專(zhuān)利名稱：半導(dǎo)體硅片的清洗設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及集成電路制造領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體硅片的清洗設(shè)備。
背景技術(shù)：
隨著集成電路制造工藝的不斷進(jìn)步，半導(dǎo)體器件的體積正變得越來(lái)越小，這也導(dǎo)
致了硅片上非常微小的顆粒如果沒(méi)有清洗干凈，也會(huì)影響半導(dǎo)體器件的性能，所以，硅片清
洗工藝也變得越來(lái)越重要。相對(duì)于傳統(tǒng)的浸沒(méi)式清洗方法，單片式清洗方法具有清洗劑消
耗量少，始終都使用全新的清洗劑，清洗效果更強(qiáng)以及工藝穩(wěn)定性更好等優(yōu)點(diǎn)。因此，在最
先進(jìn)的集成電路制造工藝中，單片式清洗方式已成為最主要的清洗方法。 目前，清洗工藝一般包括多個(gè)清洗步驟，每個(gè)步驟使用不同的清洗劑，業(yè)界廣泛采
用的單片式清洗設(shè)備中，都是以單個(gè)工藝腔為基本單位，每一個(gè)工藝腔都配備清洗工藝的
多個(gè)清洗步驟所需的清洗劑供給管路，能獨(dú)立完成所有的清洗步驟。由于單個(gè)工藝腔一次
只能清洗一片硅片，要增加設(shè)備的產(chǎn)能，就必須增加更多的工藝腔，因此設(shè)備的成本很高。
為解決此問(wèn)題，采用多個(gè)工藝腔串聯(lián)的方式，使每個(gè)工藝腔僅僅負(fù)責(zé)清洗工藝中的一個(gè)清
洗步驟，同時(shí)該工藝腔也僅配備該清洗步驟所需的功能模塊，然后按照工藝要求，共同完成
清洗工藝，就可以在保持原有產(chǎn)能的基礎(chǔ)上，大大降低設(shè)備成本。 具體請(qǐng)參見(jiàn)圖l，半導(dǎo)體硅片的清洗設(shè)備100包括第一工藝腔110、第二工藝腔120、第三工藝腔130、第四工藝腔140以及第五工藝腔150，所述五個(gè)工藝腔為串聯(lián)設(shè)置，清洗設(shè)備100還包括主機(jī)械臂160，其設(shè)置在所述多個(gè)工藝腔的周邊，用以將裝載在硅片盒內(nèi)的硅片送進(jìn)第一工藝腔110內(nèi)進(jìn)行清洗工藝，并移動(dòng)至第五工藝腔150的一側(cè)，將完成清洗工藝的硅片從第五工藝腔150內(nèi)取出，送入另一硅片盒內(nèi)， 其中，所述多個(gè)工藝腔呈直線排列，用以送取硅片的主機(jī)械臂160需要沿所述多個(gè)工藝腔的排列方向移動(dòng)，從第一工藝腔110的一側(cè)移動(dòng)至第五工藝腔150的一側(cè)將硅片取出放進(jìn)硅片盒內(nèi)，并返回第一工藝腔110的一側(cè)將另一片硅片送進(jìn)第一工藝腔110內(nèi)進(jìn)行清洗工藝，如次往復(fù)移動(dòng)，因此必須采用高精度且成本較高的主機(jī)械臂，使得設(shè)備的成本大大提高，并且需要一定的移動(dòng)時(shí)間，這已經(jīng)成為制約生產(chǎn)效率提高的一個(gè)重要因素。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種半導(dǎo)體硅片的清洗設(shè)備，以解決現(xiàn)有的半導(dǎo)體硅片的清洗設(shè)備成本高、生產(chǎn)效率低的問(wèn)題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提出了一種半導(dǎo)體硅片的清洗設(shè)備，包括主機(jī)械臂
以及多個(gè)串聯(lián)的工藝腔，所述多個(gè)工藝腔圍繞所述主機(jī)械臂呈"U"形排列。 進(jìn)一步的，所述半導(dǎo)體硅片的清洗設(shè)備還包括可升降隔板，設(shè)置于所述多個(gè)工藝
腔之間；可旋轉(zhuǎn)平臺(tái)，設(shè)置于所述多個(gè)工藝腔內(nèi)；以及機(jī)械臂，設(shè)置于所述多個(gè)工藝腔內(nèi)；
以及清洗旋臂，設(shè)置于所述多個(gè)工藝腔內(nèi)，其上設(shè)置有噴嘴，所述噴嘴連接至清洗劑供給管
路以及氮?dú)夤┙o管路。[0009]進(jìn)—-步的，所述工藝腔的數(shù)量為五個(gè)。進(jìn)—-步的，所述隔板的厚度為1/4 1英寸。進(jìn)—-步的，所述隔板的數(shù)量為四個(gè)。進(jìn)—-步的，所述平臺(tái)的直徑為6 15英寸。進(jìn)—-步的，所述平臺(tái)的最高轉(zhuǎn)速為500 3000轉(zhuǎn)/分鐘。進(jìn)—-步的，所述清洗旋臂的旋轉(zhuǎn)角度為0 90度。 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型所提供的半導(dǎo)體硅片的清洗設(shè)備，包括主機(jī)械臂以及多個(gè)串聯(lián)的工藝腔，其中，所述多個(gè)工藝腔圍繞所述主機(jī)械臂呈"U"形排列，采用功能較為簡(jiǎn)單的主機(jī)械臂即可滿足工藝要求，可降低設(shè)備成本，并可縮短硅片的取放時(shí)間，提高生
產(chǎn)效率。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體硅片的清洗設(shè)備的示意圖； 圖2為本實(shí)用新型一實(shí)施例所提供的半導(dǎo)體硅片的清洗設(shè)備的示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型提出的半導(dǎo)體硅片的清洗設(shè)備作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書(shū)，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比率，僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。 請(qǐng)參考圖2，其為本實(shí)用新型一實(shí)施例所提供的半導(dǎo)體硅片的清洗設(shè)備的示意圖，所述半導(dǎo)體硅片的清洗設(shè)備200包括多個(gè)串聯(lián)的工藝腔，其中，每個(gè)工藝腔用以進(jìn)行多個(gè)清洗步驟中的一個(gè)清洗步驟，具體的說(shuō)，半導(dǎo)體硅片的清洗設(shè)備200包括第一工藝腔210、第二工藝腔220、第三工藝腔230、第四工藝腔240以及第五工藝腔250，所述五個(gè)工藝腔為串聯(lián)設(shè)置。所述五個(gè)工藝腔之間設(shè)置有第一隔板211、第二隔板221、第三隔板231以及第四隔板241。 半導(dǎo)體硅片的清洗設(shè)備200還包括主機(jī)械臂260，其中，第一工藝腔210、第二工藝腔220、第三工藝腔230、第四工藝腔240以及第五工藝腔250圍繞主機(jī)械臂260呈"U"形排列，第一工藝腔210以及第五工藝腔250設(shè)置在主機(jī)械臂260的兩側(cè)，主機(jī)械臂260用以將裝載在第一硅片盒300內(nèi)的硅片500送進(jìn)第一工藝腔210內(nèi)，并將完成清洗工藝的硅片500從第五工藝腔250內(nèi)取出，并送入第二硅片盒400內(nèi)。主機(jī)械臂260無(wú)需沿工藝腔排列方向線性移動(dòng)就可以完成硅片的取放動(dòng)作，采用低成本的主機(jī)械臂即可滿足工藝要求，并可縮短硅片的取放時(shí)間，提高生產(chǎn)效率。 其中，第一工藝腔210用以進(jìn)行第一清洗步驟，其內(nèi)設(shè)置有第一清洗步驟所需的清洗劑供給管路以及氮?dú)夤┙o管路，第一工藝腔210內(nèi)還設(shè)置有平臺(tái)270、清洗旋臂280以及機(jī)械臂290，詳細(xì)的，平臺(tái)270用以承載硅片500，清洗旋臂280上設(shè)置有噴嘴，噴嘴連接至所述第一清洗步驟所需的清洗劑供給管路以及氮?dú)夤┙o管路，用以噴注清洗劑以及氮?dú)庥诠杵砻妗C(jī)械臂290用以將第一工藝腔210內(nèi)的硅片傳送至第二工藝腔220，其中，清洗劑可為酸性溶液、堿性溶液以及去離子水，不同的清洗步驟所使用的清洗劑不同。
4[0022] 第二工藝腔220用以進(jìn)行第二清洗步驟，第三工藝腔230用以進(jìn)行第三清洗步驟，第四工藝腔240用以進(jìn)行第四清洗步驟，第五工藝腔220用以進(jìn)行第五清洗步驟，完成第五清洗步驟的硅片由主機(jī)械臂260取出，并放入第二硅片盒400內(nèi)。 在本實(shí)用新型一實(shí)施例中，所述多個(gè)隔板的厚度為1/4 1英寸，當(dāng)?shù)谝桓舭?11升起時(shí)，第一工藝腔210以及第二工藝腔220相互獨(dú)立，第一隔板211可防止兩個(gè)工藝腔內(nèi)的噴嘴噴射出的清洗劑交叉污染，當(dāng)?shù)谝桓舭?11下降時(shí)，第一工藝腔210內(nèi)的機(jī)械臂290可將完成第一清洗步驟的硅片傳送至第二工藝腔220進(jìn)行第二清洗步驟。結(jié)合第一隔板211的具體描述，容易推斷出有第二隔板221、第三隔板231以及第四隔板241的工作原理，此處不再贅述。 在本實(shí)用新型一實(shí)施例中，所述平臺(tái)的直徑為6 15英寸，其上可以放置一片硅片，根據(jù)進(jìn)行清洗工藝的硅片大小而選擇相應(yīng)尺寸的平臺(tái)，所述平臺(tái)的最高轉(zhuǎn)速為500 3000轉(zhuǎn)/分鐘，可以滿足不同的工藝需求。所述清洗旋臂的旋轉(zhuǎn)角度為0度至90度，但不限定于此。所述噴嘴噴灑清洗劑的方式可以有多種，例如高壓噴射、無(wú)壓自然重力下流或其他方式，可根據(jù)實(shí)際的工藝要求，選擇相應(yīng)的噴灑方式。 綜上所述，本實(shí)用新型所提供的半導(dǎo)體硅片的清洗設(shè)備，包括主機(jī)械臂以及多個(gè)串聯(lián)的工藝腔，其中，所述多個(gè)工藝腔圍繞所述主機(jī)械臂呈"U"形排列，采用功能較為簡(jiǎn)單、成本較低的主機(jī)械臂即可滿足工藝要求，可降低設(shè)備的成本，還可縮短硅片的取放時(shí)間，提
高生產(chǎn)效率。 顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求一種半導(dǎo)體硅片的清洗設(shè)備，包括主機(jī)械臂以及多個(gè)串聯(lián)的工藝腔，其特征在于，所述多個(gè)工藝腔圍繞所述主機(jī)械臂呈“U”形排列。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體硅片的清洗設(shè)備，其特征在于，還包括可升降隔板，設(shè)置于所述多個(gè)工藝腔之間；可旋轉(zhuǎn)平臺(tái)，設(shè)置于所述多個(gè)工藝腔內(nèi)；機(jī)械臂，設(shè)置于所述多個(gè)工藝腔內(nèi)；以及清洗旋臂，設(shè)置于所述多個(gè)工藝腔內(nèi)，其上設(shè)置有噴嘴，所述噴嘴連接至清洗劑供給管路以及氮?dú)夤┙o管路。
3. 如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體硅片的清洗設(shè)備，其特征在于，所述工藝腔的數(shù)量為五個(gè)。
4. 如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體硅片的清洗設(shè)備，其特征在于，所述隔板的厚度為1/4 l英寸。
5. 如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體硅片的清洗設(shè)備，其特征在于，所述隔板的數(shù)量為四個(gè)。
6. 如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體硅片的清洗設(shè)備，其特征在于，所述平臺(tái)的直徑為6 15英寸。
7. 如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體硅片的清洗設(shè)備，其特征在于，所述平臺(tái)的最高轉(zhuǎn)速為500 3000轉(zhuǎn)/分鐘。
8. 如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體硅片的清洗設(shè)備，其特征在于，所述清洗旋臂的旋轉(zhuǎn)角度為0 90度。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體硅片的清洗設(shè)備，包括主機(jī)械臂以及多個(gè)串聯(lián)的工藝腔，其中，所述多個(gè)工藝腔圍繞所述主機(jī)械臂呈“U”形排列。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型所提供的半導(dǎo)體硅片的清洗設(shè)備，采用功能較為簡(jiǎn)單的主機(jī)械臂即可滿足工藝要求，可降低設(shè)備成本，并可縮短硅片的取放時(shí)間，提高生產(chǎn)效率。
文檔編號(hào)B08B3/02GK201454905SQ200920070140
公開(kāi)日2010年5月12日 申請(qǐng)日期2009年4月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月9日
發(fā)明者張晨騁 申請(qǐng)人:上海集成電路研發(fā)中心有限公司