專利名稱：一種太陽能電池生產(chǎn)中去除單晶硅片上手指印的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種太陽能電池生產(chǎn)過程中單晶硅片的清洗工藝，具體的說是一種能夠干凈有效的清洗掉單晶硅片來料時硅片上手指印的方法。
背景技術(shù)：
我國對太陽能電池的研究開發(fā)工作高度重視，早在七五期間，非晶硅半導(dǎo)體的研究工作已經(jīng)列入國家重大課題；八五和九五期間，我國把研究開發(fā)的重點放在大面積太陽能電池等方面。2003年10月，國家發(fā)改委、科技部制定出未來5年太陽能資源開發(fā)計劃，發(fā)改委"光明工程"將籌資100億元用于推進太陽能發(fā)電技術(shù)的應(yīng)用，計劃到2015年全國太陽能發(fā)電系統(tǒng)總裝機容量達到300兆瓦。我國已成為全球光伏產(chǎn)品最大制造國，我國即將出臺的《新能源振興規(guī)劃》，我國光伏發(fā)電的裝機容量規(guī)劃為2020年達到20GW，是原來《可 再生能源中長期規(guī)劃》中I. 8GW的10多倍。太陽能電池的應(yīng)用已從軍事領(lǐng)域、航天領(lǐng)域進入工業(yè)、商業(yè)、農(nóng)業(yè)、通信、家用電器以及公用設(shè)施等部門，尤其可以分散地在邊遠地區(qū)、高山、沙漠、海島和農(nóng)村使用，以節(jié)省造價很貴的輸電線路。目前，現(xiàn)有的單晶硅太陽能電池生產(chǎn)中，通常對單晶硅片進行清洗的方法是采用漂洗一制絨一漂洗一氫氟酸一漂洗一鹽酸一漂洗一噴淋一甩干這種流程工藝?，F(xiàn)有的單晶硅片由于各個廠家制做工藝不同，以及在各個生產(chǎn)環(huán)節(jié)上控制的不良，經(jīng)常導(dǎo)致手指印在單晶硅片上殘留，采用上述傳統(tǒng)的生產(chǎn)工藝無法去除掉單晶硅片上殘留的手指印，而上述原因造成的硅片不干凈，將直接影響產(chǎn)品的A品率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種一種太陽能電池生產(chǎn)中去除單晶硅片上手指印的方法，該方法能夠徹底去除掉不同生產(chǎn)廠家不同工藝生產(chǎn)的單晶硅片上產(chǎn)生的手指印殘留，而且不影響單晶硅片本身的各項指標，并且能夠使制絨得到良好的絨面，縮短制絨工藝時間，減少制絨所需藥量，經(jīng)上述步驟清洗后單晶硅片表面清潔度符合生產(chǎn)中A類片標準。本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的，該方法包括以下步驟
①、配液，在容積為150-180升的工藝槽中加入150-160升的去離子水，工藝槽中的水溫加熱并保持在15 25度左右；然后開始進行各種化學(xué)品的配制，加入HF(電子級)16升，用PP材質(zhì)長棒均勻攪拌，得到配液待用。②、清洗，將規(guī)格為125*125單晶硅片放入承載盒中，將多個承載盒依次裝入大花藍中作為一個批次，要求每個批次單晶硅片的數(shù)量在300片一400片之間，最后將裝有單晶硅片的大花藍放入裝有①中配液的工藝槽中，浸泡時間控制在200 300秒左右，取出大花藍中的單晶硅片完成清洗過程。③、正常生產(chǎn)不間斷的情況下，首次配液后可連續(xù)生產(chǎn)40 50批次。
本發(fā)明的優(yōu)點是
I、本發(fā) 明方法是在單晶硅制絨前段加入新的清洗工藝，主要目的是去除來料硅片由于在生產(chǎn)中產(chǎn)生的手指印殘留問題，其原理是通過HF對硅片表面與空氣產(chǎn)化氧化層，即SiO2層的去除，來達到去除因生產(chǎn)單晶硅片過程中控制不良造成的手指印在單晶硅片上的殘留，因手指印等有機成份都浮著在SiO2層上，通過對SiO2層的去除，使浮著在SiO2層上的手指印等有機物成分隨之剝離，其反應(yīng)方程式是4HF+Si02=SiF4+2H20，從而達到了去除手指印的目的。2、本發(fā)明合理的分析出單晶硅片產(chǎn)生手指印的原因，并通過HF在一定的溫度與濃度情況下，對SiO2層進行有效的去除，使殘留在SiO2層上的手指印等有機物得到有效的去除，這樣大大縮短后期的制絨時間，也可使后期的絨面均勻，出絨效果好，產(chǎn)品A片率提聞。
具體實施例方式實施例I :
①、配液，在容積為150升的工藝槽中加入150升的去離子水，工藝槽中的水溫加熱并保持在15度左右；然后開始進行各種化學(xué)品的配制，加入HF (電子級)16升，用PP材質(zhì)長棒均勻攪拌，得到配液待用。②、清洗，將規(guī)格為125*125單晶硅片放入承載盒中，將多個承載盒依次裝入大花藍中作為一個批次，要求每個批次單晶硅片的數(shù)量在300片，最后將裝有單晶硅片的大花藍放入裝有①中配液的工藝槽中，浸泡時間控制在200秒左右，取出大花藍中的單晶硅片完成清洗過程。③、正常生產(chǎn)不間斷的情況下，首次配液后可連續(xù)生產(chǎn)40批次。實施例2
①、配液，在容積為170升的工藝槽中加入155升的去離子水，工藝槽中的水溫加熱并保持在20度左右；然后開始進行各種化學(xué)品的配制，加入HF (電子級)16升，用PP材質(zhì)長棒均勻攪拌，得到配液待用。②、清洗，將規(guī)格為125*125單晶硅片放入承載盒中，將多個承載盒依次裝入大花藍中作為一個批次，要求每個批次單晶硅片的數(shù)量在350片，最后將裝有單晶硅片的大花藍放入裝有①中配液的工藝槽中，浸泡時間控制在250秒左右，取出大花藍中的單晶硅片完成清洗過程。③、正常生產(chǎn)不間斷的情況下，首次配液后可連續(xù)生產(chǎn)45批次。實施例3:
①、配液，在容積為180升的工藝槽中加入160升的去離子水，工藝槽中的水溫加熱并保持在25度左右；然后開始進行各種化學(xué)品的配制，加入HF (電子級)16升，用PP材質(zhì)長棒均勻攪拌，得到配液待用。②、清洗，將規(guī)格為125*125單晶硅片放入承載盒中，將多個承載盒依次裝入大花藍中作為一個批次，要求每個批次單晶硅片的數(shù)量在400片，最后將裝有單晶硅片的大花藍放入裝有①中配液的工藝槽中，浸泡時間控制在300秒左右，取出大花藍中的單晶硅片完成清洗過程。
③、正常生產(chǎn)不間斷的情況下，首次配液后可連續(xù)生產(chǎn)50批次 。
權(quán)利要求
1.一種太陽能電池生產(chǎn)中去除單晶硅片上手指印的方法，其特征在于該方法包括以下步驟 ①、配液，在容積為150-180升的工藝槽中加入150-160升的去離子水，工藝槽中的水溫加熱并保持在15 25度；然后開始進行各種化學(xué)品的配制，加入電子級HF 16升，用PP材質(zhì)長棒均勻攪拌，得到配液待用； ②、清洗，將規(guī)格為125*125單晶硅片放入承載盒中，將多個承載盒依次裝入大花藍中作為一個批次，要求每個批次單晶硅片的數(shù)量在300片一400片之間，最后將裝有單晶硅片的大花藍放入裝有①中配液的工藝槽中，浸泡時間控制在200 300秒，取出大花藍中的單晶硅片完成清洗過程。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種太陽能電池生產(chǎn)中去除單晶硅片上手指印的方法，其特征在于在生產(chǎn)不間斷的情況下，首次配液后可連續(xù)生產(chǎn)40 50批次?！?br> 全文摘要
本發(fā)明涉及一種太陽能電池生產(chǎn)過程中單晶硅片的清洗工藝，具體的說是一種能夠干凈有效的清洗掉單晶硅片來料時硅片上手指印的方法。該方法是通過①在容積為150-180升的工藝槽中加入150-160升的去離子水，工藝槽中的水溫加熱并保持在15～25度左右；然后開始進行各種化學(xué)品的配制，加入HF(電子級)16升，用PP材質(zhì)長棒均勻攪拌，得到配液待用；②將規(guī)格為125*125單晶硅片放入承載盒中，將多個承載盒依次裝入大花藍中作為一個批次，要求每個批次單晶硅片的數(shù)量在300片—400片之間，最后將裝有單晶硅片的大花藍放入裝有①中配液的工藝槽中，浸泡時間控制在200～300秒左右，取出大花藍中的單晶硅片完成清洗過程。
文檔編號B08B11/00GK102842641SQ20111017100
公開日2012年12月26日 申請日期2011年6月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月23日
發(fā)明者劉萬學(xué), 張兵, 劉志堅, 侯麗艷, 劉海濤 申請人:吉林慶達新能源電力股份有限公司