和陶瓷素坯層表 面覆蓋ー層2毫米透明陶瓷釉層，陶瓷釉層是通過將透明釉料涂在發(fā)光圖案層和素坯層表面后燒結(jié)而形成的并與發(fā)光圖案層和陶瓷素坯層復(fù)合為一體。本實用新型并非僅局限于以上所述的實施方式，以上內(nèi)容是結(jié)合具體優(yōu)選實施方式對本實用新型的詳細說明。對本實用新型所屬的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，在基于本實用新型的構(gòu)思及技術(shù)方案前提下做出的修改或等同替換，且應(yīng)用領(lǐng)域相同，均應(yīng)當(dāng)屬于本實用新型要求的保護范圍。
權(quán)利要求1.長余輝發(fā)光陶瓷，包括陶瓷素坯層，其特征在于在所述陶瓷素坯層表面開有溝槽，溝槽中設(shè)有長余輝發(fā)光層，在陶瓷素坯層對應(yīng)溝槽處的表面覆蓋有一層透明陶瓷釉層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的長余輝發(fā)光陶瓷，其特征在于所述的溝槽的形狀呈待顯示的圖案或標(biāo)識性文字，溝槽的深度為O. 5-1毫米。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的長余輝發(fā)光陶瓷，其特征在于所述的陶瓷釉層的厚度為2-3毫米。
專利摘要本實用新型涉及一種長余輝發(fā)光陶瓷。目前使用的ZnS類發(fā)光材料發(fā)光陶瓷雖然性能比較穩(wěn)定，但是發(fā)光亮度較低，余輝時間也不長。本實用新型包括陶瓷素坯層，在所述陶瓷素坯層表面開有溝槽，溝槽中設(shè)有長余輝發(fā)光層，在陶瓷素坯層對應(yīng)溝槽處的表面覆蓋有一層透明陶瓷釉層。本實用新型可以避免將發(fā)光材料直接摻入釉料燒結(jié)導(dǎo)致的釉裂缺陷，保持良好的耐水性、發(fā)光強度和余輝時間。
文檔編號C04B41/89GK202465533SQ20122011092
公開日2012年10月3日 申請日期2012年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月22日
發(fā)明者倪玉蘭, 吳丹, 孔哲, 季振國, 曹暉, 林靜, 王婷婷, 謝佩希, 趙芬, 陳琦 申請人:杭州電子科技大學(xué)