一種半導(dǎo)體光刻顯影設(shè)備清洗裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種半導(dǎo)體光刻顯影設(shè)備清洗裝置，包括底座及設(shè)置在底座中央的圓柱形吸盤，其特征在于：所述底座上均勻設(shè)有若干以吸盤為圓心的背洗噴頭，所述底座上還設(shè)有一圈擋水圈。由于擋水圈的阻隔，在硅片的上表面進(jìn)行化學(xué)品噴涂時，硅片表面的顯影液不會直接污染到硅片背面，由于硅片下表面收到的直接污染較小，那么化學(xué)品不會大量聚集進(jìn)而流到吸盤的連接處導(dǎo)致無法徹底清洗。此外，優(yōu)化的背洗噴頭位置可輕易的將硅片背面少量的顯影液沖走，兩者結(jié)合可完全解決硅片背面的沾污問題。
【專利說明】一種半導(dǎo)體光刻顯影設(shè)備清洗裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種半導(dǎo)體光刻顯影設(shè)備清洗裝置，屬于工業(yè)控制系統(tǒng)【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0002]顯影是光刻工藝中一項重要的工序，首先硅片被傳送到真空吸盤上并固定，然后多次在硅片上表面均勻噴覆顯影液，硅片靜止顯影完成后，用去離子水沖洗硅片，去除硅片上下表面的所有化學(xué)品，此時吸盤帶動硅片高速旋轉(zhuǎn)并將水甩干，顯影工序完成。
[0003]由于安裝在底座上的背洗碰頭和吸盤之間有一段距離，經(jīng)常出現(xiàn)硅片背面無法完全沖洗干凈，特別是硅片與吸盤的連接處是清洗死角，更加難以清洗，造成產(chǎn)品沾污，在之后的硬烘工藝中，殘留的顯影液通常導(dǎo)致產(chǎn)品報廢。
實用新型內(nèi)容
[0004]本實用新型的目的:旨在提供一種結(jié)構(gòu)簡單，安全可靠的半導(dǎo)體光刻顯影設(shè)備清洗裝置。
[0005]這種半導(dǎo)體光刻顯影設(shè)備清洗裝置，包括底座及設(shè)置在底座中央的圓柱形吸盤，其特征在于:所述底座上均勻設(shè)有若干以吸盤為圓心的背洗噴頭，所述底座上還設(shè)有一圈擋水圈。
[0006]所述背洗噴頭的噴嘴與底座夾角為45°并指向硅片外沿。
[0007]所述擋水圈的直徑小于硅片直徑并大于吸盤直徑。
[0008]所述擋水圈頂端與硅片下表面之間的間距為2mm。
[0009]所述擋水圈的側(cè)立面設(shè)有若干供液體流出的缺口。
[0010]由于擋水圈的阻隔，在硅片的上表面進(jìn)行化學(xué)品噴涂時，硅片表面的顯影液不會直接污染到硅片背面，由于硅片下表面收到的直接污染較小，那么化學(xué)品不會大量聚集進(jìn)而流到吸盤的連接處導(dǎo)致無法徹底清洗。此外，優(yōu)化的背洗噴頭位置可輕易的將硅片背面少量的顯影液沖走，兩者結(jié)合可完全解決硅片背面的沾污問題。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]下面結(jié)合附圖和實施例對本實用新型進(jìn)一步說明。
[0012]圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖2是擋水圈的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖中，1-硅片2-吸盤3-背洗噴頭4-擋水圈5-底座6_缺口。
【具體實施方式】
[0015]下面我們結(jié)合附圖和具體的實例來對這種半導(dǎo)體光刻顯影設(shè)備清洗裝置進(jìn)一步的詳細(xì)說明，以求更為清楚明白地闡述其結(jié)構(gòu)和使用方式。[0016]這種半導(dǎo)體光刻顯影設(shè)備清洗裝置，包括底座5及設(shè)置在底座5中央的圓柱形吸盤2，其特征在于:所述底座5上均勻設(shè)有若干以吸盤2為圓心的背洗噴頭3，所述底座5上還設(shè)有一圈擋水圈4。
[0017]所述背洗噴頭3的噴嘴與底座5夾角為45°并指向硅片I外沿。背洗噴頭3均勻環(huán)繞在吸盤2周圍并斜向指向硅片I外沿，當(dāng)沖水清洗時，由于沖洗的水柱斜向指向硅片I外沿，化學(xué)品還可被水柱直接沖刷至硅片外，不會溶解稀釋在硅片I底面的水潰上，從而將硅片I底面殘留的化學(xué)品沖洗干凈。
[0018]所述擋水圈4的直徑小于硅片I直徑并大于吸盤2直徑。設(shè)置在底座5上的擋水圈4可在硅片I的上表面噴涂化學(xué)品的過程中，防止化學(xué)品直接噴涂到硅片I的下表面，減少硅片I下表面直接受到污染的幾率和程度。
[0019]所述擋水圈4頂端與硅片I下表面之間的間距為2mm。
[0020]所述擋水圈4的側(cè)立面設(shè)有若干供液體流出的缺口 6。當(dāng)背洗噴頭3噴水清洗時，一部分水流從擋水圈4頂端與硅片I小表面之間的間距中沖走，一部分水流會匯聚至底座5并從擋水圈4側(cè)立面上設(shè)置的缺口 6中流出。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體光刻顯影設(shè)備清洗裝置，包括底座(5)及設(shè)置在底座(5)中央的圓柱形吸盤(2)，所述底座(5)上均勻設(shè)有若干以吸盤(2)為圓心的背洗噴頭(3)，所述底座(5)上還設(shè)有一圈擋水圈(4)，其特征在于:所述背洗噴頭(3)的噴嘴與底座(5)夾角為45°并指向硅片(I)外沿；所述擋水圈(4)的側(cè)立面設(shè)有若干供液體流出的缺口(6)。
【文檔編號】B08B3/02GK203778373SQ201320682201
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2013年10月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月31日
【發(fā)明者】王文科 申請人:上海廣奕電子科技有限公司