銦錫氧化物靶材的制作方法
【專利摘要】一種銦錫氧化物靶材的制作方法，包括：提供ITO粉料；采用靜壓工藝將ITO粉料預(yù)壓成型，形成第一ITO靶材坯料；將第一ITO靶材坯料放入第一包套并抽真空；采用冷等靜壓工藝對第一包套內(nèi)的第一ITO靶材坯料進(jìn)行處理，形成第二ITO靶材坯料；去除所述第一包套后，將第二ITO靶材坯料放入第二包套，并抽真空；采用熱等靜壓工藝對所述第二包套進(jìn)行處理，形成第三ITO靶材坯料；去除所述第二包套后，對所述第三ITO靶材坯料進(jìn)行機械加工形成ITO靶材。本發(fā)明突破了ITO粉料不易成型，易分解，會被還原等特點帶來的加工ITO靶材的局限，能形成具有優(yōu)良的致密度、內(nèi)部組織結(jié)構(gòu)的均勻性的ITO靶材。
【專利說明】銦錫氧化物靶材的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種銦錫氧化物(ITO)靶材的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]ITO (銦錫氧化物)薄膜是一種η型半導(dǎo)體陶瓷薄膜，由于其導(dǎo)電性好，對可見光透明，對紫外光具有吸收性，對紅外光具有高反射性等優(yōu)異性能，因而被廣泛應(yīng)用于光學(xué)、電學(xué)等領(lǐng)域。現(xiàn)有工藝多數(shù)采用磁控濺射法制備的ITO薄膜，這樣方法具有工藝控制性好，成膜質(zhì)量高等優(yōu)點而被廣泛應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)。磁控濺射法制備高質(zhì)量ITO薄膜的前提是制備高純度、高密度、密度均勻的ITO靶材。
[0003]現(xiàn)在通常制造ITO靶材的方法有燒結(jié)法和熱壓法等，由于氧化銦和氧化錫在高溫下容易分解，以及氧化銦和氧化錫粉料為瘠性粉料，不易加工成型等特性的局限，現(xiàn)有技術(shù)對ITO靶材的制作仍有不同程度的缺陷:
[0004]燒結(jié)法制ITO靶材是將ITO粉料經(jīng)過冷壓或者澆注成型形成ITO靶材坯料后，在氧化氣氛中高溫?zé)Y(jié)。熱壓法中，在高溫下(特別是在溫度高于1200°c時)，ΙΤ0粉料容易分解，形成氣態(tài)物質(zhì)從燒結(jié)狀態(tài)下的ITO固溶體中逃逸，形成的靶材會具有很多氣體通道和孔隙，阻礙了 ITO靶材密度的提高。
[0005]熱壓法制ITO靶材是利用ITO粉料在加熱到一定溫度后，所具有的熱塑性和流動性，在一個工序中同時完成成型和燒結(jié)兩個過程。一種熱壓法制ITO靶材的方法可參考
【發(fā)明者】姚力軍, 相原俊夫, 大巖一彥, 潘杰, 王學(xué)澤, 宋佳 申請人:寧波江豐電子材料有限公司