專利名稱：用于可移動兆聲晶圓噴頭的裝置和方法
技術領域：
本發(fā)明一般地涉及半導體領域，更具體地來說，涉及晶圓噴頭(nozzle，探針)裝置和方法。
背景技術：
對于當前先進的半導體工藝的共同要求是晶圓沖洗和清洗工藝。在加工的不同階段實施晶圓的沖洗或清洗，以及可以去除由先前工藝所留下的顆?；驓埩粑?。例如，可以清洗諸如介電層的圖案化薄膜，以去除顆粒。雖然在過去的幾代半導體工具中，可以使用批處理沖洗站，該沖洗站通過噴射或浸潰技術將去離子水(DIW)或其他清潔劑施加給配置在船型容器或載具中的大量晶圓，但是，最近，已經(jīng)使用單個晶圓清洗站。當晶圓尺寸增加至當前的300毫米(12英寸)和未來的450毫米(18英寸)大小時，單個晶圓工具的使用變得甚至變得更流行。在當前的單個晶圓清洗工具中，例如，通過有源面朝上可以將晶圓安裝在壓盤或卡盤中，并且噴嘴可以在壓力下施加去離子水(DIW)或其他清潔溶液或溶劑。噴嘴可以穿過晶圓移動。例如，如果晶圓圍繞中心軸轉動，則噴嘴可以沿晶圓的一半或者整個的晶圓線性移動，從而使噴嘴能夠噴射整個晶圓表面。噴嘴相對于晶圓表面移動的速度是噴嘴“掃描速度”。然而，例如，使用通過移動的噴嘴噴射在晶圓表面上的噴霧劑(aerosol)和DIW所提供的壓力可能損害晶圓。在某些系統(tǒng)中，可以控制噴嘴壓力以及可以提高和降低噴嘴壓力。然而，即使使用低壓，脫離噴嘴的“離群(outlier)”液滴仍然可以以比預想的更大的速度沖擊晶圓表面，從而可能導致圖案破壞。這些快速移動的離群液滴可以將其動能傳遞給松散顆粒，當這些離群液滴遠離晶圓表面移動時候，可能會和圖案的一部分發(fā)生碰撞并損害該圖案?？梢允褂幂^低的噴嘴噴射壓力，以避免這種損害，但是這種降低的壓力會導致較低的顆粒去除效率。即，在傳統(tǒng)的晶圓清洗工具中，在噴射DIW的速度或噴嘴壓力和所獲得的顆粒去除效率(“PRE”)之間存在折中。因此，存在對于具有高顆粒去除效率而沒有當前使用已知方法所經(jīng)歷的缺點的清洗晶圓的裝置和方法的持續(xù)性需求。

發(fā)明內容
為了解決現(xiàn)有技術中所存在的技術問題，根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種方法，包括將可移動噴頭置于晶圓表面上方，所述可移動噴頭具有暴露所述晶圓表面的一部分的開放底部；通過所述可移動噴頭的所述開放底部將液體施加在所述晶圓表面上方；以及以預定的掃描速度移動所述可移動噴頭從而穿過所述晶圓表面，在所述晶圓表面上方移動的同時將所述液體施加在所述晶圓表面上。該方法進一步包括將換能器設置在所述可移動噴頭內；以及在所述晶圓表面上方移動所述可移動噴頭的同時，將聲能施加給所述晶圓表面位于所述可移動噴頭的所述底部下方的部分。
在該方法中，所述可移動噴頭具有中間部分，用于將所述液體施給所述晶圓表面， 所述液體沿所述晶圓表面流動，以及通過所述可移動噴頭的外部的排出端口從所述晶圓表面不斷去除所述液體。
在該方法中，施加所述液體進一步包括施加去離子水。
在該方法中，施加所述液體進一步包括施加選自基本上由去離子水、氫氧化氨-過氧化氫、溶解氣、溶劑、以及表面活性劑所組成的組中的一個。
在該方法中，移動所述可移動噴頭進一步包括在線性方向上移動所述可移動噴頭，同時所述晶圓圍繞中心軸旋轉。
在該方法中，移動所述可移動噴頭包括在線性方向上移動所述晶圓，同時所述晶圓旋轉并且所述可移動噴頭保持靜止。
在該方法中，移動所述可移動噴頭包括在至少兩個方向上移動所述可移動噴頭， 同時所述晶圓保持靜止，從而掃描所述整個晶圓表面。
該方法進一步包括將液體施加給與所述晶圓表面相反的晶圓背面,所述液體選自基本上由去離子水、清潔劑、溶劑、溶解氣、以及表面活性劑所組成的組中的一個。
在該方法中，施加所述聲能包括施加頻率在500kHz和IOOOkHz之間的能量。
在該方法中，施加所述聲能包括施加大于500kHz并小于20MHz的能量。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種裝置，包括可移動晶圓噴頭，包括換能器， 被設置在形成浸潰罩的主體內，所述主體具有圍繞所述換能器的側面并且具有被配置成置于晶圓表面上方的開放底部；液體輸入端口，用于接收要施加給位于開放底部處的所述晶圓表面的液體；以及液體排出端，用于通過所述開放底部去除來自所述晶圓表面的液體。
在該裝置中，所述換能器具有中間開口，所述中間開口形成所述液體輸入端口的一部分。
在該裝置中，所述換能器具有外部，與所述主體的內壁間隔開；空間，處于所述換能器的外部和所述主體內壁之間，形成所述液體排出端口。
該裝置進一步包括傳送機構，用于移動所述可移動晶圓噴頭。
在該裝置中，所述傳送機構以線性方式移動所述可移動晶圓噴頭。
在該裝置中，所述傳送機構在至少兩個方向上移動所述可移動晶圓噴頭。
在該裝置中，所述傳送機構提供可調節(jié)掃描速度，用于移動所述可移動晶圓噴頭。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種方法，包括提供可移動噴頭，所述可移動噴頭具有兆聲(megasonic)換能器，具有中間開口 ；液體輸入端口，與所述中間開口連接；開口底部，被配置成將液體施加給晶圓表面位于開放底部下方一部分；液體排出端口，被配置成去除來自所述晶圓表面的一部分的液體；所述可移動噴頭具有傳動機構，用于以預定的掃描速度沿所述晶圓表面移動所述可移動噴頭；將所述可移動噴頭置于晶圓表面上方；將在所述可移動噴頭的所述液體輸入端口處所接收到的液體施加在所述晶圓表面位于所述開放底部下方的部分上方，同時將兆聲能施加給所述晶圓表面的所述部分；利用所述可移動噴頭的所述液體排出端口去除來自所述晶圓表面的所述部分的所述液體；以及以預定的掃描速度移動所述可移動噴頭，從而穿過所述晶圓表面，在所述晶圓表面上方移動的同時， 將所述液體和所述兆聲能施加給所述晶圓表面；其中，通過施加給所述晶圓表面的所述兆聲能來釋放顆粒，所述顆粒通過所述可移動噴頭的所述排出端口由所述液體從所述晶圓表面帶走。該方法進一步包括將液體施加給所述晶圓的背面，所述晶圓的背面與所述晶圓表面相反。


為了更好地理解本發(fā)明及其優(yōu)點，現(xiàn)在將結合附圖所進行的以下描述作為參考，其中圖I描述了實施例的橫截面圖；圖2描述了在實施例方法中使用的圖I的實施例的橫截面圖；圖3描述了另一個實施例的橫截面圖；圖4描述了對于晶圓的實施例操作的橫截面圖；以及圖5描述了方法實施例的流程圖。附圖、圖表和示圖是示意性的而不是限制性的，而是本發(fā)明的實施例的實例，為了說明，簡化了附圖、圖表和示圖，并且沒有按比例繪制。
具體實施例方式下面，詳細討論本發(fā)明的優(yōu)選實施例的制造和使用。然而，應該理解，本發(fā)明提供了許多可以在各種具體環(huán)境中實現(xiàn)的可應用的創(chuàng)造性的概念。所討論的具體實施例僅僅示出制造和使用本發(fā)明的具體方式，而不用于限制本發(fā)明的范圍?，F(xiàn)在詳細描述的本申請的實施例提供了一種用于提供晶圓清洗系統(tǒng)的新型方法和裝置，該晶圓清洗系統(tǒng)包括提供可移動的兆聲清洗噴頭?？梢苿拥恼茁暻逑磭婎^在面積上小于晶圓，并且可以圍繞或沿晶圓移動，因此“掃描”晶圓的正面。除了應用DIW或其他清潔劑或化學物質以外，可移動的清洗噴頭還使用諸如兆聲能量的聲能，從而去除顆粒。在一些實施例中，裝置還可能包括背面清洗工藝，在晶圓正面處理期間同時實施該背面清洗工藝，從而清洗晶圓背面。在一些實施例中，可移動清洗噴頭包括施加流體的端口，并進一步提供流體循環(huán)從而使得移走的顆粒可以立即從晶圓表面去除；從而防止了再污染問題。通過利用可移動浸潰罩的方法(movable immersion hood approach),可移動噴頭的實施例可以將加工化學物質施加給晶圓表面，來替代噴霧罩(spray hood)或者其他公知方法。為了達到有效的顆粒去除而不損壞形成在晶圓上方的精細結構，清洗過程需要精確控制掃描速度(并且如果使用的話，則控制晶圓旋轉速度)。此外，例如，需要有效地去除通過兆聲能量所釋放的顆粒，從而防止這些顆粒再次沉積在晶圓上。因為所獲得的顆粒去除效率需要盡可能高但沒有對晶圓表面上的結構造成損害，所以對于掃描速度和掃描覆蓋圖案的精確控制很重要。圖I描述了可移動兆聲噴頭11的示例性實施例的橫截面圖。將換能器(transducer) 13配置在浸潰罩(immersion hood) 15的主體的中部。換能器13具有形成在中部的輸入端口 19的開口，并且通過其他端口或多個端口 21與浸潰罩15的主體內壁間隔開。浸潰罩15的底部17提供了用于與晶圓表面接觸的底座或者緩沖器。可移動兆聲噴頭11具有為“L”的長度。噴頭的長度和寬度可以是兩英寸，或者長度和/或寬度可能被增加到幾英寸或者更大；通常，確定該噴頭的尺寸，從而在底部開口 23處覆蓋半導體晶圓表面的適當部分?，F(xiàn)在，隨著晶圓直徑的尺寸接近450毫米或18英寸，可移動噴頭可以是幾英寸長并且同時仍然僅覆蓋晶圓的一部分。如以下進一步描述的，將底部開口 23置于半導體晶圓和晶圓表面上方并且該底部開口通過底部17、以及浸潰罩的15的主體，以及液體的再循環(huán)路徑形成。
圖I是橫截面圖。例如，可移動噴頭11可以是圓形或環(huán)形；長方形，八邊形，正方形，或者根據(jù)需要的其他形狀。材料應該是如用在半導體加工工具中的耐用材料。換能器可以由諸如鋁的金屬制成；可以使用各種可選材料。此外，這些相同材料也可以用于浸潰罩 15和底部17 ;除了鋁外，還可以使用其他的耐用金屬和化合物，例如不銹鋼?？梢蕴砑又T如聚四氟乙烯的涂層，以保護噴頭11材料防止用在半導體加工中的化學物質腐蝕。
圖2描述了設置在半導體晶圓33的一部分上方的可移動噴頭11的操作的橫截面圖。示出了換能器13和示出為進入換能器的液體。輸入端19接收液體并且強迫性地通過輸入端口 19施加該液體，從而到達底部開口 23的中部。晶圓表面封閉由17和15所形成的浸潰 罩，液體和由液體拾取的顆粒從換能器的中部向外呈放射狀循環(huán)。液體通過排出端口 21離開可移動兆頻超聲波兆聲噴頭11。
在處理期間，如公知的，換能器施加聲能，該聲能從半導體晶圓上的薄膜或表面釋放顆粒。晶圓和晶圓表面可能是硅或砷化鎵，或者形成在晶圓上方的氧化物或者介電層或者鈍化層，或者形成在晶圓上方的金屬或者導電層。DIW可以用作沖洗劑或清洗劑?？梢允褂闷渌后w，包括稀釋的氫氧化氨-過氧化氫(ammonia hydroxide-hydrogen peroxide) 的水混合物，或者“dAPM”，有時候被稱為“SCI ”。可以使用溶劑，此外，氣體被吹入溶液中， 例如，N2, NH3> H2, O30可以將其他諸如表面活性劑的化學物質添加到液體中，從而改進清洗過程。
在可選實施例中，可以將換能器13和浸潰罩15修改成使得液體流動反向。在該可選實施例中，液體從排出端口 21流入，并且液體呈放射狀向內流動到達排出液體的中部端口 19。在這兩個實施例的任一個中，當施加兆聲能量的時候，提供沿晶圓33的表面流動的液體，并且立即去處釋放的顆粒。
在操作期間，換能器13施加聲能從而釋放顆粒36。眾所周知，可以使用超聲能，該超聲能的頻率范圍可以位于I至20MHz，但在這些實施例中，使用從500到IOOOkHz范圍的兆聲能量，因為該兆聲能量趨向于對精細結構損害更小。
圖3描述了結合實施例的晶圓清洗站51的橫截面圖?？梢苿訃婎^11位于晶圓33 的表面上方，并且沿晶圓表面移動。傳送機構12提供機械運動，并且可以包括該傳送機構內的速度控制，從而提供可調節(jié)掃描速度。這里，在作為說明性的和非限制性的實例所示的實施例中，兆聲噴頭沿晶圓線性移動；以及晶圓支持器35繞著中心軸旋轉晶圓33?？梢苿訃婎^11可以完全沿晶圓移動，或者部分沿晶圓移動，例如從晶圓的中部到晶圓的外邊緣以及從晶圓的外邊緣到晶圓的中部。傳送機構12可以是臂，梁或者導軌，并且可以通過使用步進電機、轉子、蝸輪、推桿、線纜、液壓系統(tǒng)、主軸等來移動可移動噴頭11。如以上所示，可移動兆聲噴頭11的底部僅接觸晶圓表面和底部開口 23處的部分17。例如，可以通過支架 47在晶圓的邊緣支撐晶圓33 ;可以將微真空、手動夾緊壓力、或靜電力用于將晶圓33固定到支持器35。
在圖3中，對于該非限制性示例性實施例，示出了任選晶圓背面清洗系統(tǒng)。輸入端43接收清洗晶圓33的背面的液體。例如，液體可以是DIW或者dAPM。通過晶圓33的底面和支持器35的一部分來形成腔體45。如箭頭所示，DIW從中心軸37向外呈放射狀循環(huán)，并且在輸出端口 39處離開支持器35。在可選實施例中，液體流動可以反向。以這種方式清洗背面被視為水浸或者溶劑浸，并且改進了整體的顆粒去除和晶圓清洗；提高隨后處理步驟的性能。然而，在可選實施例中，可以提供沒有背面清洗部分的晶圓支持器35。
在操作中，實施例提供了在掃描速度和位置方面完全可調的可移動噴頭。在一個實施例中，可以將傳送機構配置成使得可移動噴頭可以在任意的χ-y方向上移動，或者如圖3所示，噴頭可以沿晶圓線性移動，同時晶圓旋轉。然后，共同調節(jié)晶圓旋轉和噴頭速度， 從而形成可調的掃描速度。在可選實施例中，在本文預期的和在所附權利要求的范圍內，可以將可移動的兆聲噴頭安裝在固定位置并且晶圓支持器35可以在旋轉和線性方向上都提供晶圓移動。相應的可移動兆聲噴頭穿過晶圓表面的掃描速度很重要。配置怎樣的運動并不重要，但是可移動噴頭11應該能夠掃描整個晶圓，并且掃描速度和位置應該是可調節(jié)的。
要清洗的晶圓表面上的不同薄膜具有不同特有硬度和耐用性。在操作中，根據(jù)清洗的表面和所施加的液體，調節(jié)可移動噴頭11，從而具有不同的掃描速度。對于更耐用的表面來說，可以使用更徹底的清洗，而對于更精細的結構來說，必須注意可移動噴頭和所釋放的顆粒沒有造成損害。通過調節(jié)清洗的掃描速度和時間，使用本實施例來輕松地完成不同材料的有效顆粒去除。
甚至當通過兆聲能量將顆粒釋放到液體中時，本實施例的可移動噴頭的獨特設計還提供了即時顆粒去除。圖4描述了在使用本實施例期間產生的清洗動作。箭頭55指示與襯底的表面平行的“阻力(drag force)”，當通過兆聲能量的作用釋放顆粒36時，該阻力沿圖案34移動。阻力通過兆聲噴頭11的設計產生，例如，該設計使液體從噴頭(未示出) 的中央呈放射狀流出，該液體沿晶圓表面流動，然后立刻從晶圓上去除。通過箭頭55所示的阻力將顆粒36移動到兆聲噴頭的排出端口，并且將這些顆粒直接從晶圓上帶走，從而使得這些顆粒不會再沉積在晶圓上。
圖5示出了方法實施例的流程圖。在狀態(tài)61中，晶圓清洗工藝通過將可移動噴頭置于晶圓表面的一部分上方開始。如上所述，可移動噴頭的尺寸可能不同，但是通常會覆蓋晶圓表面的一部分。在狀態(tài)63中,將兆聲能量施加給晶圓表面位于兆聲噴頭下方的部分， 眾所周知，兆聲能量將從表面釋放顆粒。在狀態(tài)65中，清洗液可以是，但不限于DIW、dAPM、 或者SCI、溶劑、吹入液體的氣體、表面活性劑等，將該清洗液施加在晶圓位于兆聲噴頭下方的部分，從而清除顆粒并清洗表面。如上所述，液體沿表面流動并通過排出端口去除,從而使得將通過兆聲能量所釋放的顆粒帶走。在狀態(tài)67中，兆聲噴頭在與晶圓相關的掃描圖案中移動，從而使得可以清洗整個晶圓表面。注意，圖5中的方法流程圖表示示例性順序，但是這些狀態(tài)幾乎同時或者以任何順序實施，并且僅為了討論和簡單，這里進行分離。兆聲噴頭同時將液體施加給晶圓表面，并且將兆聲能量施加給該表面；以及通過兆聲噴頭的移動， 或者晶圓的移動，或者兩者一起的移動來同時沿該晶圓表面移動；從而使得在晶圓和可移動兆聲噴頭之間建立相對掃描速度。
在可選的方法實施例中，除了化學清潔劑或者沖洗劑以外，還可以將如上所述的兆聲噴頭用于施加化學物質。例如，有時通過噴射施加化學物質，可以使用實施例的可移動噴頭作為浸潰罩將該化學物質施加給晶圓表面。光刻膠條的化學物質是這種應用的一個實例?？梢酝瑯拥厥褂帽緦嵤├┘悠渌瘜W物質，預期將這些可選物作為本實施例的一部分并且在所附權利要求的范圍內。在該本實施例中，如果不需要兆聲能量，則換能器可能不激活，或可能不存在。在實施例中，方法包括在將可移動噴頭置于晶圓表面放置上方時，可移動噴頭具有一個暴露晶圓表面的一部分的開放底部；通過可移動噴頭的底部將液體施加在晶圓表面上方；以及以預定的掃描速度移動可移動噴頭從而穿過晶圓表面，在晶圓表面上方移動的同時，將液體施加給晶圓表面。在又一個實施例中，將換能器設置在可移動噴頭內；并且在晶圓表面上方移動可移動噴頭的同時，將聲能施加給晶圓表面位于可移動噴頭的底部下方的那部分。在另一個實施例中，可移動噴頭具有用于將液體施加給晶圓表面的中間部分，液體沿晶圓表面流動，并且通過可移動噴頭的外部的排出端口不斷地從晶圓表面去除液體。在又一個實施例中，施加液體進一步包括施加去離子水。在另一個方法實施例中，施加液體進一步包括施加去離子水、氫氧化氨-過氧化氫、溶液中的氣體、溶劑、以及表面活性劑中的一種。在又一個實施例中，移動可移動噴頭進一步包括在線性方向上移動可移動噴頭，同時晶圓繞中心軸旋轉。在又一個實施例中，移動可移動噴頭包括在線性方向上移動晶圓同時旋轉該晶圓，而可移動噴頭保持靜止。在又一個可選實施例中，移動可移動噴頭包括在至少兩個方向移動可移動噴頭，同時晶圓保持靜止以便，從而掃描整個晶圓。在又一個可選實施例中，方法包括在將液體提供給晶圓背面，晶圓背面與晶圓表面相反，該液體選自去離子水、清潔劑、溶劑、溶液中的氣體、和表面活性劑。在又一個實施例中，施加聲能包括施加頻率在500和IOOOkHz之間的能量。在又一個實施例中，施加聲能包括施加大于500kHz并小于20MHz的能量。在實施例中，裝置包括可移動晶圓噴頭，該可移動晶圓噴頭進一步包括換能器，被設置在形成浸潰罩的主體內部，該主體具有圍繞換能器的側面并具有開放底部，該開放底部被配置成置于晶圓表面上方；液體輸入端口，用于接收要施加給開放底部處的晶圓表面的液體；以及液體排出端口，用于通過開放底部從晶圓表面去除液體。在又一個實施例中，換能器具有中間開口，該中間開口形成液體輸入端口的一部分。在又一個實施例中，換能器具有外部，該外部與主體內壁間隔開；空間，處于換能器外部和主體內壁之間，形成液體排出端口。在又一個實施例中，裝置包括傳送機構，用于移動可移動兆聲噴頭。在又一個實施例中，傳送機構移動以線性方式移動可移動兆聲噴頭。在可選實施例中，傳送機構在至少兩個方向上移動可移動兆聲噴頭。在又一個實施例中，傳送機構提供可調節(jié)掃描速度，用于移動可移動兆聲噴頭。在又一個方法實施例中，方法包括提供可移動噴頭，該可移動噴頭具有具有中間開口的兆聲換能器，與中間開口連接的液體輸入端口，被配置成將液體施加給晶圓表面位于開放底部下方的一部分的開放底部，被配置成從晶圓表面的一部分去除液體的液體排出端口，可移動噴頭具有傳送機構，用于以預定掃描速度沿晶圓表面移動可移動噴頭；將可移動噴頭置于晶圓表面上方；將在可移動噴頭的液體輸入端口處所接收到的液體施加在晶圓表面位于開放底部下方的一部分上方，同時將兆聲能量施加給晶圓表面的該部分。通過利用可移動噴頭的液體排出端口從晶圓表面的部分去除液體該方法繼續(xù)；以及以預定的掃描速度移動可移動噴頭來穿過晶圓表面，將液體和兆聲能量施加給晶圓表面，同時在晶圓表面上方移動。在該方法期間，通過施加給晶圓表面的兆聲能量所釋放的顆粒通過可移動噴頭的排出端口由液體從晶圓表面帶走。在另一個方法實施例中，以上方法還包括將液體施加給晶圓背面，該晶圓背面與晶圓表面相反。
本申請的范圍并不僅限于本說明書中描述的結構、方法和步驟的特定說明性實施例。作為本領域普通技術人員應當容易理解，通過本發(fā)明，現(xiàn)有的或今后開發(fā)的用于執(zhí)行與根據(jù)本發(fā)明所采用的所述相應實施例基本相同的功能或獲得基本相同結果的工藝或步驟根據(jù)本發(fā)明可以被使用。因此，所附權利要求應該包括在這樣的方法或步驟的范圍內。
權利要求
1.ー種方法，包括 將可移動噴頭置于晶圓表面上方，所述可移動噴頭具有暴露所述晶圓表面的一部分的開放底部； 通過所述可移動噴頭的所述開放底部將液體施加在所述晶圓表面上方；以及 以預定的掃描速度移動所述可移動噴頭從而穿過所述晶圓表面，在所述晶圓表面上方移動的同時將所述液體施加在所述晶圓表面上。
2.根據(jù)權利要求I所述的方法，進ー步包括 將換能器設置在所述可移動噴頭內；以及 在所述晶圓表面上方移動所述可移動噴頭的同時，將聲能施加給所述晶圓表面位于所述可移動噴頭的所述底部下方的部分。
3.根據(jù)權利要求I所述的方法，其中，所述可移動噴頭具有中間部分，用于將所述液體施給所述晶圓表面，所述液體沿所述晶圓表面流動，以及通過所述可移動噴頭的外部的排出端ロ從所述晶圓表面不斷去除所述液體。
4.根據(jù)權利要求I所述的方法,其中,施加所述液體進ー步包括施加去離子水。
5.根據(jù)權利要求I所述的方法,其中,施加所述液體進ー步包括施加選自基本上由去離子水、氫氧化氨-過氧化氫、溶解氣、溶剤、以及表面活性劑所組成的組中的ー個。
6.根據(jù)權利要求I所述的方法，其中，移動所述可移動噴頭進ー步包括在線性方向上移動所述可移動噴頭，同時所述晶圓圍繞中心軸旋轉。
7.根據(jù)權利要求I所述的方法，其中，移動所述可移動噴頭包括在線性方向上移動所述晶圓，同時所述晶圓旋轉并且所述可移動噴頭保持靜止。
8.根據(jù)權利要求I所述的方法，其中，移動所述可移動噴頭包括在至少兩個方向上移動所述可移動噴頭，同時所述晶圓保持靜止，從而掃描所述整個晶圓表面。
9.ー種裝置，包括 可移動晶圓噴頭，包括 換能器，被設置在形成浸潰罩的主體內，所述主體具有圍繞所述換能器的側面并且具有被配置成置于晶圓表面上方的開放底部； 液體輸入端ロ，用于接收要施加給位于開放底部處的所述晶圓表面的液體；以及 液體排出端，用于通過所述開放底部去除來自所述晶圓表面的液體。
10.ー種方法，包括 提供可移動噴頭，所述可移動噴頭具有兆聲換能器，具有中間開ロ ；液體輸入端ロ，與所述中間開ロ連接；開ロ底部，被配置成將液體施加給晶圓表面位于開放底部下方一部分；液體排出端ロ，被配置成去除來自所述晶圓表面的一部分的液體；所述可移動噴頭具有傳動機構，用于以預定的掃描速度沿所述晶圓表面移動所述可移動噴頭； 將所述可移動噴頭置于晶圓表面上方； 將在所述可移動噴頭的所述液體輸入端ロ處所接收到的液體施加在所述晶圓表面位于所述開放底部下方的部分上方，同時將兆聲能施加給所述晶圓表面的所述部分； 利用所述可移動噴頭的所述液體排出端ロ去除來自所述晶圓表面的所述部分的所述液體；以及 以預定的掃描速度移動所述可移動噴頭，從而穿過所述晶圓表面，在所述晶圓表面上方移動的同時，將所述液體和所述兆聲能施加給所述晶圓表面； 其中，通過施加給所述晶圓表面的所述兆聲能來釋放顆粒，所述顆粒通過所述可移動噴頭的所述排出端口由所述液體從所述晶圓表面帶走。 ·
全文摘要
用于可移動兆聲晶圓噴頭的方法和裝置。公開了一種方法，包括將可移動噴頭置于晶圓表面上方，可移動噴頭具有暴露晶圓表面的一部分的開放底部；通過可移動噴頭的底部將液體施加在晶圓表面上方；以及以預定的掃描速度移動可移動噴頭，從而穿過晶圓表面，在晶圓表面上方移動的同時，將液體施加給晶圓表面。在其他實施例中，方法包括提供用于將兆聲能量施加給晶圓表面的換能器。公開了包括可移動兆聲晶圓噴頭的裝置實施例。
文檔編號B08B3/02GK102974563SQ20121002783
公開日2013年3月20日 申請日期2012年2月8日 優(yōu)先權日2011年9月6日
發(fā)明者張簡瑛雪, 古紹延, 葉明熙, 楊棋銘, 林進祥 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司