專利名稱：鐵氧體組合物及電子零件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及鐵氧體組合物及電子零件。更詳細地說，涉及使用溫度或環(huán)境溫度接近室溫或室外溫度、或接近冷凍溫度，在高頻而且低磁場的環(huán)境中既能夠減小功率損耗而且也能夠?qū)崿F(xiàn)高飽和磁通密度的電子零件以及對該電子零件適合的鐵氧體組合物。
背景技術(shù)：
近年來，各種電子設(shè)備的小型化、輕量化迅速發(fā)展，為了與其對應(yīng)，越來越要求各種電子設(shè)備的電氣線路上使用的電子零件實現(xiàn)小型化、高效率化、高頻化。 例如，DC-DC變換器用的線圈磁芯向來采用Ni-Zn鐵氧體。但是Ni-Zn鐵氧體功率損耗比較大，因此難以應(yīng)對線圈磁芯等零件的小型化、高效率化、高頻化要求。對于這樣的問題，考慮采用Mn-Zn鐵氧體取代Ni-Zn鐵氧體。向來，Mn-Zn鐵氧體使用于電源變壓器等，在低頻而且高磁場的環(huán)境中使用。通常對作為變壓器等的磁芯使用的鐵氧體，要求具有在比實際使用溫度區(qū)域高的溫度區(qū)域磁損耗小的溫度特性。這是因為在使用時變壓器會因為磁損耗而發(fā)熱，變壓器本身的溫度上升，結(jié)果進一步增大磁損耗，變壓器發(fā)熱變大，這樣的過程反反復(fù)復(fù)，有迅速發(fā)熱的危險。在電源變壓器的情況下，使用溫度區(qū)域通常為工作溫度(例如80°C)附近的溫度區(qū)域。但是，近年來使用例如含氟不活潑液體等對變壓器進行冷卻的情況下，其環(huán)境溫度或使用溫度可以是任意溫度。在這種情況下，使磁損耗為最小的溫度沒有特別限制，只要求磁損耗的絕對值小。又，DC-DC變換器對于電子設(shè)備的節(jié)能化、小型、輕量化是有利的，與現(xiàn)有的變壓器用途相比，使用電壓也低，迅速發(fā)熱的危險小。又，安裝這樣的DC-DC變換器的電子設(shè)備不限于在室溫附近或外部氣溫附近的溫度使用，有時候也可以在冷凍室內(nèi)使用。又，如上所述，各種電子設(shè)備越來越要求驅(qū)動頻率高頻化(例如IMHz以上)，要求在高頻區(qū)域的損耗小。又，對于變壓器和使用于DC-DC變換器的零件，都越來越要求能夠應(yīng)對大電流。因此對使用于這樣的零件中的磁芯，也要求即使在大電流下電感也不降低的優(yōu)異的直流疊加特性。為了實現(xiàn)優(yōu)異的直流疊加特性，高飽和磁通密度是必要的，特別是在其環(huán)境溫度或使用溫度下必須具有高飽和磁通密度。從而要求使用溫度或環(huán)境溫度為室溫或外部空氣溫度附近的溫度(例如0 50°C)或冷凍溫度附近的溫度(例如-50 0°C)，而且使在高頻區(qū)域的磁損耗降低，具有高飽和磁通密度的鐵氧體組合物。作為低損耗而且具有高飽和磁通密度的Mn-Zn鐵氧體的例子,在例如專利文獻I中提出了由52. 4 53. 7摩爾％的Fe203、7. 0 11. 5摩爾％的ZnO、余量的MnO構(gòu)成主成分，特定含量的CaO、V2O5, Nb2O5, Al2O3或Bi2O3構(gòu)成副成分的Mn-Zn鐵氧體。但是，上述Mn-Zn鐵氧體也如專利文獻I所述，考慮在變壓器的實際驅(qū)動溫度即60°C以上而且在低頻區(qū)域使用，在室溫或冷凍環(huán)境，而且是在高頻、低磁場的環(huán)境中使用是不適合的。專利文獻I :特開2003-128458號公報

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于這樣的實際情況而作出的，其目的在于提供即使使用溫度或環(huán)境溫度為室溫或外部空氣溫度附近(例如0 50°C )的溫度或冷凍溫度附近(例如_50°C 0°C )，也能夠在高頻而且低磁場的環(huán)境中實現(xiàn)減小功率損耗同時實現(xiàn)高飽和磁通密度的電子零件以及適合使用于該電子零件的鐵氧體組合物。
為了實現(xiàn)上述目的，作為本發(fā)明的第I種的鐵氧體組合物，包含由以Fe2O3換算的含量為63. 3 65. 5摩爾％的氧化鐵、以ZnO換算的含量為11. 6 15. 8摩爾％的氧化鋅、余量的氧化錳構(gòu)成的主成分，其特征在于，
相對于所述主成分100重量％，以SiO2換算氧化硅含量為60 250ppm，以CaO換算氧化鈣含量為360 lOOOppm，以元素換算Pb含量為7ppm以下，以元素換算Cd含量為7ppm以下。本發(fā)明的第一種，考慮在室溫附近或外部空氣溫度附近的溫度，更詳細地說，在0 50°C溫度范圍使用，確定主成分，使磁損耗為極小的溫度(Tsp)在0 50°C范圍內(nèi)，再將氧化硅和氧化鈣等副成分的含量確定在上述特定范圍內(nèi)。這樣能夠得到保持高飽和磁通密度Bs并且在高頻區(qū)域(例如IMHz以上)也能夠減少功率損耗(Pcv)的鐵氧體組合物。本發(fā)明的電子零件，具有如上所述的鐵氧體組合物構(gòu)成的鐵氧體芯，能夠在IMHz以上頻率區(qū)域使用。本發(fā)明的第一種電子零件，由于鐵氧體組合物的Tsp在0 50°C范圍內(nèi)，因此在作為使用溫度或環(huán)境溫度在室溫附近或室外溫度附近的零件使用的情況下能夠減少功率損耗。而且本發(fā)明的鐵氧體組合物既能減少功率損耗同時也能夠?qū)崿F(xiàn)高飽和磁通密度，因此能夠使具有由該鐵氧體組合物構(gòu)成的鐵氧體芯的電子零件節(jié)省電力。作為本發(fā)明的第I種電子零件，沒有特別限制，可以舉出例如便攜式設(shè)備等使用的DC-DC變換器的線圈零件等。作為線圈零件有例如電感和扼流線圈等。又，通過將變壓器冷卻到表示Tsp的溫度附近，也能夠?qū)⒈景l(fā)明的電子零件合適地使用于變壓器。作為變壓器零件有例如開關(guān)用、逆變器用等電源變壓器等。又，為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的第2種鐵氧體組合物，包含由以Fe2O3換算的含量為62. 8 65. I摩爾％的氧化鐵、以ZnO換算的含量為7. 8 11. 5摩爾％的氧化鋅、余量的氧化錳構(gòu)成的主成分，其特征在于，
相對于所述主成分100重量％，以SiO2換算的氧化硅含量為60 250ppm，以CaO換算的氧化鈣含量為360 lOOOppm，以元素換算Pb含量為IOppm以下，以元素換算Cd含量為IOppm以下。本發(fā)明的第2種，考慮在冷凍環(huán)境中使用，更詳細地說，考慮在_50°C (TC的溫度范圍使用，決定主成分，使磁損耗為極小的溫度(Tsp)在_50°C (TC的溫度范圍內(nèi)，而且使氧化硅和氧化鈣等副成分的含量在上述特定范圍內(nèi)。這樣做能夠得到可將飽和磁通密度Bs保持于高密度，而且在高頻區(qū)域(例如IMHz以上)也能夠減小功率損耗(Pcv)的鐵氧體組合物。
本發(fā)明的電子零件，具有上面所記載的鐵氧體組合物構(gòu)成的鐵氧體芯，在IMHz以上的頻率區(qū)域使用。本發(fā)明的第2種電子零件，由于鐵氧體組合物的Tsp處于_50°C 0°C的溫度范圍內(nèi)，因此作為使用溫度或環(huán)境溫度為冷凍環(huán)境溫度的零件是合適的。而且既能夠減小功率損耗又能夠?qū)崿F(xiàn)高飽和磁通密度，因此能夠節(jié)省電力。本發(fā)明的第2種電子零件雖然特別限制，可以舉出在各種電子設(shè)備中使用的DC-DC變換器的線圈零件等。作為線圈零件有例如電感和扼流線圈等。又，通過將變壓器冷卻到表示Tsp的溫度附近，也能夠?qū)⒈景l(fā)明的電子零件合適地使用于變壓器。作為變壓器零件有例如開關(guān)用、逆變器用等電源變壓器等。



圖I是本發(fā)明一實施形態(tài)的DC-DC變換器用的鐵氧體芯。
具體實施例方式以下根據(jù)附圖所示的實施形態(tài)對本發(fā)明進行說明。第I實施形態(tài)
作為本實施形態(tài)的DC-DC變換器用鐵氧體芯，除了圖I所示的環(huán)形(Toroidal)外，還有例如FT型、ET型、EI型、UU型、EE型、EER型、n型、鼓形、鍋(pot)型、杯型等。通過在該DC-DC變換器用鐵氧體芯的周圍卷繞規(guī)定匝數(shù)的繞組，能夠得到所希望的線圈磁芯。本實施形態(tài)的DC-DC變換器用鐵氧體芯用本實施形態(tài)的鐵氧體組合物構(gòu)成。本實施形態(tài)的鐵氧體組合物是Mn-Zn系鐵氧體，主成分包含氧化鐵、氧化錳和氧化鋅。又，本實施形態(tài)的鐵氧體組合物的磁損耗為極小值的溫度(Tsp)在0 50°C范圍內(nèi)。向來，在Mn-Zn系鐵氧體中，表示Tsp的溫度由結(jié)晶磁各向異性說明。也就是說，在結(jié)晶磁各向異性常數(shù)Kl的符號隨著溫度的上升從負值變成正值的Kl = 0的溫度，磁損耗具有極小值。又已知該溫度與磁導(dǎo)率為極大值的所謂磁導(dǎo)率第二峰一致。上述Kl隨著溫度的上升而單調(diào)增加，但是由于Fe2+具有正的Kl，F(xiàn)e2+的量增加時(即Fe2O3量增加時)，第二峰的溫度向低溫側(cè)移動。根據(jù)上述見解和實驗結(jié)果，在「電子材料系列鐵氧體」(「電子材料'> U —X 7 二7 ^卜」，日本丸善株式會社發(fā)行，昭和63年)的第79頁記載了如下所述的求Tsp的公式，即在Fe2O3量為X摩爾％，ZnO量為Z摩爾％的情況下，
Tsp = -45. 5(X+0. 2Z) +2620又已知通過使Fe2O3量增加容易得到高飽和磁通密度。但是，F(xiàn)e2O3增多時，飽和磁通密度不僅受Fe2O3量的影響,而且也受到Fe2O3量與ZnO量之比的影響。本實施形態(tài)的鐵氧體組合物的Tsp在0 50°C的范圍內(nèi)。這樣的鐵氧體組合物被認為通過使Fe2O3量增加，能夠使Tsp在上述范圍內(nèi)，提高飽和磁通密度。因此想要利用上述公式，確定Fe2O3量和ZnO量，例如使Fe2O3量為64. 4摩爾%，ZnO量為13. 7摩爾%，其余為MnO，使Tsp為_400°C以下，這是不現(xiàn)實的。因此認為上述求Tsp的公式在Fe2O3量大(例如63摩爾％以上)的情況下不成立。但是，在Fe2O3量 大的情況下，成為求Tsp的指標(biāo)的東西不存在，因此在Fe2O3量大的情況下，在IMHz以上的高頻區(qū)域，對于具有高飽和磁通密度的鐵氧體組合物沒有任何了解。因此，本發(fā)明的發(fā)明人銳意進行實驗，發(fā)現(xiàn)在鐵氧體組合物中氧化鐵含量比較大的情況下，Tsp與氧化鐵以及氧化鋅具有不同于上式的關(guān)系。也就是主成分包含以Fe2O3換算的含量為63. 3 65. 5摩爾％的氧化鐵，最好是包含63. 9 65. 0摩爾％的氧化鐵、以ZnO換算的含量為11.6 15. 8摩爾％的氧化鋅，最好是12.0 15. 8摩爾％的氧化鋅、余量的氧化錳的情況下，Tsp在0 50°C的范圍內(nèi)。氧化鐵或氧化鋅的含量少的情況下，磁損耗為極小值的溫度(Tsp)未滿0°C，而含量過多時超過50°C。本實施形態(tài)的鐵氧體組合物除了上述組成范圍的主成分外，作為副成分含有氧化硅和氧化鈣。通過使其含有這樣的副成分，能夠減小功率損耗的絕對值，而且能夠得到高飽和磁通密度。相對于主成分100重量％，以SiO2換算的氧化硅含量為60 250ppm，最好是60 200ppm。氧化硅的含量多或過少，高頻區(qū)域的功率損耗都有劣化的傾向。相對于主成分100重量％，以CaO換算的氧化鈣含量為360 lOOOppm，最好是630 830ppm。氧化鈣的含量多或過少，高頻區(qū)域的功率損耗都有劣化的傾向。又，本實施形態(tài)的鐵氧體組合物除了含有上述主成分和副成分外，還含有Cd和Pb。通過將這樣的成分控制于規(guī)定的范圍內(nèi)，能夠防止在高頻區(qū)域的功率損耗劣化。相對于主成分100重量％，以元素換算的Pb含量為7ppm以下，更理想的是2 7ppm,最理想的是5 7ppm。相對于主成分100重量％ ,其含量以元素換算超過7ppm時,在高頻區(qū)域的功率損耗有劣化的傾向。相對于主成分100重量％，以元素換算的Cd含量為7ppm以下，更理想的是2 7ppm,最好是5 7ppm。相對于主成分100重量％ ,其含量以元素換算超過7ppm時,在高頻區(qū)域的功率損耗有劣化的傾向。本實施形態(tài)的鐵氧體組合物中，有時候Pb和Cd被包含于作為主成分的氧化鐵、氧化鋅、氧化錳中。本申請的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)Pb和Cd的含量超過規(guī)定的范圍時，在高頻區(qū)域的功率損耗有劣化的傾向。因此在本發(fā)明中，對Pb和Cd的含量進行嚴(yán)格管理，將其控制在上述各自的范圍內(nèi)。還有，將Pb和Cd的含量控制在規(guī)定范圍內(nèi)的方法沒有特別限定，也可以用在主成分中添加Pb和Cd的氧化物等將其控制在規(guī)定范圍內(nèi)的方法。此外，本實施形態(tài)的鐵氧體組合物中可能包含原料中不可避免含有的雜質(zhì)元素的氧化物，其含量在數(shù)ppm 數(shù)百ppm范圍內(nèi)。具體地說，包含例如B、C、S、Cl、As、Se、Br、Te、I 和 Li、Na、Mg、Al、K、Ga、Ge、Sr、
In、Sn、Sb、Ba、Bi 等典型金屬元素、以及 Sc、Ti、V、Cr、Y、Nb、Mo、Pd、Ag、Hf、Ta 等過渡金屬元素。下面對本實施形態(tài)的鐵氧體組合物的制造方法之一例進行說明。首先稱量起始原料(主成分原料和副成分原料)以規(guī)定的組成比加以混合，得到原料混合物?；旌戏椒ㄓ欣缬们蚰C進行的濕式混合和用干式混合器進行的干式混合。還有，最好是使用平均粒徑為0. I 3微米的起始原料。作為主成分的原料可以采用氧化鐵(a -Fe2O3)、氧化鋅(ZnO)、氧化錳(Mn3O4)、或復(fù)合氧化物等。而且此外還可以采用能夠通過燒成得到上述氧化物或復(fù)合氧化物的各種化合物等。作為能夠通過燒成得到上述氧化物的材料，有例如金屬單體、碳酸鹽、草酸鹽、硝酸鹽、氫氧化物、鹵化物、有機金屬化合物等。還有，主成分中的氧化錳含量是用MnO計算的，但是作為主成分的原料最好是使用Mn3O4。作為副成分的原料，與主成分的原料的情況相同，不僅是采用氧化物，只要采用復(fù)合氧化物或燒成后形成氧化物的化合物即可，在氧化硅(SiO2)的情況下，最好是使用Si02。而在氧化鈣(CaO)的情況下，最好是使用碳酸鈣(CaCO3)。
Pb以及Cd有時候包含于作為主成分的氧化鐵、氧化鋅、以及氧化錳中。因此可以通過調(diào)整Pb以及Cd的含量不同的各種氧化鐵、氧化鋅、以及氧化錳原料的使用量，對Pb以及Cd的含量進行調(diào)整。還有，將Pb以及Cd的含量控制在規(guī)定范圍內(nèi)的方法沒有特別限定，也可以通過在主成分中添加Pb以及Cd等的氧化物將其控制在規(guī)定范圍內(nèi)。接著，對原料混合物進行煅燒，得到煅燒材料。煅燒是為了實現(xiàn)原料的熱分解、成分的均勻化、鐵氧體的生成、因為燒結(jié)而使超微粉消失，生成合適的顆粒尺寸的顆粒，將原料混合物變換為適合于后續(xù)工序的形態(tài)而進行的。這樣的煅燒最好是在800 1100°C的溫度下進行，通常進行I 3小時左右。煅燒可以在大氣(空氣)中進行，也可以在氧分壓比大氣高的氣氛中或純氧氣氛中進行。還有，主成分的原料與副成分的原料的混合可以在煅燒之前進行，也可以在煅燒之后進行。接著對煅燒材料進行粉碎,得到粉碎材料。粉碎是為了打碎燒結(jié)材料的凝集，得到具有適度的燒結(jié)性的粉末而進行的。燒結(jié)材料形成大燒結(jié)塊時，進行粗粉碎后再用球磨機或磨碎機等進行濕式粉碎。濕式粉碎到燒結(jié)材料的平均粒徑最好是I 2微米左右。接著進行粉碎材料的造粒(顆粒)，得到顆粒體。造粒是為了將粉碎材料形成為適度大小的凝集顆粒，變換為適于成型的形態(tài)而進行的。這樣的造粒方法有例如加壓造粒法和噴霧干燥法等。噴霧干燥法是在粉碎材料中添加聚乙烯醇等通常使用的粘接劑后，在噴霧干燥過程中霧化、低溫干燥的方法。接著將顆粒體成型為規(guī)定的形狀，得到成型體。顆粒體的成型方法有例如干式成型、濕式成型、擠壓成型等方法。干式成型方法是將顆粒體充填于模具中加壓壓縮的成型方法。成型體的形狀沒有特別限定，只要根據(jù)用途適當(dāng)決定即可，在本實施形態(tài)中形成為環(huán)形。接著進行成型體的正式燒成，得到燒結(jié)體(本實施形態(tài)的鐵氧體組合物)。正式燒成是為了在含有許多空隙的成型體的粉末顆粒之間，以熔點以下的溫度使其發(fā)生粉末凝集的燒結(jié)，以得到致密的燒結(jié)體。這樣的正式燒成最好是在900 1300°C的溫度下進行，通常進行2 5小時左右。正式燒成可以在大氣(空氣)中進行，也可以在氧分壓比大氣高的氣氛中進行。經(jīng)過這樣的工序，制造本實施形態(tài)的鐵氧體組合物。第2實施形態(tài)
本實施形態(tài)的鐵氧體組合物除了磁損耗為極小值的溫度(Tsp)為-50 0°C范圍內(nèi)的溫度外，與第I實施形態(tài)相同，重復(fù)說明省略。本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)主成分包含以Fe2O3換算的含量為62. 8 65. I摩爾％的氧化鐵，最好是包含64. 0 65. I摩爾％的氧化鐵、以ZnO換算的含量為7. 8 11. 5摩爾％的氧化鋅，最好是9. O 11. 5摩爾％的氧化鋅，其余為氧化錳的情況下，Tsp在-50 0°C的范圍內(nèi)。氧化鐵或氧化鋅的含量少的情況下，磁損耗為極小值的溫度(Tsp)未滿_50°C，而其含量過多時超過(TC。本實施形態(tài)的鐵氧體組合物，除了上述組成范圍的主成分外，作為副成分含有氧化硅和氧化鈣。使其含有這樣的副成分能夠減小功率損耗的絕對值，而且能夠得到高飽和磁通密度。 相對于主成分100重量％，以SiO2換算的氧化硅含量為60 250ppm，最好是60 200ppm。氧化硅的含量多或過少，高頻區(qū)域的功率損耗都有劣化的傾向。相對于主成分100重量％，以CaO換算的氧化鈣含量為360 lOOOppm，最好是730 lOOOppm。氧化鈣的含量多或過少，高頻區(qū)域的功率損耗都有劣化的傾向。又，本實施形態(tài)的鐵氧體組合物除了含有上述主成分和副成分外，還含有Cd和Pb。通過將這樣的成分控制于規(guī)定的范圍內(nèi)，能夠防止在高頻區(qū)域的功率損耗的劣化。相對于主成分100重量％，以元素換算的Pb含量為IOppm以下，最好是2 5ppm。相對于主成分100重量％,其含量以元素換算超過IOppm時,在高頻區(qū)域的功率損耗有劣化的傾向。相對于主成分100重量％，以元素換算的Cd含量為IOppm以下，最好是2 5ppm。相對于主成分100重量％,其含量以元素換算超過IOppm時,在高頻區(qū)域的功率損耗有劣化的傾向。上面對本發(fā)明的實施形態(tài)進行了說明，但是本發(fā)明不受這些實施形態(tài)的任何限制，在不脫離本發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)，本發(fā)明當(dāng)然可以用各種形態(tài)實施。 例如在上述實施形態(tài)中，為了形成環(huán)形形狀，在正式燒成之前成型為該形狀，但是也可以在正式燒成后成型(加工)為該形狀。
實施例下面根據(jù)實施例對本發(fā)明進行更詳細的說明，但本發(fā)明不限于這些實施例。實施例I 21以及比較例I 10
首先，準(zhǔn)備Fe203、Zn0以及，Mn3O4作為主成分的原料。準(zhǔn)備SiO2以及CaCO3作為副成分的原料。還有，Pb以及Cd包含于作為主成分的原料的氧化鐵、氧化鋅、以及氧化錳中。因此，準(zhǔn)備Cd和Pb含量不同的各種氧化鐵、氧化鋅、以及氧化錳原料，調(diào)整其使用量，以使最終得到的試樣含有表I 表3所記載的Cd量和Pb量。接著稱量所準(zhǔn)備的主成分的原料粉末，再按照表I所示的量稱量副成分的原料粉末后，用球磨機進行5小時的濕式混合，得到原料混合物。接著對得到的原料混合物在空氣中進行950°C、2小時的煅燒，形成煅燒材料后用球磨機進行20小時的濕式粉碎，得到平均粒徑I. 5微米的粉碎材料。接著，將該粉碎材料烘干后，在100重量％的該粉碎材料中添加I. 0重量％的聚乙烯醇作為粘接劑進行造粒，用20目的篩子進行整粒得到顆粒，用196MPa(2噸/cm2)的壓力對這種顆粒進行加壓成型，得到環(huán)形(尺寸=外徑22mmX內(nèi)徑12mmX高度6mm)的成型體。接著，對氧分壓進行適當(dāng)控制，在1270°C溫度下對這些成型體進行2. 5小時的燒成，得到作為燒結(jié)體的環(huán)形磁芯試樣。對得到的試樣進行熒光X射線分析，測定鐵氧體芯的組成。結(jié)果不于表I 3。< 功率損耗(Pcv) >
在得到的環(huán)形磁芯試樣上卷繞初級繞組和次級繞組各3匝，在lMHz-50mT的條件下測定-10 60°C的功率損耗，求損耗最小的溫度(Tsp)，計算25°C溫度下的功率損耗Pcv (單位kW/m3)。測定用B-H分析器(巖崎通信株式會社制SY-8217)進行。結(jié)果示于表I 表3。<飽和磁通密度(Bs) >
在得到的環(huán)形磁芯試樣上卷繞60匝繞組后，用B-H波形計量器(理研電子株式會社制 Model BHS40)，在25°C和100°C溫度下測定施加2kA/m磁場時的飽和磁通密度Bs (單位mT)。結(jié)果不于表I 3。又在表I 3記載表示IMHz的鐵氧體芯的品質(zhì)系數(shù)的Pcv/Bs。Pcv越小或Bs越大，則該Pcv/Bs越小。從而，Pcv/Bs的值越小則功率損耗的減少與高飽和磁通密度能夠同時實現(xiàn)，因此是理想的。在本實施形態(tài)中，以Pcv/Bs未滿I. 30為宜，I. 25以下則更理想。
權(quán)利要求
1.一種鐵氧體組合物，包含由以Fe2O3換算的含量為63. 3 65. 5摩爾％的氧化鐵、以ZnO換算的含量為11. 6 15. 8摩爾％的氧化鋅、余量的氧化錳構(gòu)成的主成分，其特征在于， 相對于所述主成分100重量％，以SiO2換算的氧化硅含量為60 250ppm，以CaO換算的氧化鈣含量為360 lOOOppm，以元素換算的Pb含量為7ppm以下，以元素換算的Cd含量為7ppm以下。
2.一種電子零件，其特征在于，具有權(quán)利要求I所述的鐵氧體組合物構(gòu)成的鐵氧體芯，在0 50°C溫度范圍使用。
3.一種鐵氧體組合物，包含由以Fe2O3換算的含量為62. 8 65. I摩爾％的氧化鐵、以ZnO換算的含量為7. 8 11. 5摩爾％的氧化鋅、余量的氧化錳構(gòu)成的主成分，其特征在于， 相對于所述主成分100重量％，以SiO2換算的氧化硅含量為60 250ppm，以CaO換算的氧化鈣含量為360 lOOOppm，以元素換算的Pb含量為IOppm以下，以元素換算的Cd含 量為IOppm以下。
4.一種電子零件，其特征在于，具有權(quán)利要求3所述的鐵氧體組合物構(gòu)成的鐵氧體芯，在-50 0°C溫度范圍使用。
5.一種電子零件，其特征在于，具有權(quán)利要求I或3所述的鐵氧體組合物構(gòu)成的鐵氧體芯，在IMHz以上的頻率區(qū)域使用。
全文摘要
本發(fā)明的鐵氧體組合物，包含由以Fe2O3換算的含量為63.3～65.5摩爾％的氧化鐵、以ZnO換算的含量為11.6～15.8摩爾％的氧化鋅、余量的氧化錳構(gòu)成的主成分，其特征在于，相對于所述主成分100重量％，以SiO2換算的氧化硅含量為60～250ppm、以CaO換算的氧化鈣含量為360～1000ppm、以元素換算的Pb含量為7ppm以下、以元素換算的Cd含量為7ppm以下。
文檔編號C04B35/38GK102795851SQ201210157739
公開日2012年11月28日 申請日期2012年5月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月23日
發(fā)明者伊藤守, 伊藤綱, 佐佐木弘勝, 川口達哉, 高木榮光 申請人:Tdk株式會社