專利名稱：一種自清洗腔體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及硅片清洗領(lǐng)域，尤其涉及一種自清洗腔體。
背景技術(shù)：
隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展，集成度的不斷提高，線寬的不斷減小，對(duì)硅片的表面質(zhì)量要求越來越高。硅片清洗成了半導(dǎo)體制造中最重要最頻繁的步驟。半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中硅片須經(jīng)嚴(yán)格清洗。微量污染也會(huì)導(dǎo)致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染雜質(zhì)，包括有機(jī)物和無機(jī)物。這些雜質(zhì)有的以原子狀態(tài)或離子狀態(tài)，有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面。有機(jī)污染包括光刻膠、有機(jī)溶劑殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來的油脂或纖維。無機(jī)污染包括重金屬金、銅、鐵、鉻等，嚴(yán)重影響少數(shù)載流子壽命和表面電導(dǎo)；堿金屬如鈉等，引起嚴(yán)重漏電；顆粒污染包括硅渣、塵埃、細(xì)菌、微生物、有機(jī)膠體纖維等，會(huì)導(dǎo)致各種缺陷。清除污染的方法有物理清洗和化學(xué)清洗兩種。物理清洗有三種方法。①刷洗或擦洗:可除去顆粒污染和大多數(shù)粘在片子上的薄膜。②高壓清洗:是用液體噴射片子表面，噴嘴的壓力高達(dá)幾百個(gè)大氣壓。高壓清洗靠噴射作用，片子不易產(chǎn)生劃痕和損傷。但高壓噴射會(huì)產(chǎn)生靜電作用，靠調(diào)節(jié)噴嘴到片子的距離、角度或加入防靜電劑加以避免。③超聲波清洗:超聲波聲能傳入溶液，靠氣蝕作用洗掉片子上的污染。但是，從有圖形的片子上除去小于I微米顆粒則比較困難。將頻率提高到超高頻頻段，清洗效果更好?；瘜W(xué)清洗是為了除去原子、離子不可見的污染，方法較多，有溶劑萃取、酸洗(硫酸、硝酸、王水、各種混合酸等)和等離子體法等。目前常用的硅片清洗方法為濕法化學(xué)清洗，采用濕法化學(xué)方法清洗的硅片清洗設(shè)備都需要工藝腔體，不管是封閉腔體還是開放腔體。硅片清洗根據(jù)工藝階段不同需要不同的藥液，腔體長(zhǎng)時(shí)間使用之后，其內(nèi)壁上粘附的各種藥液會(huì)產(chǎn)生結(jié)晶，影響清洗環(huán)境的潔凈，封閉的工藝腔體這種情況會(huì)更加嚴(yán)重。因此為了提高硅片的清洗質(zhì)量，必須在使用一段時(shí)間之后對(duì)工藝腔體內(nèi)壁進(jìn)行清潔維護(hù)。但是現(xiàn)有的清洗設(shè)備工藝腔體清潔維護(hù)工序都是先將腔體從設(shè)備上拆卸之后才能進(jìn)行，這種方法費(fèi)時(shí)費(fèi)力，而且腔體清潔完成重新安裝之后，原來調(diào)好的初始位置等都會(huì)發(fā)生一定的變化，需要重新進(jìn)行調(diào)整與設(shè)置，也會(huì)影響工作效率，因此急需要一種節(jié)約時(shí)間、節(jié)約人力的腔體清洗方法解決目前的難題。

發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問題避免先將腔體從設(shè)備上拆卸之后才能進(jìn)行清洗的問題，能省時(shí)省力，避免在清洗硅片時(shí)對(duì)腔體進(jìn)行重新的調(diào)整和設(shè)置的問題。(二)技術(shù)方案為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種自清洗腔體，其包括腔體，自清洗腔體的主體；噴水嘴，清洗時(shí)的出水口 ；排液口，用于排出清洗硅片和腔體時(shí)的液體。其中，噴水嘴安裝在腔體外部，排液口在腔體下部。其中，噴水嘴有上下兩排，且其上下位置面對(duì)面正對(duì)。其中，進(jìn)液軟管一端在噴水嘴內(nèi)。其中，進(jìn)液軟管沒有伸入噴水嘴的部分安裝有調(diào)壓閥。其中，調(diào)壓閥之前有至少一個(gè)手閥或氣動(dòng)閥。其中，腔體上部有排氣管。其自清洗的步驟為:I)開啟手閥和氣動(dòng)閥，調(diào)節(jié)調(diào)壓閥控制水流流量，開始清洗腔體；2)清洗完畢后，關(guān)閉手閥、氣動(dòng)閥和調(diào)壓閥。(三)有益效果本發(fā)明的上述技術(shù)方案具有如下優(yōu)點(diǎn):通過調(diào)壓閥控制進(jìn)液口的流量，來達(dá)到不同的清潔效果；腔體上下側(cè)均設(shè)置噴嘴，可以實(shí)現(xiàn)均勻清洗；增加排氣孔，排出污染空氣，減少腔體的污染程度，提高硅片的清洗效率，降低自清洗頻率；增加排液口，清洗完成后的廢液可以直接通過排液口排出。最終實(shí)現(xiàn)腔體的不拆卸清洗。


圖1是本發(fā)明實(shí)施例的工作原理圖。圖2是本發(fā)明實(shí)施例的腔體外形圖。圖3是本發(fā)明實(shí)施例的腔體剖視圖。圖4是本發(fā)明實(shí)施例的工作狀態(tài)示意圖。圖中，1:腔體；2:排氣管；3:上側(cè)支流的進(jìn)液軟管；4:上側(cè)支流的噴水嘴；5:下側(cè)支流的噴水嘴；6:下側(cè)支流的進(jìn)液軟管；7:硅片；8:旋轉(zhuǎn)卡盤；9:排液口。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，術(shù)語“中心”、“上”、“下”、“頂”、“底” “內(nèi)”、“外”
等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。此外，在本發(fā)明的描述中，除非另有說明，“多個(gè)”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上。為了方便快速的進(jìn)行清洗設(shè)備工藝腔體的清潔維護(hù)，本發(fā)明提供一種自清洗腔體，其包括腔體，自清洗腔體的主體；噴水嘴，清洗時(shí)的出水口 ；排液口，用于排出清洗硅片和腔體時(shí)的液體。
其中，噴水嘴安裝在腔體外部，排液口在腔體底部。
其中，噴水嘴有上下兩排，且其上下位置面對(duì)面正對(duì)。
優(yōu)選的實(shí)施方式為，上下兩排噴水嘴都為多個(gè)，且均沿腔體主體結(jié)構(gòu)的圓周方向均勻分布。
噴水嘴的位置根據(jù)腔體尺寸決定，在腔體上下側(cè)邊緣位置，盡量的擴(kuò)大噴灑范圍，實(shí)現(xiàn)較完全清洗，如圖4所示。
其中，進(jìn)液軟管的一端在噴水嘴內(nèi)。
清潔水流通過進(jìn)液軟管進(jìn)入腔體內(nèi)進(jìn)行清洗。
上下側(cè)的噴水嘴面對(duì)面分布，上側(cè)噴水嘴清洗下側(cè)內(nèi)壁，下側(cè)噴水嘴清洗上側(cè)內(nèi)壁，用來滿足均勻清洗的目的。并且上下兩側(cè)支流同時(shí)工作，這使得工藝腔體的內(nèi)壁可以得到充分的清潔。
其中，進(jìn)液軟管沒有伸入噴水嘴的部分安裝有調(diào)壓閥。
優(yōu)選的實(shí)施方式為，調(diào)壓閥之前有至少一個(gè)手閥或氣動(dòng)閥。
也可以是有一個(gè)手閥和一個(gè)氣動(dòng)閥，這樣能更好的控制水流的開關(guān)，也可以保證一個(gè)手閥出問題的時(shí)候還能繼續(xù)工作。
優(yōu)選的實(shí)施方式為，腔體有排氣管。
因?yàn)楸狙b置是用化學(xué)藥劑清洗硅片，故腔體內(nèi)部難免會(huì)有空氣污染，如硅片上清洗下來的微小浮塵等。因此，在腔體上加上排氣管，利用排風(fēng)裝置通過排氣管把污染空氣從腔體內(nèi)部排出，這樣還可以減少腔體的污染程度，提高硅片的清洗效率，降低自清洗頻率。
通過此種方式進(jìn)行開放腔體清潔維護(hù)時(shí)，可以將腔體上部用平板蓋住，以免清潔用水噴灑在腔體外部，將其他零部件淋濕，造成生銹或者是污染；而用于封閉腔體清潔維護(hù)時(shí)則不需要。
其工作原理如圖1所示，其中手閥MVl與手閥MV2左端為腔體清潔用水的供應(yīng)處，共分為上下兩路支流。當(dāng)清洗設(shè)備處于硅片清洗工藝時(shí)，調(diào)節(jié)手閥MVl與MV2、氣動(dòng)閥AOVl與A0V2均為常閉狀態(tài),腔體清潔用水不供應(yīng)。
當(dāng)腔體使用一段時(shí)間后需要進(jìn)行腔體清潔維護(hù)時(shí)，調(diào)節(jié)手閥MVl與MV2、氣動(dòng)閥AOVl與A0V2處于常開狀態(tài)，供應(yīng)腔體清潔用水，并且利用調(diào)壓閥PRGl來控制上側(cè)支流的流量，利用調(diào)壓閥PRG2來控制下側(cè)支流的流量，通過上下兩側(cè)支流的噴水嘴向腔體內(nèi)壁噴灑清潔用水，達(dá)到清洗腔體的目的。
此種方法通過控制清潔用水的流量，來達(dá)到控制清潔程度大小的目的。
腔體清洗完成之后，將調(diào)節(jié)手閥MVl與MV2、氣動(dòng)閥AOVl與A0V2設(shè)置為常閉狀態(tài)，阻斷腔體清潔用水的供應(yīng)，重新開始硅片清洗工作。
該裝置可以在不進(jìn)行結(jié)構(gòu)拆卸的情況下，進(jìn)行腔體內(nèi)壁的清潔維護(hù)，且能達(dá)到均勻清洗的目的。
其自清洗的步驟為:
I)開啟手閥和氣動(dòng)閥，調(diào)節(jié)調(diào)壓閥控制水流流量，開始清洗腔體；
2)清洗完畢后，關(guān)閉手閥、氣動(dòng)閥和調(diào)壓閥。
如附圖4所示，工藝過程中，將硅片固定在旋轉(zhuǎn)卡盤上，硅片隨著旋轉(zhuǎn)卡盤一起做旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，通過噴淋臂噴灑藥液清洗硅片，這樣清洗的效果均勻。清洗工藝過程中，調(diào)節(jié)手閥MVl與MV2、氣動(dòng)閥AOVl與A0V2均為常閉狀態(tài)。腔體使用一段時(shí)間需要進(jìn)行清潔維護(hù)時(shí)，將調(diào)節(jié)手閥MVl與MV2、氣動(dòng)閥AOVl與A0V2設(shè)置為常開狀態(tài)，則進(jìn)水軟管內(nèi)的水會(huì)一直供應(yīng)，通過調(diào)壓閥PRGl和PRG2控制供應(yīng)水的流量，調(diào)節(jié)之后，以一定的流量通過噴水嘴噴向腔體內(nèi)壁，在兩側(cè)支流的噴洗作用下，可以達(dá)到腔體的較完全清洗。本實(shí)施例中，此處上下側(cè)的噴水嘴分別為12個(gè)。清洗的流量大小可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行調(diào)節(jié)。清洗完成之后，將調(diào)節(jié)手閥MVl與MV2、氣動(dòng)閥AOVl與A0V2設(shè)置為常閉狀態(tài)，不再有水供給,則進(jìn)液軟管中沒有水流,上下支流的噴水嘴停止噴水，清洗使用后的廢水可以直接通過排液口排出。在硅片和腔體的清洗過程中，腔體的蓋應(yīng)蓋上，防止有液體濺出，對(duì)周圍人或物件造成影響。腔體清洗完成之后，可以直接進(jìn)行硅片清洗工藝過程，這樣可以保證在良好的環(huán)境中進(jìn)行硅片清洗，提高硅片清洗的質(zhì)量。這種自清洗腔體結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了在不進(jìn)行結(jié)構(gòu)拆卸的情況下進(jìn)行腔體的內(nèi)部清洗，省時(shí)省力。以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和變型，這些改進(jìn)和變型也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種自清洗腔體，其特征在于，其包括腔體，自清洗腔體的主體；噴水嘴，清洗時(shí)的出水口 ；排液口，用于排出清洗硅片和腔體時(shí)的液體，其中，噴水嘴安裝在腔體外部，排液口在腔體下部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自清洗腔體，其特征在于，所述的噴水嘴有上下兩排，其中，所述的噴水嘴上下位置面對(duì)面正對(duì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的噴水嘴，其特征在于，進(jìn)液軟管的一端伸入噴水嘴內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的自清洗腔體，其特征在于，所述的進(jìn)液軟管沒有伸入噴水嘴的部分安裝有調(diào)壓閥。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的自清洗腔體，其特征在于，所述的調(diào)壓閥之前有至少一個(gè)手閥或氣動(dòng)閥。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自清洗腔體，其特征在于，所述的腔體上部有排氣管。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自清洗腔體，其特征在于，其自清洗的步驟為: O開啟手閥和氣動(dòng)閥，調(diào)節(jié)調(diào)壓閥控制水流流量，開始清洗腔體； 2)清洗完畢后，關(guān)閉手閥、氣動(dòng)閥和調(diào)壓閥。
全文摘要
本發(fā)明涉及硅片清洗領(lǐng)域，尤其涉及一種自清洗腔體，其包括腔體，自清洗腔體的主體；噴水嘴，清洗時(shí)的出水口；排液口，用于排出清洗硅片和腔體時(shí)的液體。其中，噴水嘴安裝在腔體外部，排液口在腔體下部。噴水嘴有上下兩排，其上下位置面對(duì)面正對(duì)。進(jìn)液軟管的一端在噴水嘴內(nèi)，沒有伸入噴水嘴的部分安裝有調(diào)壓閥，調(diào)壓閥之前有至少一個(gè)手閥或氣動(dòng)閥，腔體上部有排氣管。本發(fā)明通過調(diào)壓閥控制進(jìn)液口的流量，來達(dá)到不同的清潔效果；腔體上下側(cè)均設(shè)置噴嘴，可以實(shí)現(xiàn)均勻清洗；增加排氣孔，排出污染空氣，減少腔體的污染程度，提高硅片的清洗效率，降低自清洗頻率；增加排液口，清洗完成后的廢液可以直接通過排液口排出。最終實(shí)現(xiàn)腔體的不拆卸清洗。
文檔編號(hào)B08B13/00GK103170486SQ201310106579
公開日2013年6月26日 申請(qǐng)日期2013年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月29日
發(fā)明者張享倩, 王波雷, 姬丹丹, 李偉, 王浩 申請(qǐng)人:北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司