專利名稱：側(cè)壁堆積物除去用組合物和側(cè)壁堆積物除去方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及側(cè)壁堆積物用組合物和側(cè)壁堆積物的除去方法。更詳細(xì)涉及可在低溫下短時(shí)間內(nèi)除去使用鹵素氣體制造半導(dǎo)體器件的干式蝕刻工程中所產(chǎn)生的包含高分子抗蝕劑和無機(jī)物的側(cè)壁堆積物，并且對配線材料無腐蝕的用于除去側(cè)壁堆積物的組合物；利用該組合物除去側(cè)壁堆積物的方法；以及包含利用該組合物除去側(cè)壁堆積物的工程的半導(dǎo)體器件的制造方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體器件是使用光致抗蝕樹脂，如圖2(a)～(f)所示，按照下述的(1)～(6)的工程制得的。
(1)在基板1上的SiO2等絕緣層2上形成構(gòu)成配線材料的Al等金屬層3(圖2(a))。
(2)在前述金屬層3上形成陽極型光致抗蝕層4(圖2(b))。
(3)在前述光致抗蝕層上重疊光掩模5施行曝光(圖2(c))。
(4)進(jìn)行顯像處理形成抗蝕模型(圖2(d))。
(5)對露出的金屬層進(jìn)行蝕刻處理(圖2(e))。
(6)剝除抗蝕模型得到金屬配線模型(圖2(f))。
近年，集成電路的高密度化，需要形成更微細(xì)的配線模型。蝕刻處理以前是使用化學(xué)藥劑進(jìn)行濕式蝕刻，蝕刻無方向性不宜微細(xì)配線，為了形成更微細(xì)的模型，干式蝕刻、即使用氯氣或BCl3氣體等鹵素氣體可進(jìn)行不同方向蝕刻的干式蝕刻被開始用得越來越多。
干式蝕刻如圖3(a)所示，在金屬和金屬上面抗蝕模型的側(cè)面處形成高分子抗蝕劑和無機(jī)物所構(gòu)成的膜，殘存膜被稱為側(cè)壁堆積物，側(cè)壁堆積物起著保護(hù)側(cè)面的作用使得異方性蝕刻成為可能。側(cè)壁堆積物是干式蝕刻時(shí)光致抗蝕劑及配線材料和蝕刻氣體之間的化學(xué)反應(yīng)所生成的產(chǎn)物，由來自光致蝕刻劑的有機(jī)物，來自配線材料的無機(jī)物，來自蝕刻氣體的鹵化物等復(fù)雜的化合物所組成。
干式蝕刻為了完全除去殘留的光致蝕刻劑，雖然在干式蝕刻工程后用等離子氧進(jìn)行了煅燒處理，但還會(huì)殘留一部分沒有被除去的前述的側(cè)壁堆積物(圖3(b))。該側(cè)壁堆積物被利用鹵素氣體進(jìn)行干式蝕刻時(shí)產(chǎn)生的鹵素基團(tuán)或鹵素離子封閉起來，由空氣中的水分所產(chǎn)生的酸會(huì)腐蝕配線材料(后腐蝕)。所以，側(cè)壁堆積物必須完全除去。
以前使用的用于除去光致抗蝕膜的剝離液，是為了剝離有機(jī)物的光致抗蝕劑而設(shè)計(jì)的，不能充分剝離除去側(cè)壁堆積物。
例如烷基苯磺酸系的酸性剝離液即使在100℃高溫下加熱也很難除去側(cè)壁堆積物。并且，由于這些酸性剝離液在水中溶解度低，水洗前需要用異丙醇(IPA)等水溶性有機(jī)溶劑沖洗，所以使制造過程變得復(fù)雜。
另一方面，有機(jī)胺系的堿性剝離液也是如此，即使在100℃高溫下加熱也很難除去側(cè)壁堆積物。并且，立即水洗時(shí)，由于有機(jī)胺成分和水的作用使剝離液呈強(qiáng)堿性，引起配線材料的腐蝕。所以，需要先用水洗，然后用IPA等沖洗，也使制造工程變得復(fù)雜。
并且，雖然已經(jīng)提出了在2-比咯烷等汽提溶劑，胺、弱酸形成的高度交聯(lián)或硬化的光致抗蝕劑汽提組合物(美國專利第5308745號(hào)(特開平6-202345號(hào)公報(bào)))，含氮有機(jī)羥基化合物形成的抗蝕劑剝離用組合物中混合包含羧基的有機(jī)化合物而獲得的陽極型抗蝕劑用剝離液(特開平7-219240號(hào)公報(bào))，但如上所述這些抗蝕劑剝離液很難除去側(cè)壁堆積物。此外，鹽酸或硫酸等酸，烷基胺或烷醇胺水溶液等堿雖然可通過熔解配線材料中鋁來除去側(cè)壁堆積物，但也不能避免配線材料的腐蝕。
如上所述，光致抗蝕劑形成后異方性干式蝕刻所生成的側(cè)壁堆積物是光致抗蝕劑和配線材料及蝕刻氣體之間的化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生的，其組成為來自光致抗蝕劑的有機(jī)物，來自配線材料的無機(jī)物，來自蝕刻氣體的鹵化物等構(gòu)成的復(fù)雜的化合物。因此需要開發(fā)一種既可容易地除去這些側(cè)壁堆積物又不會(huì)對配線材料產(chǎn)生腐蝕的方法。
發(fā)明揭示本發(fā)明的目的是提供不會(huì)對配線材料產(chǎn)生腐蝕，在低溫下短時(shí)間內(nèi)可除去側(cè)壁堆積物的側(cè)壁堆積物除去用組合物，利用該組合物除去側(cè)壁堆積物的方法，以及半導(dǎo)體器件的制造方法。
本發(fā)明者經(jīng)過深入研究后發(fā)現(xiàn)，在單獨(dú)使用會(huì)腐蝕配線材料的硝酸水溶液中添加多元羧酸、氨基羧酸或它們鹽類所形成的水溶液組合物，能夠在低溫下短時(shí)間內(nèi)除去側(cè)壁堆積物且不會(huì)對配線材料產(chǎn)生腐蝕，由此完成了本發(fā)明。
即，本發(fā)明涉及以下的側(cè)壁堆積物除去用組合物、側(cè)壁堆積物除去方法和半導(dǎo)體器件的制造方法。
(1)側(cè)壁堆積物除去用組合物，由包含硝酸和至少一種選自多元羧酸、氨基羧酸及它們的鹽的羧酸類的水溶液形成。
(2)前述1所述的側(cè)壁堆積物除去用組合物，前述硝酸濃度為0.01～50質(zhì)量％。
(3)前述2所述的側(cè)壁堆積物除去用組合物，前述硝酸濃度為0.1～50質(zhì)量％。
(4)前述1所述的側(cè)壁堆積物除去用組合物，前述羧酸類濃度為0.0001～30質(zhì)量％。
(5)前述4所述的側(cè)壁堆積物除去用組合物，前述羧酸類濃度為0.1～30質(zhì)量％。
(6)前述1所述的側(cè)壁堆積物除去用組合物，前述多元羧酸或多元羧酸鹽為脂肪族多元羧酸或脂肪族多元羧酸鹽。
(7)前述1所述的側(cè)壁堆積物除去用組合物，前述多元羧酸或多元羧酸鹽為芳香族多元羧酸或芳香族多元羧酸鹽。
(8)前述1所述的側(cè)壁堆積物除去用組合物，前述氨基羧酸或氨基羧酸鹽為脂肪族氨基羧酸或脂肪族氨基羧酸鹽。
(9)前述1所述的側(cè)壁堆積物除去用組合物，前述多元羧酸或多元羧酸鹽為至少一種選自檸檬酸、酒石酸、蘋果酸、琥珀酸、馬來酸、草酸、丙二酸、戊二酸、己二酸、D-葡聚糖酸、衣康酸、檸康酸、中康酸、2-酮戊二酸、3-酮戊二酸、乙炔二羧酸、1，1-環(huán)丙烷二甲酸、偏苯三酸、草藻滅、谷氨酸、甲基琥珀酸、檸蘋酸及它們的鹽類的化合物。
(10)前述1所述的側(cè)壁堆積物除去用組合物，前述氨基羧酸或氨基羧酸鹽為至少一種甘氨酸、丙氨酸、β-氨基丙酸、2-氨基丁酸、3-氨基丁酸、4-氨基丁酸、2-氨基己酸、6-氨基己酸及它們的鹽類的化合物。
(11)前述1、7或9所述的側(cè)壁堆積物除去用組合物，前述多元羧酸為檸檬酸。
(12)前述1、8或10所述的側(cè)壁堆積物除去用組合物，前述氨基羧酸為甘氨酸。
(13)前述1所述的側(cè)壁堆積物除去用組合物，包含多元羧酸及氨基羧酸。
(14)前述13所述的側(cè)壁堆積物除去用組合物，前述多元羧酸為檸檬酸，氨基羧酸為甘氨酸。
(15)側(cè)壁堆積物除去方法，該方法的特征是，使用前述1～14中任意一項(xiàng)所述的側(cè)壁堆積物除去用組合物對半導(dǎo)體器件制造時(shí)的干式蝕刻工程所產(chǎn)生的側(cè)壁堆積物進(jìn)行洗凈處理。
(16)前述15所述的側(cè)壁堆積物除去方法，其中，洗凈處理通過浸泡來完成。
(17)前述16所述的側(cè)壁堆積物除去方法，其中，洗凈處理溫度為0～80℃。
(18)前述17所述的側(cè)壁堆積物除去方法，其中，洗凈處理為10～60℃。
(19)前述16所述的洗凈方法，其中，洗凈處理時(shí)間為1～60分鐘。
(20)前述19所述的洗凈方法，其中，洗凈處理時(shí)間為1～30分鐘。
(21)半導(dǎo)體器件的制造方法，包括用前述1～14中任意一項(xiàng)所述的側(cè)壁堆積物除去組合物對半導(dǎo)體器件制造時(shí)的干式蝕刻工程所產(chǎn)生的側(cè)壁堆積物進(jìn)行洗凈處理的工程。
(22)前述21所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，半導(dǎo)體器件包含Al合金配線。
(23)前述21或22所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，半導(dǎo)體器件包含實(shí)質(zhì)上不會(huì)被腐蝕的Al合金配線。
(24)包含實(shí)質(zhì)上不會(huì)被腐蝕的Al合金配線的半導(dǎo)體器件，該器件的特征是，使用前述1～14中任意一項(xiàng)所述的側(cè)壁堆積物除去用組合物度對半導(dǎo)體器件制造過程的干式蝕刻所產(chǎn)生的側(cè)壁堆積物進(jìn)行洗凈處理就可獲得上述半導(dǎo)體器件。
圖2(a)～(f)是使用光致抗蝕樹脂制造半導(dǎo)體器件的工程說明圖。
圖3(a)及(b)是用鹵素氣體進(jìn)行干式蝕刻及其后的煅燒處理的工程說明圖。
發(fā)明的實(shí)施狀態(tài)下面，對本發(fā)明作詳細(xì)說明。
本發(fā)明的側(cè)壁堆積物除去用組合物由包含硝酸和多元羧酸、氨基羧酸或它們的鹽類的水溶液形成。
硝酸的主要作用是除去側(cè)壁堆積物。硝酸濃度對應(yīng)于組合物總量較好為0.01～50質(zhì)量％，更好為0.1～50質(zhì)量％。硝酸濃度如果低于此范圍，則側(cè)壁堆積物不能被完全除去。另一方面，硝酸濃度如果高于此范圍，也不能再提高除去效果。
多元羧酸、氨基羧酸及它們的鹽(以下，記作羧酸類)的主要作用是抑制配線材料被腐蝕。羧酸類濃度對應(yīng)于組合物總量較好為0.0001～30質(zhì)量％，更好為0.1～30質(zhì)量％。羧酸類濃度如果低于此范圍，則不能抑制配線材料的腐蝕，濃度如果高于此范圍，也不能再提高效果。
(25)本發(fā)明所用的作為多元羧酸或多元羧酸鹽包括檸檬酸、酒石酸、蘋果酸、琥珀酸、馬來酸、草酸、丙二酸、戊二酸、己二酸、D-葡聚糖酸、衣康酸、檸康酸、中康酸、2-酮戊二酸、3-酮戊二酸、乙炔二羧酸、1，1-環(huán)丙烷二甲酸、偏苯三酸、草藻滅、谷氨酸、甲基琥珀酸、檸蘋酸及它們的鹽類等。雖然其中檸檬酸較適宜，但不僅限于這些物質(zhì)。這些羧酸類即可以單獨(dú)使用，也可以二種以上組合使用。
本發(fā)明所用的作為氨基羧酸或氨基羧酸鹽包括甘氨酸、丙氨酸、β-氨基丙酸、2-氨基丁酸、3-氨基丁酸、4-氨基丁酸、2-氨基己酸、6-氨基己酸或它們的鹽等，雖然甘氨酸較適宜，但不僅限于這些物質(zhì)。這些氨基羧酸或氨基羧酸鹽即可以單獨(dú)使用，也可以二種以上組合使用。
本發(fā)明的組合物中也可少量添加在剝離液組合物的技術(shù)領(lǐng)域中已知的其它各種組分，例如，濕潤劑、表面活性劑、著色劑、防發(fā)泡劑等。
使用包含硝酸和前述特定的酸的本發(fā)明的組合物，可除去側(cè)壁堆積物，防止金屬配線被腐蝕的具體理由雖尚未明確，但可考慮以下幾個(gè)原因硝酸溶解極少量的配線材料的金屬成分以剝離在其外側(cè)的側(cè)壁堆積物；硝酸的酸化作用酸化配線材料的金屬表面，形成非導(dǎo)體膜；羧酸類的螯合效應(yīng)，在金屬表面形成抗腐蝕膜。
參照

圖1(a)～(e)，舉例說明包括采用本發(fā)明的組合物除去側(cè)壁堆積物的工程在內(nèi)的本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制造方法。
圖1(a)表示在基板(例如硅)1上形成SiO2等絕緣層2，在其上形成A1合金(Al-Cu等)的金屬層3作為配線材料，在金屬層3上又形成陽極型光致抗蝕層4，再在其上重疊光掩模5使其曝光的工程。光照射部分的抗蝕層在堿性水溶液顯像液中可溶。
圖1(b)表示顯像處理后形成抗蝕模型的工程。光照射部分的抗蝕層被除去。
圖1(c)表示用鹵素氣體(氯氣、BCl3氣體等)，按常規(guī)方法對露出的金屬層3進(jìn)行干式蝕刻處理的工程。除去了抗蝕層部分的金屬層3在被蝕刻的同時(shí)形成側(cè)壁堆積物6。側(cè)壁堆積物6對殘留的金屬層3的過度蝕刻起到保護(hù)作用。
圖1(d)表示等離子氧煅燒處理后，除去抗蝕模型4，得到金屬配線模型3的工程。
圖1(e)表示使用前述本發(fā)明的側(cè)壁堆積物除去用組合物除去側(cè)壁堆積物6的工程。此工程使用本發(fā)明的側(cè)壁堆積物除去用組合物，可在低溫下短時(shí)間內(nèi)除去側(cè)壁堆積物6且不會(huì)對配線材料產(chǎn)生腐蝕。
本發(fā)明的側(cè)壁堆積物除去用組合物適用的抗蝕劑包括酚醛樹脂，包含聚(p-乙烯基苯酚)的陽極型抗蝕劑(熱塑性酚醛樹脂型光致抗蝕劑)，包含聚合甲基丙烯酸甲酯的抗蝕劑等。
利用本發(fā)明的側(cè)壁堆積物除去用組合物的洗凈處理通常采用浸泡法，其它的方法，如噴霧法等也可采用。
浸泡法的洗凈處理?xiàng)l件與硝酸濃度及添加的羧酸類有關(guān)，雖沒有統(tǒng)一規(guī)定，但一般處理溫度為0～80℃，較好為10～60℃。洗凈時(shí)間為1～60分鐘，較好為1～30分鐘。
經(jīng)洗凈處理除去側(cè)壁堆積物的半導(dǎo)體器件，只需用水沖洗即可，無需使用乙醇等有機(jī)溶劑。實(shí)施發(fā)明的最佳狀態(tài)以下列舉實(shí)施例和比較例來說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限于此。
試驗(yàn)用基板的組成如表1及表2所示，按所定溫度和所定時(shí)間將該基板浸泡在包含硝酸和有機(jī)酸或有機(jī)酸鹽的本發(fā)明的側(cè)壁堆積物除去用組合物中。然后用水沖洗，干燥后用SEM(掃描型電子顯微鏡)觀察，按下述的標(biāo)準(zhǔn)評價(jià)側(cè)壁堆積物的除去性和配線材料的腐蝕性。其結(jié)果列于表1及表2。
除去性○側(cè)壁堆積物完全被除去。
×側(cè)壁堆積物沒有被除去。
腐蝕性○未對配線材料產(chǎn)生腐蝕。
×對配線材料產(chǎn)生了腐蝕。
表1

表2

比較例1～3按照所定時(shí)間，將與前述實(shí)施例所述相同的試驗(yàn)用基板浸泡在只包含表3所示濃度的硝酸的規(guī)定溫度的水溶液中。用水沖洗并干燥后，用SEM(掃描型電子顯微鏡)觀察，以與實(shí)施例相同的標(biāo)準(zhǔn)評價(jià)側(cè)壁堆積物的除去性和配線材料的腐蝕性。其結(jié)果列于表3。
表3

由表1～表2可判明，使用包含硝酸和多元羧酸、氨基羧酸、以及/或者它們的鹽的水溶液形成的本發(fā)明的側(cè)壁堆積物除去用組合物(實(shí)施例1～26)，能夠在低溫下短時(shí)間內(nèi)除去側(cè)壁堆積物且不會(huì)對配線材料產(chǎn)生腐蝕。與此對照相比可看出，使用僅含硝酸的水溶液時(shí)雖可除去側(cè)壁堆積物但會(huì)對配線材料產(chǎn)生腐蝕(表3)。
產(chǎn)業(yè)上的利用方法使用本發(fā)明的包含硝酸和至少一種選自多元羧酸、氨基羧酸、以及/或者它們的鹽的羧酸類的組合物，可在低溫下短時(shí)間內(nèi)除去側(cè)壁堆積物且不會(huì)對配線材料產(chǎn)生腐蝕。
使用本發(fā)明的側(cè)壁堆積物除去用組合物，能夠獲得具備實(shí)質(zhì)上不會(huì)被腐蝕的Al合金等金屬配線的半導(dǎo)體器件。
用本發(fā)明的組合物進(jìn)行洗凈處理后的半導(dǎo)體器件可以只用水沖洗，無需使用乙醇等溶劑。
本發(fā)明的組合物不會(huì)對人體或環(huán)境產(chǎn)生不良影響。
權(quán)利要求
1.側(cè)壁堆積物除去用組合物，由包含硝酸和至少一種選自多元羧酸、氨基羧酸及它們鹽的羧酸類的水溶液形成。
2.如權(quán)利要求1所述的側(cè)壁堆積物除去用組合物，其中，前述硝酸濃度為0.01～50質(zhì)量％。
3.如權(quán)利要求2所述的側(cè)壁堆積物除去用組合物，其中，前述硝酸濃度為0.1～50質(zhì)量％。
4.如權(quán)利要求1所述的側(cè)壁堆積物除去用組合物，其中，前述羧酸類濃度為0.0001～30質(zhì)量％。
5.如權(quán)利要求4所述的側(cè)壁堆積物除去用組合物，其中，前述羧酸類濃度為0.1～30質(zhì)量％。
6.如權(quán)利要求1所述的側(cè)壁堆積物除去用組合物，其中，前述多元羧酸或多元羧酸鹽為脂肪族多元羧酸或脂肪族多元羧酸鹽。
7.如權(quán)利要求1所述的側(cè)壁堆積物除去用組合物，其中，前述多元羧酸或多元羧酸鹽為芳香族多元羧酸或芳香族多元羧酸鹽。
8.如權(quán)利要求1所述的側(cè)壁堆積物除去用組合物，其中，前述氨基羧酸或氨基羧酸鹽為脂肪族氨基羧酸或脂肪族氨基羧酸鹽。
9.如權(quán)利要求1所述的側(cè)壁堆積物除去用組合物，其中，前述多元羧酸或多元羧酸鹽為選自檸檬酸、酒石酸、蘋果酸、琥珀酸、馬來酸、草酸、丙二酸、戊二酸、己二酸、D-葡聚糖酸、衣康酸、檸康酸、中康酸、2-酮戊二酸、3-酮戊二酸、乙炔二羧酸、1，1-環(huán)丙烷二甲酸、偏苯三酸、草藻滅、谷氨酸、甲基丁二酸、檸蘋酸及它們的鹽類的至少一種。
10.如權(quán)利要求1所述的側(cè)壁堆積物除去用組合物，其中，前述氨基羧酸或氨基羧酸鹽為選自甘氨酸、丙氨酸、β-氨基丙酸、2-氨基丁酸、3-氨基丁酸、4-氨基丁酸、2-氨基己酸、6-氨基己酸及它們的鹽類的至少一種。
11.如權(quán)利要求1、7或9所述的側(cè)壁堆積物除去用組合物，其中，前述多元羧酸為檸檬酸。
12.如權(quán)利要求1、8或10所述的側(cè)壁堆積物除去用組合物，其中，前述氨基羧酸為甘氨酸。
13.如權(quán)利要求1所述的側(cè)壁堆積物除去用組合物，其中，包含多元羧酸及氨基羧酸。
14.如權(quán)利要求13所述的側(cè)壁堆積物除去用組合物，其中，前述多元羧酸為檸檬酸，前述氨基羧酸為甘氨酸。
15.側(cè)壁堆積物除去方法，其特征在于，使用權(quán)利要求1～14的任一項(xiàng)所述的側(cè)壁堆積物除去用組合物對半導(dǎo)體器件制造時(shí)的干式蝕刻工程所形成的側(cè)壁堆積物進(jìn)行洗凈處理。
16.如權(quán)利要求15所述的側(cè)壁堆積物除去方法，其特征還在于，洗凈處理利用浸泡法進(jìn)行。
17.如權(quán)利要求16所述的側(cè)壁堆積物除去方法，其特征還在于，洗凈處理溫度為0～80℃。
18.如權(quán)利要求17所述的側(cè)壁堆積物除去方法，其特征還在于，洗凈處理溫度為10～60℃。
19.如權(quán)利要求16所述的側(cè)壁堆積物除去方法，其特征還在于，洗凈處理時(shí)間為1～60分鐘。
20.如權(quán)利要求19所述的側(cè)壁堆積物除去方法，其特征還在于，洗凈處理時(shí)間為1～30分鐘。
21.半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括用權(quán)利要求1～14的任一項(xiàng)所述的側(cè)壁堆積物除去用組合物對半導(dǎo)體器件制造時(shí)的干式蝕刻工程所產(chǎn)生的側(cè)壁堆積物進(jìn)行洗凈處理的工程。
22.如權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征還在于，半導(dǎo)體器件中包含Al合金配線。
23.如權(quán)利要求21或22所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征還在于，半導(dǎo)體器件中包含實(shí)質(zhì)上不會(huì)被腐蝕的Al合金配線。
24.具有實(shí)質(zhì)上不會(huì)被腐蝕的Al合金配線的半導(dǎo)體器件，使用權(quán)利要求1～14的任一項(xiàng)所述的側(cè)壁堆積物除去用組合物度對半導(dǎo)體器件制造時(shí)的干式蝕刻工程所產(chǎn)生的側(cè)壁堆積物進(jìn)行洗凈處理就可獲得上述半導(dǎo)體器件。
全文摘要
本發(fā)明涉及由包含硝酸和選自多元羧酸,氨基羧酸及它們鹽的至少一種羧酸類的水溶液所構(gòu)成的側(cè)壁堆積物除去用組合物,側(cè)壁堆積物除去方法和半導(dǎo)體器件的制造方法。利用本發(fā)明能夠在低溫下短時(shí)間內(nèi)除去側(cè)壁堆積物且使半導(dǎo)體器件中的A1合金等配線材料不被腐蝕,能夠以高效率制得具備實(shí)質(zhì)上不會(huì)被腐蝕的A1合金配線的半導(dǎo)體器件。
文檔編號(hào)C11D3/20GK1328698SQ99813773
公開日2001年12月26日 申請日期1999年11月26日 優(yōu)先權(quán)日1998年11月27日
發(fā)明者緒方不二麿, 杉山勉, 宮原邦明 申請人:昭和電工株式會(huì)社