專利名稱：用于石英玻璃沉積管的連續(xù)焙燒方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在真空下熱處理 一 段連續(xù)時(shí)間的石英玻璃管材，以及由這種連續(xù)玻璃管材制成的、在1550納米波長下具有減小的吸收峰 值的制品。
背景技術(shù)：
光纖的關(guān)鍵性能參數(shù)包括衰減(例如，能量損耗)、色散和模場 直徑。衰減是指在光運(yùn)送介質(zhì)長度上信號(hào)強(qiáng)度或光功率的降低。由 于衰減，傳輸信號(hào)會(huì)減弱，必須進(jìn)行增強(qiáng)或中繼(repeat)。光纖衰 減以每千米的分貝值(db/km)來計(jì)量，其根據(jù)波長而變化。電信行業(yè)的衰減規(guī)范變得日益嚴(yán)格。與其他傳輸介質(zhì)(即，銅、 同軸電纜等)相比，光纖具有非常低的衰減要求，對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)單模光 纖(SSMF)來說，在1385納米波長下典型地為0.35 dB/km。在1550 納米波長下衰減要求甚至更低，典型地為0.25 dB/km。低衰減使得 傳輸光信號(hào)能夠傳送超過100千米而無需再生或放大。光纖中的衰減可由若干不同因素造成，但主要是散射和吸收的結(jié) 果。由于玻璃結(jié)構(gòu)中分子級(jí)不規(guī)則性而造成的光散射決定衰減曲線 的大體形狀，稱為瑞利散射(Rayleigh scattering )。由在纖芯和內(nèi)包 層內(nèi)例如金屬或水離子的殘留材料所吸收的光導(dǎo)致進(jìn)一 步的衰減。在1385納米波長下的強(qiáng)吸收歸因于光纖中存在的羥基。例如美 國專利公開號(hào)2005/0120751 Al所述，在使用化學(xué)氣相沉積(CVD ) 法形成玻璃預(yù)制件的過程中，玻璃中的氫原子在玻璃層中形成OH-鍵，由此不利地影響到由該預(yù)制件拉制的光纖的傳輸光譜，尤其是 在1240納米和1385納米的波長下。美國專利號(hào)3,782,914公開了一 種在70(TC至120(TC處、在小于6小時(shí)內(nèi)熱處理包含摻雜的二氧化硅(Si02)芯和摻雜或未摻雜的二氧化硅(Si02)包層的光波導(dǎo)管的方法。這樣的熱處理據(jù)稱可以氧化被還原的摻雜氧化物，從而降低衰減。此外，人們認(rèn)為過渡金屬及其同空位和雜質(zhì)的相互作用會(huì)影響光纖中的波長和吸收系數(shù)。例如，美國專利號(hào)7,092,610公開了在光纖 中加入控制量的過渡金屬(即，鈷、鎳、鉻、釩、鐵、錳、鉈和銩) 作為摻雜物來衰減光信號(hào)(例如，在光學(xué)衰減器或光學(xué)終端裝置中)。為了降低在1550納米波長下的衰減，美國專利號(hào)6,952,516公開 了一種抗氫(hydrogen-proof)處理方法，即將光纖保持在裝有D2 (重氬)的處理罐中一段連續(xù)時(shí)間(例如，3小時(shí)或更長)。美國專利號(hào)6,799,440提出了一種通過處理用于制造玻璃預(yù)制件 的石英沉積管，隨后將其本身制成光纖來改善光纖衰減的方法。該 專利公開了 一種在D2氣氛中熔化石英管以獲得降低的光纖衰減的方 法。另外，該專利公開了在熔化沉積管之前，可以由在D2氣氛中預(yù) 處理過的石英砂形成沉積管。盡管如上所述，仍然需要符合電訊市場嚴(yán)格要求的高質(zhì)量光纖。 特別是相應(yīng)地需要高質(zhì)量的玻璃沉積管，其有助于使用較少量的內(nèi) 包層材料來形成光學(xué)預(yù)制件和光纖。發(fā)明內(nèi)容由此，本發(fā)明的 一 個(gè)方面涉及便于實(shí)現(xiàn)具有改善衰減特性的光纖 的石英管。在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，本發(fā)明包括在1385納米和/ 或1550納米波長下具有小于約0.28 dB/km衰減的光纖。本發(fā)明的另 一 方面涉及處理石英管使所形成的光纖具有降低的 衰減特性的方法。在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，該方法包括在約900 。C至1200。C焙燒石英沉積管至少115小時(shí)。本發(fā)明的前述以及其他特征和優(yōu)點(diǎn)及其實(shí)現(xiàn)方式，在下列詳述及 其附圖中將得到進(jìn)一步明確。


圖1示意性顯示了示例性光纖的橫截面。
圖2示意性顯示了通過改進(jìn)的化學(xué)氣相沉積(MCVD)形成玻璃
預(yù)制件。
圖3示意性顯示了通過等離子化學(xué)氣相沉積(PCVD)形成玻璃 預(yù)制件。
圖4示意性顯示了由玻璃預(yù)制件拉制光纖。
具體實(shí)施例方式
在一個(gè)實(shí)施方式中，本發(fā)明包括熱處理前體石英玻璃沉積管一段 連續(xù)時(shí)間以改善沉積管光學(xué)質(zhì)量的方法。其后，熱處理過的玻璃沉 積管形成玻璃預(yù)制件。
根據(jù)本發(fā)明的連續(xù)焙燒可以降低必須沉積到玻璃沉積管內(nèi)表面 上的材料量，以形成將成為所得光纖的內(nèi)包層的足夠厚的沉積物 (即，玻璃狀炱(glassy soot))層。實(shí)際上，4艮據(jù)本發(fā)明的方法通 過首先獲得改善的石英玻璃襯底(即，沉積管)，在光學(xué)預(yù)制件形 成中獲得生產(chǎn)效益。
由所形成的玻璃預(yù)制件(即，收縮的、熱處理過的石英玻璃沉積 管)拉制成的光纖具有在1550納米波長下小于0.25 dB/km的優(yōu)良的、 降低的衰減，且b/a比率為3.0或更小。如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所理 解的，b/a比率描述了內(nèi)包層外徑和纖芯直徑的關(guān)系。關(guān)于此點(diǎn)以及 如圖1所述，b/a比率可對(duì)于玻璃預(yù)制件或其所得光纖來確定，光纖 毫無疑問地會(huì)保持玻璃預(yù)制件的相對(duì)幾何形狀。
用于本文中時(shí)，可以使用近似措辭來修飾可發(fā)生變化的任何量的 表述，而不導(dǎo)致相關(guān)的基本功能發(fā)生改變。由此，通過術(shù)語例如"約" 和"基本上，，來修飾的值可以不被限制于某些情況下所述的精確值。
用于本文中時(shí)，術(shù)語"管，，或"管材，，可以可交換用來指代由熔 凝石英玻璃制成的拉長的產(chǎn)品，其作為沉積管或村底管用于制造石 英預(yù)制件，隨后制成光纖產(chǎn)品。用于本文中時(shí)，術(shù)語"焙燒的"可以同"熱處理的，，、"真空焙
燒的，，或"熱處理"可互換用來指代石英管被加熱到至少90(TC溫度 的過程。這樣的熱處理可在真空環(huán)境下或在存在一種或多種惰性氣 體(例如，氦)或特殊氣體(例如，D2)的情況下發(fā)生。
在本文中，盡管術(shù)語可能用來表示不同材料的合成物或制品(例 如，不同的二氧化硅濃度)，術(shù)語"玻璃，，可同"石英玻璃"或"石 英"或"熔凝石英"可交換使用，來指代通過熔化包括天然或合成 砂(二氧化硅)的混合物形成的合成物、部分、產(chǎn)品或制品。根據(jù) 本發(fā)明的管材可以使用天然砂和/或合成砂，從而術(shù)語"玻璃"用于 表示包括天然存在的結(jié)晶二氧化硅(例如，砂或巖石)、合成所得 二氧化硅(石英)或兩者混合物的合成物。術(shù)語"砂，，可以同"二 氧化硅，，可交換使用，以表示天然砂、合成砂或者兩者的混合物。
如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所知，光纖由二氧化石圭通過兩種方法中的 任何一種制成。
第 一種是坩堝法，其中熔化粉狀二氧化硅。坩堝法現(xiàn)在很少用到， 用于制造相對(duì)較粗的多模光纖，該光纖適于許多光波信號(hào)的短距離傳輸。
第二種是氣相沉積法，其形成纖芯和包層材料的圓柱固體，然后 加熱并拉制成適于遠(yuǎn)距離通信的細(xì)光纖。有各種氣相沉積工藝，包 括^旦不限于外部氣相沉積、氣相軸向沉積、改進(jìn)的化學(xué)氣相沉積 (MCVD)和等離子氣相沉積(PCVD) 。 MCVD是其中最常用的制 造工藝之一，可得到很適用于長距離電纜的低損耗光纖。在許多沉 積方法中(例如，MCVD和PCVD) , 4吏用中空石英沉積管作為起 始原料來制造圓柱形光學(xué)預(yù)制件。連續(xù)的光纖(例如，300千米或更 長)可由光學(xué)預(yù)制件拉出。
如圖2示意性描述了示例性MCVD方法中，純氧和各種化學(xué)蒸 汽的氣流導(dǎo)入石英沉積管，以使特定配制的二氧化硅連續(xù)層沉積3 'J 沉積管的內(nèi)表面上。當(dāng)氧接觸到管的熱表面時(shí)一沉積管下面的火焰 保持其壁非常熱一形成高純度的二氧化硅。通過這種方法，玻璃狀炱層沉積在沉積管內(nèi)部。于是，收縮沉積管以形成光纖預(yù)制件然后 拉制光纖之后，沉積的炱對(duì)應(yīng)光纖的芯，石英沉積管對(duì)應(yīng)于光纖的 外套或包層。這些在圖1中示意性描述。
如圖3示意性描述了示例性PCVD方法中，石英襯底管沿諧振 器的圓柱形軸定位。襯底管的內(nèi)部注有包括02、 SiCU、 GeCb以及
任選的用于降低摻雜二氧化硅折射率的C2F6的氣體混合物。局部等
離子體同時(shí)在腔體內(nèi)生成，導(dǎo)致硅、氧和鍺的反應(yīng)以使鍺摻雜的SiOx 直接沉積在襯底管的內(nèi)表面上。這樣的沉積只發(fā)生在局部等離子體 附近，從而諧振腔沿村底管的圓柱形軸移動(dòng)，以均勻涂覆其整個(gè)長 度。當(dāng)沉積完成時(shí)，村底管熱收縮成具有鍺摻雜二氧化硅芯部和包 圍在周圍無摻雜二氧化硅包層部的棒(即，預(yù)制件)。此外，在拉 制之前，預(yù)制件可被放入所謂套管中，其典型地由無摻雜二氧化硅 形成，以便在形成的光纖中增加相對(duì)于摻雜二氧化硅的未摻雜二氧 化硅的量。
無論通過MCVD、 PCVD或其他方法形成，預(yù)制件被加熱并拉制 以獲得光纖。如圖4示意性描述了預(yù)制件定位在拉制塔中，加熱預(yù) 制件端部并拉制(即，成線拉出并穿過到達(dá)牽引器部件)光纖。光 纖前進(jìn)通過在線激光監(jiān)測器，其以每秒幾百次測量直徑來保持目標(biāo) 外徑。通過重復(fù)測量所得到的光纖直徑，可控制拉制速度來保持光 纖直徑。
光纖可通過連接器或通過接合(即，將兩根光纖接在一起形成連 續(xù)的光波導(dǎo)管)彼此相連。具有0.5米至幾米長度以及僅10毫米至 5 0毫米直徑的典型玻璃預(yù)制件可以制造出許多千米拉制成典型標(biāo)準(zhǔn) 直徑為125微米的光纖。實(shí)際上，單模光纖光學(xué)預(yù)制件常具有150 毫米或更大的外徑。
在一個(gè)單模光纖的示例性實(shí)施方式中，預(yù)制件被拉制成具有約8
微米至9微米纖芯直徑和約125微米外徑的光纖。在一個(gè)多模光纖 的示例性實(shí)施方式中，預(yù)制件被拉制成具有約50微米至62.5微米纖 芯直徑和約125微米外徑的光纖。參考圖1，示例性光纖的纖芯對(duì)應(yīng)半徑a,其外徑對(duì)應(yīng)半徑d(即，外包層)。
光纖幾何形狀和外形尺寸是接合損耗、接合屈服以及衰減中的重 要因素。圖1示意性描述了一個(gè)示例性光纖的橫截面。如本領(lǐng)域普 通技術(shù)人員所知，.光纖幾何形狀的重要因素包括包層直徑、芯/包層 同心度以及光纖旋度。b/a比率(即，內(nèi)包層直徑對(duì)于纖芯直徑的比 率)特別期望的是保持盡可能的小。在這點(diǎn)上，降低內(nèi)包層厚度可 以減少生產(chǎn)時(shí)間(即，需要的玻璃沉積)并可以節(jié)省形成內(nèi)包層必 需的昂貴原料。
根據(jù)本發(fā)明，在汽相沉積過程之前對(duì)石英沉積管進(jìn)行熱處理。
例如，在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，在真空中至少90(TC的溫度下 熱處理石英沉積管至少125小時(shí)。
在第二示例性實(shí)施方式中，在約IOO(TC至1200。C溫度下并在約 1毫托至100毫托(例如，50毫托至75毫托左右)真空壓力下熱處 理(即，連續(xù)焙燒)石英沉積管至少150小時(shí)。
在第三示例性買施方式中,在約 900。C至 1200。C溫度下并在約 10毫托至100毫托真空壓力下熱處理石英沉積管至少200小時(shí)。
在第四示例性實(shí)施方式中，在約1000。C至1100。C溫度下熱處理 石英沉積管至少300小時(shí)。
在第五示例性實(shí)施方式中，熱處理(即，連續(xù)焙燒)石英沉積管 持續(xù)至少400小時(shí)。
在第六示例性實(shí)施方式中，在小于100毫托真空壓力下熱處理 (即，連續(xù)焙燒)石英沉積管持續(xù)至少450小時(shí)。
用于本發(fā)明連續(xù)焙燒方法的石英沉積管可通過本領(lǐng)域中已知的 方法生產(chǎn)(例如，燃燒水解或電熔化法)。連續(xù)焙燒步驟可作為在 這樣的制造石英沉積管的方法中的集成步驟(即，在連續(xù)拉制管步 驟形成具有要求長度和尺寸的沉積管之后)。連續(xù)焙燒步驟也可以 作為在形成圓柱形預(yù)制件的方法中的獨(dú)立的或集成的步驟，其中商 業(yè)上可獲得的石英管在用作汽相沉積過程中的沉積管之前進(jìn)行熱處 理。本發(fā)明涉及熱處理石英沉積管的方法，其中在90(TC至120(TC的 溫度下進(jìn)行所述熱處理至少125小時(shí)。此方法的優(yōu)選實(shí)施方式在附 加的/人屬權(quán)利要求中公開。本發(fā)明還涉及在前述石英沉積管的基礎(chǔ) 上制造的光學(xué)預(yù)制件，其中該沉積管的內(nèi)部已經(jīng)沉積有若干玻璃層。 由此得到的沉積管通過收縮方法收縮成實(shí)心棒，即光學(xué)預(yù)制件。由 此得到的光學(xué)預(yù)制件已用于光纖拉制過程來得到光纖。光學(xué)預(yù)制件 以及由其得到的光纖兩者的優(yōu)選實(shí)施方式在附加的從屬權(quán)利要求中 體現(xiàn)。用于本發(fā)明的連續(xù)焙燒方法的適合的石英沉積管可從各種供
Saint Gobain以及Shin-Etsu Quartz Products 乂>司。這樣的商業(yè)上可獲 得的石英沉積管典型地具有至少99.995重量百分?jǐn)?shù)的二氧化硅 (Si02)纟屯度。
在根據(jù)本發(fā)明的 一 個(gè)實(shí)施方式中，沉積管材包括合成二氧化硅， 其提供制造長距離光纖所需的優(yōu)良的、較高的抗拉強(qiáng)度。在一個(gè)示 例性實(shí)施方式中，石英管包括含有小于100ppb鐵(即，<100ppbFe) 以及小于100ppm鋁(即，<100ppmAl)的高純度砂、。在第二個(gè)示 例性實(shí)施方式中，石英管包括含有小于80ppb鐵(即，<80ppbFe) 以及小于60ppm鋁(即，<60ppmAl)的高純度砂。在第三個(gè)示例 性實(shí)施方式中，石英管包括含有小于50ppb鐵(即，〈50ppbFe)以 及約5ppm至15ppm4呂(即，約5 ppm至15ppmAl)的高純度石少。
在根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式中，由電熔法(與燃燒水解法相 比)制成的石英管在隨后的光纖制造中提供了嚴(yán)格的尺寸控制。例 如，由電熔法制成的原料石英管典型地含有小于100 ppm的鹵素， 更典型地小于10ppm的卣素，以及更典型地小于1 ppm的卣素。
值得注意，本發(fā)明的連續(xù)焙燒石英沉積管既可用于制造具有降低 衰減的單模光纖，又可用于制造具有降低衰減的多模光纖。
正如人們已知的那樣，單模光纖具有相對(duì)較小的纖芯(例如，8 微米至IO微米)以及約125微米的直徑。單模光纖可用于在非常長 的距離上運(yùn)送模態(tài)。另一方面，多模光纖典型地具有相對(duì)較大的纖芯(例如，50微
米或62.5微米)以及約125微米左右的直徑。多模光纖可用于在較 短距離上運(yùn)送兩個(gè)或更多模態(tài)，典型地用于城市系統(tǒng)，其中許多信 號(hào)必須運(yùn)送到中轉(zhuǎn)站來進(jìn)行分配。
在一個(gè)示例性的實(shí)施方式中，光纖在1550納米波長下具有小于 0.20 dB/km的衰減。
在第二示例性實(shí)施方式中，光纖具有3.0或更小的b/a比率，在 1550納米波長下引起小于0.02 dB/km的附加損耗。
在第三示例性實(shí)施方式中，光纖具有2.8或更小的b/a比率，以 及在1550納米波長下小于0.01 dB/km的附加損耗。
在第四示例性實(shí)施方式中，光纖在1550納米波長下具有小于 0.005 dB/km的附加損誄毛。
在第五示例性實(shí)施方式中，光纖具有2.4或更小的b/a比率。下列示例提供對(duì)本發(fā)明的舉例說明，但不限制其范圍。涉及的石 英沉禾只管是商業(yè)上可獲4尋的，例-如Momentive Performance ]V[ateria" 公司(俄亥俄州，美國)的GE095熔凝石英管材。
示例1 (對(duì)比例)
具有約lppm殘留OH程度以及約100ppb殘留4失雜質(zhì)的石英沉 積管具有在1385納米波長下40dB/km以及在1550納米波長下 10dB/km的固有衰減水平。
當(dāng)形成具有2.4的b/a比率的光纖時(shí)，光纖具有在1385納米波長 下約0.28dB/km以及在1550納米波長下約0.18dB/km的固有衰減， 并且具有在1385納米波長下0.06dB/km以及在1550納米波長下 0.04dB/km的附加光纖衰減。由此，對(duì)于由現(xiàn)有技術(shù)的石英沉積管得 到的光纖，全部總光纖衰減在1385納米波長下大于0.34 dB/km以及 在1550納米波長下大于0.22 dB/km。
示例2
對(duì)比示例1的石英沉積管在形成預(yù)制件并拉制成光纖之前在真 空條件下(即，小于50毫托)在1090。C熱處理(即，連續(xù)焙燒)150小時(shí)。連續(xù)焙燒石英沉積管顯著地降低了得到的光纖的附加衰減。在這點(diǎn)上，所形成的同樣具有2.4的b/a比率的光纖在1385納米 波長下和1550納米波長下分別具有0.29 dB/km和0.185 dB/km的總 衰減，以及因此在1385納米波長下僅約0.01 dB/km以及在1550納 米波長下僅約0.005 dB/km的附加光纖衰減。如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員 所知，與對(duì)比示例1描述的常規(guī)光纖相比較，附加光纖衰減分別至 少降低6倍和8倍。 一般地說，連續(xù)焙燒方法已發(fā)現(xiàn)可減少附加光 纖衰減至十分之一或更低。連續(xù)焙燒還改變了 Fe3+:Fe2+比率。Fe3+的百分率至少增力。10 %; Fe2+的百分率相應(yīng)降低。在一個(gè)實(shí)施方式中，F(xiàn)e3+:Fe2+比率通 過UV-IR吸收光i普表征，F(xiàn)e2+在1100納米波長下具有吸收峰值，F(xiàn)e3十 在240納米波長下具有吸收峰值。在說明書以及附圖中，本發(fā)明的典型實(shí)施方式已被公開。本發(fā)明 不限于這樣的示例性實(shí)施方式。除非另有說明，專用術(shù)語具有通用 的及描述性的意義，不用于限制。撰寫的說明書使用示例來公開本發(fā)明，包括最佳方式，同樣使得 任何本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能制造并使用本發(fā)明。通過權(quán)利要求來限 定本發(fā)明的范圍，可包括本領(lǐng)域技術(shù)人員所能想到的其他實(shí)施例。 這樣的其他實(shí)施例如其具有非不同于權(quán)利要求的文字措辭的構(gòu)造單 元，或其包括與權(quán)利要求的文字措辭無實(shí)質(zhì)差異的等效構(gòu)造單元， 則其包含在權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種熱處理石英沉積管的方法，其中所述熱處理在900℃至1200℃的溫度下進(jìn)行至少125小時(shí)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中石英沉積管由電熔法制成。
3. 根據(jù)前述任一權(quán)利要求的方法，其中石英沉積管在IOO(TC至 IIO(TC的溫度下進(jìn)行熱處理。
4. 根據(jù)前述任一權(quán)利要求的方法，其中石英沉積管熱處理至少 200小時(shí)。
5. 根據(jù)前述任一權(quán)利要求的方法，其中石英沉積管熱處理至少 400小時(shí)。
6. 根據(jù)前述任一權(quán)利要求的方法，其中石英沉積管在小于100 毫托的真空環(huán)境中進(jìn)行熱處理。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中石英沉積管在小于50毫托的真 空環(huán)境中進(jìn)4亍熱處理。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中石英沉積管在小于IO毫托的真 空環(huán)境中進(jìn)行熱處理。
9. 根據(jù)前述任一權(quán)利要求的方法，其中石英沉積管在一種或多 種惰性氣體存在的情況下進(jìn)行熱處理。
10. —種根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)或多項(xiàng)的方法得到的用于 制造在1550納米波長下具有<0.25 dB/km衰減的光纖的石英沉積管， 其中該沉積管含有小于100 ppm的卣素。
11. 根據(jù)權(quán)利要求IO的石英沉積管，其中該沉積管含有小于10 ppm的鹵素。
12. 根據(jù)權(quán)利要求IO至11的石英沉積管，其中該沉積管含有小 于1 ppm的卣素。
13. 根據(jù)前述權(quán)利要求10至12中的任一項(xiàng)的石英沉積管，其中 該沉積管由電熔法制成。
14. 一種在根據(jù)前述權(quán)利要求10至13中的任一項(xiàng)的石英沉積管的基礎(chǔ)上制造的光學(xué)預(yù)制件，其中所述石英沉積管的內(nèi)表面上已沉 積數(shù)層玻璃層，其中由此得到的沉積管收縮得到實(shí)心管，即用于通 過從所述光學(xué)預(yù)制件拉制所述光纖來制造光纖的光學(xué)預(yù)制件，其中該光學(xué)預(yù)制件具有小于3.0的b/a比率，其中b/a比率描述了所述光 學(xué)預(yù)制件內(nèi)包層的外徑和纖芯的直徑之間的關(guān)系。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14的光學(xué)預(yù)制件，其中該光纖具有小于2.8 的b/a比率。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15的光學(xué)預(yù)制件，其中該光纖具有小于2.4 的b/a比率。
17. —種從根據(jù)權(quán)利要求14至16中的任一或多項(xiàng)的光學(xué)預(yù)制件 拉制的光纖，在小于3.0的b/a比率下具有的1550納米波長衰減小 于0.20dB/km,其中b/a比率描述了所述光纖的內(nèi)包層的外徑和纖芯 的直徑之間的關(guān)系。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17的光纖，其中該光纖具有小于2.8的b/a比率。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18的光纖，其中該光纖具有小于2.4的b/a比率。
20. 根據(jù)權(quán)利要求17至19中的任一或多項(xiàng)的光纖，其中1550 納米波長下衰減小于0.19dB/km。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20的光纖，其中1550納米波長下衰減小于 0.185 dB/km。
22. 根據(jù)前述權(quán)利要求17至21中的任一項(xiàng)的光纖，其中該光纖 具有小于0.01 dB/km的額外損耗。
23. 根據(jù)權(quán)利要求22的光纖，其中該光纖具有小于0.005 dB/km的額外損耗。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于石英玻璃沉積管的連續(xù)焙燒方法。公開了一種在1550納米波長下具有小于0.25dB/km衰減的光纖。該光纖由已經(jīng)在900℃至1200℃之間熱處理至少115小時(shí)的石英沉積管形成。
文檔編號(hào)C03B37/018GK101323501SQ20081000952
公開日2008年12月17日 申請(qǐng)日期2008年1月2日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月2日
發(fā)明者丹尼斯·羅伯特·西蒙斯, 伊沃·弗萊默, 塞德里克·戈內(nèi), 徐光軍, 強(qiáng) 曾, 羅布·休伯塔斯·馬瑟斯·德克斯 申請(qǐng)人:德雷卡通信技術(shù)公司;邁圖高新材料集團(tuán);徐光軍;曾 強(qiáng);丹尼斯·羅伯特·西蒙斯;羅布·休伯塔斯·馬瑟斯·德克斯;伊沃·弗萊默;塞德里克·戈內(nèi)