專利名稱：具有第一和第二基板的構(gòu)件及其制造方法
具有第一和第二基板的構(gòu)件及其制造方法本專利申請要求德國專利申請102009019518. 1和102009036395. 5的優(yōu)先權(quán)，其各個(gè)的公開內(nèi)容引于此文。本發(fā)明涉及一種具有第一和第二基板的構(gòu)件。此外，本發(fā)明還涉及這種構(gòu)件的制造方法。置于兩基板之間的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)可利用粘合劑層密封。所述粘合劑層存在于兩基板之間。所述粘合劑例如由UV-輻射硬化。因?yàn)樗稣澈蟿邮遣煌耆煌秆鹾筒煌杆羝?，所以這些氣體可逐漸經(jīng)粘合劑層擴(kuò)散入OLED中。因?yàn)樗鯫LED是不耐氧和不耐氫的，所以會導(dǎo)致OLED受損以及導(dǎo)致OLED的壽命降低。為提高OLED的壽命，可在基板之一中形成孔穴，并在所述孔穴中加入吸氣劑。吸氣劑特別是一種化學(xué)反應(yīng)性材料，其用于保持盡可能長的真空。在吸氣劑的表面上，氣體分子與吸氣劑材料的原子發(fā)生直接的化學(xué)接合或所述氣體分子通過吸收而固定。以此方式“俘獲”氣體分子。但通過在基板之一中形成的孔穴和通過加入到孔穴中的吸氣劑卻不利地增加了這種構(gòu)件的成本和制造耗費(fèi)。例如由US 6998776B2已知一種具有兩個(gè)基板和置于其中的OLED的裝置。本發(fā)明的目的在于提供一種改進(jìn)型的構(gòu)件，其可保護(hù)有機(jī)的光電子元件免受環(huán)境影響，同時(shí)其具有低成本和簡化的制造過程。所述目的特別是通過具有權(quán)利要求1的技術(shù)特征的構(gòu)件和具有權(quán)利要求13的技術(shù)特征的其制造方法實(shí)現(xiàn)的。所述構(gòu)件及其制造方法的有利的實(shí)施方案和優(yōu)選的擴(kuò)展方案列于從屬權(quán)利要求中。在所述構(gòu)件的一個(gè)實(shí)施方案中提供第一基板和第二基板，在所述第一基板上布置有至少一個(gè)包含至少一種有機(jī)材料的光電子元件。所述第一基板和所述第二基板優(yōu)選如此相對布置，以使所述光電子元件置于所述第一基板和第二基板之間。在另一個(gè)實(shí)施方案中，第一基板和所述第二基板之間布置有連接材料，所述材料包圍所述光電子元件，并且以機(jī)械方式相互連接所述第一和第二基板。優(yōu)選是所述連接材料環(huán)繞所述光電子元件。特別優(yōu)選是所述連接材料完全環(huán)繞所述光電子元件。例如所述連接材料呈框形包圍所述光電子元件。所述連接材料優(yōu)選是含氧化銀的，其氧化銀的含量為大于0重量％和小于100重量％，優(yōu)選在5重量％和80重量％之間且包括5重量％，更理想是在10重量％和70重量％ 之間且包括10重量％。特別是所述氧化銀不是源于雜質(zhì)，而是作為組分或摻雜物有意地加入到所述連接材料中。所述連接材料優(yōu)選包含至少一種用于改變，優(yōu)選用于降低所述連接材料的熱膨脹系數(shù)的填料。在一個(gè)特別優(yōu)選的實(shí)施方案中，所述構(gòu)件具有第一基板和第二基板，在所述第一基板上布置有至少一個(gè)含至少一種有機(jī)材料到光電子元件。所述第一基板和第二基板如此相對布置，以使所述光電子元件置于所述第一基板和所述第二基板之間。所述第一基板和第二基板之間布置有連接材料，所述連接材料包圍所述光電子元件，并且使所述第一和第二基板以機(jī)械方式相互連接。所述連接材料包含含量為20至70重量％且包括兩端點(diǎn)的氧化銀。此外，所述連接材料還包含至少一種用于改變，優(yōu)選用于降低所述連接材料的熱膨脹系數(shù)的填料。所述光電子元件優(yōu)選完全由第一基板、第二基板和連接材料所包圍。所述兩基板和所述連接材料優(yōu)選形成其中布置有光電子元件的封閉的小室。所述小室由兩基面特別是第一基板和第二基板和側(cè)面特別是連接材料組裝成，所述側(cè)面與所述兩基面相互連接。在所述連接材料和光電子元件之間優(yōu)選有間距。特別優(yōu)選的是，所述連接材料在第一基板上布置在所述光電子元件旁邊，所述連接材料與所述光電子元件呈橫向間隔。特別是所述連接材料不與所述光電子元件相接觸。特別優(yōu)選通過連接材料來實(shí)現(xiàn)保護(hù)所述有機(jī)的光電子元件特別是免受環(huán)境影響， 所述連接材料如此布置在第一和第二基板之間，以使所述連接材料在第一基板和第二基板之間呈機(jī)械連接。環(huán)境影響特別意指空氣和/或濕汽進(jìn)入所述構(gòu)件?？諝夂?或濕汽進(jìn)入所述構(gòu)件會導(dǎo)致所述有機(jī)的光電子元件受損或完全導(dǎo)致其失效。排除水蒸汽、氧和濕汽的結(jié)果有利地增加所述光電子元件的壽命。此外，還有利地降低吸氣劑的用量或完全不使用吸氣劑。由此有利地得到可簡化制造的和可低成本制造的構(gòu)件。所述不透空氣的封閉優(yōu)選利用含氧化銀和至少一種填料的連接材料實(shí)現(xiàn)，其氧化銀的含量大于O重量％和小于100重量％，優(yōu)選在5重量％和80重量％之間且包括5重量％，更理想是在10重量％和70重量％之間且包括10重量％，所述填料用于改變，優(yōu)選用于降低所述連接材料的熱膨脹系數(shù)。例如在專利文獻(xiàn)DE 4128804A1和DE 2222771A1中描述了一種包含在20重量％ 和70重量％之間的氧化銀玻璃焊劑及其制造，其公開內(nèi)容通過引用并入本文。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，所述連接材料的氧化銀的含量為大于0重量％和小于 100重量％，優(yōu)選在5重量％和80重量％之間且包括5重量％，更理想是在10重量％ 70重量％之間且包括10重量％。在另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，所述連接材料包含無鉛玻璃。特別優(yōu)選是所述連接材料是無鉛玻璃。在另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，所述連接材料包含低熔點(diǎn)玻璃。特別優(yōu)選是所述連接材料是低熔點(diǎn)玻璃。更優(yōu)選，所述連接材料是無鉛低熔點(diǎn)玻璃。低熔點(diǎn)玻璃特別是在低于600°C，優(yōu)選低于500°C，特別優(yōu)選低于400°C，理想是低于350°C的烘烤溫度下具有非常低的軟化點(diǎn)的玻璃。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，所述連接材料包含玻璃燒結(jié)料。玻璃燒結(jié)料特別是在制造玻璃熔體時(shí)的中間產(chǎn)物。所述玻璃燒結(jié)料通過玻璃粉的表面熔化而形成，其中所述玻璃粒熔合在一起。所述玻璃燒結(jié)料特別是由多孔材料組成。在另一個(gè)實(shí)施方案中，所述連接材料包含玻璃焊劑。例如從文獻(xiàn)US693696;3B2中已知一種用于包封構(gòu)件的玻璃焊劑，其公開內(nèi)容通過引用并入本文。在所述構(gòu)件的另一個(gè)優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，所述填料具有負(fù)的熱膨脹系數(shù)。適用的填料的實(shí)例例如描述于 Georgi，Ch. und Kern, H.，Technische Universtat Ilmenau, Institut fuer Werkstofftechnik 的文章“Festk5rper mit negativer thermischer Ausdehimg”，其公開內(nèi)容通過引用并入本文。特別是將其中第4頁所列的表1通過引用并入本文。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，在連接材料中的所述填料的含量低于50體積％，優(yōu)選低于30體積％。在所述構(gòu)件的另一個(gè)優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，所述連接材料含至少一種吸收射線(輻射)的組分和/或其它填料。所述組分和/或填料優(yōu)選吸收至少部分的紅外射線和/或紫外射線。所述連接材料與其中所含的組分和/或其它填料優(yōu)選吸收20%的紅外和/或紫外射線，優(yōu)選吸收40 %，特別優(yōu)選60 %或更多的紅外和/或紫外射線。特別是包含在紅外或紫外射線波長范圍內(nèi)具有吸收特性的其它填料的連接材料有利地具有熱絕緣特性。此外，在所述波長范圍內(nèi)呈吸收性的連接材料還可保護(hù)有機(jī)的光電子元件免受日光照射。所述其它填料可特別是吸收射線的元素或化合物。例如所述填料是氧化釩、尖晶石或尖晶石化合物。尖晶石特別是化學(xué)式為MgAl2O4的以立方晶系結(jié)晶的鎂鋁氧化物礦物質(zhì)。此外，尖晶石化合物類也適合作為具有吸收特性的其它的填料。尖晶石化合物具有與尖晶石相似的晶體結(jié)構(gòu)，并且特別是通式為APJ4的化學(xué)化合物，其中A是兩價(jià)的金屬陽離子，P是三價(jià)的金屬陽離子，X主要是氧化物或硫化物。尖晶石化合物的實(shí)例特別是鎂尖晶石(MgAl2O4)、鋅尖晶石(ZnAl2O4)或鈷尖晶石(CoAl2O4)(鋁酸鈷)。所述其它的填料例如可以是所述連接材料的組成成分本身。另外，所述其它的填料也可其后混入到所述連接材料中。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，所述第一基板和/或第二基板各為玻璃基板。特別優(yōu)選所述第一基板和/或第二基板由窗玻璃制成。窗玻璃特別意指含鈣含鈉玻璃，其例如含碳酸鈣。此外，在窗玻璃中還可含其它的碳酸鹽和/戰(zhàn)氧化物以及雜質(zhì)。這種玻璃也稱為鈉鈣玻璃。與硼硅酸鹽玻璃相比，窗玻璃是廉價(jià)材料。由此，可低成本制造包含有由窗玻璃制成的第一基板和第二基板的構(gòu)件。所述光電子元件是有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。此外，所述光電子元件還可以是有機(jī)光電二極管或有機(jī)的太陽能電池。有機(jī)的結(jié)構(gòu)元件特別是OLED特別易受環(huán)境影響如水蒸汽或氧的侵蝕。因此利用連接材料防水蒸汽和氧滲入對OLED而言是特別有利的。在所述構(gòu)件的一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案中，所述構(gòu)件具有第一基板和第二基板，在所述第一基板上布置至少一個(gè)含至少一種有機(jī)材料的光電子元件。所述第一基板和所述第二基板如此相對布置，以使所述光電子元件置于第一基板和所述第二基板之間。在所述第一基板和所述第二基板之間布置有連接材料，所述材料包圍所述光電子元件，并且以機(jī)械方式相互連接所述第一和第二基板。所述連接材料包含其含量為大于0重量％和小于100重量％，優(yōu)選在5重量％和80重量％之間且包括5重量％，更理想是在10重量％和70重量％之間且包括10重量％的氧化銀和任選的用于改變，優(yōu)選用于降低所述連接材料的熱膨脹系數(shù)的填料。所述連接材料是一種低熔點(diǎn)的無鉛玻璃，并含至少一種可吸收射線的組分和/或其它填料如氧化釩、尖晶石或尖晶石化合物。需要時(shí)所述連接材料還可含優(yōu)選具有負(fù)的熱膨脹系數(shù)的其它填料。在所述連接材料中所述填料的含量低于50體積％，優(yōu)選低于30體積％。這種含任選的用于降低膨脹系數(shù)的填料的含氧化銀的低熔點(diǎn)連接材料特別可在低溫下實(shí)現(xiàn)構(gòu)件防氧和防水蒸汽滲入的封閉。排除水蒸汽、氧和濕汽的結(jié)果可有利地增加所述光電子元件的壽命。此外，還有利地降低吸氣劑的用量或完全不使用吸氣劑。由此有利地降低了制造的成本。一種用于制造具有第一基板、第二基板、光電子元件和連接材料的構(gòu)件的方法包括下列工藝步驟-制造第一基板，其上布置有至少一個(gè)其含至少一種有機(jī)材料的光電子元件，-制造第二基板，-在第一或第二基板上布置連接材料，所述連接材料包含其含量為大于0重量％ 和小于100重量％，優(yōu)選在5重量％和80重量％之間且包括5重量％，更理想是在10重量％和70重量％之間且包括10重量％的氧化銀和任選加入的用于改變，優(yōu)選用于降低所述連接材料的熱膨脹系數(shù)的填料，-如此相對布置所述第一基板和所述第二基板，以使所述光電子元件和所述連接材料置于所述第一基板和第二基板之間，所述連接材料包圍所述光電子元件，和-熔化所述連接材料，以使所述第一基板和第二基板相互呈機(jī)械連接。所述連接材料可布置在第二基板上。在此情況下，接著將所述第一基板和第二基板如此相對布置，以使所述連接材料包圍所述光電子元件。另外，所述連接材料還可布置在第一基板上，這時(shí)所述連接材料經(jīng)如此施加，以使所述連接材料包圍所述光電子元件由。所述光電子元件優(yōu)選在連接材料之后施加到第一基板上。在此情況下，接著將第二基板如此布置到第一基板上，以使光電子元件和連接材料布置在第一和第二基板之間。所述方法的有利方案類似于從所述構(gòu)件的有利方案所得出的，反之亦然。利用所述方法可制造這里所述的構(gòu)件。這表明，與所述構(gòu)件有關(guān)的明顯的技術(shù)特征對所述方法也是顯而易見的。通過這種方法可制造一種包含有機(jī)的光電子元件的構(gòu)件，其中通過密封保護(hù)所述有機(jī)的光電子元件以免受環(huán)境如濕汽或空氣的影響。所述構(gòu)件有利地以低成本制造，因?yàn)橥ㄟ^所述連接材料的特殊組成，特別是高含量的氧化銀和用于降低膨脹系數(shù)填料，而減少了吸氣劑的用量，特別有利的是可完全棄用吸氣劑。為了施加到所述基板之一上，所述連接材料優(yōu)選具有膏狀稠度，以使所述連接材料可從一點(diǎn)開始優(yōu)選呈無間斷地施加，以形成封閉的框。施加連接材料后，所述連接材料優(yōu)選與施加有連接材料的基板一起燒結(jié)。另一方案是所述連接材料具有粉末狀的稠度，并經(jīng)噴灑到基板之一上。為熔化所述連接材料，優(yōu)選使用小于400°C的溫度。特別是使用可在小于400°C下熔化的所述連接材料的組成。優(yōu)選是所述連接材料在例如330°C和更低的烘烤溫度下產(chǎn)生優(yōu)良的附著強(qiáng)度，由此，可在此烘烤溫度下既有利地實(shí)現(xiàn)不透氧和不透水蒸汽的密封。在一個(gè)優(yōu)選方案中，所述連接材料的熔化局部通過旋轉(zhuǎn)的輻射源如激光射線實(shí)現(xiàn)的。為此利用激光射線暫時(shí)局部軟化所述連接材料，接著通過冷卻使連接材料硬化。所述構(gòu)件和所述制造方法的其它技術(shù)特征、優(yōu)點(diǎn)、優(yōu)選方案和實(shí)用性由下面與圖1 至4相關(guān)所述的方案實(shí)施例給出。


圖1、2、3各以示意圖示出本發(fā)明的構(gòu)件的方案實(shí)施例，圖4示出一種有機(jī)的發(fā)光二極管(OLED)的示意截面圖。相同部件或起相同作用的部件分別采用相同的標(biāo)號。所示的部件以及所述部件的相互大小比例并未按等比例繪出。圖1示出一種構(gòu)件的示意俯視圖。圖2示出本發(fā)明的構(gòu)件的示意截面圖，例如圖 1的構(gòu)件的示意截面圖。所述構(gòu)件具有第一基板1和第二基板2。在所述第一基板1和第二基板2之間布置有光電子元件4。所述光電子元件4含至少一種有機(jī)材料。所述光電子元件4優(yōu)選是發(fā)射射線的結(jié)構(gòu)元件，特別優(yōu)選是有機(jī)的發(fā)光二極管 (OLED)。OLED的技術(shù)特征在于，所述OLED的至少一層包含有機(jī)材料。OLED例如具有特別在圖4中所示的下列結(jié)構(gòu)陰極47、誘發(fā)電子的層46、傳導(dǎo)電子的層45、發(fā)射層44、傳導(dǎo)空穴的層43、誘發(fā)空穴的層42和陽極41。這些層之一，優(yōu)選除陰極和陽極外的所有的層均包含有機(jī)材料。此外，所述光電子元件4還可以是含至少一種有機(jī)材料的光電二極管或太陽能電池。在所述第一基板1和第二基板2之間布置有連接材料3。所述連接材料3優(yōu)選呈框形包圍所述光電子元件4。此外，所述連接材料3以機(jī)械方式使所述第一基板1和第二基板2相互連接。所述連接材料3優(yōu)選完全包圍所述光電子元件4。所述連接材料3優(yōu)選包含含量大于0重量％和小于100重量％，優(yōu)選在5重量％和 80重量％之間且包括5重量％，更理想是在10重量％和70重量％之間且包括10重量％的氧化銀。特別優(yōu)選是所述連接材料3包含含量為50至70重量％且包括兩端點(diǎn)的氧化銀。此外，所述連接材料還包含至少一種用于改變，優(yōu)選用于降低所述連接材料3的熱膨脹系數(shù)的填料5。所述填料5優(yōu)選具有負(fù)的熱膨脹系數(shù)。所述連接材料3中填料5的含量優(yōu)選低于50體積％，特別優(yōu)選低于30體積％。通過填料5特別可有利地如此適配連接材料3的熱膨脹系數(shù)，從而可實(shí)現(xiàn)所述有機(jī)的光電子元件4的改進(jìn)的不透氧和不透水蒸汽的密封。由此特別可實(shí)現(xiàn)所述構(gòu)件的長期不滲透的密封。通過所述連接材料3的這種組成和通過用所述連接材料3對光電子元件4的完全包圍，所述連接材料3可有利地保護(hù)光電子結(jié)構(gòu)元件4免受環(huán)境影響。環(huán)境影響特別意指空氣或濕汽透入所述構(gòu)件。正是對所述具有至少一層有機(jī)層的光電子元件4，其與空氣或濕汽的接觸會有害地導(dǎo)致所述有機(jī)的光電5結(jié)構(gòu)元件4的受損或完全導(dǎo)致其失效。這可通過所述連接材料3的特殊組成有利地加以避免。因此，通過所述連接材料3對所述構(gòu)建的不透氣的密封明顯有利地增加了所述有機(jī)的光電子元件4的壽命。此外，還簡化了所述構(gòu)件的制造，因?yàn)橥ㄟ^所述連接材料3的特殊組成就不必要向基板1，2之一的孔穴中加入吸氣劑材料。由此減少了所需吸氣劑的用量或完全不用吸氣齊U。此外，有利的是不必對基板之一進(jìn)行加工，特別是形成.孔穴和加入吸氣劑。因此可有利地低成本制造這類構(gòu)件。所述第一基板1和/或第二基板2優(yōu)選各為玻璃基板。特別優(yōu)選是所述第一基板 1和/或第二基板2包含窗玻璃。與其它玻璃材料如硼硅酸鹽玻璃相比，窗玻璃是廉價(jià)材料。因此包含由窗玻璃制或的第一基板1和/或第二基板2的構(gòu)件可有利地低成本制造。所述連接材料3優(yōu)選包含玻璃燒燒結(jié)料。另外，所述連接材料3還可包含玻璃焊劑。尤其是所述連接材料3優(yōu)選為無鉛的和/或低熔點(diǎn)的玻璃。如圖1所示，朝第二基板2俯視看，所述第一基板1優(yōu)選側(cè)面超出所述第二基板2。 這表明所述第一基板1與第二基板2具有不同的基面尺寸，優(yōu)選所述第一基板1具有比第二基板2更大的基面。所述有機(jī)的光電子元件4的供電8，9優(yōu)選在朝向第一基板1表面的光電子元件4 上實(shí)現(xiàn)。所述供電8，9之一由光電子元件4的觸點(diǎn)經(jīng)所述光電子元件4的側(cè)面導(dǎo)入到所述第一基板1，所述觸點(diǎn)位于背向第一基板1的光電子元件4的側(cè)面。沿所述光電子元件4的側(cè)面的傳導(dǎo)通過電絕緣層10與所述光電子元件4的層呈電絕緣。所述光電子元件4的電接觸示意性示于圖2中。由于所述第一基板1優(yōu)選具有比第二基板2更大的基面，所述光電子元件4的電輸送8，9可由連接材料3引出，并在那里電接通。特別是所述光電子元件4的電輸送8，9 在側(cè)面突出第二基板2，由此所述電輸送8，9的電接通可順利實(shí)現(xiàn)。圖3示出的構(gòu)件不同于圖2示出的構(gòu)件，不同處為其第一基板1和第二基板2之間布置有多個(gè)有機(jī)的光電子元件4。因此所述構(gòu)件不限于僅一個(gè)光電子元件4的使用。所述有機(jī)的光電子元件4的數(shù)目可視所述構(gòu)件的應(yīng)用目的而變。此外，與圖2的構(gòu)件的不同之處還在于，所述連接材料3含有其它的吸收射線的填料6。特別優(yōu)選是所述其它的填料6吸收紅外和/或紫外波長范圍的射線。有利的是可避免對光電子元件4會有不利損傷的日光輻射。所述其它的填料6例如是氧化釩、尖晶石或尖晶石化合物。圖3的構(gòu)件與圖2的構(gòu)件的另一不同在于，所述連接材料3含有其它的物質(zhì)7，其用作所述第一基板1和第二基板2的相互間隔件。另一方案是，在構(gòu)件中可組合不是布置在連接材料3中的間隔件，而是布置在光電子元件4和連接材料3之間的間隔件(未示出)。間隔件7用于有目的的確定第一基板1和第二基板2之間的固定間距。由此可避免在連接材料3軟化過程中使基板1，2不降低由所述間隔件7所確定的間距，以致在制造工藝期間所述有機(jī)的光電子元件4不會由于所述第一基板1和第二基板2之間的過小間距而受損。所述連接材料3的軟化優(yōu)選在小于400°C的溫度下進(jìn)行。例如用于制造圖1、圖2或圖3的構(gòu)件的方法可具有下列的方法步驟
在第二基板2上例如呈框形施加例如經(jīng)噴灑施加連接材料3如玻璃燒結(jié)料，優(yōu)選結(jié)燒結(jié)。此外，制造其上施加有有機(jī)的光電子元件4的第一基板1。所述連接材料含有含量大于0重量％和小于100重量％，優(yōu)選在5重量％和80重量％之間且包括5重量％，更理想是在10重量％和70重量％之間且包括10重量％的氧化銀和至少一種用于改變，優(yōu)選用于降低所述連接材料3的熱膨脹系數(shù)的填料5。所述填料可直接含于連接材料3中或其后混入。優(yōu)選是將間隔件7和特別是吸收射線的其它填料6加入到所述連接材料3中。將所述第一基板1置于所述第二基板2上。所述第一基板1定如此置于所述第二基板2上，以使所述有機(jī)的光電子元件4布置在第一基板1和所述第二基板2之間。此外， 所述第一基板1和所述第二基板2相互如此布置，以使所述連接材料3如呈框形包圍所述有機(jī)的光電子元件4。接著利用低于400°C的溫度可使所述連接材料3如此熔化，以使所述第一基板1和第二基板2相互呈機(jī)械相連接。通過所述連接材料3的特殊組成可有利地實(shí)現(xiàn)所述第一基板1和第二基板2之間形成氣密性的連接。因此可對OLED形成不透氧和不透水蒸汽的密封，由此可有利地增加所述構(gòu)件的壽命。此外，還可避免使用吸氣劑和與此相關(guān)的昂貴加工步驟。因此可有利地實(shí)現(xiàn)一種既簡化又低成本的制造氣密性構(gòu)件的方法。本發(fā)明不受按實(shí)施例描述的限制，而是包含所有的新技術(shù)特征以及所有技術(shù)特征的組合，甚至當(dāng)這種技術(shù)特征或這種組合本身未在權(quán)利要求或?qū)嵤├忻鞔_給出的情況下，尤其是包括權(quán)利要求中的所有技術(shù)特征組合。
權(quán)利要求
1.一種具有第一基板(1)和第二基板O)的構(gòu)件，其中-在所述第一基板(1)上布置有至少一個(gè)含至少一種有機(jī)材料的光電子元件G)， -所述第一基板(1)和所述第二基板( 相對布置，以使所述光電子元件(4)置于所述第一基板(1)和第二基板( 之間，-所述第一基板(1)和第二基板( 之間布置有連接材料(3)，所述連接材料包圍所述光電子元件G)，并且使所述第一和第二基板(1，2)以機(jī)械方式相互連接， -所述連接材料C3)包含含量為20至70重量％氧化銀，包括兩端點(diǎn)值，和 -所述連接材料( 包含至少一種改變，優(yōu)選降低所述連接材料( 的熱膨脹系數(shù)的填料⑶。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的構(gòu)件，其中所述連接材料C3)包含無鉛玻璃和/或低熔點(diǎn)玻璃。
3.根據(jù)上述權(quán)利要求之一的構(gòu)件，其中所述連接材料C3)包含玻璃燒結(jié)料或玻璃焊劑。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求之一的構(gòu)件，其中所述填料(5)具有負(fù)的熱膨脹系數(shù)。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求之一的構(gòu)件，其中在所述連接材料(3)中的填料(5)的含量低于 50體積％。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的構(gòu)件，其中所述連接材料(3)中的填料(5)的含量低于30體積％。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求之一的構(gòu)件，其中所述連接材料(3)包含至少一種吸收射線的組分和/或其它填料(6)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的構(gòu)件，其中所述組分和/或其它的填料(6)是氧化釩、尖晶石或尖晶石化合物。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求之一的構(gòu)件，其中所述連接材料(3)包含至少一種其它的物質(zhì) (7)，其用作所述第一基板和第二基板的相互間隔件。
10.根據(jù)上述權(quán)利要求之一的構(gòu)件，其中所述第一基板(1)和/或第二基板( 為玻璃基板。
11.根據(jù)上述權(quán)利要求之一的構(gòu)件，其中所述光電子元件(4)是有機(jī)發(fā)光二極管 (OLED)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的構(gòu)件，其中-所述連接材料( 是無鉛玻璃和低熔點(diǎn)玻璃，-所述填料(5)具有負(fù)的熱膨脹系數(shù)，-所述連接材料(3)中的填料(5)的含量低于30重量％，-所述連接材料(3)含至少一種吸收射線的組分和/或其它填料(6)，和-所述其它的填料(6)是氧化釩或尖晶石。
13.一種用于制造構(gòu)件的方法，其包括下列步驟-制備第一基板(1)，其上布置有至少一個(gè)包含至少一種有機(jī)材料的光電子元件G)， -制備第二基板(2)，-在第一或第二基板(1, 上布置連接材料(3)，所述連接材料C3)包含含量為20至 70重量％的氧化銀，包括兩端點(diǎn)值，并在所述連接材料(3)中加入至少一種改變，優(yōu)選降低所述連接材料(3)的熱膨脹系數(shù)的填料(5)，-相對布置所述第一基板(1)和所述第二基板( ，以使所述光電子元件(4)和所述連接材料C3)置于所述第一基板(1)和第二基板( 之間，所述連接材料C3)包圍所述光電子元件(4)，和-熔化所述連接材料( ，以使所述第一基板和第二基板相互呈機(jī)械連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求13，其中所述構(gòu)件按權(quán)利要求1-12制造。
15.根據(jù)上述權(quán)利要求13或14的方法，其中使用低于400°C的溫度進(jìn)行熔化。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有第一基板(1)和第二基板(2)的構(gòu)件。所述第一基板(1)上布置有至少一個(gè)含至少一種有機(jī)材料的光電子元件(4)。所述第一基板(1)和所述第二基板(2)如此相對布置，以使所述光電子元件(4)置于所述第一基板(1)和第二基板(2)之間。此外，所述第一基板(1)和第二基板(2)之間還布置有連接材料(3)，所述連接材料包圍所述光電子元件(4)，并且使所述第一和第二基板(1，2)以機(jī)械方式相互連接。所述連接材料(3)包含含量大于0重量％和小于100重量％，優(yōu)選在5重量％和80重量％且包括5重量％，更理想是在10重量％和70重量％且包括10重量％的氧化銀。此外，所述連接材料(3)還包含至少一種用于改變，優(yōu)選用于降低所述連接材料(3)的熱膨脹系數(shù)的填料(5)。本發(fā)明還涉及一種用于制造這種構(gòu)件的方法。
文檔編號C03C8/24GK102439750SQ201080019111
公開日2012年5月2日 申請日期2010年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月30日
發(fā)明者烏爾麗克·比爾, 埃瓦爾德·珀斯?fàn)? 安杰拉·埃貝哈特, 約阿希姆·維爾特-朔恩 申請人:歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司