專利名稱：磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料的制造方法、磁記錄介質(zhì)玻璃基板的制造方法以及磁記 ...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃還料的制造方法、磁記錄介質(zhì)玻璃基板的制造方法以及磁記錄介質(zhì)的制造方法。
背景技術(shù)：
作為制造磁記錄介質(zhì)基板(磁盤基板) 的方式，可以具有代表性地舉出(1)經(jīng)過利用一對沖壓成形模對熔融玻璃塊進(jìn)行沖壓成形的沖壓成形工序而制造的方式(以下，存在稱為“沖壓方式”的情況，參照專利文獻(xiàn)1、2等)、和(2)經(jīng)過利用上浮法(floa tmethod)、下拉法(down-draw method)等將片狀玻璃切斷加工成圓盤狀的工序而制造的方法(以下，存在稱為“片狀玻璃切斷方式”的情況，參照專利文獻(xiàn)3等)。在專利文獻(xiàn)3等所例示的現(xiàn)有的片狀玻璃切斷方式中，在經(jīng)過了將片狀玻璃加工為圓盤狀的圓盤加工工序之后，作為研磨工序而實(shí)施磨削工序(粗研處理)和拋光工序(精研處理)，從而得到了磁記錄介質(zhì)基板。但是，在專利文獻(xiàn)3所示的片狀玻璃切斷方式中，公開了作為研磨工序僅實(shí)施拋光工序(精研處理)而省略了磨削工序(粗研處理)的情況。相對于此，在專利文獻(xiàn)1、2等所例示的現(xiàn)有的沖壓方式中，通常在將熔融玻璃塊配置在下模上之后，利用上模和下模以從垂直方向?qū)θ廴诓ＡK施加按壓力而將熔融玻璃塊沖壓成形的方式(以下，存在稱為“垂直直接沖壓”的情況)實(shí)施了沖壓成形工序之后，進(jìn)而經(jīng)過磨削工序、拋光工序等而得到磁記錄介質(zhì)基板。在此，在專利文獻(xiàn)I所示的沖壓方式中，還提出了作為上模、下模以及配置于上模與下模之間的平行襯墊的材料而使用高剛性材料等，從而省略磨削工序。另外，在專利文獻(xiàn)2所示的沖壓方式中，提出了以下述方式來實(shí)施沖壓成形工序，即，利用在水平方向上對置配置的一對沖壓成形模從水平方向?qū)θ廴诓ＡK施加按壓力的方式(以下，存在稱為“水平直接沖壓”的情況)。而且，在專利文獻(xiàn)2中，作為采用水平直接沖壓時(shí)的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)而公開了以下四點(diǎn)，即，(I)存在必須使一對沖壓成形模高速移動(dòng)這樣的困難性，(2)能夠在熔融玻璃塊的溫度高的狀態(tài)下對熔融玻璃塊進(jìn)行沖壓成形，(3)能夠得到厚度更薄的玻璃基板前驅(qū)體(玻璃坯料)，以及(4)能夠減少或省略研磨工序。在先技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本公報(bào)、特開2003-54965號(權(quán)利要求書、第0040、0043段、圖4 圖8等)專利文獻(xiàn)2 :日本公報(bào)、特許第4380379號(第0031段、圖I 圖9等)專利文獻(xiàn)3 :日本公報(bào)、特開2003-36528號(圖3 圖6、圖8等)
發(fā)明內(nèi)容
另一方面，在提高磁記錄介質(zhì)基板的生產(chǎn)率方面，使磨削工序省略或短時(shí)間化是非常有效的，其中，上述磨削工序是以確保磁記錄介質(zhì)基板的平坦度和板厚的均勻性以及調(diào)整板厚等作為主要目的而實(shí)施的工序。這是因?yàn)槟ハ鞴ば虻膶?shí)施需要磨削裝置，從而用于制造磁記錄介質(zhì)基板的工時(shí)增多并且導(dǎo)致加工時(shí)間增多。另外，也存在通過磨削工序而在玻璃表面上產(chǎn)生裂紋的情況，現(xiàn)實(shí)情況是正在研究將磨削工序省略。在此，從磨削工序的省略這一觀點(diǎn)來看，當(dāng)對片狀玻璃切斷方式與沖壓方式進(jìn)行比較時(shí)，利用通過上浮法、下拉法等制造的平坦度(平面度)高的片狀玻璃進(jìn)行加工的片狀玻璃切斷方式更為有利。但是，與片狀玻璃切斷方式相比較，沖壓方式也具有玻璃的利用效率高這一優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)通過對利用垂直直接沖壓而制造的玻璃還料實(shí)施后加工而制造磁記錄介質(zhì)時(shí)，為了將磨削工序省略或短時(shí)間化，需要減小玻璃坯料的板厚偏差并且提高平坦度。在此，在通過垂直直接沖壓來制造玻璃坯料時(shí)，下模的溫度被設(shè)定為相比熔融玻璃塊的溫度足夠低的溫度，以使高溫的熔融玻璃塊不會(huì)發(fā)生熔接。因此，在從熔融玻璃塊被配置到下模上至開始進(jìn)行沖壓成形為止的期間內(nèi)，熔融玻璃塊的熱量被從與下模接觸的面吸收。因此，配置在下模上的熔融玻璃塊的下表面的粘度局部上升。其結(jié)果是，沖壓成形是對產(chǎn)生了大的粘度分布(溫度分布)的熔融玻璃塊進(jìn)行實(shí)施，因此，產(chǎn)生難以通過沖壓而延伸的部分。另外，沖壓成形后的冷卻速度也在被沖壓成形而延伸成板狀的玻璃壓型體的部位上各不相同。因 此，在利用垂直直接沖壓而制造的玻璃坯料中，板厚偏差容易增大、或者平坦度容易降低。另外，考慮到上述機(jī)械裝置，即使是如專利文獻(xiàn)I所示那樣使用了平行襯墊的垂直直接沖壓，也難以從根本上抑制玻璃坯料的板厚偏差的增大和平坦度的降低。另外，在專利文獻(xiàn)2所示的水平直接沖壓中，能夠減少或省略磨削工序。進(jìn)而，在該技術(shù)中，由于在沖壓成形模的沖壓成形面上設(shè)有兩條同圓心狀的突條，因此，在制造的玻璃坯料的表面上形成有呈同圓心狀且具有板厚的1/4 1/3的深度的V字槽。而且，還具有通過設(shè)置該V字槽而能夠省略內(nèi)徑側(cè)和外徑側(cè)的精密加工工序以及端面研磨加工工序這樣的優(yōu)點(diǎn)。但是，關(guān)于該技術(shù)，本發(fā)明人們在專心研究后得知，所制造的玻璃坯料的板厚具有內(nèi)徑側(cè)比外徑側(cè)薄的傾向，并且，與利用垂直直接沖壓時(shí)相比也無法大幅改善板厚偏差。此夕卜，還得知在玻璃坯料上容易產(chǎn)生裂縫，從而成品率容易降低。另外，由于玻璃坯料上產(chǎn)生的裂縫是產(chǎn)生在V字槽部分上，因此，推斷出該裂縫缺陷的原因是V字槽部分處的應(yīng)力集中。但是，近年來正在研究下述情況，S卩，為了謀求磁記錄介質(zhì)的更進(jìn)一步的高記錄密度化，而使用Fe-Pt系、Co-Pt系等的磁各向異性能量高的磁性材料(高Ku磁性材料)。為了實(shí)現(xiàn)高記錄密度化而需要縮小磁性顆粒的粒徑，但是另一方面，當(dāng)粒徑變小時(shí)，由熱波動(dòng)引起的磁特性的劣化成為問題。由于高Ku磁性材料難以受到熱波動(dòng)的影響，因此，期待其有助于高記錄密度化。但是，上述高Ku磁性材料為了實(shí)現(xiàn)高磁各向異性能量(高Ku)而需要得到特定的晶體取向狀態(tài)。因此，需要在高溫下進(jìn)行成膜、或者成膜后以高溫進(jìn)行熱處理。因此，為了形成由這些高Ku磁性材料構(gòu)成的磁記錄層，要求玻璃制的磁記錄介質(zhì)基板具有能夠承受上述高溫處理的高的耐熱性、也就是高的?；瘻囟取Ａ硪环矫?在利用垂直直接沖壓來制造磁記錄介質(zhì)基板用的玻璃還料的情況下，當(dāng)進(jìn)一步提高玻璃坯料的制造中所使用的玻璃材料的玻化溫度時(shí)，存在玻璃坯料的形狀精度容易變得更低的問題，其中，上述垂直直接沖壓目前作為通過沖壓方式進(jìn)行的磁記錄介質(zhì)基板的制造方法而被利用。其理由是在垂直直接沖壓中，通常是在配置于旋轉(zhuǎn)工作臺的下模上配置了熔融玻璃之后，利用上模和下模對下模上的熔融玻璃進(jìn)行沖壓成形。S卩，在從將熔融玻璃配置于下模上至開始進(jìn)行沖壓成形為止的期間內(nèi)，下模被高溫的熔融玻璃加熱。而且，當(dāng)欲將具有高的?；瘻囟鹊牟ＡР牧险{(diào)整為適于沖壓成形的粘度范圍時(shí)，需要將配置在下模上的熔融玻璃塊的溫度設(shè)定為更高的溫度。而且，當(dāng)進(jìn)一步提高沖壓成形時(shí)的熔融玻璃塊的溫度時(shí)，熱量容易經(jīng)由下模也傳遞到旋轉(zhuǎn)工作臺上，其結(jié)果是，支承下模的旋轉(zhuǎn)工作臺由于熱量而變形。因此，結(jié)果導(dǎo)致玻璃坯料的板厚偏差或平坦度等的形狀精度降低。如以上所說明，在垂直直接沖壓中，由于即將進(jìn)行沖壓成形之前的熔融玻璃塊的粘度分布(溫度分布)變大，因此，無法從根本上抑制玻璃坯料的板厚偏差的增大和平坦度的降低。進(jìn)而，即使在專利文獻(xiàn)2所示的水平直接沖壓中，不僅無法大幅改善板厚偏差，而 且也容易產(chǎn)生裂縫缺陷。此外，當(dāng)為了提高耐熱性而欲使用具有更高的?；瘻囟鹊牟ＡР牧蟻碇圃觳Ａ髁蠒r(shí)，也無法避免玻璃坯料的形狀精度降低的情況。本發(fā)明是鑒于上述情況而作成的，其課題在于，提供一種能夠通過后加工而得到耐熱性出色的磁記錄介質(zhì)玻璃基板，并且，板厚偏差和平坦度出色且裂縫缺陷也少的磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料的制造方法、和使用該磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料的磁記錄介質(zhì)玻璃基板的制造方法以及磁記錄介質(zhì)的制造方法。上述課題是通過以下的本發(fā)明而達(dá)成的。S卩，本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料的制造方法的特征在于，至少經(jīng)過沖壓成形工序來制造磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料，其中，在上述沖壓成形工序中利用第一沖壓成形模和第二沖壓成形模對下落中的熔融玻璃塊進(jìn)行沖壓成形，上述第一沖壓成形模和上述第二沖壓成形模在與該熔融玻璃塊的下落方向垂直的方向上對置而配置，并且，構(gòu)成熔融玻璃塊的玻璃材料的?；瘻囟葹?00°C以上，在通過沖壓成形工序的實(shí)施而使熔融玻璃塊在第一沖壓成形模的沖壓成形面與第二沖壓成形模的沖壓成形面之間被完全擠壓展開從而成形為板狀玻璃時(shí)，第一沖壓成形模和第二沖壓成形模的沖壓成形面的至少與板狀玻璃相接觸的區(qū)域?yàn)槁云教沟拿妗１景l(fā)明的磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃還料的制造方法的一實(shí)施方式，優(yōu)選磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料在100°C 300°C下的平均線膨脹系數(shù)為70X10_V°C以上，并且楊氏模量為70GPa以上。本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料的制造方法的其他實(shí)施方式，優(yōu)選以摩爾百分比表示時(shí)玻璃材料的玻璃組成包括50% 75%的Si02、0% 5%的A1203、0% 3%的Li20、0% 5%的ZnO、共計(jì)3% 15%的選自Na2O和K2O的至少一種成分、共計(jì)14% 35%的選自MgO、CaO、SrO及BaO的至少一種成分、以及共計(jì)2% 9%的選自Zr02、TiO2' La203、Y2O3> Yb2O3> Ta2O5' Nb2O5 以及 HfO2 的至少一種成分，并且，摩爾比{(MgO+CaO) /(Mg0+Ca0+Sr0+Ba0)}在 0. 8 I 的范圍內(nèi)，且摩爾比(Al2O3/ (MgO+CaO)}在 0 0. 30 的范圍內(nèi)。本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料的制造方法的其他實(shí)施方式，優(yōu)選將調(diào)制成規(guī)定的玻璃組成的玻璃原料進(jìn)行加熱并熔融，從而制造熔融玻璃，并且，使該熔融玻璃從玻璃流出口垂下，并將朝向垂直方向的下方側(cè)連續(xù)地流出的熔融玻璃流的前端部切斷，由此來形成熔融玻璃塊，熔融玻璃流的粘度在500dPa s 1050dPa s的范圍內(nèi)被維持為固定值。本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料的制造方法的其他實(shí)施方式，是在從由玻璃流出口流出的熔融玻璃流分離出熔融玻璃塊，并使用沖壓成形模沖壓成形為薄板玻璃(板狀玻璃)，從而制造用于加工成磁記錄介質(zhì)玻璃基板的磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料的玻璃坯料制造方法中，優(yōu)選按照能夠得到具有下述組成的玻璃的方式來調(diào)制玻璃原料，并將玻璃原料加熱、熔融，從而制造熔融玻璃，并且，使熔融玻璃以500dPa s 1050dPa s的粘度范圍內(nèi)的固定粘度流出，并將熔融玻璃流以從玻璃流出口垂下的狀態(tài)切斷，從而將熔融玻璃塊分離，使熔融玻璃塊落下，并對下落中的熔融玻璃塊進(jìn)行沖壓成形從而制造薄板玻璃，其中，以摩爾百分比表示，上述組成包括50% 75%的SiO2、0% 5%的A1203、0 % 3 %的Li20、0 % 5 %的ZnO、共計(jì)3 % 15 %的選自Na2O和K2O的至少一種成分、共計(jì)14% 35%的選自MgO、CaO> SrO及BaO的至少一種成分、以及共計(jì)2% 9%的選自ZrO2, TiO2' La203、Y2O3> Yb2O3' Ta2O5' Nb2O5以及HfO2的至少一種成分，并且，摩爾比 {(MgO+CaO) / (MgO+CaO+SrO+BaO)}在 0.8 I 的范圍內(nèi)，且摩爾比(Al2O3/ (MgO+CaO)}在0 0. 30的范圍內(nèi)。本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)玻璃基板的制造方法的特征在于，在至少經(jīng)過沖壓成形工序而制造了磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料之后，至少經(jīng)過對玻璃坯料的主表面進(jìn)行研磨的研磨工序來制造磁記錄介質(zhì)玻璃基板，其中，在上述沖壓成形工序中利用第一沖壓成形模和第二沖壓成形模對下落中的熔融玻璃塊進(jìn)行沖壓成形，上述第一沖壓成形模和上述第二沖壓成形模在與該熔融玻璃塊的下落方向垂直的方向上對置而配置，并且，構(gòu)成熔融玻璃塊的玻璃材料的?；瘻囟葹?00°C以上，在通過沖壓成形工序的實(shí)施而使熔融玻璃塊在第一沖壓成形模的沖壓成形面與第二沖壓成形模的沖壓成形面之間被完全擠壓展開從而成形為板狀玻璃時(shí)，第一沖壓成形模和第二沖壓成形模的沖壓成形面的至少與板狀玻璃相接觸的區(qū)域?yàn)槁云教沟拿?。本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的制造方法的特征在于，在至少經(jīng)過沖壓成形工序而制造了玻璃坯料之后，至少經(jīng)過對玻璃坯料的主表面進(jìn)行研磨的研磨工序而制造磁記錄介質(zhì)玻璃基板，進(jìn)而，至少經(jīng)過磁記錄層形成工序來制造磁記錄介質(zhì)，其中，在上述沖壓成形工序中利用第一沖壓成形模和第二沖壓成形模對下落中的熔融玻璃塊進(jìn)行沖壓成形，上述第一沖壓成形模和上述第二沖壓成形模在與該熔融玻璃塊的下落方向垂直的方向上對置而配置，在上述磁記錄層形成工序中在磁記錄介質(zhì)玻璃基板上形成磁記錄層，并且，構(gòu)成熔融玻璃塊的玻璃材料的玻化溫度為600°C以上，在通過沖壓成形工序的實(shí)施而使熔融玻璃塊在第一沖壓成形模的沖壓成形面與第二沖壓成形模的沖壓成形面之間被完全擠壓展開從而成形為板狀玻璃時(shí)，第一沖壓成形模和第二沖壓成形模的沖壓成形面的至少與板狀玻璃相接觸的區(qū)域?yàn)槁云教沟拿妗?發(fā)明效果)根據(jù)本發(fā)明，能夠提供能夠通過后加工而得到耐熱性出色的磁記錄介質(zhì)玻璃基板，并且，板厚偏差和平坦度出色且裂縫缺陷也少的磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料的制造方法、和使用該磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料的磁記錄介質(zhì)玻璃基板的制造方法以及
磁記錄介質(zhì)的制造方法。


圖I是對本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料的制造方法的一例中的所有工序中的一部分進(jìn)行說明的模式剖面圖。圖2是在本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料的制造方法的一例中對經(jīng)過了圖I所示工序之后的狀態(tài)進(jìn)行說明的模式剖面圖。圖3是表示在經(jīng)過了圖2所示的工序之后下落中的熔融玻璃塊的一例的模式剖面圖。圖4是在本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料的制造方法的一例中對經(jīng)過了圖3所示的工序之后的狀態(tài)進(jìn)行說明的模式剖面圖。 圖5是在本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料的制造方法的一例中對經(jīng)過了圖4所示的工序之后的狀態(tài)進(jìn)行說明的模式剖面圖。圖6是在本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料的制造方法的一例中對經(jīng)過了圖5所示的工序之后的狀態(tài)進(jìn)行說明的模式剖面圖。圖7是在本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料的制造方法的一例中對經(jīng)過了圖6所示的工序之后的狀態(tài)進(jìn)行說明的模式剖面圖。圖8是在本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料的制造方法的一例中對經(jīng)過了圖7所示的工序之后的狀態(tài)進(jìn)行說明的模式剖面圖。圖9是在本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料的制造方法的一例中對經(jīng)過了圖8所示的工序之后的狀態(tài)進(jìn)行說明的模式剖面圖。(符號說明)10 玻璃流出管12 玻璃流出口20 熔融玻璃流22 前端部24 熔融玻璃塊26 薄板玻璃30 下側(cè)刀片(剪切刀片)32 主體部32B (主體部的)下表面34 刃部34A (刀刃部的)前端34U (刀刃部的)上表面34B (刀刃部的)下表面40 側(cè)刀片(剪切刀片)42 主體部42B (主體部的)下表面44 刀刃部44U (刀刃部的)上表面44B(刀刃部的)下表面50 第一沖壓成形模52沖壓成形模主體52A 沖壓成形面54導(dǎo)向部件54A 導(dǎo)向面60第二沖壓成形模62 沖壓成形模主體62A 沖壓成形面64 導(dǎo)向部件64A 導(dǎo)向面
具體實(shí)施例方式[玻璃坯料的制造方法]本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料(以下，存在簡稱為“玻璃坯料”的情況)的制造方法的特征在于，至少經(jīng)過沖壓成形工序來制造玻璃坯料，其中，上述沖壓成形工序是利用第一沖壓成形模和第二沖壓成形模對下落中的熔融玻璃塊進(jìn)行沖壓成形的工序，上述第一沖壓成形模和第二沖壓成形模在與該熔融玻璃塊的下落方向垂直的方向上相對而配置，并且，構(gòu)成熔融玻璃塊的玻璃材料的?；瘻囟葹?00°C以上，在通過沖壓成形工序的實(shí)施而使熔融玻璃塊在第一沖壓成形模的沖壓成形面與第二沖壓成形模的沖壓成形面之間被完全擠壓展開從而成形為板狀玻璃時(shí)，第一沖壓成形模和第二沖壓成形模的沖壓成形面的至少與板狀玻璃相接觸的區(qū)域?yàn)槁云教沟拿?。在本?shí)施方式的磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料的制造方法中，玻璃坯料的制造中所利用的玻璃材料的?；瘻囟葹?00°C以上。在此，已知玻璃的耐熱性與玻化溫度具有很強(qiáng)的相關(guān)性。另外，通過現(xiàn)有的沖壓方式和片狀玻璃切斷方式制造的玻璃制磁記錄介質(zhì)基板的?；瘻囟冗h(yuǎn)低于600°C，為450 500°C左右。因此，與現(xiàn)有的磁記錄介質(zhì)基板相比，使 用通過本實(shí)施方式的玻璃還料的制造方法制造的玻璃還料而制造的磁記錄介質(zhì)玻璃基板的耐熱性高。因此，即使在高溫下對本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)玻璃基板進(jìn)行熱處理，磁記錄介質(zhì)玻璃基板所具有的極高的平坦性也不會(huì)受損。因此，例如在該磁記錄介質(zhì)玻璃基板上成膜使用了高Ku (High magnetic anisotropy energy、高磁各向異性能量)磁性材料的磁記錄層時(shí)，容易在高溫下進(jìn)行成膜、或者在磁記錄層的成膜后以高溫進(jìn)行熱處理。其結(jié)果是，變得容易實(shí)現(xiàn)磁記錄介質(zhì)的高記錄密度化。另外，并不限于上述情況，在制造磁記錄介質(zhì)時(shí)，與現(xiàn)有的磁記錄介質(zhì)基板相比，在由通過本實(shí)施方式的玻璃坯料的制造方法制造的玻璃坯料得到的磁記錄介質(zhì)玻璃基板中，能夠采用更高溫的成膜工序。因此，設(shè)計(jì)磁記錄介質(zhì)時(shí)的設(shè)計(jì)自由度也變高。另外，玻璃材料的玻化溫度優(yōu)選為610°C以上，更優(yōu)選為620°C以上，進(jìn)而優(yōu)選為6300C以上，進(jìn)而更優(yōu)選為640°C以上，更進(jìn)一步優(yōu)選為650°C以上，更加優(yōu)選為655°C以上，進(jìn)一步更加優(yōu)選為660°C以上，尤其優(yōu)選為670°C以上，最優(yōu)選為675°C以上。另一方面，?；瘻囟鹊纳舷拗挡]有特別限定，例如可以設(shè)為750°C左右。另外，在本實(shí)施方式的玻璃坯料的制造方法中采用的是水平直接沖壓，該水平直接沖壓是指利用在與熔融玻璃塊的下落方向垂直的方向(水平方向)上相對而配置的第一沖壓成形模和第二沖壓成形模對下落中的熔融玻璃塊進(jìn)行沖壓成形。在該水平直接沖壓中，熔融玻璃塊在被沖壓成形之前的期間內(nèi)不會(huì)暫時(shí)與下模那樣的溫度低于熔融玻璃塊的部件接觸或者被保持在該部件上。因此，在沖壓成形即將開始之前的時(shí)間里，相對于在垂直直接沖壓中熔融玻璃塊的粘度分布變得非常大，而在水平直接沖壓中熔融玻璃塊的粘度分布保持均勻。因此，與垂直直接沖壓相比，在水平直接沖壓中，極易使被沖壓成形的熔融玻璃塊均勻地薄薄地延伸。因此，結(jié)果與利用垂直直接沖壓來制造玻璃坯料時(shí)相比，在利用水平直接沖壓來制造玻璃坯料時(shí)，極易從根本上抑制板厚偏差的增大和平坦度的降低。另外，如以上所說明，從原理上來說，與垂直直接沖壓相比，水平直接沖壓由于在沖壓成形時(shí)能夠使熔融玻璃塊均勻地薄薄地延伸，因此，能夠大幅改善板厚偏差和平坦度。但是，認(rèn)為即使是在沖壓成形即將開始之前熔融玻璃塊具有大的粘度分布的垂直直接沖壓中，只要進(jìn)一步提高沖壓成形時(shí)的熔融玻璃塊整體的溫度，從而使熔融玻璃塊整體的粘度進(jìn)一步降低，也能夠大幅改善板厚偏差和平坦度。但是，這樣的方法即使能夠適用于利用玻化溫度低于600°C的玻璃材料(低Tg(?；瘻囟?的玻璃)的情況中，在利用?；瘻囟葹?00°C以上的玻璃材料(高Tg玻璃)的情況下，適用的難度也與?；瘻囟鹊脑黾映杀壤刈兇?。其理由如下首先，在垂直直接沖壓中，在從熔融玻璃塊被供給到下模上至開始進(jìn)行沖壓成形為止的期間內(nèi)，下模被熔融玻璃塊加熱，從而被持續(xù)暴露在熱應(yīng)力中。因此，在取代低Tg玻璃而利用高Tg玻璃時(shí)，為了確保適于沖壓成形的粘度，需要也使熔融玻璃塊的溫度變高。但是，當(dāng)使熔融玻璃塊的溫度變高時(shí)，相對于下模的熱應(yīng)力變得更大。其結(jié)果是，下模的沖壓成形面與熔融玻璃發(fā)生熔接、和/或下模的沖壓成形面的劣化或變形變明顯。因此，當(dāng)欲利用高Tg玻璃并通過垂直直接沖壓來批量生產(chǎn)玻璃坯料時(shí)，隨著時(shí)間的經(jīng)過而相對于下模的熱應(yīng)力的積蓄增大，從而發(fā)生上述的問題。因此，即使利用高Tg玻璃來實(shí)施 垂直直接沖壓，也難以批量生產(chǎn)板厚偏差和平坦度被大幅改善了的玻璃坯料。但是，在水平直接沖壓中，即使利用具有在利用垂直直接沖壓時(shí)批量生產(chǎn)困難的玻化溫度的高Tg玻璃，也極容易批量生產(chǎn)板厚偏差和平坦度被大幅改善了的玻璃坯料。作為其理由，首先第一可以舉出在水平直接沖壓中，沖壓成形模的沖壓成形面與高溫的熔融玻璃塊持續(xù)接觸的時(shí)間實(shí)質(zhì)上僅為沖壓成形時(shí)，與垂直直接沖壓相比較，對沖壓成形模施加熱應(yīng)力的時(shí)間短。另外，作為第二理由可以舉出在利用具有相同?；瘻囟鹊母逿g玻璃并以能夠使熔融玻璃塊均勻地薄薄地延伸的方式進(jìn)行沖壓成形時(shí)，與垂直直接沖壓相比，在水平直接沖壓中能夠更低地設(shè)定熔融玻璃塊整體的溫度。這是因?yàn)樵谒街苯記_壓中，由于沖壓成形即將開始之前的熔融玻璃塊的粘度分布均勻，因此容易使熔融玻璃塊薄薄地均勻地延伸，相對于此，在垂直直接沖壓中，由于沖壓成形即將開始之前的熔融玻璃塊的粘度分布非常大，因此難以使熔融玻璃塊薄薄地均勻地延伸。另外，在本實(shí)施方式的玻璃坯料的制造方法中，在通過沖壓成形工序的實(shí)施而使熔融玻璃塊在第一沖壓成形模的沖壓成形面與第二沖壓成形模的沖壓成形面之間被完全擠壓展開從而成形為板狀玻璃時(shí)，第一沖壓成形模和第二沖壓成形模的沖壓成形面的至少與板狀玻璃相接觸的區(qū)域(以下，存在稱為“熔融玻璃延伸區(qū)域”的情況)成為略平坦的面。S卩，在通過本實(shí)施方式的玻璃坯料的制造方法而制造的玻璃坯料中，在其表面上未形成有V字槽。即，相對于如通過專利文獻(xiàn)2中記載的制造方法而制造的玻璃坯料那樣在表面上存在具有基板板厚的1/4 1/3的深度的非常大的V字槽，在通過本實(shí)施方式的玻璃坯料的制造方法制造的玻璃坯料中并不存在V字槽，其中，上述專利文獻(xiàn)2中記載的制造方法采用與本實(shí)施方式的玻璃坯料的制造方法相同的水平直接沖壓。因此，在通過本實(shí)施方式的玻璃坯料的制造方法而制造的玻璃坯料中，不會(huì)產(chǎn)生推斷是由V字槽部分的應(yīng)力集中而引起的裂縫缺陷。進(jìn)而，與采用水平直接沖壓的專利文獻(xiàn)2中記載的制造方法相比，本實(shí)施方式的玻璃坯料的制造方法的板厚偏差也良好。如上所述，與垂直直接沖壓相比較，水平直接沖壓能夠大幅改善板厚偏差。因此，在同樣采用水平直接沖壓的本實(shí)施方式的玻璃坯料的制造方法和專利文獻(xiàn)2記載的制造方法中，預(yù)計(jì)能夠得到相同程度的板厚偏差。但是現(xiàn)實(shí)情況是，與專利文獻(xiàn)2中記載的制造方法相比，本實(shí)施方式的玻璃坯料的制造方法能夠進(jìn)一步減小板厚偏差。產(chǎn)生這樣的差異的具體理由并不清楚，但是，推斷是在例如沖壓成形時(shí)受到下述(I)和(2)中所述的差異等的影響，即，(I)在一對相對的沖壓成形面之間，熔融玻璃塊沿著與沖壓成形面平行的方向擴(kuò)展時(shí)的流動(dòng)阻力的差異，(2)由沖壓成形面與延伸中的熔融玻璃塊的熱交換引起的、熔融玻璃延伸區(qū)域內(nèi)的熔融玻璃塊的冷卻速度的偏差的差異等。即，在專利文獻(xiàn)2中記載的制造方法中，在沖壓成形面上設(shè)有用于形成V字槽的同心圓狀的突條。因此，與本實(shí)施方式的玻璃坯料的制造方法相比，專利文獻(xiàn)2中記載的制造方法的流動(dòng)阻力大。而且，認(rèn)為當(dāng)熔融玻璃塊的粘度相同時(shí)，該流動(dòng)阻力的差異結(jié)果會(huì)導(dǎo)致在熔融玻璃塊延伸擴(kuò)展結(jié)束之前的時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生差異。另外，在專利文獻(xiàn)2中記載的制造方法中，在連續(xù)實(shí)施沖壓成形時(shí)，設(shè)置于沖壓成 形面上的突條部分由于相對于突條周圍的平坦部分而突出，因此，在非沖壓成形時(shí)(熔融玻璃塊不與沖壓成形面接觸的期間)容易冷卻。此外，由于突條的高度為板厚的1/4 1/3左右，因此，突條部分的熱容量非常大。因此，在沖壓成形時(shí)，在也考慮到熔融玻璃塊與該突條部分的累計(jì)接觸時(shí)間的情況下，認(rèn)為熔融玻璃塊的與設(shè)置于內(nèi)周側(cè)的突條部分相接觸的部分的冷卻速度，容易變得大于其他部分的冷卻速度。因此，根據(jù)以上所說明那樣的理由可以推斷出盡管采用相同的水平直接沖壓，但是，與專利文獻(xiàn)2中記載的玻璃坯料的制造方法相比，本實(shí)施方式的玻璃坯料的制造方法能夠進(jìn)一步減小板厚偏差。另外，在本實(shí)施方式的玻璃坯料的制造方法中，需要將沖壓成形面的至少熔融玻璃延伸區(qū)域形成為略平坦的面，也可以將沖壓成形面整個(gè)面形成為略平坦的面。在此，該“略平坦的面”除了通常的曲率實(shí)質(zhì)上為0的平坦面之外，也指稍微形成為凸面或凹面那樣的具有非常小的曲率的面。另外，在“略平坦的面”上存在微小的凹凸的情況當(dāng)然是被允許的，也可以根據(jù)需要而設(shè)置相比該微小的凹凸更大的凸部和/或凹部，其中，上述微小的凹凸是通過實(shí)施制造沖壓成形模時(shí)的通常的平坦化加工或鏡面研磨加工等而形成的。在此，作為相比微小的凹凸更大的凸部，只要是導(dǎo)致流動(dòng)阻力變差或促進(jìn)熔融玻璃塊的局部冷卻的可能性小、且高度為20 以下的實(shí)質(zhì)上呈點(diǎn)狀和/或?qū)嵸|(zhì)上呈線狀的凸部，便被允許。另外，該高度優(yōu)選為10 y m以下，更優(yōu)選為5 y m以下。另外，在相比微小的凹凸更大的凸部并非實(shí)質(zhì)上呈點(diǎn)狀和實(shí)質(zhì)上呈線狀，而是頂面的最小寬度為數(shù)毫米或超過數(shù)毫米的級別的梯形凸部、或者具有與該梯形凸部相同程度的高度或尺寸的圓拱形凸部時(shí)，由于上述那樣的導(dǎo)致流動(dòng)阻力變差或促進(jìn)熔融玻璃塊的局部冷卻的可能性變小，因此，其高度只要在50 y m以下便被允許。另外，該高度優(yōu)選為30 y m以下，更優(yōu)選為IOiim以下。另外，從抑制因梯形凸部的底面與側(cè)面的交點(diǎn)部分的應(yīng)力集中而引起的裂縫的產(chǎn)生的觀點(diǎn)來看，梯形凸部的側(cè)面優(yōu)選為其傾斜角相對于頂面為0. 5度以下的角度的平面、或者將該平面形成為凹面的曲面。另外，該角度更優(yōu)選為0. I度以下。另外，作為相比微小的凹凸更大的凹部，只要是不會(huì)導(dǎo)致沖壓成形時(shí)流入該凹部中的熔融玻璃的流動(dòng)性變差等那樣的、深度為20 y m以下且實(shí)質(zhì)上呈點(diǎn)狀和/或?qū)嵸|(zhì)上呈線狀的凹部，便被允許。另外，該高度優(yōu)選為10 y m以下，更優(yōu)選為5 y m以下。另外，在相比微小的凹凸更大的凹部并非實(shí)質(zhì)上呈點(diǎn)狀和實(shí)質(zhì)上呈線狀，而是頂面的最小寬度為數(shù)毫米或者超過數(shù)毫米的級別的倒梯形凹部、或者具有與該倒梯形凹部相同程度的高度或尺寸的倒圓拱形凹部時(shí)，由于導(dǎo)致上述那樣的流動(dòng)性變差的可能性變小，因此，其高度只要在50 y m以下便被允許。另外，該高度優(yōu)選為30 y m以下，更優(yōu)選為10 y m以下。另外，從抑制因梯形凸部的底面與側(cè)面的交點(diǎn)部分的應(yīng)力集中而引起的裂縫的產(chǎn)生的觀點(diǎn)來看，梯形凸部的側(cè)面優(yōu)選為其傾斜角相對于底面為0. 5度以下的角度的平面、或者將該平面形成為凹面的曲面。另外，該角度更優(yōu)選為0. I度以下。以下，參照附圖對本實(shí)施方式的玻璃坯料的制造方法更加詳細(xì)地進(jìn)行說明。
-玻璃坯料的制造例-圖I 圖9是表示本實(shí)施方式的玻璃坯料的制造方法的一例的模式剖面圖。在此，這些附圖按照其編號順序呈時(shí)間序列地對制造玻璃坯料時(shí)的一系列工序進(jìn)行說明。首先，如圖I所示，使熔融玻璃流20從設(shè)置于玻璃流出管10的下端部的玻璃流出口 12朝向垂直方向的下方側(cè)連續(xù)地流出，其中，上述玻璃流出管10的頂端部與未圖示的熔融玻璃供給源相連接。
另一方面，在玻璃流出口 12的下方側(cè)且熔融玻璃流20的兩側(cè)，分別在與熔融玻璃流20的下垂方向的中心軸D略垂直的方向上配置有第一剪切刀片(下側(cè)刀片)30和第二剪切刀片(上側(cè)刀片)40。而且，下側(cè)刀片30和上側(cè)刀片40分別朝向箭頭Xl方向和箭頭X2方向移動(dòng)，由此從熔融玻璃流20的兩側(cè)靠近熔融玻璃流20的前端部22偵U。另外，熔融玻璃流20的粘度只要是適于前端部22的分離或沖壓成形的粘度，便沒有特別限定，但是，通常優(yōu)選在500dPa s 1050dPa s的范圍內(nèi)控制為固定的值。該熔融玻璃流20的粘度能夠通過調(diào)整玻璃流出管10或其上游的熔融玻璃供給源的溫度來進(jìn)行控制。另外，下側(cè)刀片30和上側(cè)刀片40具有略板狀的主體部32、42和刀刃部34、44，其中，上述刀刃部34、44設(shè)置于主體部32、42的端部側(cè)，并且，從與熔融玻璃流的下垂方向略垂直的方向?qū)⒊虼怪狈较蛳路絺?cè)連續(xù)流出的熔融玻璃流20的前端部22切斷。另外，刀刃部34的上表面34U和刀刃部44的下表面44B形成為與水平面略一致的面，刀刃部34的下表面34B和刀刃部44的上表面44U形成為以與水平面交叉的方式傾斜的面。另外，以刀刃部34的上表面34U和刀刃部44的下表面44B相對于垂直方向處于略相同程度的高度位置上的方式，配置下側(cè)刀片30和上側(cè)刀片40。接著，如圖2所示，使下側(cè)刀片30和上側(cè)刀片40分別朝向箭頭Xl方向和箭頭X2方向進(jìn)一步移動(dòng)，由此，以刀刃部34的上表面34U與刀刃部44的下表面44B局部幾乎無縫隙地重合的方式，使下側(cè)刀片30和上側(cè)刀片40分別在水平方向上移動(dòng)。即，使下側(cè)刀片30和上側(cè)刀片40相對于中心軸D垂直地交叉。通過這樣，下側(cè)刀片30和上側(cè)刀片40相對于熔融玻璃流20貫入至其中心軸D附近，從而將前端部22以略球狀的熔融玻璃塊24的形式分離(切斷)。另外，圖2是表示前端部22以熔融玻璃塊24的形式被從熔融玻璃流20的主體部分分離瞬間的狀態(tài)的圖。
接著，如圖3所示，被從熔融玻璃流20分離的熔融玻璃塊24進(jìn)一步朝向垂直方向的下方Y(jié)l側(cè)下落。然后，進(jìn)入到在與熔融玻璃塊24的下落方向Yl垂直的方向上相對而配置的第一沖壓成形模與第二沖壓成形模之間。在此，如圖4所示，實(shí)施沖壓成形前的第一沖壓成形模50和第二沖壓成形模60，以相對于下落方向Yl呈線對稱的方式相互分離而配置。然后，為了與熔融玻璃塊24到達(dá)第一沖壓成形模具50和第二沖壓成形模具60的垂直方向中央部附近的時(shí)機(jī)相吻合地從兩側(cè)擠壓熔融玻璃塊24并沖壓成形，而使第一沖壓成形模50朝向箭頭Xl方向移動(dòng)，使第二沖壓成形模60朝向箭頭X2方向移動(dòng)。在此，沖壓成形模50、60具有沖壓成形模主體52、62和導(dǎo)向部件54、64，其中，上述沖壓成形模主體52、62具有略圓盤形狀，上述導(dǎo)向部件54、64被配置成將該沖壓成形模主體52、62的外周端包圍。另外，由于圖4是剖面圖，因此，在圖4中被描繪為導(dǎo)向部件54、64位于沖壓成形模主體52、62的兩側(cè)。在此，沖壓成形模主體52、62的一個(gè)面成為沖壓成形面52A、62A。而且，在圖4中，第一沖壓成形模50和第二沖壓成形模60以兩個(gè)沖壓成形面52A、62A相對的方式對置配 置。另外，在導(dǎo)向部件54上，在相對于沖壓成形面52A朝向Xl方向稍微突出的高度位置上設(shè)有導(dǎo)向面54A，在導(dǎo)向部件64上，在相對于沖壓成形面62A朝向X2方向稍微突出的高度位置上設(shè)有導(dǎo)向面64A。因此，在進(jìn)行沖壓成形時(shí)，由于導(dǎo)向面54A與導(dǎo)向面64A相接觸，因而在沖壓成形面52A與沖壓成形面62A之間形成有間隙。因此，該間隙的寬度成為在第一沖壓成形模50與第二沖壓成形模60之間被沖壓成形而成為板狀的熔融玻璃塊24的厚度、也就是玻璃坯料的厚度。另外，沖壓成形面52A、62A被形成為在通過沖壓成形工序的實(shí)施而使熔融玻璃塊24在第一沖壓成形模50的沖壓成形面52A與第二沖壓成形模60的沖壓成形面62之間朝向垂直方向被完全擠壓展開從而成形為板狀玻璃時(shí)，沖壓成形面52A、62A的至少與上述板狀玻璃相接觸的區(qū)域(熔融玻璃延伸區(qū)域)SI、S2成為略平坦的面。另外，在圖4所示的例子中，包括熔融玻璃延伸區(qū)域SI在內(nèi)的沖壓成形面52A和包括熔融玻璃延伸區(qū)域S2在內(nèi)的沖壓成形面62A的整個(gè)面，形成為通常的曲率實(shí)質(zhì)上為0的平坦面。另外，在該平坦面上，僅存在通過實(shí)施制造沖壓成形模時(shí)的通常的平坦化加工或鏡面研磨加工等而形成的微小的凹凸，而不存在相比上述微小的凹凸更大的凸部和/或凹部。作為構(gòu)成沖壓成形模50、60的材料，當(dāng)考慮到耐熱性、可加工性、耐久性時(shí)優(yōu)選為金屬或合金。該情況下，構(gòu)成沖壓成形模50、60的金屬或合金的耐熱溫度優(yōu)選為1000°C以上，更優(yōu)選為1100°C以上。作為構(gòu)成沖壓成形模50、60的材料，具體優(yōu)選為球墨鑄鐵(FCD)、合金工具鋼(SKD61等)、高速鋼(SKH)、超硬合金、鉻化硼系化合物、鎢鉻鈷合金等。另外，在進(jìn)行沖壓成形時(shí)，也可以使用水或空氣等冷卻介質(zhì)對沖壓成形模50、60進(jìn)行冷卻，從而抑制沖壓成形模50、60的溫度上升。玻璃坯料通過利用沖壓成形面52A、62A來擠壓熔融玻璃塊24進(jìn)行沖壓成形而制造。因此，沖壓成形面52A、62A的表面粗糙度與玻璃坯料的主表面的表面粗糙度大致相同。從進(jìn)行后述的作為后工序而實(shí)施的劃線加工和使用金剛石片的磨削加工來看，玻璃坯料的主表面的表面粗糙度優(yōu)選在0. 01 10 ii m的范圍內(nèi)，因此，沖壓成形面的表面粗糙度Ra也優(yōu)選在0. 01 10 ii m的范圍內(nèi)。
圖4所示的熔融玻璃塊24進(jìn)一步朝向下方下落，并且進(jìn)入到兩個(gè)沖壓成形面52A、62A之間。然后，如圖5所示，當(dāng)熔融玻璃塊24到達(dá)與下落方向Yl平行的沖壓成形面52A、62A的上下方向的略中央部附近時(shí)，熔融玻璃塊24的兩側(cè)表面與沖壓成形面52A、62A相接觸。
在此，當(dāng)也考慮到不會(huì)因?yàn)橄侣?中的熔融玻璃塊24的粘度增大而變得難以沖壓成形、或者不會(huì)因?yàn)橄侣渌俣茸兊眠^大而導(dǎo)致沖壓位置產(chǎn)生變動(dòng)的觀點(diǎn)時(shí)，下落距離優(yōu)選在IOOOmm以下的范圍內(nèi)進(jìn)行選擇，更優(yōu)選在500mm以下的范圍內(nèi)進(jìn)行選擇，進(jìn)而更優(yōu)選在300mm以下的范圍內(nèi)進(jìn)行選擇，最優(yōu)選在200mm以下的范圍內(nèi)進(jìn)行選擇。另外，下落距離的下限并沒有特別限定，但是，在實(shí)用上優(yōu)選為IOOmm以上。另外，該“下落距離”是指從如圖2所例示那樣前端部22以熔融玻璃塊24的形式被分離的瞬間、也就是下側(cè)刀片30與上側(cè)刀片40在垂直方向上重疊的位置至圖5所例示那樣的沖壓成形開始時(shí)(沖壓成形開始的瞬間)的位置、也就是與下落方向Yl平行的沖壓成形面52A、62A的直徑方向的略中央部附近為止的距離。另外，沖壓成形開始時(shí)的第一沖壓成形模50和第二沖壓成形模60的溫度，優(yōu)選設(shè)定為低于構(gòu)成熔融玻璃塊24的玻璃材料的玻化溫度。通過這樣，在熔融玻璃塊24被沖壓成形時(shí)，能夠更加可靠地防止在薄薄地延伸的熔融玻璃塊24與沖壓成形面52A、62A之間發(fā)生熔接。然后，當(dāng)熔融玻璃塊24的表面與沖壓成形面52A、62A相接觸時(shí)，熔融玻璃塊24以貼在沖壓成形面52A、62A上的方式凝固。然后，如圖6所示，當(dāng)利用第一沖壓成形模50和第二沖壓成形模60從兩側(cè)持續(xù)擠壓熔融玻璃塊24時(shí)，熔融玻璃塊24以熔融玻璃塊24與沖壓成形面52A、62A最初接觸的位置為中心以均勻的厚度被擠壓展開。然后，利用第一沖壓成形模50和第二沖壓成形模60持續(xù)進(jìn)行擠壓，直到如圖7所示那樣導(dǎo)向面54A與導(dǎo)向面56A接觸為止，由此在沖壓成形面52A、62A之間成形出圓盤狀或略圓盤狀的薄板玻璃26。在此，圖7所示的薄板玻璃26具有與最終得到的玻璃坯料實(shí)質(zhì)上相同的形狀、厚度。而且，薄板玻璃26雙面的尺寸和形狀與熔融玻璃延伸區(qū)域SI、S2(圖7中未圖示)的尺寸和形狀一致。另外，從將熔融玻璃塊24薄板化的觀點(diǎn)來看，從圖5所示的沖壓成形開始時(shí)的狀態(tài)至成為圖7所示的導(dǎo)向面54A與導(dǎo)向面64A相接觸的狀態(tài)為止所需的時(shí)間(以下，存在稱為“沖壓成形時(shí)間”的情況)，優(yōu)選在0. I秒以內(nèi)。另外，在進(jìn)行沖壓成形時(shí)，成為導(dǎo)向面54A與導(dǎo)向面64A相接觸的狀態(tài)，由此變得容易維持沖壓成形面52A與沖壓成形面62A的平行狀態(tài)。另外，沖壓成形時(shí)間的上限并沒有特別限定，但是，在實(shí)用上優(yōu)選在0.05秒以上。另外，在成為圖7所示的狀態(tài)之后，能夠持續(xù)施加相比對第一沖壓成形模50和第二沖壓成形模60施加的沖壓壓力非常小的壓力，以便維持導(dǎo)向面54A與導(dǎo)向面64A相接觸的狀態(tài)，從而維持薄板玻璃26的雙面與沖壓成形面52A、62A緊密結(jié)合的狀態(tài)。然后，將該狀態(tài)持續(xù)數(shù)秒，從而將薄板玻璃26冷卻。在此，被夾持在第一沖壓成形模50和第二沖壓成形模60之間的狀態(tài)下的薄板玻璃26的冷卻，優(yōu)選實(shí)施至成為構(gòu)成薄板玻璃26的玻璃材料的屈服點(diǎn)以下為止。另外，在上述狀態(tài)下，當(dāng)使沖壓壓力變得更大時(shí)，存在薄板玻璃26破損的情況。接著，如圖8所示，為了使第一沖壓成形模50與第二沖壓成形模60相互分離，而使第一沖壓成形模50朝向X2方向移動(dòng),使第二沖壓成形模60朝向Xl方向移動(dòng)。由此使沖壓成形面62A與薄板玻璃26分離(脫模)。接著，如圖9所示，使沖壓成形面52A與薄板玻璃26分離(脫模)，由此使薄板玻璃26朝向垂直方向的下方Y(jié)l側(cè)落下，從而將薄板玻璃26取出。另外，在使沖壓成形面52A與薄板玻璃26分離(脫模)時(shí)，可以按照從薄板玻璃26的外周方向施加力而將薄板玻璃26剝離的方式進(jìn)行分離(脫模)。該情況下，無需對薄板玻璃26施加大的力便能夠進(jìn)行取出。另外，在進(jìn)行沖壓成形時(shí)，也可以使用水、空氣等冷卻用介質(zhì)對第一沖壓成形模50和第二沖壓成形模60進(jìn)行冷卻，從而將沖壓成形面52A、62A的溫度控制為不會(huì)過度上升。最后，對取出的薄板玻璃26進(jìn)行退火而減少或除去變形，從而得到用于加工磁記錄介質(zhì)玻璃基板的母材、也就是玻璃坯料。通過按照以上的圖I 圖9所例示的順序?qū)ο侣渲械娜廴诓ＡK24進(jìn)行沖壓成形，能夠使沖壓即將開始前的熔融玻璃塊24的粘度分布均勻化，從而能夠使熔融玻璃塊24以均勻的厚度薄薄地延伸。
因此，能夠容易地得到板厚偏差和平坦度小的玻璃坯料。另外，所制造的玻璃坯料的板厚偏差優(yōu)選為10 y m以下，平坦度優(yōu)選為10 ii m以下，更優(yōu)選為8 u m以下，進(jìn)而更優(yōu)選為6 ii m以下，尤其優(yōu)選為4 ii m以下。本實(shí)施方式的玻璃坯料的制造方法適于制造直徑與板厚的比(直徑/板厚)為50 150的玻璃坯料。在此，所謂的直徑是指玻璃坯料的長徑與短徑的相加平均值(arithmetic mean)。由于未利用沖壓成形模50、60來限制玻璃還料的外周端面，因此,夕卜周端面呈自由表面。在此，所制造的玻璃坯料的真圓度并沒有特別限定，但是，優(yōu)選形成在±0. 5mm 以內(nèi)。對于玻璃坯料的直徑并沒有特別限制，但是，直徑的設(shè)定優(yōu)選以下述除去量與基板的直徑相加后的值為目標(biāo)而進(jìn)行，其中，上述除去量是在如后述那樣從玻璃還料加工磁記錄介質(zhì)玻璃基板時(shí)進(jìn)行的劃線加工或外周加工時(shí)的除去量。玻璃還料的板厚優(yōu)選在0. 75mm I. Imm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0. 75mm I. Omm的范圍內(nèi)，進(jìn)而更優(yōu)選在0. 90mm 0. 92mm的范圍內(nèi)。玻璃坯料的板厚、板厚偏差、平坦度、直徑以及真圓度的測量，只要使用三維測量儀、千分尺進(jìn)行即可。-玻璃材料的物理性能和玻璃組成以及玻璃坯料的物理性能等-如上所述，本實(shí)施方式的玻璃坯料的制造方法中所使用的玻璃材料，利用的是?；瘻囟葹?00°C以上的玻璃材料。因此，通過本實(shí)施方式的玻璃坯料的制造方法而制造的玻璃坯料具有高的耐熱性。另一方面,在圓盤狀的磁記錄介質(zhì)中，是在使磁記錄介質(zhì)繞中心軸高速旋轉(zhuǎn)并使磁頭沿半徑方向移動(dòng)的同時(shí)，沿著旋轉(zhuǎn)方向進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入、讀出。近年來，為了提高該寫入速度和讀出速度，而正在將磁記錄介質(zhì)的轉(zhuǎn)速從5400rpm高速化為7200rpm,進(jìn)而高速化為lOOOOrpm。但是，在圓盤狀的磁記錄介質(zhì)中，預(yù)先根據(jù)離中心軸的距離對記錄數(shù)據(jù)的位置進(jìn)行了分配。因此，當(dāng)隨著轉(zhuǎn)速的高速化而圓盤狀的磁記錄介質(zhì)在旋轉(zhuǎn)期間發(fā)生變形時(shí)，會(huì)導(dǎo)致磁頭的位置不正，從而使正確的讀取變得困難。因此，為了應(yīng)對高速旋轉(zhuǎn)化，要求玻璃制的磁記錄介質(zhì)玻璃基板具有在高速旋轉(zhuǎn)時(shí)不會(huì)發(fā)生大的變形的高剛性(高楊氏模量)。另外，插入有磁記錄介質(zhì)的HDD (硬盤驅(qū)動(dòng)器)，采用的是利用主軸電動(dòng)機(jī)的主軸將磁記錄介質(zhì)的中央部分壓住從而使磁記錄介質(zhì)本身旋轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)。因此，當(dāng)磁記錄介質(zhì)玻璃基板的熱膨脹系數(shù)與構(gòu)成主軸部分的主軸材料的熱膨脹系數(shù)之間存在大的差異時(shí)，則在使用時(shí)相對于周圍的溫度變化而主軸的熱膨脹或熱收縮與磁記錄介質(zhì)玻璃基板的熱膨脹或熱收縮之間產(chǎn)生偏差，結(jié)果導(dǎo)致磁記錄介質(zhì)發(fā)生變形。當(dāng)發(fā)生這樣的變形時(shí)，會(huì)導(dǎo)致磁頭無法讀出被寫入到磁記錄介質(zhì)中的信息，從而成為有損記錄再生的可靠性的原因。因此，為了提高磁記錄介質(zhì)的可靠性，要求玻璃制的磁記錄介質(zhì)玻璃基板具有與主軸材料(例如不銹鋼等)相同程度的高熱膨脹系數(shù)。如以上所說明，磁記錄介質(zhì)玻璃基板除了從高記錄密度化等的觀點(diǎn)來看要具有也能夠承受高溫下的成膜工序的耐熱性之外，從磁記錄介質(zhì)的可靠性提高等的觀點(diǎn)來看，更優(yōu)選具有高剛性和高熱膨脹系數(shù)。因此，通過本實(shí)施方式的玻璃坯料的制造方法而制造的玻璃坯料，優(yōu)選100 300°C下的平均線膨脹系數(shù)為70X10_7/°C以上且楊氏模量為70GPa以上。另外，100 300°C下的平均線膨脹系數(shù)更優(yōu)選為75X 10_7/°C以上。另一方面，平均線膨脹系數(shù)的上限值并沒有特別限定，但是，在實(shí)用上優(yōu)選為120X10_7/°C以下。另外，楊氏模量更優(yōu)選為75GPa以上，進(jìn)而更優(yōu)選為80GPa以上。另一 方面，楊氏模量的上限值并沒有特別限定，但是，在實(shí)用上優(yōu)選為IOOGpa以下。但是，在玻璃材料中，高耐熱性、高剛性以及高熱膨脹系數(shù)這三種特性呈折衷選擇(trade-off)的關(guān)系。而且，當(dāng)欲實(shí)現(xiàn)同時(shí)滿足這三種特性的玻璃制的磁記錄介質(zhì)玻璃基板時(shí)，與現(xiàn)有的磁記錄介質(zhì)玻璃基板用的玻璃相比，玻璃的熱穩(wěn)定性變得容易降低。磁記錄介質(zhì)玻璃基板用的玻璃材料的熱穩(wěn)定性一般都出色，但是，在將如上述那樣熱穩(wěn)定性降低了的玻璃熔融并成形時(shí)，必須提高熔融玻璃流20的流出溫度來防止玻璃的失透現(xiàn)象。其結(jié)果是，熔融玻璃流20的流出粘度降低，從而導(dǎo)致將熔融玻璃流20的前端部22切斷而使熔融玻璃塊24分離并下落從而進(jìn)行沖壓成形變得困難。在此，作為能夠提供兼具高耐熱性、高剛性、高熱膨脹系數(shù)這三種特性的磁記錄介質(zhì)玻璃基板的玻璃組成，并沒有特別限定，但是，從能夠容易地實(shí)現(xiàn)使這三種特性均衡地并存的觀點(diǎn)來看，尤其優(yōu)選為由以下所說明的兩種玻璃組成構(gòu)成的玻璃材料。以下，將該兩種玻璃材料稱為“玻璃A”和“玻璃B”。以下依次詳細(xì)說明的玻璃A和玻璃B是被分類為氧化物玻璃的玻璃，并且其玻璃組成是以氧化物標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行表示。所謂的“氧化物標(biāo)準(zhǔn)的玻璃組成”，是指通過以玻璃原料在熔融時(shí)全部分解后玻璃中以氧化物的形式存在的物質(zhì)進(jìn)行換算而得到的玻璃組成。另外，玻璃A和玻璃B是非晶質(zhì)(無定形)的玻璃。因此，與晶化玻璃不同而由均相(homogenetic phase)構(gòu)成。因此，在使用了玻璃A和玻璃B的磁記錄介質(zhì)玻璃基板中，能夠?qū)崿F(xiàn)出色的基板表面的平滑性。以下，按照玻璃A和玻璃B的順序依次對這些玻璃材料的詳細(xì)情況進(jìn)行說明。首先，對玻璃A進(jìn)行說明。玻璃A的玻璃組成以摩爾百分比表示為含有50 75%的Si02、0 5%的A1203、0 3%的Li20、0 5%的ZnO、共計(jì)3 15%的選自Na2O和K2O的至少一種成分、共計(jì)14 35%的選自Mg0、Ca0、Sr0以及BaO的至少一種成分、以及共計(jì)
2 9% 的選自 ZrO2、TiO2、La203、Y2O3、Yb2O3、Ta2O5、Nb2O5 以及 HfO2 的至少一種成分，并且，摩爾比{(MgO+CaO) / (Mg0+Ca0+Sr0+Ba0)}在 0. 8 I 的范圍內(nèi)，且摩爾比(Al2O3/ (MgO+CaO)}在0 0. 30的范圍內(nèi)。
以下，只要沒有特別記載，則各成分的含有量、總計(jì)含有量、比例便以摩爾標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行表示。接著，對構(gòu)成玻璃A的各成分的詳細(xì)情況進(jìn)行說明。SiO2是玻璃的網(wǎng)絡(luò)形成成分，并且具有提高玻璃穩(wěn)定性、化學(xué)耐久性尤其是耐酸性的效果。SiO2也是發(fā)揮下述作用的成分，即，在為了在磁記錄介質(zhì)玻璃基板上成膜磁記錄層等的工序、或者對通過上述工序形成的膜進(jìn)行熱處理而利用輻射對磁記錄介質(zhì)玻璃基板進(jìn)行加熱時(shí)，使磁記錄介質(zhì)玻璃基板的熱擴(kuò)散降低，從而提高加熱效率的作用。 在玻璃A中，SiO2的含有量在50 75 %的范圍內(nèi)。通過將SiO2的含有量設(shè)為50 %以上，能夠充分得到上述作用。另外，通過將SiO2的含有量設(shè)為75%以下，能夠可靠地抑制下述情況，即，SiO2未完全熔化而在玻璃中產(chǎn)生未溶物、或者澄清時(shí)的玻璃的粘度變得過高而導(dǎo)致消泡不夠充分的情況。這是因?yàn)楫?dāng)由含有未溶物的玻璃來制造磁記錄介質(zhì)玻璃基板時(shí)，存在通過研磨 而在磁記錄介質(zhì)玻璃基板表面上產(chǎn)生由未溶物形成的突起，從而無法作為要求具有極高的表面平滑度的磁記錄介質(zhì)玻璃基板來使用的情況。另外，當(dāng)由含有氣泡的玻璃來制造磁記錄介質(zhì)玻璃基板時(shí)，存在通過研磨而使氣泡的一部分露出于磁記錄介質(zhì)玻璃基板表面上的情況。該情況下，存在氣泡的一部分露出后的部分成為凹坑而使磁記錄介質(zhì)玻璃基板的主表面的平滑性受損，從而無法作為磁記錄介質(zhì)玻璃基板來使用的情況。另外，在玻璃A中，SiO2的含有量優(yōu)選在57 70%的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在57 68%的范圍內(nèi)，進(jìn)而更優(yōu)選在60 68%的范圍內(nèi)，更進(jìn)一步優(yōu)選在63 68%的范圍內(nèi)。Al2O3也有助于玻璃的網(wǎng)絡(luò)形成，并且是發(fā)揮提高化學(xué)耐久性、耐熱性的作用的成分。在玻璃A中，Al2O3的含有量在O 5%的范圍內(nèi)。通過將Al2O3的含有量設(shè)為5%以下，能夠防止磁記錄介質(zhì)玻璃基板的熱膨脹系數(shù)變得過小而導(dǎo)致磁記錄介質(zhì)玻璃基板與構(gòu)成HDD的主軸部分的主軸材料、例如不銹鋼的熱膨脹系數(shù)之差變大的情況。其結(jié)果是，能夠可靠地防止下述情況，即，相對于周圍的溫度變化而主軸的熱膨脹或熱收縮與磁記錄介質(zhì)玻璃基板的熱膨脹或熱收縮之間產(chǎn)生偏差，結(jié)果導(dǎo)致磁記錄介質(zhì)發(fā)生變形的情況。另外，當(dāng)發(fā)生這樣的變形時(shí)，會(huì)導(dǎo)致磁頭無法讀出已寫入的信息，從而成為有損記錄再生的可靠性的原因。Al2O3在少量的情況下發(fā)揮改善玻璃穩(wěn)定性且降低液相溫度的作用，但是，當(dāng)進(jìn)一步增加其含有量時(shí)，呈玻璃穩(wěn)定性降低且液相溫度上升的趨勢。因此，在玻璃A中，從在得到更高的熱膨脹系數(shù)的基礎(chǔ)上進(jìn)一步改善玻璃的穩(wěn)定性方面來看，Al2O3的含有量的上限值優(yōu)選為4%以下，更優(yōu)選為3%以下，進(jìn)而優(yōu)選為2. 5%以下，進(jìn)而更優(yōu)選為I %以下，更進(jìn)一步優(yōu)選低于1%。另一方面，從改善化學(xué)耐久性、耐熱性、玻璃的穩(wěn)定性方面來看，Al2O3的含有量的下限值優(yōu)選為O. I %以上。Li2O發(fā)揮提高玻璃的熔融性和成形性的作用，并且發(fā)揮增大熱膨脹系數(shù)的作用。另一方面，當(dāng)添加少量的Li2O時(shí)，?；瘻囟却蠓档停瑥亩共ＡУ哪蜔嵝燥@著降低。因此，考慮到這些方面，玻璃A中的Li2O的含有量在O 3%的范圍內(nèi)。另外，從進(jìn)一步提高耐熱性方面來看，Li2O的含有量優(yōu)選在O 2%的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在O I %的范圍內(nèi)，進(jìn)而優(yōu)選在O O. 8%的范圍內(nèi)，進(jìn)而更優(yōu)選在O O. 5%的范圍內(nèi)，更進(jìn)一步優(yōu)選在O O. 1%的范圍內(nèi)，進(jìn)一步更加優(yōu)選在O O. 08%的范圍內(nèi)，尤其優(yōu)選實(shí)質(zhì)上不含Li20。在此，所謂的“實(shí)質(zhì)上不含”是指在玻璃原料中并未有意地添加特定的成分，而不排除以雜質(zhì)的形式混入的情況。ZnO發(fā)揮改善玻璃的熔融性、成形性及玻璃穩(wěn)定性、提高剛性、增大熱膨脹系數(shù)的作用。但是，當(dāng)添加過量的ZnO時(shí)，?；瘻囟却蠓档蛷亩共ＡУ哪蜔嵝燥@著降低、或者化學(xué)耐久性降低。因此，在玻璃A中，ZnO的含有量設(shè)在O 5%的范圍內(nèi)。從將耐熱性、化學(xué)耐久性維持在良好的狀態(tài)方面來看，ZnO的含有量優(yōu)選在O 4%的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在O 3%的范圍內(nèi)，進(jìn)而優(yōu)選在O 2%的范圍內(nèi)，進(jìn)而更優(yōu)選在O I %的范圍內(nèi)，更進(jìn)一步優(yōu)選在O O. 5%的范圍內(nèi)。另外，在玻璃A中也可以實(shí)質(zhì)上不含ZnO。Na2O和K2O是發(fā)揮提高玻璃的熔融性和成形性的作用、在澄清時(shí)降低玻璃的粘度從而促進(jìn)消泡的作用，并且增大熱膨脹系數(shù)的作用大的成分，在堿金屬氧化物成分中，與Li2O相比，Na2O和K2O的降低?；瘻囟鹊淖饔眯　Ｔ诖?，從對磁記錄介質(zhì)玻璃基板賦予所要求的均質(zhì)性(不存在未溶物或殘留氣泡的狀態(tài))、熱膨脹特性方面來看，在玻璃A中，Na2O和K2O的總計(jì)含有量的下限值設(shè)為3%以上。另外，上限值設(shè)為15%以下。通過這樣，能夠抑制發(fā)生下述問題，S卩，玻化溫度降低而使耐熱性受損、化學(xué)耐久 性尤其是耐酸性降低、來自磁記錄介質(zhì)玻璃基板表面的堿析出增大且析出的堿對磁記錄介質(zhì)玻璃基板上形成的膜等帶來損傷等的問題。Na2O和K2O的總計(jì)含有量優(yōu)選在5 13%的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在8 13%的范圍內(nèi)，進(jìn)而更優(yōu)選在8 11%的范圍內(nèi)。玻璃A既可以不進(jìn)行離子交換便作為磁記錄介質(zhì)玻璃基板進(jìn)行使用，也可以在進(jìn)行了離子交換后作為磁記錄介質(zhì)玻璃基板進(jìn)行使用。在進(jìn)行離子交換時(shí)，Na2O是作為承擔(dān)離子交換的成分合適的成分。另外，也可以使Na2O和K2O作為玻璃成分而共存,從而通過混合堿效應(yīng)(mixed alkali effect)得到堿析出抑制效果。但是，當(dāng)過量地導(dǎo)入這兩種成分時(shí)，容易發(fā)生與這兩種成分的總計(jì)含有量過多時(shí)相同的問題。從這一點(diǎn)來看，在將Na2O和K2O的總計(jì)含有量設(shè)為上述范圍的基礎(chǔ)上，Na2O的含有量的范圍優(yōu)選為O 5%，更優(yōu)選為O. I 5%，更優(yōu)選為I 5%，更優(yōu)選為2 5%，K2O的含有量的范圍優(yōu)選為I 10%，更優(yōu)選為I 9 %，進(jìn)而優(yōu)選為I 8 %，進(jìn)而更優(yōu)選為3 8 %，更進(jìn)一步優(yōu)選為5 8 %。作為堿土族金屬成分的Mg0、Ca0、Sr0、Ba0，均發(fā)揮改善玻璃的熔融性、成形性以及玻璃穩(wěn)定性且增大熱膨脹系數(shù)的作用。因此，為了得到這些效果，在玻璃A中將MgO、CaO、SrO以及BaO的總計(jì)含有量設(shè)為14%以上，另一方面，將Mg0、Ca0、Sr0以及BaO的總計(jì)含有量設(shè)為35%以下，由此能夠可靠地抑制化學(xué)耐久性的降低。MgO、CaO、SrO以及BaO的總計(jì)含有量優(yōu)選在14 32%的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在14 26%的范圍內(nèi)，進(jìn)而更優(yōu)選在15 26%的范圍內(nèi)，更進(jìn)一步優(yōu)選在17 25%的范圍內(nèi)。但是,使用于移動(dòng)用途中的磁記錄介質(zhì)用的磁記錄介質(zhì)玻璃基板，要求具有能夠承受搬運(yùn)時(shí)的沖擊的高的剛性和硬度并且重量輕。因此，用于制造這樣的磁記錄介質(zhì)玻璃基板的玻璃，最好為高楊氏模量、高比彈性模量、低比密度的玻璃。另外，如之前所說明那樣，為了能夠承受高速旋轉(zhuǎn)，也要求磁記錄介質(zhì)玻璃基板用的玻璃呈高剛性。在此，上述堿土族金屬成分中的MgO、CaO具有提高剛性和硬度且抑制比密度增加的作用。因此，MgO、CaO是在得到高楊氏模量、高比彈性模量、低比密度的玻璃方面非常有用的成分。特別是，MgO是對高楊氏模量化、低比密度化有效的成分，CaO是對高熱膨脹化有效的成分。因此，從磁記錄介質(zhì)玻璃基板的高楊氏模量化、高比彈性模量化、低比密度化方面來看，在玻璃A中，將MgO和CaO的總計(jì)含有量與MgO、CaO、SrO以及BaO的總計(jì)含有量(MgO+CaO+SrO+BaO)的摩爾比((MgO+CaO) / (MgO+CaO+SrO+BaO))設(shè)為 O. 8 I 的范圍。通過將該摩爾比設(shè)為O. 8以上，能夠抑制發(fā)生楊氏模量、比彈性模量降低、或者比密度增大等的問題。另外，上述摩爾比的上限在不含SrO、BaO的情況下為最大值I。摩爾比((MgO+CaO) / (MgO+CaO+SrO+BaO))優(yōu)選在O. 85 I的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在O. 88 I的范圍內(nèi)，進(jìn)而優(yōu)選在O. 89 I的范圍內(nèi)，進(jìn)而更優(yōu)選在O. 9 I的范圍內(nèi)，更進(jìn)一步優(yōu)選在0. 92 I的范圍內(nèi)，進(jìn)一步更加優(yōu)選在0. 94 I的范圍內(nèi)，更加優(yōu)選在0. 96 I的范圍內(nèi)，更進(jìn)一步優(yōu)選在0.98 I的范圍內(nèi)，尤其優(yōu)選在0. 99 I的范圍內(nèi)，最優(yōu)選為I。從高楊氏模量化、高比彈性模量化、低比密度化以及化學(xué)耐久性的維持的觀點(diǎn)來看，MgO的含有量優(yōu)選在I 23%的范圍內(nèi)。在此，MgO的含有量的下限值優(yōu)選為2%以上，更優(yōu)選為5%以上，MgO的含有量的上限值優(yōu)選為15%以下，更優(yōu)選為8%以下。從高楊氏模量化、高比彈性模量化、低比密度化、高熱膨脹化以及化學(xué)耐久性的維 持的觀點(diǎn)來看，CaO的含有量的優(yōu)選范圍為6 21 %，更優(yōu)選的范圍為10 20%，進(jìn)而更優(yōu)選的范圍為10 18%，更進(jìn)一步優(yōu)選的范圍為10 15%。另外，從上述觀點(diǎn)來看，MgO和CaO的總計(jì)含有量的范圍優(yōu)選為15 35%，更優(yōu)選為15 32%，進(jìn)而優(yōu)選為15 30%，進(jìn)而更優(yōu)選為15 25%，更進(jìn)一步優(yōu)選為15 20%。SrO雖然具有上述效果，但是過量含有時(shí)比密度增大。另外，與MgO或CaO相比較，原料成本也增大。因此，SrO的含有量優(yōu)選在O 5%的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在O 2%的范圍內(nèi)，進(jìn)而更優(yōu)選在O 1%的范圍內(nèi)，更進(jìn)一步優(yōu)選在O 0. 5%的范圍內(nèi)。也可以不將SrO作為玻璃成分而導(dǎo)入，即，玻璃A也可以是實(shí)質(zhì)上不含SrO的玻璃。BaO雖然也具有上述效果，但是，當(dāng)過量含有時(shí)會(huì)發(fā)生比密度變大、楊氏模量降低、化學(xué)耐久性降低、比密度增加、原料成本增大等的問題。因此，BaO的含有量優(yōu)選為O 5%。BaO的含有量的更優(yōu)選范圍為O 3%，進(jìn)而優(yōu)選的范圍為O 2%，進(jìn)而更優(yōu)選的范圍為O 1%，更進(jìn)一步優(yōu)選的范圍為O 0. 5%。也可以不將BaO作為玻璃成分而導(dǎo)入，S卩，玻璃A也可以是實(shí)質(zhì)上不含BaO的玻璃。從上述觀點(diǎn)來看，SrO和BaO的總計(jì)含有量優(yōu)選為O 5%，更優(yōu)選為O 3%，進(jìn)而優(yōu)選為O 2 %，進(jìn)而更優(yōu)選為O I %，更進(jìn)一步優(yōu)選為O 0. 5 %。如上所述，MgO和CaO具有提高楊氏模量、熱膨脹系數(shù)的效果。相對于此，Al2O3的提高楊氏模量的作用小，發(fā)揮降低熱膨脹系數(shù)的作用。因此，從得到高楊氏模量、高熱膨脹系數(shù)的玻璃方面來看，在本實(shí)施方式的玻璃坯料的制造方法中所使用的玻璃中，將Al2O3的含有量相對于MgO和CaO的總計(jì)含有量(MgO+CaO)的摩爾比(Al2O3/(MgO+CaO))設(shè)為O 0. 30的范圍。玻璃的高耐熱性化、高楊氏模量化、高熱膨脹化呈相互折衷選擇的關(guān)系，為了同時(shí)滿足這三個(gè)要求，利用單獨(dú)設(shè)定A1203、MgO、CaO各自的含有量的組成調(diào)制并不足夠，將上述摩爾比設(shè)定在所需要的范圍內(nèi)是很重要的。摩爾比(Al2O3/(MgO+CaO))的優(yōu)選范圍為O 0. 1，更優(yōu)選的范圍為O 0. 05，進(jìn)而更優(yōu)選的范圍為O 0. 03。在MgO、CaO中，高熱膨脹化的作用大的成分為CaO，因此，在I2O3的含有量與CaO的含有量的摩爾作為必需成分而含有CaO時(shí)，為了謀求更進(jìn)一步的高熱膨脹化，A比(Al2O3/CaO)優(yōu)選在O O. 4的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在O O. 2的范圍內(nèi)，進(jìn)而更優(yōu)選在O O. I的范圍內(nèi)。ZrO2, TiO2, La203、Y2O3> Yb2O3> Ta2O5, Nb2O5 以及 HfO2 也發(fā)揮提高化學(xué)耐久性尤其是耐堿性，并且，提高玻化溫度而改善耐熱性，提高剛性或斷裂韌性的作用。因此，在玻璃A中，通過將ZrO2、TiO2、La203、Y203、Yb203、Ta205、Nb2O5以及HfO2的總計(jì)含有量設(shè)為2%以上，變得容易可靠地得到上述效果，另外，通過將總計(jì)含有量設(shè)為9%以下，能夠更加可靠地抑制下述問題，即，玻璃的熔融性降低而在玻璃中殘留有未溶物從而導(dǎo)致無法得到平滑性出色的磁記錄介質(zhì)玻璃基板、比密度增大等的問題。因此，在玻璃A 中，Zr02、Ti02、La203、Y203、Yb203、Ta205、Nb205 以及 HfO2 的總計(jì)含有量設(shè)為 2 9%。ZrO2, Ti02、La203、Y2O3> Yb203> Ta2O5' Nb2O5 以及 HfO2 的總計(jì)含有量的優(yōu)選范圍為2 8%，更優(yōu)選的范圍為2 7%，進(jìn)而優(yōu)選的范圍為2 6%，進(jìn)而更優(yōu)選的范圍為2 5%，更進(jìn)一步優(yōu)選的范圍為3 5%。ZrO2的提高玻化溫度而改善耐熱性的作用、或者改善化學(xué)耐久性尤其是耐堿性的 作用大，另外，ZrO2還具有提高楊氏模量從而高剛性化的效果。因此，在玻璃A中，ZrO2的含有量相對于 ZrO2,TiO2,La2O3>Y2O3>Yb2O3>Ta2O5,Nb2O5 及 HfO2 的總計(jì)含有量(Zr02+Ti02+La203+Y203+Yb203+Ta205+Nb205+HfO2)的摩爾比(ZrO2/ (Zr02+Ti02+La203+Y203+Yb203+Ta205+Nb205+HfO2))優(yōu)選為O. 3 1，更優(yōu)選為O. 4 1，進(jìn)而優(yōu)選為O. 5 1，進(jìn)而更優(yōu)選為O. 7 1，進(jìn)一步優(yōu)選為O. 8 I，進(jìn)一步更加優(yōu)選為O. 9 I，更進(jìn)一步優(yōu)選為O. 95 I，尤其優(yōu)選為I。ZrO2的含有量的優(yōu)選范圍為2 9%，更優(yōu)選的范圍為2 8%，進(jìn)而優(yōu)選的范圍為2 7%，進(jìn)而更優(yōu)選的范圍為2 6%，更進(jìn)一步優(yōu)選的范圍為2 5%，進(jìn)一步更加優(yōu)選的范圍為3 5%。在上述成分中，TiO2的抑制比密度增大的作用出色，并且具有提高楊氏模量、t匕彈性模量的作用。但是，當(dāng)過量導(dǎo)入TiO2時(shí)，在將玻璃浸在水中時(shí)容易在玻璃表面上附著TiO2與水的反應(yīng)產(chǎn)物從而使耐水性降低，因此，TiO2的含有量優(yōu)選在O 5%的范圍內(nèi)。從良好地保持耐水性的方面來看，TiO2的含有量的優(yōu)選范圍為O 4%,更優(yōu)選的范圍為O 3 %，進(jìn)而優(yōu)選的范圍為O 2 %，進(jìn)而更優(yōu)選的范圍為O I %，更進(jìn)一步優(yōu)選的范圍為O O. 5%。另外,從進(jìn)一步改善耐水性的方面來看,優(yōu)選實(shí)質(zhì)上不含Ti02。La203、Y203、Yb203、Ta2O5、Nb2O5以及HfO2的提高比密度的能力強(qiáng)，因此，從抑制比密度增大的方面來看，上述各成分的含有量優(yōu)選在O 4%的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在O 3%的范圍內(nèi)，進(jìn)而優(yōu)選在O 2%的范圍內(nèi)，進(jìn)而更優(yōu)選在O I %的范圍內(nèi)，更進(jìn)一步優(yōu)選在O O. 5%的范圍內(nèi)。La203、Y203、Yb203、Ta2O5、Nb2O5以及HfO2也可以不作為玻璃成分導(dǎo)入。作為其他的能夠?qū)氲牟ＡС煞?，存在B203、P2O5等。B2O3發(fā)揮降低脆性且提高熔融性的作用，但是，由于過量導(dǎo)入B2O3會(huì)使化學(xué)耐久性降低，因此，B2O3的含有量的優(yōu)選范圍為O 3%，更優(yōu)選的范圍為O I %，進(jìn)而更優(yōu)選的范圍為O O. 5 %，更進(jìn)一步優(yōu)選不導(dǎo)入 B2O3。P2O5可以導(dǎo)入少量，但是，由于過量導(dǎo)入P2O5會(huì)使化學(xué)耐久性降低，因此，P2O5的含有量優(yōu)選為O I %，更優(yōu)選為O O. 5 %，進(jìn)而更優(yōu)選為O O. 3 %，更進(jìn)一步優(yōu)選不導(dǎo)入P2O5。從得到同時(shí)滿足高耐熱性、高楊氏模量、高熱膨脹系數(shù)這三種特性的玻璃的方面來看，SiO2、Al2O3、Na2O、K2O、MgO、CaO、ZrO2、TiO2、La2O3、Y2O3、Yb2O3、Ta2O5、Nb2O5 以及 HfO2 的總計(jì)含有量優(yōu)選為95%以上，更優(yōu)選為97%以上，進(jìn)而更優(yōu)選為98%以上，更進(jìn)一步優(yōu)選為99%以上，也可以是100%。進(jìn)而，從抑制比密度增大的方面來看，SiO2, A1203、Na2O, K2O, MgO、CaO、ZrO2以及TiO2的總計(jì)含有量優(yōu)選為95%以上，更優(yōu)選為97%以上，進(jìn)而更優(yōu)選為98%以上，更進(jìn)一步優(yōu)選為99%以上，也可以是100%。進(jìn)而，從改善耐水性的方面來看，Si02、Al203、Na20、K20、Mg0、Ca0以及ZrO2的總計(jì)含有量優(yōu)選為95%以上，更優(yōu)選為97%以上，進(jìn)而更優(yōu)選為98%以上，更進(jìn)一步優(yōu)選為99%以上，也可以是100%。從以上觀點(diǎn)來看，玻璃A優(yōu)選含有(I) :50 75%的Si02、0 3%的民03、0 5%的 A1203、0 3% 的 Li20、0 5% 的 Na2OU 10%的 K20、1 23%的]\%0、6 21% 的 CaO、O 5%的Ba0、0 5%的Ζη0、0 5%的TiO2、以及2 9%的ZrO2，更優(yōu)選含有⑵50 75% 的 Si02、0 1% 的 B203、0 5% 的 A1203、0 3% 的 Li20、0 5% 的 Na2OU 9% 的K20,2 23% 的 Mg0、6 21% 的 Ca0、0 3% 的 Ba0、0 5% 的 Ζη0、0 3% 的 TiO2 以及·3 7%的 ZrO20接著，對玻璃B進(jìn)行說明。玻璃B的玻璃組成為含有56 75%的Si02、l 11 %的Al2O3、大于0%且小于等于4%的Li20、大于等于1%且小于15%的Na20、以及大于等于0%且小于3%的K2O,并且實(shí)質(zhì)上不含BaO ；選自由Li20、Na20以及K2O構(gòu)成的群中的堿金屬氧化物的總計(jì)含有量在6 15%的范圍內(nèi)；Li2O的含有量與Na2O的含有量的摩爾比(Li20/Na20)小于O. 50 ；K2O的含有量相對于上述堿金屬氧化物的總計(jì)含有量的摩爾比IK2O/(Li20+Na20+K20)}為 O. 13 以下；選自由MgO、CaO以及SrO構(gòu)成的群中的堿土族金屬氧化物的總計(jì)含有量在10 30%的范圍內(nèi)；MgO和CaO的總計(jì)含有量在10 30%的范圍內(nèi)；MgO和CaO的總計(jì)含有量與上述堿土族金屬氧化物的總計(jì)含有量的摩爾比{(MgO+CaO) / (Mg0+Ca0+Sr0)}為 O. 86 以上；上述堿金屬氧化物和堿土族金屬氧化物的總計(jì)含有量在20 40%的范圍內(nèi)；MgOXaO以及Li2O的總計(jì)含有量與上述堿金屬氧化物和堿土族金屬氧化物的總計(jì)含有量的摩爾比{(Mg0+Ca0+Li20) / (Li20+Na20+K20+Mg0+Ca0+Sr0)}為 0. 50 以上；選自由Zr02、TiO2, Y2O3> La203、Gd2O3> Nb2O5以及Ta2O5構(gòu)成的群中的氧化物的總計(jì)含有量大于0%且小于等于10% ；上述氧化物的總計(jì)含有量與Al2O3的含有量的摩爾比{(Zr02+Ti02+Y203+La203+Gd203+Nb205+Ta205)/Al2O3I 為 O. 40 以上。接著，對構(gòu)成玻璃B的各成分的詳細(xì)情況進(jìn)行說明。SiO2是玻璃的網(wǎng)絡(luò)形成成分，并且具有提高玻璃穩(wěn)定性、化學(xué)耐久性尤其是耐酸性的效果。SiO2也是發(fā)揮下述作用的成分，即，在為了在磁記錄介質(zhì)玻璃基板上成膜磁記錄層等的工序、或者對通過上述工序形成的膜進(jìn)行熱處理而利用輻射對基板進(jìn)行加熱時(shí)，使基板的熱擴(kuò)散降低從而提高加熱效率的作用。當(dāng)SiO2的含有量低于56%時(shí)，化學(xué)耐久性降低，當(dāng)SiO2的含有量超過75%時(shí)，剛性降低。另外，當(dāng)SiO2的含有量超過75%時(shí)，SiO2未完全熔化而在玻璃中產(chǎn)生未溶物、或者澄清時(shí)的玻璃的粘度變得過高而導(dǎo)致消泡不夠充分。當(dāng)由含有未溶物的玻璃來制造基板時(shí)，通過研磨而在基板表面上產(chǎn)生由未溶物形成的突起，從而無法作為要求具有極高的表面平滑度的磁記錄介質(zhì)玻璃基板來使用。另外，當(dāng)由含有氣泡的玻璃來制造磁記錄介質(zhì)玻璃基板時(shí)，通過研磨而使氣泡的一部分露出于基板表面，且該部分成為凹坑從而導(dǎo)致基板的主表面的平滑性受損，因此，同樣也無法作為磁記錄介質(zhì)玻璃基板來使用?；谝陨显?，將SiO2的含有量設(shè)為56 75 %。SiO2的含有量的優(yōu)選范圍為58 70%，更優(yōu)選范圍為60 70%。Al2O3也有助于玻璃的網(wǎng)絡(luò)形成，并且是發(fā)揮提高剛性和耐熱性的作用的成分。但是，當(dāng)Al2O3的含有量超過11%時(shí)玻璃的抗失透性(穩(wěn)定性)降低，因此，將Al2O3的導(dǎo)入量設(shè)為11 %以下。另一方面，當(dāng)Al2O3的含有量低于I %時(shí)，玻璃的穩(wěn)定性、化學(xué)耐久性以及耐熱性降低，因此將Al2O3的導(dǎo)入量設(shè)為1%以上。因此，Al2O3的含有量在I 11%的范圍 內(nèi)。從玻璃的穩(wěn)定性、化學(xué)耐久性以及耐熱性的觀點(diǎn)來看，Al2O3的含有量的優(yōu)選范圍為I 10%，更優(yōu)選的范圍為2 9%，進(jìn)一步優(yōu)選的范圍為3 8%。Li2O是提高玻璃的剛性的成分。另外，在堿金屬中，在玻璃中的移動(dòng)容易度的順序?yàn)長i > Na > K，因此，從化學(xué)強(qiáng)化性能的觀點(diǎn)來看，Li的導(dǎo)入也是有利的。但是，當(dāng)Li的導(dǎo)入量過量時(shí)會(huì)導(dǎo)致耐熱性降低，因此將導(dǎo)入量設(shè)為4%以下。S卩，Li2O的含有量大于0%且小于等于4%。從高剛性、高耐熱性以及化學(xué)強(qiáng)化性能的觀點(diǎn)來看，Li2O的含有量的優(yōu)選范圍為O. I 3.5%，更優(yōu)選的范圍為0.5 3%，進(jìn)而更優(yōu)選的范圍為大于I %且小于等于3%，更進(jìn)一步優(yōu)選的范圍為大于I %且小于等于2. 5 %。另外，如上所述，導(dǎo)入過量的Li2O會(huì)導(dǎo)致耐熱性降低，而且，Li2O相對于Na2O的導(dǎo)入量過量也會(huì)導(dǎo)致耐熱性降低，因此，按照Li2O的含有量與Na2O的含有量的摩爾比(Li2O/Na2O)在小于O. 50的范圍內(nèi)的方式，將Li2O的導(dǎo)入量相對于Na2O的導(dǎo)入量進(jìn)行調(diào)整。從在得到由Li2O的導(dǎo)入而產(chǎn)生的效果的同時(shí)抑制耐熱性降低的觀點(diǎn)來看，上述摩爾比(Li2O/Na2O)優(yōu)選在大于等于O. 01且小于O. 50的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在O. 02 O. 40的范圍內(nèi)，進(jìn)而優(yōu)選在O. 03 O. 40的范圍內(nèi)，進(jìn)而更優(yōu)選在O. 04 O. 30的范圍內(nèi)，更進(jìn)一步優(yōu)選在O. 05 O. 30的范圍內(nèi)。此夕卜，由于Li2O的導(dǎo)入量相對于堿金屬氧化物的總計(jì)含有量(Li20+Na20+K20)過多也會(huì)導(dǎo)致耐熱性降低，而過少時(shí)會(huì)導(dǎo)致化學(xué)強(qiáng)化性能降低，因此，優(yōu)選按照Li2O的含有量相對于堿金屬氧化物的總計(jì)含有量的摩爾比ILi2O/(Li2CHNa2CHK2O)}在小于1/3的范圍內(nèi)的方式，將Li2O的導(dǎo)入量相對于堿金屬氧化物的總計(jì)進(jìn)行調(diào)整。從在得到由Li2O的導(dǎo)入而產(chǎn)生的效果的同時(shí)抑制耐熱性降低的觀點(diǎn)來看，摩爾比ILi2O/ (Li2CHNa2CHK2O)}的更優(yōu)選的上限為O. 28，進(jìn)而更優(yōu)選的上限為O. 23。從抑制化學(xué)強(qiáng)化性能降低的觀點(diǎn)來看，摩爾比ILi2O/ (Li2CHNa2CHK2O)}的優(yōu)選下限為O. 01，更優(yōu)選的下限為O. 02，進(jìn)而優(yōu)選的下限為O. 03，進(jìn)而更優(yōu)選的下限為O. 04，更進(jìn)一步優(yōu)選的下限為O. 05。由于Na2O是對熱膨脹特性的改善有效的成分，因此，導(dǎo)入1%以上的Na20。另外，由于Na2O也是有助于化學(xué)強(qiáng)化性能的成分，因此，從化學(xué)強(qiáng)化性能的觀點(diǎn)來看，導(dǎo)入I %以上的Na2O也是有利的。但是，當(dāng)Na2O的導(dǎo)入量為15%以上時(shí)，會(huì)導(dǎo)致耐熱性降低。因此，將Na2O的含有量設(shè)為大于等于1%且小于15%。從熱膨脹特性、耐熱性以及化學(xué)強(qiáng)化性能的觀點(diǎn)來看，Na2O的含有量的優(yōu)選范圍為4 13%，更優(yōu)選的范圍為5 11%。K2O是對熱膨脹特性的改善有效的成分。由于過量導(dǎo)入K2O會(huì)導(dǎo)致耐熱性、導(dǎo)熱系數(shù)的降低，并且也使化學(xué)強(qiáng)化性能變差，因此，將K2O的導(dǎo)入量設(shè)為小于3%。S卩，K2O的含有量大于等于0%且小于3%。從維持耐熱性且改善熱膨脹特性的觀點(diǎn)來看，K2O的含有量的優(yōu)選范圍為0 2%，更優(yōu)選的范圍為0 I %，進(jìn)而更優(yōu)選的范圍為0 0. 5%，更進(jìn)一步優(yōu)選的范圍為0 0. I %，從耐熱性和化學(xué)強(qiáng)化性能的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選實(shí)質(zhì)上不導(dǎo)入K20。另外，所謂的“實(shí)質(zhì)上不含”、“實(shí)質(zhì)上不導(dǎo)入”，是指在玻璃原料中并未有意地添加特定的成分，而不排除以雜質(zhì)的形式混入的情況。有關(guān)玻璃組成的0%這一記載也是同樣的意思。另外，當(dāng)選自由Li20、Na20以及K2O構(gòu)成的群中的堿金屬氧化物的總計(jì)含有 量低于6%時(shí)，玻璃的熔融性和熱膨脹特性降低，當(dāng)超過15%時(shí)耐熱性降低。因此，從玻璃的熔融性、熱膨脹特性以及耐熱性的觀點(diǎn)來看，將選自由Li20、Na2O以及K2O構(gòu)成的群中的堿金屬氧化物的總計(jì)含有量設(shè)為6 15%，優(yōu)選為7 15%的范圍，更優(yōu)選為8 13%的范圍，進(jìn)而更優(yōu)選為8 12%的范圍。在此，實(shí)質(zhì)上是不含BaO的玻璃。排除BaO的導(dǎo)入的理由如下。為了提高記錄密度，需要使磁頭與磁記錄介質(zhì)表面之間的距離靠近，并且提高寫入或讀入分辨率。因此，近年來磁頭的低浮量化(磁頭與磁記錄介質(zhì)表面之間的間距的減小)被大力發(fā)展，伴隨于此，在磁記錄介質(zhì)表面上存在微小的突起也是不允許的。因?yàn)樵诒坏透×炕挠涗浽偕到y(tǒng)中，即使是微小的突起也會(huì)與磁頭發(fā)生碰撞從而成為磁頭元件的損傷等的原因。另一方面，BaO與空氣中的二氧化碳反應(yīng)而生成成為磁記錄介質(zhì)玻璃基板表面的附著物的BaC03。因此，從減少附著物的觀點(diǎn)出發(fā)而不含BaO。此外，由于BaO是玻璃表面發(fā)生改性(稱為“黃變(yellowing)”)的原因，并且是具有在基板表面上形成微小突起的危險(xiǎn)的成分，因此，為了防止磁記錄介質(zhì)玻璃基板表面的黃變也將BaO排除。另外，從減輕對環(huán)境的負(fù)擔(dān)方面來看，也優(yōu)選無鋇化。此外,玻璃基板實(shí)質(zhì)上不含BaO的磁記錄介質(zhì)最好作為熱輔助記錄方式中所使用的磁記錄介質(zhì)。以下，對其理由進(jìn)行說明。越是提高記錄密度則位大小(bit size)變得越小,用于實(shí)現(xiàn)例如超過lTB/inch2的高密度記錄的位大小的目標(biāo)值為數(shù)十nm徑。當(dāng)以如此微小的位大小進(jìn)行記錄時(shí)，在熱輔助記錄中需要將加熱區(qū)域縮小至與位大小相同程度。另外，由于Ibit的記錄所能夠耗費(fèi)的時(shí)間為極短時(shí)間，因此，為了以微小的位大小進(jìn)行高速記錄，需要瞬間完成基于熱輔助的加熱和冷卻。即，在熱輔助記錄用磁記錄介質(zhì)中，要求盡可能迅速且局部地進(jìn)行加熱和冷卻。因此，提出了在熱輔助記錄用磁記錄介質(zhì)的基板與磁記錄層之間設(shè)置由具有高導(dǎo)熱系數(shù)的材料構(gòu)成的散熱層(例如Cu膜)(例如參照日本特開2008-52869號公報(bào))。散熱層是發(fā)揮下述作用的層，即，抑制熱量朝向面內(nèi)方向的擴(kuò)散且加快熱量朝向垂直方向(深度方向)的流動(dòng)，由此使施加于記錄層上的熱量朝向垂直方向(厚度方向)釋放而不是面內(nèi)方向。散熱層越厚則越能夠短時(shí)間且局部地進(jìn)行加熱和冷卻，但是，由于為了使散熱層變厚而需要增長成膜時(shí)間，因此，導(dǎo)致生產(chǎn)率降低。另外，由于增加散熱層的厚度也會(huì)導(dǎo)致層成膜時(shí)的熱量的積蓄變多，因此，存在結(jié)果使得形成于散熱層上層的磁性層的結(jié)晶性或晶體取向紊亂，從而使記錄密度的改善變得困難的情況。進(jìn)而，散熱層變得越厚，則在散熱層上發(fā)生溶蝕(corrosion)而使膜整體凸起從而產(chǎn)生凸起缺陷的可能性越高，從而成為低浮量化的障礙。尤其是在散熱層中使用鐵材料的情況下，發(fā)生上述現(xiàn)象的可能性高。如以上所說明那樣，設(shè)置厚膜的散熱層在短時(shí)間且局部地進(jìn)行加熱和冷卻方面是有利的，但是，從生產(chǎn)率、記錄密度的改善、低浮量化的觀點(diǎn)來看并不理想。作為其對策，可以考慮提高玻璃基板的導(dǎo)熱系數(shù)以彌補(bǔ)散熱層所承擔(dān)的作用。在此，玻璃以Si02、Al2O3、堿金屬氧化物以及堿土族金屬氧化物等作為構(gòu)成成分。其中，堿金屬氧化物、堿土族金屬氧化物具有作為修飾成分而改善玻璃的熔融性、或者增大熱膨脹系數(shù)的作用。因此，需要在玻璃中導(dǎo)入一定量的堿金屬氧化物、堿土族金屬氧化物，但是，其中原子序數(shù)最大的Ba的降低玻璃的導(dǎo)熱系數(shù)的作用大。在此，由于并不含有BaO，因而不會(huì)因?yàn)锽aO而使導(dǎo)熱系數(shù)降低，因此，即使進(jìn)行散熱層的薄膜化，也能夠短時(shí)間且局部地進(jìn)行加熱和冷卻。另外，在堿土族金屬氧化物中，BaO最具較高地維持?；瘻囟鹊淖饔谩榱瞬粫?huì)因 為將該BaO排除而使?；瘻囟冉档停瑢⒆鳛閴A土族金屬氧化物的MgO和CaO的總計(jì)含有量與Mg0、Ca0以及SrO的總計(jì)含有量的摩爾比{(MgO+CaO) / (Mg0+Ca0+Sr0)}設(shè)為0. 86以上。這是因?yàn)楫?dāng)堿土族金屬氧化物的總量固定時(shí)，相比將該總量分配于多種堿土族金屬氧化物的情況，將該總量集中分配于一種或兩種堿土族金屬氧化物的情況下能夠較高地維持?；瘻囟取＜?，通過將上述摩爾比設(shè)為0. 86以上來抑制因BaO的排除而引起的玻化溫度的降低。另外，如上所述，磁記錄介質(zhì)玻璃基板所要求的特性之一為高剛性(高楊氏模量)，但是，作為磁記錄介質(zhì)玻璃基板所要求的理想特性，還可以舉出后述那樣的比密度小的特性。為了實(shí)現(xiàn)高楊氏模量化和低比密度化，在堿土族金屬氧化物中優(yōu)先導(dǎo)入MgO和CaO是有利的，因此，將上述摩爾比設(shè)為0. 86以上還具有實(shí)現(xiàn)玻璃基板的高楊氏模量化和低比密度化的效果。從以上所說明的觀點(diǎn)來看，上述摩爾比優(yōu)選為0.88以上，更優(yōu)選為0.90以上，進(jìn)而優(yōu)選為0. 93以上，進(jìn)而更優(yōu)選為0. 95以上，更進(jìn)一步優(yōu)選為0. 97以上，進(jìn)一步更加優(yōu)選為0. 98以上，尤其優(yōu)選為0. 99以上，最優(yōu)選為I。當(dāng)選自由MgO、CaO以及SrO構(gòu)成的群中的堿土族金屬氧化物的總計(jì)含有量過少時(shí)，玻璃的剛性和熱膨脹特性降低，當(dāng)總計(jì)含有量過多時(shí)玻璃的化學(xué)耐久性降低。為了實(shí)現(xiàn)高剛性、高熱膨脹特性以及良好的化學(xué)耐久性，將上述堿土族金屬氧化物的總計(jì)含有量設(shè)為10 30%，優(yōu)選為10 25%，更優(yōu)選為11 22%，進(jìn)而優(yōu)選為12 22%，進(jìn)而更優(yōu)選為13 21%，更進(jìn)一步優(yōu)選為15 20%的范圍。另外，如上所述，MgO和CaO是優(yōu)先導(dǎo)入的成分，并且總計(jì)導(dǎo)入10 30%的量。因?yàn)楫?dāng)MgO和CaO的總計(jì)含有量低于10%時(shí)，玻璃的剛性和熱膨脹特性降低，當(dāng)MgO和CaO的總計(jì)含有量超過30%時(shí)，玻璃的化學(xué)耐久性降低。從良好的得到通過優(yōu)先導(dǎo)入MgO和CaO而產(chǎn)生的效果的觀點(diǎn)來看，MgO和CaO的總計(jì)含有量的優(yōu)選范圍為10 25%，更優(yōu)選的范圍為10 22%，進(jìn)而更優(yōu)選的范圍為11 20%，更進(jìn)一步優(yōu)選的范圍為12 20%。另外，在堿金屬氧化物中，由于K2O的原子序數(shù)大且降低導(dǎo)熱系數(shù)的作用大，并且在化學(xué)強(qiáng)化性能方面不利，因此，Li2O的含有量相對于堿金屬氧化物的總量而被限制。將K2O的含有量與堿金屬氧化物的總計(jì)含有量的摩爾比IK2O/(Li2CHNa2CHK2O)}設(shè)為0. 13以下。從化學(xué)強(qiáng)化性能和導(dǎo)熱系數(shù)的觀點(diǎn)來看，上述摩爾比優(yōu)選為0. 10以下，更優(yōu)選為0. 08以下，進(jìn)而優(yōu)選為0. 06以下，進(jìn)而更優(yōu)選為0. 05以下，更進(jìn)一步優(yōu)選為0. 03以下，進(jìn)一步更加優(yōu)選為0. 02以下，尤其優(yōu)選為0.01以下，最優(yōu)選實(shí)質(zhì)上為0，即最優(yōu)選不導(dǎo)入1(20。上述堿金屬氧化物和堿土族金屬氧化物的總計(jì)含有量(Li20+Na20+K20+Mg0+Ca0+Sr0)為20 40%。這是因?yàn)楫?dāng)上述堿金屬氧化物和堿土族金屬氧化物的總計(jì)含有量低于20%時(shí)，玻璃的熔融性、熱膨脹系數(shù)以及剛性降低，當(dāng)上述堿金屬氧化物和堿土族金屬氧化物的總計(jì)含有量超過40%時(shí)，玻璃的化學(xué)耐久性和耐熱性降低。從良好地維持上述各種特性的觀點(diǎn)來看，上述堿金屬氧化物和堿土族金屬氧化物的總計(jì)含有量的優(yōu)選范圍為20 35%，更優(yōu)選的范圍為21 33%，進(jìn)而更優(yōu)選的范圍為23 33%。
如上所述，MgO、CaO以及Li2O是對提高玻璃的剛性(實(shí)現(xiàn)高楊氏模量化)有效的成分，當(dāng)這三種成分的總計(jì)相對于上述堿金屬氧化物和堿土族金屬氧化物的總計(jì)過少時(shí)，提高楊氏模量變得困難。因此，按照MgO、CaO以及Li2O的總計(jì)含有量相對于上述堿金屬氧化物和堿土族金屬氧化物的總計(jì)含有量的摩爾比{(Mg0+Ca0+Li20)/(Li20+Na20+K20+Mg0+Ca0+Sr0)}為0. 50以上的方式，相對于上述堿金屬氧化物和堿土族金屬氧化物的總計(jì)來調(diào)整MgO、CaO以及Li2O的導(dǎo)入量。為了更進(jìn)一步提高玻璃基板的楊氏模量，上述摩爾比優(yōu)選為0.51以上，優(yōu)選為
0.52以上。另外，從玻璃的穩(wěn)定性的觀點(diǎn)來看，上述摩爾比優(yōu)選為0. 80以下，更優(yōu)選為0. 75以下，進(jìn)而更優(yōu)選為0. 70以下。另外，關(guān)于各堿土族金屬氧化物的導(dǎo)入量，如上所述，在玻璃B中實(shí)質(zhì)上不導(dǎo)入BaO0從楊氏模量的提高和低比密度化、進(jìn)而由此引起的比彈性模量的提高的觀點(diǎn)來看，MgO的優(yōu)選含有量為0 14 %，更優(yōu)選為0 10 %，進(jìn)而優(yōu)選為0 8 %，進(jìn)而更優(yōu)選為0 6%，更進(jìn)一步優(yōu)選為I 6%的范圍。另外，對于比彈性模量之后進(jìn)行敘述。從熱膨脹特性和楊氏模量的提高、以及低比密度化的觀點(diǎn)來看，CaO的導(dǎo)入量優(yōu)選為3 20%，更優(yōu)選為4 20%，進(jìn)而更優(yōu)選為10 20%的范圍。SrO是提高熱膨脹特性的成分，但是，SrO與Mg0、Ca0相比是提高比密度的成分，因此，SrO的導(dǎo)入量優(yōu)選為4%以下，優(yōu)選為3%以下，更優(yōu)選為2. 5%以下，優(yōu)選為2%以下，更優(yōu)選為I %以下，也可以實(shí)質(zhì)上不導(dǎo)入SrO。關(guān)于Si02、Al203、堿金屬氧化物以及堿土族金屬氧化物的含有量和比例如上所述，但是，此處所例示的玻璃還含有以下所示的氧化物成分。以下，對這些氧化物成分的詳細(xì)情況進(jìn)行說明。由于選自由Zr02、TiO2, Y2O3> La203、Gd2O3> Nb2O5以及Ta2O5構(gòu)成的群中的氧化物是提高剛性和耐熱性的成分，因此導(dǎo)入至少一種上述氧化物，但是，過量的導(dǎo)入會(huì)使玻璃的熔融性和熱膨脹特性降低。因此，將上述氧化物的總計(jì)含有量設(shè)為大于0%且小于等于10%，優(yōu)選為I 10%，更優(yōu)選為2 10%，進(jìn)而優(yōu)選為2 9%，進(jìn)而更優(yōu)選為2 7%，更進(jìn)一步優(yōu)選為2 6%的范圍。另外，如上所述，Al2O3也是提高剛性和耐熱性的成分，但是，上述氧化物的提高楊氏模量的作用大。通過相對于Al2O3而以0.4以上的摩爾比導(dǎo)入上述氧化物、即通過將上述氧化物的總計(jì)含有量與Al2O3的含有量的摩爾比{(Zr02+Ti02+Y203+La203+Gd203+Nb205+Ta2O5)/Al2O3I設(shè)為0. 40以上，能夠?qū)崿F(xiàn)剛性和耐熱性的提高。從更進(jìn)一步提高剛性和耐熱性的觀點(diǎn)來看，上述摩爾比優(yōu)選為0. 50以上，優(yōu)選為
0.60以上，更優(yōu)選為0. 70以上。另外，從玻璃的穩(wěn)定性的觀點(diǎn)來看，上述摩爾比優(yōu)選為4. 00以下，更優(yōu)選為3. 00以下，進(jìn)而優(yōu)選為2. 00以下，進(jìn)而更優(yōu)選為I. 00以下，更進(jìn)一步優(yōu)選為0. 90以下，進(jìn)一步更加優(yōu)選為0. 85以下。另外，B2O3是改善玻璃基板的脆性且提高玻璃的熔融性的成分，但是，由于過量的導(dǎo)入會(huì)使耐熱性降低，因此，B2O3的導(dǎo)入量優(yōu)選為0 3%，更優(yōu)選為0 2%，更優(yōu)選為大于等于0%且小于I %,優(yōu)選為0 0. 5%,也可以實(shí)質(zhì)上不導(dǎo)入B203。
Cs2O是能夠在無損于所期望的特性、性質(zhì)的范圍內(nèi)導(dǎo)入少量的成分，但是，由于Cs2O是與其他的堿金屬氧化物相比而使比密度增大的成分，因此實(shí)質(zhì)上不導(dǎo)入也可以。ZnO是改良玻璃的熔融性、成形性以及穩(wěn)定性、提高剛性并且提高熱膨脹特性的成分，但是，由于過量的導(dǎo)入會(huì)使耐熱性和化學(xué)耐久性降低，因此，ZnO的導(dǎo)入量優(yōu)選為0 3 %，更優(yōu)選為0 2 %，進(jìn)而更優(yōu)選為0 I %，也可以實(shí)質(zhì)上不導(dǎo)入ZnO。ZrO2如上所述是提高剛性和耐熱性的成分，并且也是提高化學(xué)耐久性的成分，但是，由于過量的導(dǎo)入會(huì)使玻璃的熔融性降低，因此，ZrO2的導(dǎo)入量優(yōu)選為I 8%，更優(yōu)選為I 6 %,進(jìn)而更優(yōu)選為2 6 %。TiO2是具有抑制玻璃的比密度增大且提高剛性的作用并且能夠根據(jù)該作用而提高比彈性模量的成分。但是，當(dāng)過量導(dǎo)入TiO2時(shí)，存在在玻璃基板與水接觸時(shí)基板表面上產(chǎn)生TiO2與水的反應(yīng)產(chǎn)物從而成為產(chǎn)生附著物的原因的情況，因此，TiO2的導(dǎo)入量優(yōu)選為0 6 %，更優(yōu)選為0 5 %，進(jìn)而優(yōu)選為0 3 %，進(jìn)而更優(yōu)選為0 2 %，更進(jìn)一步優(yōu)選為大于等于0%且小于I %,也可以實(shí)質(zhì)上不導(dǎo)入TiO2。Y2O3、Yb2O3、La2O3、Gd2O3、Nb2O5以及Ta2O5是在化學(xué)耐久性、耐熱性的提高、剛性或斷裂韌性的提高方面有利的成分，但是，過量導(dǎo)入上述成分會(huì)使熔融性變差，并且也會(huì)使比密度變大。另外，由于使用的是高價(jià)的原料，因此，優(yōu)選減少上述成分的含有量。因此，上述成分的導(dǎo)入量以總量計(jì)優(yōu)選為0 3%，更優(yōu)選為0 2%，進(jìn)而優(yōu)選為0 1%，進(jìn)而更優(yōu)選為0 0. 5%，更進(jìn)一步優(yōu)選為0 0. I %，在重視熔融性的提高、低比密度化以及降低成本時(shí)，優(yōu)選實(shí)質(zhì)上不導(dǎo)入上述成分。HfO2也是在化學(xué)耐久性、耐熱性的提高、剛性或斷裂韌性的提高方面有利的成分，但是，過量的導(dǎo)入會(huì)使熔融性變差，并且也會(huì)使比密度變大。另外，由于使用的是高價(jià)的原料，因此，優(yōu)選減少HfO2的含有量，優(yōu)選實(shí)質(zhì)上不導(dǎo)入Hf02?？紤]到對環(huán)境的影響，優(yōu)選實(shí)質(zhì)上不導(dǎo)入 Pb、As、Cd、Te、Cr、Tl、U 以及 Th。另外，從提高耐熱性且提高熔融性的觀點(diǎn)來看，Si02、A1203、ZrO2, Ti02、Y203、La2O3,Gd2O3^Nb2O5以及Ta2O5的總計(jì)含有量與上述堿金屬氧化物(Li20、Na20以及K2O)的總計(jì)含有量的摩爾比{(Si02+Al203+Zr02+Ti02+Y203+La203+Gd203+Nb205+Ta205)/(Li20+Na20+K20)}的范圍優(yōu)選為3 15，更優(yōu)選為3 12，進(jìn)而優(yōu)選為4 12，進(jìn)而更優(yōu)選為5 12，更進(jìn)一步優(yōu)選為5 11，進(jìn)一步更加優(yōu)選為5 10的范圍。接著，以下對在玻璃A和玻璃B中均可添加的其他成分進(jìn)行說明。首先，對作為任意成分的錫(Sn)氧化物和鈰(Ce)氧化物進(jìn)行說明。錫氧化物和鈰氧化物是能夠作為澄清劑發(fā)揮作用的成分。錫氧化物的下述作用出色，即，在玻璃熔融時(shí)于高溫下釋放出氧氣，并且進(jìn)入到玻璃中所含的微小氣泡中而形成為大氣泡，由此變得容易浮起，從而促進(jìn)澄清的作用。另一方面，鈰氧化物的下述作用出色，即，在低溫下將以氣體的形式存在于玻璃中的氧作為玻璃成分而攝入，從而將氣泡消除的作用。當(dāng)氣泡的大小(凝固后的玻璃中殘留的氣泡(空腔)的大小)在0.3mm以下的范圍內(nèi)時(shí)，錫氧化物的對較大氣泡和極小氣泡的消除作用都很強(qiáng)。當(dāng)與錫氧化物一同添加鈰氧化物時(shí)，50 ii m 0. 3_左右大的氣泡的密度銳減至幾十分之一左右。這樣，通過使錫氧化物和鈰氧化物并存，能夠在高溫區(qū)至低溫區(qū)的廣泛的溫度范圍內(nèi)提高玻璃的澄清效果，因此，優(yōu)選添加錫氧化物和鈰氧化物。只要錫氧化物和鈰氧化物的以外分比(增量與增加之后的總量之比)換算的添加量總計(jì)為0.02wt% (質(zhì)量百分比)以上，便可期待得到充分的澄清效果。當(dāng)使用含有未溶物的玻璃來制造磁記錄介質(zhì)玻璃基板時(shí)，即使未溶物呈微小且少量，若通過研磨而使未溶物露出于磁記錄介質(zhì)玻璃基板表面上，也會(huì)在磁記錄介質(zhì)玻璃基板表面上產(chǎn)生突起、或者 未溶物脫落后的部分成為凹坑而導(dǎo)致磁記錄介質(zhì)玻璃基板表面的平滑性受損，從而無法作為磁記錄介質(zhì)玻璃基板進(jìn)行使用。相對于此，當(dāng)錫氧化物和鈰氧化物的以外分比換算的添加量總計(jì)為3. 5被％以下時(shí)，由于能夠充分地熔化在玻璃中，因此能夠防止未溶物的混入。另外，Sn或Ce具有在制造晶化玻璃時(shí)生成晶核的作用。由于玻璃A和玻璃B是非晶形玻璃，因此，最好不會(huì)通過加熱而析出結(jié)晶。當(dāng)Sn、Ce的量過多時(shí)，變得容易發(fā)生這樣的結(jié)晶的析出。因此，錫氧化物、鈰氧化物也應(yīng)該避免過量添加。從以上的觀點(diǎn)來看，錫氧化物和鈰氧化物的以外分比換算的添加量總計(jì)優(yōu)選為0. 02 3. 5wt%0錫氧化物和鈰氧化物的以外分比換算的添加量總計(jì)的優(yōu)選范圍為0. I 2. 5wt%，更優(yōu)選的范圍為0. I
I.5wt%，進(jìn)而更優(yōu)選的范圍為0. 5 I. 5wt%。從在玻璃熔融期間于高溫下有效釋放出氧氣的方面來看，作為錫氧化物優(yōu)選使用Sn02。另外，作為澄清劑，也能夠按照外分比的換算方式添加0 lwt%的范圍的硫酸鹽，但是，由于存在在玻璃熔融期間熔融物溢出的危險(xiǎn)，并且玻璃中的雜質(zhì)劇增，因此，優(yōu)選不導(dǎo)入硫酸鹽。另外，Pb、Cd、As等是對環(huán)境帶來不良影響的物質(zhì)，因此，優(yōu)選也避免導(dǎo)入這些物質(zhì)。玻璃A和玻璃B能夠通過將熔融玻璃加以成形來制造，其中，上述熔融玻璃是按照能夠得到規(guī)定的玻璃組成的方式來稱量氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽、硫酸鹽、氫氧化物等的玻璃原料并加以調(diào)和，在充分混合后，在熔融容器內(nèi)以例如1400 1600°C的范圍進(jìn)行加熱熔融，并進(jìn)行澄清、攪拌從而將氣泡充分消除了的均質(zhì)化熔融玻璃。另外，也可以根據(jù)需要在玻璃原料中添加上述澄清劑。玻璃A和玻璃B能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)高耐熱性、高剛性、高熱膨脹系數(shù)這三種特性。以下，對玻璃A和玻璃B所具有的理想的物理性能依次進(jìn)行說明。I.熱膨脹系數(shù)如上所述，當(dāng)構(gòu)成磁記錄介質(zhì)玻璃基板的玻璃與HDD的主軸材料(例如不銹鋼等)的熱膨脹系數(shù)之差大時(shí)，會(huì)因?yàn)镠DD動(dòng)作時(shí)的溫度變化而使磁記錄介質(zhì)變形，從而發(fā)生記錄再生故障等而導(dǎo)致可靠性降低。尤其是具有由高Ku磁性材料形成的磁記錄層的磁記錄介質(zhì)，由于記錄密度極高，因此，即使磁記錄介質(zhì)稍微變形也容易發(fā)生上述故障。一般來說，HDD的主軸材料在100 300°C的溫度范圍內(nèi)具有70X 10_7/°C以上的平均線膨脹系數(shù)(熱膨脹系數(shù))。但是，根據(jù)使用玻璃A或玻璃B并通過本實(shí)施方式的玻璃坯料的制造方法而制造的玻璃坯料、或者使用該玻璃坯料制造的磁記錄介質(zhì)玻璃基板，能夠使100 300°C的溫度范圍內(nèi)的平均線膨脹系數(shù)達(dá)到70X10_7/°C以上。因此，能夠提高上述可靠性，從而能夠提供適合于具有由高Ku磁性材料形成的磁記錄層的磁記錄介質(zhì)的磁記錄介質(zhì)玻璃基板。另夕卜，平均線膨脹系數(shù)的優(yōu)選范圍為72X10_V°C以上，更優(yōu)選的范圍為74X 10_V°C以上，進(jìn)而優(yōu)選的范圍為75X 10_7/°C以上，進(jìn)而更優(yōu)選的范圍為77X 10_7/°C以上，更進(jìn)一步優(yōu)選的范圍為78X 10_7/°C以上，進(jìn)一步更加優(yōu)選的范圍為79X 10_7/°C以上。當(dāng)考慮到主軸材料的熱膨脹特性時(shí)，平均線膨脹系數(shù)的上限優(yōu)選為例如100X 10_7/°C左右，更優(yōu)選為90X Kr7/°C左右，優(yōu)選為88X1(TV°C左右。

2.?；瘻囟热缟纤觯?dāng)通過高Ku磁性材料的導(dǎo)入等來謀求磁記錄介質(zhì)的高記錄密度化時(shí)，在磁性材料的高溫處理等中磁記錄介質(zhì)玻璃基板被暴露在高溫下。此時(shí)，為了不使磁記錄介質(zhì)玻璃基板的極高的平坦性受損，而要求磁記錄介質(zhì)玻璃基板中所使用的玻璃材料具有出色的耐熱性。在此，在使用玻璃A或玻璃B并通過本實(shí)施方式的玻璃坯料的制造方法而制造的玻璃坯料、或者使用該玻璃坯料制造的磁記錄介質(zhì)玻璃基板中，能夠使?；瘻囟冗_(dá)到600°C以上。因此，即使在高溫下對上述磁記錄介質(zhì)玻璃基板進(jìn)行了熱處理之后，也能夠維持出色的平坦性。因此，能夠提供適合制造具有高Ku磁性材料的磁記錄介質(zhì)的磁記錄介質(zhì)玻璃基板。另外，玻璃A和玻璃B的玻化溫度的優(yōu)選范圍為610°C以上，更優(yōu)選的范圍為620°C以上，進(jìn)而優(yōu)選的范圍為630°C以上，進(jìn)而更優(yōu)選的范圍為640°C以上，更進(jìn)一步優(yōu)選的范圍為650°C以上，進(jìn)一步更加優(yōu)選的范圍為655°C以上，更加進(jìn)一步優(yōu)選的范圍為6600C以上，再進(jìn)一步優(yōu)選的范圍為670°C以上，尤其優(yōu)選的范圍為675°C以上，最優(yōu)選的范圍為680°C以上。?；瘻囟鹊纳舷逓槔?50°C左右，但是并沒有特別限定。3.楊氏模量作為磁記錄介質(zhì)的變形，除了由HDD的溫度變化引起的變形之外，還存在由高速旋轉(zhuǎn)引起的變形。從抑制高速旋轉(zhuǎn)時(shí)的變形的方面來看，期望提高磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃的楊氏模量。根據(jù)玻璃A和玻璃B，能夠使楊氏模量為80GPa以上，從而能夠抑制高速旋轉(zhuǎn)時(shí)的基板變形，并且，即使在具有高Ku磁性材料的高記錄密度化的磁記錄介質(zhì)中，也能夠正確地進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取、寫入。楊氏模量的優(yōu)選范圍為SlGPa以上，更優(yōu)選的范圍為82GPa以上。楊氏模量的上限為例如95GPa左右，但是并沒有特別限定。磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃的上述熱膨脹系數(shù)、?；瘻囟纫约皸钍夏Ａ浚蔷哂懈逰u磁性材料的高記錄密度化的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板所要求的重要特性。因此，從提供適合于上述磁記錄介質(zhì)的基板的方面來看，尤其優(yōu)選整體具備100 300°C下的平均線膨脹系數(shù)為70X10_7/°C以上、?；瘻囟葹?00°C以上、楊氏模量為80GPa以上的所有特性。根據(jù)玻璃A和玻璃B，能夠提供整體具備所有上述特性的磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃。4.比彈性模量、比密度
從提供在使磁記錄介質(zhì)高速旋轉(zhuǎn)時(shí)難以變形的基板的方面來看,磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃的比彈性模量優(yōu)選為30MNm/kg以上。比彈性模量的上限為例如35MNm/kg左右，但是并沒有特別限定。比彈性模量是玻璃的楊氏模量除以密度后的值。在此，所謂的“密度”可以認(rèn)為是在玻璃的比密度上加上g/cm3這一單位后的量。通過玻璃的低比密度化，除了能夠增大比彈性模量之外，還能夠?qū)⒋庞涗浗橘|(zhì)玻璃基板輕量化。通過磁記錄介質(zhì)玻璃基板的輕量化，能夠?qū)⒋庞涗浗橘|(zhì)輕量化，從而能夠減少磁記錄介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)所需的電力，由此抑制HDD的消耗電力。磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃的比密度的優(yōu)選范圍為小于3. 0，更優(yōu)選的范圍為2. 9以下，進(jìn)而更優(yōu)選的范圍為2. 85以下。5.液相溫度在將玻璃熔融并將得到的熔融玻璃加以成形時(shí)，當(dāng)成形溫度低于液相溫度時(shí)，玻璃發(fā)生晶化從而無法生產(chǎn)均質(zhì)的玻璃。因此，需要使玻璃成形溫度達(dá)到液相溫度以上。但是，當(dāng)成形溫度超過1300°C時(shí)，例如將熔融玻璃塊24沖壓成形時(shí)所使用的沖壓成形模50、60與高溫的熔融玻璃塊24反應(yīng)，從而容易受到損壞。
另外，存在利用錫氧化物和鈰氧化物產(chǎn)生的澄清效果由于澄清溫度的上升而降低的情況，其中，上述澄清溫度的上升是隨著成形溫度的上升而上升的?？紤]到這一點(diǎn)，液相溫度優(yōu)選為1300°C以下。液相溫度的更優(yōu)選的范圍為1250°C以下，進(jìn)而更優(yōu)選的范圍為1200°C以下。根據(jù)玻璃A和玻璃B，能夠?qū)崿F(xiàn)上述優(yōu)選范圍的液相溫度。液相溫度的下限并沒有特別限定，但是，可以考慮以800°C以上為目標(biāo)即可。6.光譜透射率磁記錄介質(zhì)是經(jīng)過在磁記錄介質(zhì)玻璃基板上成膜包括磁記錄層在內(nèi)的多層膜的工序而生產(chǎn)的。在利用目前主流的集群式(cluster type)成膜方式在磁記錄介質(zhì)玻璃基板上形成多層膜時(shí)，例如首先將磁記錄介質(zhì)玻璃基板導(dǎo)入到成膜裝置的基板加熱區(qū)域中，將磁記錄介質(zhì)玻璃基板加熱至能夠通過濺射等進(jìn)行成膜的溫度。在磁記錄介質(zhì)玻璃基板的溫度充分升溫之后，將磁記錄介質(zhì)玻璃基板搬送到第一成膜區(qū)域中，在磁記錄介質(zhì)玻璃基板上成膜相當(dāng)于多層膜的最下層的膜。接著，將磁記錄介質(zhì)玻璃基板搬送到第二成膜區(qū)域中，在最下層上進(jìn)行成膜。這樣，通過將磁記錄介質(zhì)玻璃基板依次搬送到后段的成膜區(qū)域中并進(jìn)行成膜，而形成多層膜。由于上述的加熱和成膜是在通過真空泵等將氣體排除后的真空下進(jìn)行，因此，磁記錄介質(zhì)玻璃基板的加熱不得不采取非接觸方式。因此，對于磁記錄介質(zhì)玻璃基板的加熱適合通過輻射進(jìn)行加熱。該成膜需要在磁記錄介質(zhì)玻璃基板的溫度還沒有低于適于成膜的溫度之前進(jìn)行。當(dāng)各層的成膜所需的時(shí)間過長時(shí)會(huì)發(fā)生下述那樣的問題，即，加熱后的磁記錄介質(zhì)玻璃基板的溫度降低，從而在后段的成膜區(qū)域中無法得到足夠的基板溫度這樣的問題。為了使磁記錄介質(zhì)玻璃基板長時(shí)間保持能夠成膜的溫度，可以考慮將磁記錄介質(zhì)玻璃基板加熱至更高的溫度，但是，當(dāng)磁記錄介質(zhì)玻璃基板的加熱速度低時(shí)，必須使加熱時(shí)間更長，從而也必須增長基板在加熱區(qū)域中滯留的時(shí)間。因此，各成膜區(qū)域中的磁記錄介質(zhì)玻璃基板的滯留時(shí)間也變長，從而導(dǎo)致在后段的成膜區(qū)域中無法保持足夠的基板溫度。進(jìn)而，提高生產(chǎn)率也變得困難。尤其是在生產(chǎn)具有由高Ku磁性材料形成的磁記錄層的磁記錄介質(zhì)時(shí)，為了在規(guī)定時(shí)間內(nèi)將磁記錄介質(zhì)玻璃基板加熱至高溫，應(yīng)該進(jìn)一步提高磁記錄介質(zhì)玻璃基板的基于輻射的加熱效率。含有Si02、Al2O3的玻璃在包括2750nm 3700nm波長在內(nèi)的區(qū)域中存在吸收峰。另外，通過添加后述的紅外線吸收劑、或者作為玻璃成分而導(dǎo)入后述的紅外線吸收劑，能夠進(jìn)一步提高短波長的輻射的吸收，從而能夠在波長為700nm 3700nm的波段中進(jìn)行吸收。為了通過輻射、即紅外線照射有效地對磁記錄介質(zhì)玻璃基板進(jìn)行加熱，優(yōu)選使用在上述波段中存在光譜的最大波長的紅外線。為了提高加熱速度，可以考慮使紅外線的光譜最大波長與基板的吸收峰波長相匹配并且增加紅外線功率。在作為紅外線源而以高溫狀態(tài)的石墨加熱器為例時(shí)，為了增加紅外線的功率，只要增加石墨加熱器的輸入功率即可。但是，當(dāng)來自石墨加熱器的福射為黑體福射(black-body radiation)時(shí)，由于輸入功率的增加會(huì)使加熱器的溫度上升，因此，紅外線的光譜最大波長向短波長側(cè)移動(dòng)，從而偏離玻璃的上述吸收波段。因此，為了提高磁記錄介質(zhì)玻璃基板的加熱速度，必須過度增大加熱器的消耗功率，從而會(huì)發(fā)生加熱器的壽命變短等的問題。鑒于這一點(diǎn)，優(yōu)選通過進(jìn)一步增大上述波段(波長700nm 3700nm)中的玻璃的
吸收，而以紅外線的光譜最大波長與基板的吸收峰波長接近的狀態(tài)進(jìn)行紅外線的照射，從而不會(huì)使加熱器的輸入功率過大。因此，為了提高紅外線照射加熱效率，作為磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃，優(yōu)選為如下那樣的玻璃，即，在700nm 3700nm的波段中存在換算成厚度2mm的光譜透射率為50%以下的區(qū)域、或者在上述波段的整個(gè)范圍內(nèi)具有換算成厚度2mm的光譜透射率為70%以下的透射系數(shù)特性的玻璃。例如，從鐵、銅、鈷、鐿、錳、釹、鐠、鈮、鈰、釩、鉻、鎳、鑰、欽以及鉺中選擇的至少一種金屬的氧化物，能夠作為紅外線吸收劑發(fā)揮作用。另外，由于水分或者水分中所含的OH基在3 波段中具有強(qiáng)吸收，因此，水分也能夠作為紅外線吸收劑發(fā)揮作用。通過在玻璃A和玻璃B中導(dǎo)入適量的上述能夠作為紅外線吸收劑發(fā)揮作用的成分，能夠?qū)ΣＡ和玻璃B賦予上述理想的吸收特性。上述能夠作為紅外線吸收劑發(fā)揮作用的氧化物的添加量，作為氧化物以質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)計(jì)優(yōu)選為500ppm 5%,更優(yōu)選為2000ppm 5%,進(jìn)而更優(yōu)選為2000ppm 2%,更進(jìn)一步優(yōu)選為4000ppm 2%的范圍。另外,關(guān)于水分，以H2O換算的重量標(biāo)準(zhǔn)計(jì)優(yōu)選含有超過200ppm，更優(yōu)選含有220ppm以上。另外，在作為玻璃成分而導(dǎo)入Yb203、Nb205時(shí)、或者作為澄清劑而添加鈰氧化物時(shí)，能夠?qū)⒒谶@些成分的紅外線吸收利用于基板加熱效率的提高中。[磁記錄介質(zhì)玻璃基板的制造方法]本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)玻璃基板的制造方法的特征在于，至少經(jīng)過研磨工序來制造磁記錄介質(zhì)玻璃基板，其中，上述研磨工序是對通過本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料的制造方法而制造的玻璃坯料的主表面進(jìn)行研磨的工序。另外，在本申請說明書中，所謂的“磁記錄介質(zhì)玻璃基板”，優(yōu)選為非晶質(zhì)玻璃制基板、也就是由非晶形玻璃形成的基板。玻璃類基板大致分類的話有非晶質(zhì)玻璃基板和對非晶質(zhì)玻璃進(jìn)行熱處理而使其晶化的晶化玻璃基板。由于用于晶化的熱處理通常是在比?；瘻囟雀叩臏囟认逻M(jìn)行，因此，即使使用平坦性良好或者板厚偏差小的玻璃坯料，通過用于晶化的熱處理也會(huì)使玻璃發(fā)生變形，從而導(dǎo)致使用玻璃坯料的意義降低或者受損。只要是制造非晶質(zhì)玻璃基板，便無需在高溫下對玻璃坯料進(jìn)行處理。因此，可以說在制造磁記錄介質(zhì)玻璃基板時(shí)使用平坦性良好或者板厚偏差小的玻璃坯料的意義大。
在制造磁記錄介質(zhì)玻璃基板時(shí)，首先，對沖壓成形得到的玻璃坯料進(jìn)行劃線(scribe)。所謂的“劃線”，是指為了將成形后的玻璃坯料形成為規(guī)定尺寸的環(huán)狀，而利用超硬合金制或由金剛砂形成的劃線器在玻璃坯料的表面上設(shè)置兩條同心圓(內(nèi)側(cè)同心圓和外側(cè)同心圓)狀的切割線(線狀傷痕)。另外，殘留在玻璃還料上的切痕(shear mark)局部存在于內(nèi)側(cè)同心圓的內(nèi)側(cè)。將被劃線為兩個(gè)同心圓形狀的玻璃坯料局部地加熱,從而通過玻璃的熱膨脹的差異而將外側(cè)同心圓的外側(cè)部分和內(nèi)側(cè)同心圓的內(nèi)側(cè)部分除去，由此形成為正圓狀的圓盤狀玻璃。在進(jìn)行劃線加工時(shí)，只要玻璃坯料的主表面的粗糙度在Ium以下，便能夠使用劃線器適當(dāng)?shù)卦O(shè)置切割線。另外，在玻璃坯料的主表面的粗糙度超過Ium時(shí)，存在劃線器不會(huì)追隨(效仿)表面凹凸而同樣地設(shè)置切割線變得困難的情況。該情況下，在將玻璃坯料的主表面平滑化之后進(jìn)行劃線。接著，進(jìn)行劃線后的玻璃的形狀加工。形狀加工包括倒角(外周端部和內(nèi)周端部的倒角)。在進(jìn)行倒角中，利用金剛石砂輪對環(huán)狀的玻璃的外周端部和內(nèi)周端部實(shí)施倒角。 接著，進(jìn)行圓盤狀玻璃的端面研磨。在進(jìn)行端面研磨中，利用電刷研磨對玻璃的內(nèi)周側(cè)端面和外周側(cè)端面進(jìn)行鏡面精加工。此時(shí)，使用作為浮懸磨粒而含有氧化鈰等的微粒的漿料。通過進(jìn)行端面研磨而進(jìn)行玻璃端面上的附著有塵埃等的污染、損壞或傷痕等的損傷的除去，由此能夠防止發(fā)生鈉或鉀等成為溶蝕的原因的離子析出。接著，對圓盤狀玻璃的主表面實(shí)施第一研磨。第一研磨的目的在于除去殘留在主表面上的傷痕、變形?；诘谝谎心サ募庸び嗔繛槔鐢?shù)Pm IOiim左右。由于不用進(jìn)行加工余量大的磨削工序，因此，不會(huì)在玻璃上產(chǎn)生因磨削工序而引起的傷痕、變形等。因此，第一研磨工序中的加工余量小亦可。在第一研磨工序和后述的第二研磨工序中使用雙面研磨裝置。雙面研磨裝置是使用研磨墊并使圓盤狀玻璃和研磨墊相對移動(dòng)而進(jìn)行研磨的裝置。雙面研磨裝置具有研磨用行星架安裝部以及上研磨盤和下研磨盤，其中，上述研磨用行星架安裝部具有分別以規(guī)定的轉(zhuǎn)速比被旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的內(nèi)齒輪和恒星齒輪，上述上研磨盤和下研磨盤夾著該研磨用行星架安裝部而相互被反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)。在上研磨盤和下研磨盤的與圓盤狀玻璃相對置的面上，分別貼有后述的研磨墊。以與內(nèi)齒輪和恒星齒輪嚙合的方式安裝的研磨用行星架進(jìn)行行星齒輪運(yùn)動(dòng)，并一邊自轉(zhuǎn)一邊繞恒星齒輪公轉(zhuǎn)。研磨用行星架上分別保持有多個(gè)圓盤狀玻璃。上研磨盤能夠沿上下方向移動(dòng)，從而將研磨墊按壓在圓盤狀玻璃的表面和背面的主表面上。然后，一邊供給含有研磨磨粒(磨料)的漿料(研磨液)，一邊進(jìn)行研磨用行星架的行星齒輪運(yùn)動(dòng)和上研磨盤與下研磨盤相互反轉(zhuǎn)，由此使圓盤狀玻璃與研磨墊相對移動(dòng)，從而圓盤狀玻璃的表面和背面的主表面被進(jìn)行研磨。另外，在第一研磨工序中，作為研磨墊而使用例如硬質(zhì)樹脂磨光器、作為磨料而使用例如氧化鈰磨粒。接著，對第一研磨后的圓盤狀玻璃進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化。作為化學(xué)強(qiáng)化液，可以使用例如硝酸鉀的熔融鹽等。在進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化時(shí)，在化學(xué)強(qiáng)化液被加熱至例如300°C 400°C、且清洗后的玻璃被預(yù)熱至例如200°C 300°C之后，將玻璃在化學(xué)強(qiáng)化液中浸泡例如3小時(shí) 4小時(shí)。在該浸泡時(shí)，優(yōu)選以多塊玻璃按照在端面處被保持的方式收納于支架中的狀態(tài)進(jìn)行，以使玻璃的兩個(gè)主表面整體被化學(xué)強(qiáng)化。
這樣，通過將玻璃浸泡在化學(xué)強(qiáng)化液中，玻璃表層的鈉離子分別被化學(xué)強(qiáng)化液中的離子半徑相對較大的鉀離子置換，從而形成約50 ii m 200 V- m厚度的壓縮應(yīng)力層。由此使得玻璃被強(qiáng)化從而具備良好的抗沖擊性。另外，對被化學(xué)強(qiáng)化處理后的玻璃進(jìn)行清洗。例如，在利用硫酸清洗之后，利用純水、IPA(異丙醇)等進(jìn)行清洗。接著，對被化學(xué)強(qiáng)化且充分清洗后的玻璃實(shí)施第二研磨?；诘诙心サ募庸び嗔繛槔鏘 Pm左右。第二研磨的目的在于將主表面精加工成鏡面狀。在第二研磨工序中，與第一研磨工序同樣地使用雙面研磨裝置對圓盤狀玻璃進(jìn)行研磨，但是，所使用的研磨液(漿料)中所含的研磨磨粒以及研磨墊的組成有所不同。與第一研磨工序相比，第二研磨工序中所使用的研磨磨粒的粒徑變小，且研磨墊的硬度變軟。例如在第二研磨工序中，作為研磨墊而使用例如軟質(zhì)泡沫樹脂磨光器、作為磨料而使用例如比第一研磨工序中所使用的氧化鈰磨粒更細(xì)小的氧化鈰磨粒。對第二研磨工序中被研磨的圓盤狀玻璃再次進(jìn)行清洗。清洗中使用中性洗劑、純水、IPA。通過第二研磨，得到主表面的平坦度為4 y m以下且主表面的粗糙度為0. 2nm以下 的磁盤用玻璃基板。然后，在磁盤用玻璃基板上成膜磁性層等各種層，從而制造磁盤。另外，化學(xué)強(qiáng)化工序雖然是在第一研磨工序與第二研磨工序之間進(jìn)行，但是并不限于該順序。只要是在第一研磨工序之后進(jìn)行第二研磨工序，便可以適宜地配置化學(xué)強(qiáng)化工序。例如，也可以是第一研磨工序一第二研磨工序一化學(xué)強(qiáng)化工序(以下，稱為“工序順序I”)的順序。但是，由于在工序順序I中不能除去因化學(xué)強(qiáng)化工序而產(chǎn)生的表面凹凸，因此，更優(yōu)選為第一研磨工序一化學(xué)強(qiáng)化工序一第二研磨工序的工序順序。[磁記錄介質(zhì)的制造方法]本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)的制造方法的特征在于,至少經(jīng)過磁記錄層形成工序來制造磁記錄介質(zhì)，其中，上述磁記錄層形成工序是在通過本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)玻璃基板的制造方法而制造的磁記錄介質(zhì)玻璃基板上形成磁記錄層的工序。磁記錄介質(zhì)被稱為磁盤、硬盤等，適合于臺式計(jì)算機(jī)、服務(wù)器用計(jì)算機(jī)、筆記本電腦、便攜式計(jì)算機(jī)等的內(nèi)存儲器(固定磁盤等)、將圖像和/或聲音記錄再生的便攜式記錄再生裝置的內(nèi)存儲器、車載音響的記錄再生裝置等。磁記錄介質(zhì)構(gòu)成為例如在基板的主表面上從靠近上述主表面?zhèn)乳_始依次至少層壓有附著層、基底層、磁性層(磁記錄層)、保護(hù)層、潤滑層。例如將磁記錄介質(zhì)玻璃基板導(dǎo)入到真空的成膜裝置內(nèi)，并利用直流磁控濺射法在氬氣氣氛中在磁記錄介質(zhì)玻璃基板的主表面上依次成膜附著層至磁性層的層。作為附著層例如可以使用CrTi，作為基底層例如可以使用CrRu。在上述成膜后，通過例如CVD法(化學(xué)氣相沉積法)并使用C2H4成膜保護(hù)層，并且，在同一腔室內(nèi)對表面進(jìn)行導(dǎo)入氮的氮化處理，由此能夠形成磁記錄介質(zhì)。然后，通過浸涂法將例如PFPE(全氟聚醚)涂敷在保護(hù)層上，由此能夠形成潤滑層。如以上所說明，為了磁記錄介質(zhì)的更進(jìn)一步的高記錄密度化，優(yōu)選由高Ku磁性材料形成磁記錄層。從這一點(diǎn)來看，作為優(yōu)選的磁性材料，可以舉出Fe-Pt系磁性材料或者Co-Pt系磁性材料。另外，此處所說的“系”是指含有的意思。即，通過本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)的制造方法得到的磁記錄介質(zhì)，優(yōu)選作為磁記錄層而具有含有Fe和Pt、或者Co和Pt的磁記錄層。相對于例如Co-Cr系等目前通用的磁性材料的成膜溫度為250 300°C左右，而Fe-Pt系磁性材料、Co-Pt系磁性材料的成膜溫度通常為超過500°C的高溫。進(jìn)而，由于這些磁性材料通常在成膜后晶體取向一致，因此，以超過成膜溫度的溫度實(shí)施高溫的熱處理(退火)。因此，在使用Fe-Pt系磁性材料或者Co-Pt系磁性材料形成磁記錄層時(shí)，磁記錄介質(zhì)玻璃基板被暴露在上述高溫中。在此，當(dāng)構(gòu)成磁記錄介質(zhì)玻璃基板的玻璃的耐熱性不佳時(shí)，在高溫下會(huì)發(fā)生變形從而導(dǎo)致平坦性受損。相對于此，構(gòu)成通過本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)的制造方法而得到的磁記錄介質(zhì)的磁記錄介質(zhì)玻璃基板，具有出色的耐熱性。因此，即使在使用Fe-Pt系磁性材料或者Co-Pt系磁性材料形成了磁記錄層之后，該磁記錄介質(zhì)玻璃基板也能夠維持高的平坦性。上述磁記錄層能夠通過下述那樣來形成，即，在例如氬氣氣氛中利用直流磁控濺射法將Fe-Pt系磁性材料或者Co-Pt系磁性材料進(jìn)行成膜，接著在加熱爐內(nèi)以更高的溫度實(shí)施熱處理。但是，Ku (磁晶各向異性能量常數(shù))與矯頑磁力He成比例。所謂的“矯頑磁力He”，表示磁化反轉(zhuǎn)的磁場的強(qiáng)度。如之前所說明，高Ku磁性材料相對于熱波動(dòng)而具有抗性，因此，即使將磁性顆粒微?；搽y以因?yàn)闊岵▌?dòng)而引起磁化區(qū)域的劣化，作為適于高記錄密 度化的材料而被認(rèn)知。但是，如上所述由于Ku與He呈成比例關(guān)系，因此越是提高Ku則He也變得越高，即，變得難以通過磁頭而使磁化反轉(zhuǎn)，從而信息的寫入變困難。因此，在通過記錄磁頭進(jìn)行信息的寫入時(shí)，由磁頭瞬間向數(shù)據(jù)寫入?yún)^(qū)域施加能量從而使矯頑磁力降低，由此來輔助高Ku磁性材料的磁化反轉(zhuǎn)的記錄方式，近年來備受關(guān)注。這樣的記錄方式被稱為“能量輔助記錄方式”，其中，通過激光的照射來輔助磁化反轉(zhuǎn)的記錄方式被稱為“熱輔助記錄方式”，通過微波進(jìn)行輔助的記錄方式被稱為“微波輔助記錄方式”。如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)的制造方法，能夠利用高Ku磁性材料形成磁記錄層，因此，通過高Ku磁性材料與能量輔助記錄的組合,能夠?qū)崿F(xiàn)例如面記錄密度超過lTB/inch2的高密度記錄。另外，熱輔助記錄方式在例如IEEE TRANSACTIONS ONMAGNETICS, VOL. 44，No. 1，JANUARY 2008119中有詳細(xì)記載，微波輔助記錄方式在例如IEEETRANSACTIONS ON MAGNETICS,VOL. 44,No. I, JANUARY2008125 中有詳細(xì)記載，在本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)的制造方法中，也可以利用這些文獻(xiàn)中記載的方法進(jìn)行能量輔助記錄。磁記錄介質(zhì)玻璃基板(例如磁盤基板)、磁記錄介質(zhì)(例如磁盤)的尺寸均沒有特別限制，但是，由于能夠?qū)崿F(xiàn)高記錄密度化，因此能夠?qū)⒔橘|(zhì)和基板小型化。當(dāng)然適合作為例如公稱直徑為2. 5英寸的磁盤基板或磁盤，還適合作為小直徑(例如I英寸)的磁盤基板或磁盤。實(shí)施例以下，根據(jù)實(shí)施例對本發(fā)明更加詳細(xì)地進(jìn)行說明，但是，本發(fā)明并不限于以下的實(shí)施例。<玻璃組成和各種物理性能>為了能夠得到表I 表5所示的No. I 13的玻璃，將氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽、氫氧化物等的原料進(jìn)行稱量并充分混合而制成調(diào)和原料。將該原料投入到玻璃熔化爐內(nèi)的熔融槽內(nèi)并進(jìn)行加熱、熔融，使得到的熔融玻璃從熔融槽流到澄清槽內(nèi)并在澄清槽內(nèi)進(jìn)行脫泡,進(jìn)而使熔融玻璃流到作業(yè)槽中并在作業(yè)槽內(nèi)進(jìn)行攪拌而使其均質(zhì)化后,使熔融玻璃從安裝在作業(yè)槽底部的玻璃流出管流出。
熔融槽、澄清槽、作業(yè)槽、玻璃流出管的溫度分別被控制，從而在各工序中玻璃的溫度、粘度被保持為最佳狀態(tài)。將從玻璃流出管流出的熔融玻璃在鑄模中澆鑄成形。將得到的玻璃作為試樣，并對以下所示的特性進(jìn)行了測量。各特性的測量方法如下所示。(I)?；瘻囟萒g、熱膨脹系數(shù)使用熱機(jī)械分析儀(TMA)對各玻璃的?；瘻囟萒g和100 300°C下的平均線膨脹系數(shù)a進(jìn)行了測量。(2)楊氏模量利用超聲波法對各玻璃的楊氏模量進(jìn)行了測量。(3)比密度利用阿基米德法對各玻璃的比密度進(jìn)行了測量。
(4)比彈性模量由上述(2)中得到的楊氏模量和(3)中得到的比密度計(jì)算出了比彈性模量。(5)液相溫度將玻璃試樣裝入鉬坩堝中并在規(guī)定溫度下保持2小時(shí)，在從爐內(nèi)取出并冷卻后，利用顯微鏡來觀察有無結(jié)晶析出，并將未發(fā)現(xiàn)結(jié)晶的最低溫度設(shè)為液相溫度(L. T.)。將各玻璃的組成和特性表示于表I 表7中。[表 I]
—.2. 丨 ￥ :
__摩爾酉分比i_質(zhì)量百分比百分比[質(zhì)量百分比靡爾百分Itj質(zhì)量實(shí)分比:
_SiO2_ 66 ；2 ; 62,4 62.0 ; 598 .65.4 ; 61.2 ；
_Ai2O3__0.5 丨 0:8__0.4 I 0:7__0,4 } 0.6 ;
_B1Os__0-0 丨 0.0__0.0 丨 0.0__0.0 I 0.0
_U2O_ 0.0 0—0 — 0.0 丨 0.00,0 I QQ
_Na^O_ 33 I 3.2 —3.2 丨 3.23.3 I 3；2
_KsO__6-2 ; 9.2__4.4 丨 8.6__6.2 9.1
_Cs2Q__0.0 ; 0.0__0—0 丨 0.0__D.0 ; 0-0
MgQ6.5 ； 4.1__9. 6.2__6.5 ； 4.1
_CaO_ 12.5 I 11.0 —15。6 I 14.0 12,5 I 10.9
~SrO— 0.0 I 0.0 _ 0.0 丨 0.0 ~ 0.0 ; 0.0
_BaO__0.0 0.0__0.0 丨 0,0__0.0 ■ 0.0
_ZnO_ 0.0 PO — 0.0 I QO 0.0' 0；Q
_TxO1__4.8 丨 9.3__4.8 丨 15__5:7 ; 109
_TiO1__0.0 丨 0.0__0.0 丨 0.0__0.0 ■ 0.0
_La2O3__0-0 丨 0.0__Q.0 丨 0.0__0.0 I 0.Q_V1Os_ 0.0 I 0.0 ~0.0 I 0.0 D.Q I 0:0
組成 _Yb2Q3__0.00.0__0.0丨0.0__0,0■0.0
_Ta2O5__0.0'；0.0__0,0;0,0__0,00.Q
_NbzO5__0.0丨0.0__0.0丨0.0__0.D;0.0
_HfO^__0.0;0.0__0.0丨0.0__0.0;0.0
—總計(jì)—100,0 丨100,0 — 100,0I100.0 — 100.0I100,0
_SiQg+Alg03+Bg03__66.7；63.2 62.4|60.5 65.8|61:.8
_LigO+NagO+KgO+CsgO__9.5;12.4__7.6丨9.8__9.5;；12.3
_NagO+KgO__9.5丨12.47.6丨9.8__9.5I12.3
(Na2Q+K2Q)/(Li2Q+NagQ+K20+Gs20) l.OI1.0— KQI1.0l；0IhO
—MMQ+CaO+SrO+BaO 19.0I15.1 一 25 2T20.2" 19015:0
_MgO 十 Ca。__19.0I15.125.2■20.219.0■15.0
_SrQ+BaO_ 0.0；O Q~ Q Q；Q OQ Q；0:0
(MRQ+CaO)/(MgO+GaQ+SrQ+BaO)__1.0丨 1.0__1.0丨 1.0__1,0I 1.0
_AlgO3Z(MgO^CaO)__0.026;0.065 0.018 0.071 0.021；0.049
AI2O3ZCaO 0.D4Q;0.073 0.026 0.050 Q .032;0.055
A01O0 4:.8:；9:3； 4.8:； 9;5制；W；^
I ZrQ2/Am0.n I .1:.0:；^Xi I .1.0: 1.0 J IDI 1Q ；(注M111On 是指 ZrO2, TiO2' La2O3, Y2O3' Yb2O3' Ta2O5' Nb2O5 以及 HfO2 的總計(jì)含有量。
權(quán)利要求
1.一種磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料的制造方法，其特征在于， 至少經(jīng)過沖壓成形工序來制造磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料， 在所述沖壓成形工序中，利用第一沖壓成形模和第二沖壓成形模對下落中的熔融玻璃塊進(jìn)行沖壓成形，所述第一沖壓成形模和所述第二沖壓成形模在與所述熔融玻璃塊的下落方向垂直的方向上對置而配置； 構(gòu)成所述熔融玻璃塊的玻璃材料的?；瘻囟葹?00°C以上； 在通過所述沖壓成形工序的實(shí)施，使所述熔融玻璃塊在所述第一沖壓成形模的沖壓成形面與所述第二沖壓成形模的沖壓成形面之間被完全擠壓展開從而成形為板狀玻璃時(shí)，所述第一沖壓成形模和所述第二沖壓成形模的沖壓成形面的至少與所述板狀玻璃相接觸的區(qū)域?yàn)槁云教沟拿妗?br> 2.如權(quán)利要求I所述的磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料的制造方法，其特征在于， 所述磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料在100°C 300°C下的平均線膨脹系數(shù)為70X1(TV°C以上，并且楊氏模量為70GPa以上。
3.如權(quán)利要求I或2所述的磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料的制造方法，其特征在于，以摩爾百分比表示，所述玻璃材料的玻璃組成包括 50% 75% 的 SiO2' 0% 5%的 Al2O3' 0% 3%的 Li20、 0% 5%的 ZnO、 共計(jì)3% 15%的選自Na2O和K2O的至少一種成分、 共計(jì)14% 35%的選自MgO、CaO、SrO及BaO的至少一種成分、以及共計(jì) 2% 9% 的選自 ZrO2, TiO2' La203、Y2O3> Yb2O3' Ta2O5' Nb2O5 以及 HfO2 的至少一種成分，并且， 摩爾比{(MgO+CaO) / (MgO+CaO+SrO+BaO)}在 0.8 I 的范圍內(nèi)，且摩爾比(Al2O3/(Mg0+Ca0)}在0 0. 30的范圍內(nèi)。
4.如權(quán)利要求I或2所述的磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料的制造方法，其特征在于，以摩爾百分比表示，所述玻璃材料的玻璃組成包括 56% 75% 的 SiO2'1% 11% 的 Al2O3' 大于0%且小于等于4%的Li20、 大于等于I %且小于15%的Na20、以及 大于等于0%且小于3%的K2O,并且實(shí)質(zhì)上不含BaO ； 選自由Li20、Na2O以及K2O構(gòu)成的群中的堿金屬氧化物的總計(jì)含有量在6% 15%的范圍內(nèi)； Li2O的含有量與Na2O的含有量的摩爾比(Li20/Na20)小于0. 50 ； K2O的含有量與所述堿金屬氧化物的總計(jì)含有量的摩爾比IK2O/(Li2CHNa2CHK2O)}為.0. 13以下； 選自由MgO、CaO以及SrO構(gòu)成的群中的堿土族金屬氧化物的總計(jì)含有量在10% 30%的范圍內(nèi)；MgO和CaO的總計(jì)含有量在10% 30%的范圍內(nèi)； MgO和CaO的總計(jì)含有量與所述堿土族金屬氧化物的總計(jì)含有量的摩爾比{(MgO+CaO) / (MgO+CaO+SrO)}為 0. 86 以上； 所述堿金屬氧化物和堿土族金屬氧化物的總計(jì)含有量在20% 40%的范圍內(nèi)； MgO>CaO以及Li2O的總計(jì)含有量與所述堿金屬氧化物和堿土族金屬氧化物的總計(jì)含有量的摩爾比{(Mg0+Ca0+Li20) / (Li20+Na20+K20+Mg0+Ca0+Sr0)}為 0. 50 以上； 選自由Zr02、TiO2, Y2O3> La203、Gd203、Nb2O5以及Ta2O5構(gòu)成的群中的氧化物的總計(jì)含有量大于0%且小于等于10% ；所述氧化物的總計(jì)含有量與Al2O3的含有量的摩爾比{(Zr02+Ti02+Y203+La203+Gd203+Nb205+Ta205)/Al2O3I 為 0. 40 以上。
5.如權(quán)利要求I 4中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃還料的制造方法,其特征在于， 將調(diào)制成規(guī)定的玻璃組成的玻璃原料加熱并熔融，從而制造熔融玻璃， 使所述熔融玻璃從玻璃流出口垂下，并將朝向垂直方向的下方側(cè)連續(xù)地流出的熔融玻璃流的前端部切斷，由此形成所述熔融玻璃塊， 所述熔融玻璃流的粘度在500dPa s 1050dPa s的范圍內(nèi)被維持為固定值。
6.—種磁記錄介質(zhì)玻璃基板的制造方法，其特征在于， 在至少經(jīng)過沖壓成形工序而制造了磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料之后，至少經(jīng)過研磨工序來制造磁記錄介質(zhì)玻璃基板， 在所述沖壓成形工序中，利用第一沖壓成形模和第二沖壓成形模對下落中的熔融玻璃塊進(jìn)行沖壓成形，所述第一沖壓成形模和所述第二沖壓成形模在與所述熔融玻璃塊的下落方向垂直的方向上對置而配置， 在所述研磨工序中，對所述磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料的主表面進(jìn)行研磨，并且， 構(gòu)成所述熔融玻璃塊的玻璃材料的?；瘻囟葹?00°C以上， 在通過所述沖壓成形工序的實(shí)施，使所述熔融玻璃塊在所述第一沖壓成形模的沖壓成形面與所述第二沖壓成形模的沖壓成形面之間被完全擠壓展開從而成形為板狀玻璃時(shí)，所述第一沖壓成形模和所述第二沖壓成形模的沖壓成形面的至少與所述板狀玻璃相接觸的區(qū)域?yàn)槁云教沟拿妗?br> 7.一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在至少經(jīng)過沖壓成形工序而制造了磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料之后，至少經(jīng)過研磨工序而制造磁記錄介質(zhì)玻璃基板，進(jìn)而，至少經(jīng)過磁記錄層形成工序來制造磁記錄介質(zhì)，在所述沖壓成形工序中，利用第一沖壓成形模和第二沖壓成形模對下落中的熔融玻璃塊進(jìn)行沖壓成形，所述第一沖壓成形模和所述第二沖壓成形模在與所述熔融玻璃塊的下落方向垂直的方向上對置而配置， 在所述研磨工序中，對所述磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃還料的主表面進(jìn)行研磨， 在所述磁記錄層形成工序中，在所述磁記錄介質(zhì)玻璃基板上形成磁記錄層，并且， 構(gòu)成所述熔融玻璃塊的玻璃材料的?；瘻囟葹?00°C以上， 在通過所述沖壓成形工序的實(shí)施，使所述熔融玻璃塊在所述第一沖壓成形模的沖壓成形面與所述第二沖壓成形模的沖壓成形面之間被完全擠壓展開從而成形為板狀玻璃時(shí)，所述第一沖壓成形模和所 述第二沖壓成形模的沖壓成形面的至少與所述板狀玻璃相接觸的區(qū)域?yàn)槁云教沟拿妗?br> 全文摘要
本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料的制造方法、使用該磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料的磁記錄介質(zhì)玻璃基板的制造方法以及磁記錄介質(zhì)的制造方法中，能夠得到通過后加工而耐熱性出色的磁記錄介質(zhì)玻璃基板，并且得到板厚偏差和平坦度出色且裂縫缺陷也少的玻璃坯料；該磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料的制造方法的特征在于，至少經(jīng)過沖壓成形工序來制造玻璃坯料，其中，該沖壓成形工序是利用一對沖壓成形模對下落中的熔融玻璃塊進(jìn)行沖壓成形的工序，該一對沖壓成形模在與該熔融玻璃塊的下落方向垂直的方向上對置而配置，并且，構(gòu)成熔融玻璃塊的玻璃材料的?；瘻囟葹?00℃以上，在通過沖壓成形工序的實(shí)施而使熔融玻璃塊在一對沖壓成形模的沖壓成形面之間被完全擠壓展開從而成形為板狀玻璃時(shí)，一對沖壓成形模的沖壓成形面的至少與板狀玻璃相接觸的區(qū)域?yàn)槁云教沟拿妗?br> 文檔編號C03C3/085GK102811957SQ201180014460
公開日2012年12月5日 申請日期2011年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月31日
發(fā)明者大澤誠, 村上明, 杉山伸博, 佐藤崇, 松本奈緒美, 蜂谷洋一, 越阪部基延, 磯野英樹, 谷野秀和, 本橋孝朗 申請人:Hoya株式會(huì)社