專利名稱：一種延長pdp浮法玻璃窯爐碹頂壽命的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于等離子玻璃制造工藝技術(shù)領(lǐng)域，涉及到一種可以延長浮法玻璃窯爐碹 頂壽命的方法，特別是涉及通過精確形位測(cè)量及控制碹頂硅磚的溫度實(shí)施有效的監(jiān)控措施 進(jìn)而延長碹頂壽命的措施。
背景技術(shù)：
在普通浮法玻璃生產(chǎn)現(xiàn)線中，窯爐碹頂一般采用優(yōu)質(zhì)硅磚砌筑以保證質(zhì)量和使用 壽命。在正常使用下的最高溫度為1610°C，這與硅磚的最高使用溫度1680°C相差70°C，因 此在普通浮法生產(chǎn)工藝中，使用優(yōu)質(zhì)硅磚砌筑碹頂比較安全，其使用周期也比較長，最高達(dá) 到15年；而在PDP等離子浮法玻璃生產(chǎn)過程中，其碹頂也采用優(yōu)質(zhì)硅磚，但是其正常使用 的最高溫度達(dá)到1660°C，與硅磚的最高使用溫度1680°C相差僅20°C。在1660°C溫度下，硅 磚被高溫侵蝕的速度也比普通浮法玻璃的最高使用溫度1610°C快3倍，因此要保證熔窯安 全正常運(yùn)行、延長PDP玻璃窯爐使用壽命，必須要對(duì)PDP浮法硅質(zhì)熔窯碹頂進(jìn)行處理。因?yàn)?PDP窯爐采用了和普通浮法生產(chǎn)工藝中同樣的硅質(zhì)磚作為碹頂磚，而PDP窯爐的使用溫度 比普通浮法溫度要高60°C，達(dá)到1660°C，此溫度已經(jīng)接近硅磚的使用溫度極限。所以，對(duì)硅 磚內(nèi)部溫度的掌控非常重要。因此在PDP浮法工藝中如何延長碹頂壽命則成為了值得研究 的難題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了解決在PDP浮法玻璃生產(chǎn)中延長窯爐碹頂壽命的技術(shù)難題， 通過長時(shí)間的試驗(yàn)摸索設(shè)計(jì)出了一種延長PDP浮法玻璃窯爐碹頂壽命的方法，借助精確測(cè) 量碹頂?shù)臏囟?、以及?duì)測(cè)量出碹頂?shù)臏囟冗M(jìn)行在線監(jiān)控，進(jìn)而得到快速有效的控制措施使 得準(zhǔn)確維持硅質(zhì)磚處在極限溫度之內(nèi)，延長了碹頂壽命。本發(fā)明為實(shí)現(xiàn)發(fā)明目的采用的技術(shù)方案是，一種延長PDP浮法玻璃窯爐碹頂壽命 的方法，以上方法應(yīng)用于PDP等離子液晶玻璃制造工藝的生產(chǎn)線中，包括對(duì)窯爐碹頂硅磚 的溫度進(jìn)行在線監(jiān)控，根據(jù)窯爐內(nèi)的侵蝕程度的數(shù)據(jù)進(jìn)行的維護(hù)、修補(bǔ)措施，對(duì)窯爐碹頂硅 磚的溫度進(jìn)行監(jiān)測(cè)與控制的方法是在窯爐入口端的窯爐前臉吊墻以及窯爐內(nèi)的各個(gè)小爐 的截面中心線位置分別設(shè)置電偶磚和熱電偶、形成橫向至少三個(gè)測(cè)溫點(diǎn)，測(cè)溫點(diǎn)的測(cè)溫模 式為熱電偶A穿透碹頂硅磚或熱電偶B嵌入碹頂硅磚中、或者熱電偶A穿透碹頂硅磚和熱 電偶B嵌入碹頂硅磚中。本發(fā)明考慮到因?yàn)楦G爐整體溫度很高，需要對(duì)窯爐整體溫度有一個(gè)比較詳細(xì)的 了解；所以測(cè)量碹頂硅磚的測(cè)量點(diǎn)比普通浮法要多，布點(diǎn)的原則是在高溫區(qū)域既要注重 中心部位的溫度，最高溫度區(qū)在中心，所以中心部位采用了“穿透”、“半穿透”管理，“穿透” 即熱電偶A穿透碹頂硅磚的結(jié)構(gòu)，“半穿透”即熱電偶B嵌入碹頂硅磚中的結(jié)構(gòu)；也要注意 邊部溫度，邊部溫度靠近噴火口，距離火焰比較近，所以在窯爐的高溫區(qū)的小爐附近，也采 用了“穿透”、“半穿透”管理；在前臉吊墻中心線的位置，也采用了橫向三點(diǎn)測(cè)溫，主要是通
3過觀察其與高溫區(qū)小爐中心線處各測(cè)點(diǎn)溫度差來判斷熔窯內(nèi)玻璃液可能的對(duì)流情況。本發(fā)明對(duì)窯爐碹頂?shù)臏囟葴y(cè)量采用多測(cè)量點(diǎn)布局測(cè)溫，以及采用了穿透與半穿透 的混合測(cè)量，通過監(jiān)控兩者測(cè)量的溫度差范圍，進(jìn)而采取相應(yīng)措施進(jìn)行防護(hù)，另外也對(duì)碹頂 硅磚的結(jié)構(gòu)、加工精度、尺寸進(jìn)行改進(jìn)，很好的延長了 PDP浮法玻璃窯爐碹頂?shù)膲勖?，進(jìn)一 步降低了生產(chǎn)成本；延長PDP浮法玻璃窯爐的使用周期，顯著提高了生產(chǎn)效益。下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。


圖1是對(duì)碹頂硅磚進(jìn)行測(cè)溫的測(cè)溫點(diǎn)的布局示意圖。圖2是窯爐碹頂截面的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3和圖4分別是本發(fā)明中熱電偶和碹頂硅磚的兩種位置關(guān)系。附圖中，1是窯爐入口端的窯爐前臉吊墻的中心線位置，2是窯爐內(nèi)的各個(gè)小爐的 中心線位置，3是碹頂硅磚，4是熱電偶A，5是熱電偶B，6是外保溫層，7是內(nèi)保溫層。
具體實(shí)施例方式一種延長PDP浮法玻璃窯爐碹頂壽命的方法，以上方法應(yīng)用于PDP等離子液晶玻 璃制造工藝的生產(chǎn)線中，包括對(duì)窯爐碹頂硅磚的溫度進(jìn)行在線監(jiān)控，根據(jù)窯爐內(nèi)的侵蝕程 度的數(shù)據(jù)進(jìn)行的維護(hù)、修補(bǔ)措施，對(duì)窯爐碹頂硅磚的溫度進(jìn)行監(jiān)測(cè)與控制的方法是在窯爐 入口端的窯爐前臉吊墻以及窯爐內(nèi)的各個(gè)小爐的截面中心線位置分別設(shè)置電偶磚和熱電 偶、形成橫向至少三個(gè)測(cè)溫點(diǎn)，測(cè)溫點(diǎn)的測(cè)溫模式為熱電偶A4穿透碹頂硅磚3或熱電偶 B5嵌入碹頂硅磚3中、或者熱電偶A4穿透碹頂硅磚3和熱電偶B5嵌入碹頂硅磚3中。上述的方法還包括對(duì)窯爐碹頂結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)碹頂硅磚3層的厚度增加50 70mmo上述的碹頂硅磚3的加工精度是士0. 1 0. 3mm。在碹頂硅磚3上設(shè)置厚度為80 IOOmm的雙層保溫層。上述的雙層保溫層的保溫材料是輕質(zhì)硅鈣板。將窯爐碹頂分為三個(gè)區(qū)域，小于1500°C區(qū)域，1500°C 1600°C區(qū)域，大于1600°C 區(qū)域，從低溫度到高溫度區(qū)域，雙層保溫層的厚度依次減薄20mm。在某200噸/天PDP浮法玻璃生產(chǎn)線上，其熔窯采用利用硅質(zhì)進(jìn)行了碹頂，其體積 約為15660cm3，采用了硅質(zhì)承重硅磚，其體積比普通浮法玻璃碹頂?shù)捏w積大約增加了 1倍 左右；重量至少達(dá)到15公斤。該承重硅質(zhì)材料的表面的加工精度在0 0. 5mm ；其熔窯碹 頂硅磚3整體厚度比普通浮法線增加了 50mm ；其所用的熔窯碹頂保溫材料輕質(zhì)硅質(zhì)保溫材 料和硅鈣板的密度要比普通浮法??；由于PDP浮法玻璃生產(chǎn)線熔窯碹頂整體溫度要比普通 浮法生產(chǎn)線熔窯整體溫度高80°C左右，在碹頂縱向采用了比普通浮法多的測(cè)量點(diǎn)，參看圖 1，圖中圓圈代表測(cè)量點(diǎn)的位置，在窯爐入口端的窯爐前臉吊墻的中心線位置1橫向設(shè)置三 個(gè)測(cè)量點(diǎn)，在窯爐內(nèi)的各個(gè)小爐的中心線位置2也設(shè)置有一個(gè)或三個(gè)測(cè)量點(diǎn)，而在碹頂橫 向重要區(qū)域均采用了三測(cè)量點(diǎn)布局的模式；在碹頂硅磚3最高溫度點(diǎn)所在區(qū)域，在同一塊 測(cè)量磚上設(shè)置了兩個(gè)測(cè)量點(diǎn)，一個(gè)采用穿透模式，另一個(gè)采用2/3穿透模式，根據(jù)二者所測(cè) 量的溫度差，來對(duì)碹頂硅磚3的侵蝕情況進(jìn)行判斷，并采取相應(yīng)的處理措施，其措施具體如
4下當(dāng)溫度差大于20°C時(shí)，保持現(xiàn)狀；當(dāng)溫度差15°C 20°C時(shí)，將碹頂整個(gè)熱端區(qū)域的外保 溫材料拆除；當(dāng)溫度差10°C 15°C時(shí)，將碹頂整個(gè)熱端區(qū)域的內(nèi)保溫材料拆除；當(dāng)溫度差 5°C 10°C時(shí)，對(duì)碹頂整個(gè)熱端區(qū)域進(jìn)行適當(dāng)?shù)娘L(fēng)冷；當(dāng)溫度差低于5°C時(shí)，說明碹頂侵蝕 將近1/3，需要用內(nèi)窺式觀察鏡進(jìn)行確認(rèn)熔窯內(nèi)侵蝕情況，同時(shí)考慮生產(chǎn)線的冷修。
通過采取了科學(xué)具體管理方式和處理措施，最大程度的保證了生產(chǎn)線的安全正常 運(yùn)行，延長PDP浮法玻璃窯爐的使用周期，顯著提高了生產(chǎn)效益。
權(quán)利要求
一種延長PDP浮法玻璃窯爐碹頂壽命的方法，以上方法應(yīng)用于PDP等離子液晶玻璃制造工藝的生產(chǎn)線中，包括對(duì)窯爐碹頂硅磚的溫度進(jìn)行在線監(jiān)控，根據(jù)窯爐內(nèi)的侵蝕程度的數(shù)據(jù)進(jìn)行的維護(hù)、修補(bǔ)措施，其特征在于對(duì)窯爐碹頂硅磚的溫度進(jìn)行監(jiān)測(cè)與控制的方法是在窯爐入口端的窯爐前臉吊墻以及窯爐內(nèi)的各個(gè)小爐的截面中心線位置分別設(shè)置電偶磚和熱電偶、形成橫向至少三個(gè)測(cè)溫點(diǎn)，測(cè)溫點(diǎn)的測(cè)溫模式為熱電偶A(4)穿透碹頂硅磚(3)或/和熱電偶B(5)嵌入碹頂硅磚(3)中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種延長PDP浮法玻璃窯爐碹頂壽命的方法，其特征在于 所述的方法還包括對(duì)窯爐碹頂結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)碹頂硅磚(3)層的厚度增加50 70mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種延長PDP浮法玻璃窯爐碹頂壽命的方法，其特征在 于所述的碹頂硅磚(3)的加工精度是士0. 1 0. 3mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種延長PDP浮法玻璃窯爐碹頂壽命的方法，其特征在于 在碹頂硅磚(3)上設(shè)置厚度為80 IOOmm的雙層保溫層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種延長PDP浮法玻璃窯爐碹頂壽命的方法，其特征在于 所述的雙層保溫層的保溫材料是輕質(zhì)硅鈣板。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種延長PDP浮法玻璃窯爐碹頂壽命的方法，其特征在于 將窯爐碹頂分為三個(gè)區(qū)域，小于1500°C區(qū)域，1500°C 1600°C區(qū)域，大于1600°C區(qū)域，從低 溫度到高溫度區(qū)域，雙層保溫層的厚度依次減薄20mm。
全文摘要
一種延長PDP浮法玻璃窯爐碹頂壽命的方法，解決在PDP浮法玻璃生產(chǎn)中延長窯爐碹頂壽命的技術(shù)難題，采用的技術(shù)方案是，以上方法應(yīng)用于PDP等離子液晶玻璃制造工藝的生產(chǎn)線中，通過對(duì)窯爐碹頂硅磚的溫度進(jìn)行監(jiān)控，根據(jù)窯爐內(nèi)的侵蝕情況進(jìn)行及時(shí)維護(hù)、延長窯爐碹頂?shù)膲勖P(guān)鍵是在窯爐入口端的窯爐前臉吊墻以及窯爐內(nèi)的各個(gè)小爐的截面中心線位置分別設(shè)置電偶磚和熱電偶、形成橫向至少三個(gè)測(cè)溫點(diǎn)，測(cè)溫點(diǎn)的測(cè)溫模式為熱電偶A穿透碹頂硅磚或熱電偶B嵌入碹頂硅磚中、或者熱電偶A穿透碹頂硅磚和熱電偶B嵌入碹頂硅磚中。
文檔編號(hào)C03B5/42GK101941790SQ20101023677
公開日2011年1月12日 申請(qǐng)日期2010年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月27日
發(fā)明者李兆廷, 王耀君, 陳發(fā)偉 申請(qǐng)人:河北東旭投資集團(tuán)有限公司