專利名稱：紅外輻射反射層系統(tǒng)及其制造方法
紅外輻射反射層系統(tǒng)及其制造方法 本發(fā)明涉及根據(jù)權利要求1的前序部分的紅外輻射反射層系統(tǒng)及其根
據(jù)權利要求29的制造方法。
在房屋或車輛應用中，被涂覆基材起到重要作用。這里，被涂覆基材 具體是指大面積的玻璃板，必須將該玻璃板涂覆，然后安裝作為房屋中的 建筑玻璃或車輛中的車用玻璃。
對這種玻璃的要求高。這種玻璃必須能透過足夠的可見光，但往往不 允許UV光透過。該玻璃同時還用于熱調(diào)節(jié)，這通過在玻璃上涂覆導電性 高的層來實現(xiàn)，所述層通常是具有極低輻射發(fā)射系數(shù)的金屬，例如Cu、 Ag、 Au。這些包括作為紅外輻射反射層的至少一個Cu、 Ag或Au層的層 系統(tǒng)還被稱作低e (低發(fā)射率或低發(fā)射)層，因為這種層系統(tǒng)僅將較低量 的室內(nèi)熱輻射輸出到戶外。
由于這些低e層的光反射(通常過高)，向這些層提供充當抗反射層 的其它透明涂層。通過應用這些透明層，還可以設定玻璃板的期望色調(diào)。 涂覆在紅外輻射反射層上的層還可用于使層系統(tǒng)具有高化學和機械耐性。
除了慣常的機械和化學負荷以外，如此制造的玻璃板(如果不被彎曲 和/或回火)還必須在不損壞的前提下耐受溫度和彎曲過程。
在可見光區(qū)具有高透射性質(zhì)并且在熱輻射區(qū)具有高反射性質(zhì)的不透明 材料板及其制造方法是已知的(DE 195 20 843 Al)。在該材料板上涂覆 包括數(shù)個層的涂層，其中Ag適合形成紅外輻射反射層。這里，對具有涂 層的材料板不進行回火或彎曲。
具有至少一個金屬涂層和其它電介質(zhì)涂層的被涂覆基材也是已知的 (EP 1 089 947 Bl)。這里，僅對被涂覆涂層熱處理一次。為了保護金屬 層，在涂覆工藝中將金屬層夾在基于部分氧化金屬子層之間。這種被涂覆 基材的構造可使其被回火或彎曲。為此目的，在每次熱處理之前，向電介 質(zhì)涂層提供子層，該子層基于部分氧化的兩種金屬的組合。
在基材上涂覆多層系統(tǒng)，該系統(tǒng)也是可回火且可彎曲的，這種系統(tǒng)也
是已知的(US 6 576 349 B2、 US 6 686 050 B2)。該多層系統(tǒng)包括兩個紅 外輻射反射層，其中每個反射層夾在兩個NiOOx層之間。
在涂覆之后進行回火和彎曲的熱絕緣層系統(tǒng)也是已知的(DE 198 50 023 Al或EP 0 999 192 Bl)。該層系統(tǒng)包括布置在1102層上的惰性金屬 層，這兩個層夾在低氧化的NiCrOx之間。
基于DE 198 50 023 Al，本發(fā)明的目的是解決在基材上制造可回火和 可彎曲的涂層的問題，所述涂層包括至少一個紅外輻射反射層，其中在回 火過程中，防止了金屬層(例如Ag)被滲透到其中的氧或Na+離子進攻。
上述問題被權利要求1或29的特征部分所解決。
因此，本發(fā)明涉及用于玻璃板等的紅外輻射反射層系統(tǒng)，即使在熱處 理(例如對玻璃板進行彎曲或回火)之后仍能保持層系統(tǒng)的性質(zhì)。使用銀 層作為合適的紅外輻射反射層。作為銀層的下阻擋層(siibblocker)，使用 NiCr(X和ZnA10x的組合。此外，引入化學計量層作為預阻擋層 (preblocker)。對于TiOxNy第一電介質(zhì)層，選擇特殊的操作點。影響涂 層回火能力的重要因素是層厚度的匹配、作為雙下阻擋層的NiCrOx和 ZnA10j勺氧化程度以及TiOxNy基層的操作點
本發(fā)明提供了一種涂層，該涂層在回火工藝之后也能保持顏色中性。
為了使氧在回火過程中(即在加熱隨后冷卻過程中)無法從外部滲透 到紅外輻射反射層內(nèi)，在基材上直接布置兩個電介質(zhì)層。
第一電介質(zhì)層不僅用作氧阻擋層，還確?；鼗鸷蠊鈱W參數(shù)的穩(wěn)定性。 優(yōu)選使用Ti02或TiOxNy層，因為此時可確保被涂覆基材具有優(yōu)異的機械 穩(wěn)定性。
在第一電介質(zhì)層上涂覆第二電介質(zhì)層。第二電介質(zhì)層(優(yōu)選Si3N4) 作為預阻擋層。由于該預阻擋層具有精確定義的化學計量，因此具有十分 優(yōu)異的不透氧性。
在該層上涂覆阻擋層，優(yōu)選NiCrOx。另外，使用預阻擋層的優(yōu)點是不 再需要精確設定NiCrOx層的氧含量。
通過預阻擋層(例如Si3N4)、阻擋層(例如NiCrOx)和粘合促進劑
(例如ZnA10x)的組合，可使系統(tǒng)獲得回火前后的色中性、化學和機械 穩(wěn)定性以及熱負荷能力。
由于第一層，特別地當是TiOxNy時， 一方面，被涂覆基材的色中性被 保持，另一方面，作為預阻擋層的第二電介質(zhì)層的涂覆防止氧或其它物質(zhì) (例如Na+離子)滲透到后續(xù)的層中。從而確保被涂覆基材的化學耐性以 及機械耐性得到保持。
如果將第一電介質(zhì)層與預阻擋層順序互換，則可以省略阻擋層。 由于層序列中不存在阻擋層，可以獲得非常高的透射率。 本發(fā)明的實施例示于附圖，下面將進行詳細描述。
在附圖中


圖1示出了布置在基材上的具有紅外輻射反射層的涂層系統(tǒng)；
圖2示出了圖1所示的涂層系統(tǒng)的一種變化；
圖3示出了圖l所示的涂層系統(tǒng)的另一種變化；
圖4示出了布置在基材上的具有兩個紅外輻射反射層的涂層系統(tǒng)。
圖1示出了布置在基材1上的涂層系統(tǒng)2。該涂層系統(tǒng)2包含數(shù)個層 3-9，并通過濺射工藝順序濺射層3-9中的每個層來制造。
在基材l (優(yōu)選玻璃)上，通過反應性濺射涂覆第一電介質(zhì)層3。層3 包含電介質(zhì)，例如ZnO、 Sn02、 ln203、 Bi203、 Ti02、 Zr02、 Ta205、 Si02、 A1203、 A1N、 S"N4或TiOxNy，但優(yōu)選Ti02、 S,或TiOxNy。確已 發(fā)現(xiàn)，TiOxNy和Ti02化合物是特別有利的，因為被涂覆襯底1在回火后 提供特別優(yōu)異的顏色穩(wěn)定性，與用除TiOxNy或Ti02以外的化合物涂覆的 基材相比，期望的化學或機械耐性被保持甚至提高。
通過金屬靶的過渡模式下的反應性濺射來獲得TiOxNy。在此情況下， 濺射優(yōu)選采用MF技術進行，通常采用穩(wěn)定化調(diào)節(jié)裝置，例如氧傳感器或 PEM (等離子體發(fā)射測量裝置)。
然而，如果用Ti02形成層3，則Ti02也可由陶瓷TiOx靶濺射。盡管 少量的氧氣被加入氬氣，但此處的濺射不包括反應性濺射。濺射通過MF
或DC技術來進行，DC技術是成本效率較高的一種技術。在此工藝中不 出現(xiàn)遲滯特性或過渡模式。
如果選擇TiOxNy作為布置在基材1上的第一層3，則必須在該層3上 布置另一個電介質(zhì)層4，以使氧或鈉離子無法滲透到上方的層中。
除了 TiOxNy以外，上覆在層3上的層4可包含層3中所含的化合物中 的一種。然而，優(yōu)選使用Si3N4或Ti02。因此，層4由于僅包含化學計量 化合物并在阻擋層前被布置而作為預阻擋層，從而防止氧滲透到上方各層 中或者至少明顯降低氧擴散。這使得上方各層的化學計量并不關鍵。
層4防止氧或鈉離子滲透到上層5-9中，由此被涂覆基材的化學和機 械耐性在回火后也被保持。
然而，如果層3由化學計量化合物組成，則其上涂覆的第二電介質(zhì)層 4是多余的，因為層3已經(jīng)具有了對氧或鈉離子的阻擋性。但仍然可以任 選地在層3上涂覆層4。
層3和4的總厚度約為25 nm，層3的厚度約為15-19 nm，因而總是 大于層4的厚度。
在層4上涂覆層5。層5作為氧阻擋層，該層可由Ti、 TiOx、 Cr、 CrOx、 Nb、 NbOx、 NiCr或NiCrOx組成，但優(yōu)選由NiCr或NiCrOx組成。 確切地，當該層是組分NiCrOx的非化學計量層時，由于氧會結合到NiCr 金屬晶格缺陷中，因此該層對氧的阻擋性質(zhì)肯定較好。該層5的層厚度約 為3-6 nm。
在層5上，通過反應性濺射涂覆另一個層6。該層6包含TaOx、 ZnOx、 ZnTaOx或ZnA10x，其中優(yōu)選ZnA10x。
涂覆ZnA10x的一種方法包括采用MF技術濺射金屬靶。該金屬靶包 含Al以及Zn。
ZnA10x優(yōu)選通過濺射陶瓷靶獲得。因為此ZnAKX層為亞化學計量 層，所以濺射可在Ar氣氛下發(fā)生，其中少量的02被加入Ar。然而，也可 以在純氬氣氛下進行濺射。
如果要使ZnAlOx層具有低吸收率(例如吸收率為1-2%)，則優(yōu)選添 加少量02。
與層5的化合物相比，TaOx、 ZnOx、 ZnTaOx或ZnA10x不僅具有阻氧 性，還對其上涂覆的紅外輻射反射層具有良好的粘合性。這些紅外輻射反 射層優(yōu)選包含元素周期表第一副族的金屬或者這些金屬中的至少一種的合 金。如果紅外輻射發(fā)射層被涂覆在NiCrOx層上，則此NiCrOx層的氧含量 無需精確設定。如果氧含量過低，則NiCrOx層金屬性太強并且對涂覆的 金屬層7的粘合強度太低。另一方面，如果氧含量過高，則NiCrOx層的阻 氧性不佳。
如果氧含量過高，則低氧化層NiCr(X在回火過程中不能吸收足夠的 氧。因此，氧會滲透到紅外輻射反射層中，以使此金屬層的化學耐性變 差。通過涂覆第二阻擋層(層6)可以避免這些問題。對于層6，優(yōu)選使 用ZnAlOx，通過反應性濺射涂覆。與常用(例如DE 195 20 843 Al)且同 樣具有良好的粘合強度的ZnOx相比，ZnA10x的優(yōu)點是在回火過程中也能 保持對紅外輻射反射層的粘合強度。
因為厚度很小的層6即足以獲得紅外輻射反射層的良好生長，所以約 lnm的層厚度即足夠。
在層6上涂覆紅外輻射反射層7。此紅外輻射反射層包含元素周期表 第一副族的金屬或這些金屬中的至少一種的合金。然而，紅外輻射反射層 優(yōu)選包含Ag， Ag通過在氧氣下濺射涂覆。結合到Ag層中的氧使其具有 良好的化學耐性。這些Ag層的厚度約為11-13 nm。
在Ag層7上再次涂覆阻擋層8。層8優(yōu)選包含NiCrOx，而Ti、 TiOx、 Cr、 CrOx、Nb、 NbOx或NiCr也可形成層8。
層8的厚度約為3-6 nm。電介質(zhì)層9作為最后一層，層9可包含第二 電介質(zhì)層4也包含的一種元素。如圖1所示，層9優(yōu)選由Si3N4組成。層9 的厚度約為30-45 nm。
與其它層系統(tǒng)相比，圖l所示的層系統(tǒng)具有以下優(yōu)點
包含TiOxNy的層3確保被涂覆基材可在回火過程中彎曲而不劣化其機 械和化學耐性。Ti02中的氮減少了應力，對于較厚的層，這有利于盡可能 減少涂層中的裂紋和微孔。
用作預阻擋層的層4減少了鈉離子和氧到上方各層5-9中的滲透。
在包含NiCrOx的層5上涂覆粘合層6，粘合層6同時也作為阻擋層。 因此無需精確設定NiCrOx層的氧含量。該層6優(yōu)選包含ZnA10x。
層6具有良好的對紅外輻射反射層7的粘合強度。
由于SisN4與Ag彼此粘合較差，因此必須在其間涂覆至少一個其它材 料層作為粘合促進劑。ZnA10x可以很薄以致于不能形成封閉的層，因此必 須額外地在SisN4與Ag之間設置另一種材料。該材料是Ti02或Ti(XNy或 NiCrOx。采用"玻璃/Si3N/Ti02/Ag ... TiOxNy"結構，可以省略Ag下的 NiCrOx，因此在兩個低e銀涂層的整套涂覆設備中，可以省略具有相關的 氣體分離裝置的兩個涂覆臺，從而節(jié)省空間和成本。也可以在層系統(tǒng)的每 個位置上使用Ti(XNy來代替Ti02。
與其上布置Ag層的其它層相比，由于層6具有良好的粘合強度，因 此圖1中的布置在ZnA10x上的Ag層7可以具有很小的層厚度。
盡管層厚度相當小，但Ag層因保持了表面電阻率而具有很好的紅外 反射性。這不僅僅是因為Ag層可以在ZnA10x層上最好地生長。
圖2示出了圖1所示被涂覆基材1的一種變化。與圖1的涂層系統(tǒng)2 相比，在涂層系統(tǒng)10上涂覆另一個層11。該層11包含ZnO、 Sn02、 ln203、 Bi203、 Ti02、 Zr02、 Ta205、 Si02、 A1203、 A1N或Si3N4或由其組 成，但其中優(yōu)選Si3N4或Ti02。作為覆層，Ti02改善了層系統(tǒng)IO的化學耐 性。
由于層9包含SisN4，通過反應性濺射用Ti02涂覆層11。然而，也可 以通過濺射陶瓷靶來涂覆層11。由于層9上已涂覆了另一個層11，因此 層9的厚度可以減小。層9和11的總厚度可優(yōu)選為約37-44 nm。這帶來 的優(yōu)點是，通過涂覆不同組成的兩個電介質(zhì)層9和11，化合物的性質(zhì)得到 相互補充。
下面將描述涂覆各個層的工藝。
層系統(tǒng)10的層3-9和11或圖1中的層系統(tǒng)2的層3-9優(yōu)選通過反應性 濺射和/或濺射陶瓷靶來涂覆。雖然也可通過在氬氣中濺射相應的金屬靶來 涂覆層5、 6、 7、 8，但在含有少量氧氣的氬氣中涂覆是有利的，例如對于 Ti、 M 、 Cr、 Ag、 NiCr，原因是層5、 6、 8 (如果由低氧化化合物組成)
具有更好的阻氧性；而結合氧的Ag層與純Ag層相比化學耐性得到改善。
盡管銀層有時通過添加氧氣來濺射，但該過程不能被認為是反應性濺 射。當通過添加氧氣濺射時，等離子體放電不取決于氧氣。靶表面基本上 是金屬性的，其放電行為類似于金屬濺射工藝。濺射的層可被認為是摻氧 層，即基本上由銀組成并包含百分比很小的氧化銀。工藝氣體包含的氧顯 著小于10%，氧分數(shù)為1-5%。為了實現(xiàn)反應性濺射銀，要求工藝氣體中 的氧分數(shù)至少為50%。實際上，反應性沉積的氧化銀層應當是暗黑色。
所有層的濺射工藝在約2X l(T3 -5X 10-3 mbar的壓力下進行。向惰性氣 體(優(yōu)選Ar)中添加反應性氣體，優(yōu)選02或N2。 Ar : 02比優(yōu)選為3:1， 如果制造該層還需要N2，例如對于TiOxNy層，則02:N2比為5:1。
已發(fā)現(xiàn)，上述壓力以及氣體相對比對于制造這些層的濺射工藝來說是 最佳的，但是也可以采用其它壓力和其它組成的氣體混合物進行濺射工 藝。
除了上述兩個參數(shù)以外，發(fā)生濺射的功率也具有重要作用。
圖3示出了圖1所示的涂層系統(tǒng)2的另一種變化。在圖3所示的涂層
系統(tǒng)29中，直接布置在基材1上的是層4而非層3。因此，層3和4的位
置互換。
雖然圖3中的層3包含TiOxNy,但層3也可包含Ti02。由于現(xiàn)在層3 不再布置在基材1上，化學和機械耐性降低。然而，這種布置方式可以省 略層5 (NiCrOx阻擋層)，因為ZnA10x層對TiOxNy層的粘合性要好于對
Si3N4層的粘合性。
與圖l或2所示的涂層系統(tǒng)2相比，在該涂層系統(tǒng)29中，通過省略第 一阻擋層，可以有利地提高透射率。
因此，如果需要提高透射率并對機械和化學耐性要求不高時，該涂層 系統(tǒng)是有利。
盡管圖3中未示出，但與圖2類似，可在層9上涂覆另一層11，層 ll優(yōu)選包含Ti02。
圖4示出了布置在基材12上的具有兩個紅外輻射發(fā)射層18、 25的涂 層系統(tǒng)13。如圖4所示，層14-21與圖2所示的涂層系統(tǒng)IO在組成和順序上沒有 區(qū)別。在層21上涂覆另外七個層，即層22-28。層25是額外涂覆的紅外 輻射反射層。
濺射在層21上的層22-28具有與層15-21相同的組成和順序。因此， 在基材12被涂覆第一電介質(zhì)層14之后，連續(xù)兩次以Si3N4、 NiCrOx、 ZnA10x、 Ag、 NiCrOx、 Si3N4、 Ti02的順序涂覆各層。由此使只有一個紅 外輻射反射層的涂層系統(tǒng)變成具有兩個紅外輻射反射層的涂層系統(tǒng)13。
顯然，除TiOxNy層以外，涂層系統(tǒng)13原則上包括兩個層疊的涂層系 統(tǒng)10。其優(yōu)點是，在濺射工藝中可以使用相同的靶材。如果基材12上已 涂覆層14-21，則涂覆工藝可簡單地重復，而無需更換全新的不同靶材。
圖4示出了具有兩個紅外輻射反射層18、 25的優(yōu)選涂層系統(tǒng)13，其 組成也可以變化。
盡管層14優(yōu)選由TiOxNy組成，但層14也可包含ZnO、 Sn02、 ln203、 Bi203、 Ti02、 Zr02、 Ta205、 Si02、 A1203、 AlN或SisN4。
相反地，層15、 20、 21、 22、 27、 28可包含下列化合物的至少一 種Si3N4、 AIN、 A1203、 Si02、 Ta205、 Zr02、 Ti02、 Bi203、 ln203、 Sn02 和/或ZnO。這些層通過反應性濺射或通過濺射相應的陶瓷靶來涂覆。
層16、 19、 23、 26可包含Ti、 TiOx、 Cr、 CrOx、 Nb、 NbOx、 NiCr或 NiCrOx。粘合層17、 24包含TaO、 ZnOx、 ZnTaOx或ZnA10x。
雖然紅外輻射反射層18、 25優(yōu)選包含Ag，但它們也可包含Cu、 Au 或這些金屬的合金。
涂層系統(tǒng)13的層厚度與圖1-3中所示的僅具有一個紅外輻射反射層的 涂層系統(tǒng)的層厚度差別極小。
只有層20-22的厚度存在差別。雖然層20-22的厚度各有不同，但這 些層20-22的厚度之和約為70-90 nm。
層20-22的材料可互換，因此層21可包含Si3N4，層20、 22可包含 Ti02。
也可以只在NiCrOx層19與23之間布置兩個層甚至僅布置一個層。例 如，如果在兩個NiCrOx層19與23之間布置兩個層，在其中一個層例如可
由Ti02組成而另一個層由SisN4組成。層的順序并不關鍵。
在該涂層系統(tǒng)13中，層15也可與層14互換。由于此時層15布置在 基材12上，因此化學和機械耐性事實上降低，但可以省略層16和23，從 而提高涂層系統(tǒng)13的透射率。
具有多于兩個的紅外輻射反射層的涂層系統(tǒng)也是可以想到的。應當考 慮到，與具有兩個紅外輻射反射層的涂層系統(tǒng)相比，只有一個紅外輻射反 射層的涂層系統(tǒng)的可見光透射率大約高5-10%。因此，透射率隨著紅外輻 射反射層數(shù)的增多而降低。然而，具有兩個紅外輻射反射層的涂層系統(tǒng)的 優(yōu)點是IR反射率幾乎提高了 100%。因此，具有兩個紅外輻射反射層的涂 層系統(tǒng)在最小的透射率損失下提供了很好的熱調(diào)節(jié)性。
這些系統(tǒng)的選擇性明顯較高，選擇性S以下式計算
S ＝ Tvis/TlR
其中，Tvi＝可見光區(qū)的透射率，TIR=紅外區(qū)的透射率。
權利要求
1. 紅外輻射反射層系統(tǒng)，特別是用于將被彎曲和/或回火的玻璃板的紅外輻射反射層系統(tǒng)，所述層系統(tǒng)具有至少一個紅外輻射反射層，包括a)布置在基材(1，12)上的第一電介質(zhì)層(3，14)，然后是b)第一阻擋層(5，16)，c)粘合中間層(6，17，24)，d)紅外輻射反射層(7，18，25)，e)第二阻擋層(8，19，26)，以及f)第二電介質(zhì)層(9，20，27)，其特征在于在第一電介質(zhì)層(3，14)與第一阻擋層(5，16)之間布置預阻擋層(4，15)。
2. 如權利要求1的層系統(tǒng)，其特征在于第一電介質(zhì)層(3， 14)由 ZnO、 Sn02、 ln203、 Bi203、 Ti02、 Zr02、 Ta205、 A1203、 AIN、 Si3N4和/ 或TiOxNy組成或包含這些物質(zhì)。
3. 如權利要求2的層系統(tǒng)，其特征在于第一電介質(zhì)層(3， 14)是 TiOxNy。
4. 如權利要求2的層系統(tǒng)，其特征在于第一電介質(zhì)層(3， 14)是 Ti02。
5. 如權利要求1的層系統(tǒng)，其特征在于第一和第二阻擋層(5， 8， 16， 19， 23， 26)由TiOx、 Ti、 Ni、 Cr、 NiCr、 Nb、 NbOx、 CrOx和/或 NiCrOx組成或包含這些物質(zhì)。
6. 如權利要求1的層系統(tǒng)，其特征在于粘合中間層(6， 17， 24) 由ZnOp TaOx、 ZnTaOx和/或ZnAlOx組成或包含這些物質(zhì)。
7. 如權利要求1的層系統(tǒng)，其特征在于紅外輻射反射層(7， 18， 25)由元素周期表第一副族的金屬組成和/或由這些金屬中的至少一種的合 金組成或包含這些物質(zhì)。
8. 如權利要求6的層系統(tǒng)，其特征在于紅外輻射反射層(7， 18， 25)由Ag組成或包含Ag。
9. 如權利要求7或8的層系統(tǒng)，其特征在于紅外輻射反射層(7， 18， 25)包含氧。
10. 如權利要求1的層系統(tǒng)，其特征在于第二電介質(zhì)層(9， 20， 27)由Si3N4、 Ti02、 A1N、 A1203、 Si02、 Ta2Os、 Zr02、 Bi203、 ln203、 Sn02和/或ZnO組成或包含這些物質(zhì)。
11. 如權利要求1的層系統(tǒng)，其特征在于預阻擋層(4， 15)被化學 計量地構造。
12. 如權利要求11的層系統(tǒng)，其特征在于預阻擋層(4， 15)由 Ti02和/或Si3N4組成或包含這些物質(zhì)。
13. 如權利要求1的層系統(tǒng)，其特征在于在第二電介質(zhì)層(9， 20，27) 上布置另一層(11， 21， 28)。
14. 如權利要求13的層系統(tǒng)，其特征在于所述另一層(11， 21，28) 由Ti02組成或包含Ti02。
15. 紅外輻射反射層系統(tǒng)，特別是用于將被彎曲和/或回火的玻璃板的 紅外輻射反射層系統(tǒng)，所述層系統(tǒng)具有至少一個紅外輻射反射層，包括a) 布置在基材(1， 12)上的第一預阻擋層(4， 15)，然后是b) 第一電介質(zhì)層(3， 14)，c) 粘合中間層(6， 17， 24)，d) 紅外輻射反射層(7， 18， 25)，e) 阻擋層(8， 19， 26)，以及f) 第二電介質(zhì)層(9， 20， 27)。
16. 如權利要求15的層系統(tǒng)，其特征在于在第二電介質(zhì)層(9， 20， 27)上布置另一層(11， 21， 28)。
17. 如權利要求16的層系統(tǒng)，其特征在于所述另一層(11， 21， 28)由Ti02組成或包含Ti02。
18. 如權利要求15的層系統(tǒng)，其特征在于第一電介質(zhì)層(3， 14) 由ZnO、 Sn02、 ln203、 Bi203、 Ti02、 Zr02、 Ta205、 A1203、 AIN、 Si3N4 和/或TiOxNy組成或包含這些物質(zhì)。
19. 如權利要求18的層系統(tǒng)，其特征在于第一電介質(zhì)層(3， 14) 是TiOxNy或包含TiOxNy。
20. 如權利要求18的層系統(tǒng)，其特征在于第一電介質(zhì)層(3， 14) 是Ti02或包含Ti02。
21. 如權利要求15的層系統(tǒng)，其特征在于阻擋層(8， 19， 26)由 TiOx、 Ti、 Ni、 Cr、 NiCr、 Nb、 NbOx、 Cr(^和/或NiCr(X組成或包含這些 物質(zhì)。
22. 如權利要求15的層系統(tǒng)，其特征在于粘合中間層(6， 17， 24)由ZnOx、 TaOx、 ZnTaOx和/或ZnA10x組成或包含這些物質(zhì)。
23. 如權利要求15的層系統(tǒng)，其特征在于紅外輻射反射層(7， 18， 25)由元素周期表第一副族的金屬組成和/或由其合金組成或至少包含 這些金屬中的一種。
24. 如權利要求23的層系統(tǒng)，其特征在于紅外輻射反射層(7， 18， 25)由Ag組成或包含Ag。
25. 如權利要求24的層系統(tǒng)，其特征在于紅外輻射反射層(7， 18， 25)包含氧。
26. 如權利要求15的層系統(tǒng)，其特征在于第二電介質(zhì)層(9， 20， 27)由Si3N4、 Ti02、 A1N、 A1203、 Si02、 Ta205、 Zr02、 Bi203、 ln203、 Sn02和/或ZnO組成或包含這些物質(zhì)。
27. 如權利要求15的層系統(tǒng)，其特征在于預阻擋層(4， 15)被化 學計量地構造。
28. 如權利要求27的層系統(tǒng)，其特征在于預阻擋層(4， 15)由 1102和/或Si3N4組成或包含這些物質(zhì)。
29. 制造用于經(jīng)彎曲和/或回火的玻璃板的紅外輻射反射層系統(tǒng)的方 法，包括以下步驟a) 提供基材(1， 12)，b) 在基材(1， 12)上涂覆第一電介質(zhì)層(3， 14)，c) 在第一電介質(zhì)層(3， 14)上涂覆預阻擋層(4， 15)，d) 在預阻擋層(4， 15)上涂覆第一阻擋層(5， 16， 23)，e) 在第一阻擋層(5， 16， 23)上涂覆粘合中間層(6， 17， 24)， f) 在粘合中間層(6， 17， 24)上涂覆紅外輻射反射層(7， 18，25) ，g) 在紅外輻射反射層(7， 18， 25)上涂覆第二阻擋層(5， 19，26) ，h) 在第二阻擋層(5， 19， 26)上涂覆第二電介質(zhì)層(9， 20，27) 。
30. 如權利要求29的方法，其特征在于第一電介質(zhì)層(3， 14) Ti02 和/或TiOxNy是通過濺射陶瓷耙涂覆的。
31. 如權利要求29的方法，其特征在于第一電介質(zhì)層(3， 14) Ti02 禾口/或TiOxNy是通過反應性濺射涂覆的。
32. 如權利要求29的方法，其特征在于第一和第二阻擋層(5， 8， 16， 19， 25， 26) Ti、 Ti02、 Ni、 Cr、 NiCr、 Nb、 CrOx、 NbOx和/或 NiCrOx是通過反應性濺射涂覆的。
33. 如權利要求29的方法，其特征在于第一和第二阻擋層(5， 8， 16， 19， 25， 26) Ti、 TiOx、 Ni、 Cr、 NiCr、 Nb、 CrOx、 NbOx和/或 NiCKX是在氬氣中通過濺射陶瓷耙或金屬耙涂覆的。
34. 如權利要求29的方法，其特征在于粘合中間層(6， 17， 24) ZnA10x是通過反應性濺射金屬靶涂覆的。
35. 如權利要求29的方法，其特征在于粘合中間層(6， 17， 24) ZnA10x是通過濺射陶瓷靶涂覆的。
36. 如權利要求29的方法，其特征在于紅外輻射反射層是在添加最 少量的氧氣的同時通過濺射涂覆的。
37. 如權利要求29的方法，其特征在于第二電介質(zhì)層(9， 21) Ti02、 Si3N4、 A1N、 A1203、 Si02、 Ta205、 Zr02、 Bi203、 ln203、 Sn02和/ 或ZnO是通過反應性濺射涂覆的。
38. 如權利要求29的方法，其特征在于第二電介質(zhì)層(9， 21) Ti02、 Si3N4、 AIN、 A1203、 Si02、 Ta205、 Zr02、 Bi203、 ln203、 Sn02禾口/ 或ZnO是通過濺射陶瓷耙涂覆的。
39. 如權利要求29的方法，其特征在于通過反應性濺射在第二電介 質(zhì)層(9， 20， 27)上涂覆另一個電介質(zhì)層(21， 22)。
40. 如權利要求29的方法，其特征在于通過濺射陶瓷靶在第二電介 質(zhì)層(9， 20， 27)上涂覆另一個電介質(zhì)層(21， 22)。
41. 如權利要求29的方法，其特征在于重復步驟d)至h)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于玻璃板及其類似物的紅外輻射反射層系統(tǒng)，所述層系統(tǒng)的性質(zhì)即使在熱處理(例如，對玻璃板進行彎曲或硬化)之后也能保持。使用銀作為紅外輻射反射層。使用NiCrO_x和ZnAlO_x的組合作為銀層的下層阻擋層。另外，還使用化學計量層作為預阻擋層。對于第一電介質(zhì)層TiO_xN_y選擇特定的操作條件。對于涂層的可回火性，重要的是調(diào)節(jié)各層的厚度和作為下層阻擋層的NiCrO_x和ZnAlO_x的氧化程度以及TiO_xN_y基層的操作條件。
文檔編號C03C17/36GK101384516SQ200780006001
公開日2009年3月11日 申請日期2007年2月15日 優(yōu)先權日2006年3月3日
發(fā)明者斯萬·斯拉莫, 格德·克雷德依特, 邁克爾·格斯勒, 雨朵·施雷伯 申請人:應用材料合資有限公司