專(zhuān)利名稱：光刻投射裝置組件表面的清洗方法、光刻投射裝置、器件制造方法和清洗系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種從光刻投射裝置組件表面除去污染的方法。本發(fā)明還涉及一種光刻投射裝置、一種器件制造方法和清洗系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
這里使用的術(shù)語(yǔ)“構(gòu)圖部件”應(yīng)廣義地解釋為能夠給入射的輻射光束賦予帶圖案的截面的部件，其中所述圖案與要在基底的靶部上形成的圖案一致；本文中也使用術(shù)語(yǔ)“光閥”。一般地，所述圖案與在靶部中形成的器件如集成電路或者其它器件的特殊功能層相對(duì)應(yīng)(如下文)。這種構(gòu)圖部件的示例包括■ 掩模。掩模的概念在光刻中是公知的。它包括如二進(jìn)制型、交替相移型、和衰減相移型的掩模類(lèi)型，以及各種混合掩模類(lèi)型。這種掩模在輻射光束中的布置使入射到掩模上的輻射能夠根據(jù)掩模上的圖案而選擇性的被透射(在透射掩模的情況下)或者被反射(在反射掩模的情況下)。在使用掩模的情況下，支撐結(jié)構(gòu)一般是一個(gè)掩模臺(tái)，它能夠保證掩模被保持在入射光束中的理想位置，并且如果需要該臺(tái)會(huì)相對(duì)光束移動(dòng)。
■ 程控反射鏡陣列。這種設(shè)備的一個(gè)例子是具有一粘彈性控制層和一反射表面的矩陣可尋址表面。這種裝置的理論基礎(chǔ)是(例如)反射表面的尋址區(qū)域?qū)⑷肷涔夥瓷錇檠苌涔?，而非尋址區(qū)域?qū)⑷肷涔夥瓷錇榉茄苌涔?。用一個(gè)適當(dāng)?shù)臑V光器，從反射的光束中濾除所述非衍射光，只保留衍射光；按照這種方式，光束根據(jù)矩陣可尋址表面的定址圖案而產(chǎn)生圖案。程控反射鏡陣列的另一實(shí)施例利用微小反射鏡的矩陣排列，通過(guò)使用適當(dāng)?shù)木植侩妶?chǎng)，或者通過(guò)使用壓電致動(dòng)器裝置，使得每個(gè)反射鏡能夠獨(dú)立地關(guān)于一軸傾斜。再者，反射鏡是矩陣可尋址的，由此尋址反射鏡以不同的方向?qū)⑷肷涞妮椛涔馐瓷涞椒菍ぶ贩瓷溏R上；按照這種方式，根據(jù)矩陣可尋址反射鏡的定址圖案對(duì)反射光束進(jìn)行構(gòu)圖。可以用適當(dāng)?shù)碾娮友b置進(jìn)行該所需的矩陣定址。在上述兩種情況中，構(gòu)圖部件可包括一個(gè)或者多個(gè)程控反射鏡陣列。反射鏡陣列的更多信息可以從例如美國(guó)專(zhuān)利US5,296,891、美國(guó)專(zhuān)利US5,523,193、PCT專(zhuān)利申請(qǐng)WO98/38597和WO98/33096中獲得，這些文獻(xiàn)在這里引入作為參照。在程控反射鏡陣列的情況中，所述支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或者工作臺(tái)，例如所述結(jié)構(gòu)根據(jù)需要可以是固定的或者是可移動(dòng)的。
■ 程控LCD陣列，例如由美國(guó)專(zhuān)利US5,229,872給出的這種結(jié)構(gòu)，它在這里引入作為參照。如上所述，在這種情況下支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或者工作臺(tái)，例如所述結(jié)構(gòu)根據(jù)需要可以是固定的或者是可移動(dòng)的。
為簡(jiǎn)單起見(jiàn)，本文的其余部分在一定的情況下具體以掩模和掩模臺(tái)為例；可是，在這樣的例子中所討論的一般原理應(yīng)適用于上述更寬范圍的構(gòu)圖部件。
光刻投影裝置可以用于例如集成電路(IC)的制造。在這種情況下，構(gòu)圖部件可產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于IC一個(gè)單獨(dú)層的電路圖案，該圖案可以成像在已涂敷輻射敏感材料(抗蝕劑)層的基底(硅片)的靶部上(例如包括一個(gè)或者多個(gè)電路小片(die))。一般的，單一的晶片將包含相鄰靶部的整個(gè)網(wǎng)格，該相鄰靶部由投影系統(tǒng)逐個(gè)相繼輻射。在目前采用掩模臺(tái)上的掩模進(jìn)行構(gòu)圖的裝置中，有兩種不同類(lèi)型的機(jī)器。一類(lèi)光刻投影裝置是，通過(guò)將全部掩模圖案一次曝光在靶部上而輻射每一靶部；這種裝置通常稱作晶片分檔器或步進(jìn)—重復(fù)裝置。另一種裝置(通常稱作分步掃描裝置)通過(guò)在投射光束下沿給定的參考方向(“掃描”方向)依次掃描掩模圖案、并同時(shí)沿與該方向平行或者反平行的方向同步掃描基底臺(tái)來(lái)輻射每一靶部；因?yàn)橐话銇?lái)說(shuō)，投影系統(tǒng)有一個(gè)放大系數(shù)M(通常＜1)，因此對(duì)基底臺(tái)的掃描速度V是對(duì)掩模臺(tái)掃描速度的M倍。關(guān)于如這里描述的光刻設(shè)備的更多信息可以從例如美國(guó)專(zhuān)利US6,046,729中獲得，該文獻(xiàn)這里作為參考引入。
在用光刻投影裝置的制造方法中，(例如在掩模中的)圖案成像在至少部分由一層輻射敏感材料(抗蝕劑)覆蓋的基底上。在這種成像步驟之前，可以對(duì)基底可進(jìn)行各種處理，如涂底漆，涂敷抗蝕劑和軟烘烤。在曝光后，可以對(duì)基底進(jìn)行其它的處理，如曝光后烘烤(PEB)，顯影，硬烘烤和測(cè)量/檢查成像特征。以這一系列工藝為基礎(chǔ)，對(duì)例如IC的器件的單層形成圖案。這種圖案層然后可進(jìn)行任何不同的處理，如蝕刻、離子注入(摻雜)、鍍金屬、氧化、化學(xué)—機(jī)械拋光等完成一單層所需的所有處理。如果需要多層，那么對(duì)每一新層重復(fù)全部步驟或者其變化。最終，在基底(晶片)上出現(xiàn)器件陣列。然后采用例如切割或者鋸斷的技術(shù)將這些器件彼此分開(kāi)，單個(gè)器件可以安裝在載體上，與管腳等連接。關(guān)于這些步驟的進(jìn)一步信息可從例如Peter van Zant的“微型集成電路片制造半導(dǎo)體加工實(shí)踐入門(mén)(Microchip FabricationA Practical Guideto Semiconductor Processing)”一書(shū)(第三版，McGraw Hill PublishingCo.，1997，ISBN 0-07-067250-4)中獲得，這里作為參考引入。
為了簡(jiǎn)單起見(jiàn)，投影系統(tǒng)在下文稱為“透鏡”；可是，該術(shù)語(yǔ)應(yīng)廣義地解釋為包含各種類(lèi)型的投影系統(tǒng)，包括例如折射光學(xué)裝置，反射光學(xué)裝置，和反折射系統(tǒng)。輻射系統(tǒng)還可以包括根據(jù)這些設(shè)計(jì)類(lèi)型中任一設(shè)計(jì)的操作部件，該操作部件用于引導(dǎo)、整形或者控制輻射投射光束，這種部件在下文還可共同地或者單獨(dú)地稱作“透鏡”。另外，光刻裝置可以具有兩個(gè)或者多個(gè)基底臺(tái)(和/或兩個(gè)或者多個(gè)掩模臺(tái))。在這種“多級(jí)式”器件中，可以并行使用這些附加臺(tái)，或者可以在一個(gè)或者多個(gè)臺(tái)上進(jìn)行準(zhǔn)備步驟，而一個(gè)或者多個(gè)其它臺(tái)用于曝光。例如在美國(guó)專(zhuān)利US5,969,441和WO98/40791中描述的二級(jí)光刻裝置，這里作為參考引入。
在本申請(qǐng)中，本發(fā)明的裝置具體用于制造IC，但是應(yīng)該明確理解這些裝置可能具有其它應(yīng)用。例如，它可用于制造集成光學(xué)系統(tǒng)、用于磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖案、液晶顯示板、薄膜磁頭等等。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，在這種可替換的用途范圍中，在說(shuō)明書(shū)中任何術(shù)語(yǔ)“劃線板”，“晶片”或者“電路小片(die)”的使用應(yīng)認(rèn)為分別可以由更普通的術(shù)語(yǔ)“掩?！保盎住焙汀鞍胁俊贝?。
在本文件中，使用的術(shù)語(yǔ)“輻射”和“光束”包含所有類(lèi)型的電磁輻射，包括紫外輻射(例如具有365，248，193，157或者126nm的波長(zhǎng))和極遠(yuǎn)紫外輻射(EUV)(例如具有5-20nm的波長(zhǎng)范圍)，和粒子束，如離子束或者電子束。
通常，光刻投射裝置的組件的表面在使用過(guò)程中被污染，例如，因?yàn)楸M管大多數(shù)的裝置在真空中操作，但仍然總有碳?xì)浠衔锓肿哟嬖谟谠撗b置中。應(yīng)當(dāng)注意，通常EUV光刻投射裝置是一個(gè)封閉的真空系統(tǒng)。污染也可以是由其他材料引起，例如，但不限于，由輻射導(dǎo)致的六甲基二硅烷基胺(hexa-methyldisilazane)或者別的含硅材料破裂的反應(yīng)物，例如硅的氧化物。特別是在使用EUV的裝置中，因?yàn)檩椛鋵?dǎo)致的碳?xì)浠衔锓肿悠屏讯沟闷浣M件遭受含碳材料的污染。
特別是，該光刻投射裝置中組件如反射鏡的污染對(duì)該裝置的性能有不利的影響，因?yàn)檫@種污染影響該光學(xué)組件的光學(xué)性質(zhì)。例如，光學(xué)組件的污染導(dǎo)致反射率和透射率損失，并且引入波前誤差。這導(dǎo)致光學(xué)系統(tǒng)壽命縮短。當(dāng)使用EUV輻射時(shí)，光學(xué)組件的污染更是一個(gè)問(wèn)題，因?yàn)樵撦椛鋵?dǎo)致的污染，例如碳污染，將出現(xiàn)在被照射區(qū)域即該光學(xué)組件的附近的大部分區(qū)域。
現(xiàn)有技術(shù)已知緩和(mitigation)方法可以減少污染程度，例如通過(guò)抑止含碳材料在該裝置表面生長(zhǎng)。
然而，如果緩和不充分，就需要對(duì)各個(gè)組件清洗?，F(xiàn)有技術(shù)已知清洗污染表面的方法，例如，使用與EUV輻射結(jié)合的蝕刻氣體如氧氣或者氫氣除去含碳材料。從歐洲專(zhuān)利EP1220038可以獲得一種清洗光學(xué)組件表面的方法，其中光學(xué)組件用微波和/或紅外輻射照射。但是，這種清洗方法一般需要相對(duì)高濃度的蝕刻劑，典型地，高于該碳?xì)浠衔锞植繅毫?到6個(gè)數(shù)量級(jí)。此外，局部蝕刻率可能得不到控制，因而，每個(gè)元件在某些表面產(chǎn)生比其余表面更高的蝕刻速率，導(dǎo)致該組件不勻致的污染圖案。如果該組件是一個(gè)反射鏡，可能導(dǎo)致例如在投射輻射中的相移誤差。
不受控制的蝕刻的另外一個(gè)問(wèn)題是，在操作過(guò)程中該表面的每一部分不同程度地曝露到污染材料。因此，組件由此引起的污染生長(zhǎng)對(duì)于每個(gè)組件，甚至在單個(gè)組件的整個(gè)表面上不同。因而，不受控制的蝕刻會(huì)導(dǎo)致僅僅除去表面某一部分上的一部分污染，而在表面另一部分除去所有污染并破壞該組件表面。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明一個(gè)目的是提供一種用于從光刻投射裝置的組件表面除去污染的改進(jìn)的清洗系統(tǒng)，特別是，一種能夠比現(xiàn)有的清洗系統(tǒng)更好地控制污染的去除的清洗系統(tǒng)。
因此本發(fā)明提供一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗系統(tǒng)。
電場(chǎng)發(fā)生器能夠產(chǎn)生電場(chǎng)，并通過(guò)電場(chǎng)的方法在污染附近提供清洗粒子。由于清洗粒子和污染物質(zhì)的相互作用將污染除去。因而，污染的去除由電場(chǎng)的特性所控制。因此得到可控制的污染去除。清洗粒子的提供可以包括，但不限于，由電場(chǎng)提供的一種或者多種具有足夠能量除去至少一部分污染的載流子，例如物理濺射法，由電場(chǎng)將清洗粒子導(dǎo)向污染，由電場(chǎng)產(chǎn)生反應(yīng)粒子例如反應(yīng)粒子或者自由基(如反應(yīng)濺射)，并且最好將該反應(yīng)粒子帶到表面附近。但是，清洗粒子的提供不限于這些具體的方法，還可以包括任何一種提供能夠和表面上的污染相互作用的粒子的方法，利用該相互作用從表面除去污染。
此外，每個(gè)組件可以提供一個(gè)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的清洗系統(tǒng)，在此每個(gè)組件的污染能以適合特定組件的方式清洗。
可以由除電場(chǎng)之外的其它方式來(lái)獲得對(duì)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的清洗系統(tǒng)的清洗的控制，例如，通過(guò)所使用的清洗粒子的類(lèi)型和在表面附近提供清潔粒子的特定方式。
此外，根據(jù)本發(fā)明的清洗系統(tǒng)可以(部分)連續(xù)運(yùn)行，從而防止表面有效的污染。
本發(fā)明還提供一種根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法。在該方法中，污染從光刻投射裝置的組件的表面以可控制的方式除去。
本發(fā)明還提供一種清洗層壓板或者基底表面的方法，其中所述表面上的污染團(tuán)由離子和/或電子輻射供給能量，直到它們被除去。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種如權(quán)利要求34所述的設(shè)備制造方法。在該方法中，污染從光刻投射裝置的組件的表面以可控制的方式除去，而器件制造僅僅出現(xiàn)短時(shí)間的中斷或者不會(huì)中斷。
本發(fā)明還提供如權(quán)利要求35所述的光刻投射裝置。在該裝置中，能以可控制的方式從組件表面除去污染。此外，能在除去污染的同時(shí)，正常的運(yùn)行僅僅中斷短時(shí)間或者根本就不中斷。
從屬權(quán)利要求中闡述了本發(fā)明具體的實(shí)施例。本發(fā)明進(jìn)一步的細(xì)節(jié)，方式和實(shí)施例將參照附圖僅僅以實(shí)例的方式描述。


圖1示意性地描述了一種根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的光刻投射裝置。
圖2示出根據(jù)本發(fā)明的光刻投射裝置的EUV照明系統(tǒng)和投射光學(xué)系統(tǒng)的側(cè)視圖。
圖3示意性地示出具有一個(gè)根據(jù)本發(fā)明的清洗系統(tǒng)的實(shí)例的一個(gè)光學(xué)組件的實(shí)例。
圖4示意性地示出具有另一個(gè)根據(jù)本發(fā)明的清洗系統(tǒng)的實(shí)例的一個(gè)光學(xué)組件的實(shí)例。
圖5示出以原子/離子為單位的石墨的濺射產(chǎn)率作為用于若干離子能量的離子原子質(zhì)量的函數(shù)的曲線圖。
圖6示出以原子/離子為單位的硅的化學(xué)濺射產(chǎn)率作為用Cl+，F(xiàn)+和Br+進(jìn)行反應(yīng)離子蝕刻的離子能量的函數(shù)的曲線圖。
圖7示出以原子/離子為單位的化學(xué)濺射產(chǎn)率作為離子能量的函數(shù)的曲線圖，該離子能量用于硅、鉬和具有Ne+和Ar+離子的石墨的物理濺射以及石墨和具有O+離子的鉬的反應(yīng)離子蝕刻中。
具體實(shí)施例方式
圖1示意性地描述了根據(jù)本發(fā)明的光刻投射裝置1的實(shí)施例的一個(gè)實(shí)例。該裝置1典型地包括輻射系統(tǒng)Ex，IL，用于提供輻射投射光束PB(例如EUV輻射)，在這種具體例子中，該輻射系統(tǒng)還包括一輻射源LA；第一目標(biāo)臺(tái)(掩模臺(tái))MT，設(shè)有用于保持掩模MA(例如劃線板)的掩模保持器，并與用于將該掩模相對(duì)于物體PL精確定位的第一定位裝置連接；第二目標(biāo)臺(tái)(基底臺(tái))WT，設(shè)有用于保持基底W(例如涂敷抗蝕劑的硅晶片)的基底保持器，并與用于將基底相對(duì)于物體PL精確定位的第二定位裝置連接；和投射系統(tǒng)(“透鏡”)PL(例如反射鏡組)，用于將掩模MA的輻射部分成像在基底W的靶部C(例如包括一個(gè)或多個(gè)電路小片(die))上。
如這里指出的，該裝置屬于反射型(例如具有反射掩模)。可是，一般來(lái)說(shuō)，它還可以是例如透射型(例如具有透射掩模)。另外，該裝置可以利用其它種類(lèi)的構(gòu)圖部件，如上述涉及的程控反射鏡陣列型。
源LA(例如，汞燈、受激準(zhǔn)分子激光器、圍繞存儲(chǔ)環(huán)或者同步加速器中的電子束路徑的波動(dòng)器或者擺動(dòng)器、產(chǎn)生激光的等離子體源或者其他)產(chǎn)生一輻射束。該光束直接或橫穿過(guò)如擴(kuò)束器Ex的調(diào)節(jié)裝置后，再照射到照射系統(tǒng)(照射器)IL上。照射器IL包括調(diào)節(jié)裝置AM，用于設(shè)定光束強(qiáng)度分布的外和/或內(nèi)徑向量(通常分別稱為σ-外和σ-內(nèi))。另外，它一般包括各種其它組件，如積分器IN和聚光器CO。按照這種方式，照射到掩模MA上的光束PB在其橫截面具有理想的均勻度和強(qiáng)度分布。
應(yīng)該注意，圖1中的輻射源LA可以置于光刻投射裝置的殼體中(例如當(dāng)輻射源LA是汞燈時(shí)經(jīng)常是這種情況)，但也可以遠(yuǎn)離光刻投射裝置，其產(chǎn)生的輻射光束被(例如通過(guò)合適的定向反射鏡的幫助)引導(dǎo)至該裝置中；當(dāng)光源LA是準(zhǔn)分子激光器時(shí)通常是后面的那種情況。本發(fā)明和權(quán)利要求包含這兩種方案。
隨后，光束PB與被保持在掩模臺(tái)MT中的掩模MA相交。由掩模MA選擇性地反射后，光束PB通過(guò)將光束PB聚焦到基底W的靶部C上的投射系統(tǒng)PL。在第二定位裝置PW(和干涉測(cè)量裝置IF)的輔助下，基底臺(tái)WT可以精確地移動(dòng)，例如在光束PB的光路中定位不同的靶部C。類(lèi)似的，例如在從掩模庫(kù)中機(jī)械取出掩模MA后或在掃描期間，可以使用第一定位裝置PM將掩模MA相對(duì)光束PB的光路進(jìn)行精確定位。一般地，用圖1中未明確顯示的長(zhǎng)沖程模塊(粗略定位)和短行程模塊(精確定位)，可以實(shí)現(xiàn)目標(biāo)臺(tái)MT、WT的移動(dòng)?？墒牵诰謾n器中(與分步掃描裝置相對(duì))，掩模臺(tái)MT可與短沖程致動(dòng)裝置連接，或者固定。使用掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記M1，M2和基底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記P1，P2，可以對(duì)準(zhǔn)掩模MA和基底W。
所示的裝置可以按照二種不同模式使用1.在步進(jìn)模式中，掩模臺(tái)MT基本保持不動(dòng)，整個(gè)掩模圖像被一次投射(即單“閃”)到靶部C上。然后基底臺(tái)WT沿x和/或y方向移動(dòng)，以使不同的靶部C能夠由光束PB照射。
2.在掃描模式中，基本為相同的情況，但是所給的靶部C沒(méi)有暴露在單“閃”中。取而代之的是，掩模臺(tái)MT沿給定的方向(所謂的“掃描方向，例如y方向”)以速度v移動(dòng)，以使投射光束PB掃描整個(gè)掩模圖像；同時(shí)，基底臺(tái)WT沿相同或者相反的方向以速度V＝Mv同時(shí)移動(dòng)，其中M是透鏡PL的放大率(通常M＝1/4或1/5)。在這種方式中，可以曝光相當(dāng)大的靶部C，而沒(méi)有犧牲分辨率。
圖2示出可用于圖1光刻投射裝置1的例子中的投射系統(tǒng)PL和輻射系統(tǒng)2。輻射系統(tǒng)2包括一個(gè)光學(xué)照明單元4。輻射系統(tǒng)還可以包括一個(gè)光源收集模塊或者輻射單元3。輻射單元3具有一個(gè)由放電等離子體形成的輻射源LA。該輻射源LA可以使用氣體或者蒸氣，例如Xe氣體或者Li蒸氣，其中可以產(chǎn)生高熱等離子體以發(fā)出電磁波譜中極遠(yuǎn)紫外(EUV)范圍的輻射。該高熱等離子體式由使放電的部分離子化的等離子體在光軸O上坍縮而產(chǎn)生的。為了產(chǎn)生有效的輻射，需要Xe氣體，Li蒸氣或者任何其他合適的氣體或者蒸氣0.1毫巴(mbar)的局部壓力。由輻射源LA發(fā)出的輻射從光源室7通過(guò)氣閘(gas barrier)結(jié)構(gòu)或者“箔收集器(foil trap)”9進(jìn)入收集器室8。該氣閘結(jié)構(gòu)包含一個(gè)通道結(jié)構(gòu)，例如，象在歐洲專(zhuān)利申請(qǐng)EP-A-1 233 468和EP-A-1 057 079中詳細(xì)描述的一樣，在這里作為參考引入。
該收集器室8包含一個(gè)由掠入射集光器形成的輻射收集器10。通過(guò)收集器10的輻射由光柵濾譜器11反射，并在該收集器室8的孔徑上的第二源點(diǎn)12聚焦。來(lái)自室8的投射光束16在光學(xué)照明單元4中經(jīng)過(guò)正入射反射器13，14反射到位于分劃板或者掩模臺(tái)MT的分劃板或者掩模上。形成的帶圖案的光束17在投射系統(tǒng)PL中經(jīng)過(guò)反射元件18，19在晶片臺(tái)或者基底臺(tái)WT上成像。通常在光學(xué)照明單元4和投射系統(tǒng)PL中可以有比圖示更多的元件。
根據(jù)圖1所示的本發(fā)明實(shí)施例的光刻投射裝置1的例子中，具有一個(gè)或者多個(gè)根據(jù)本發(fā)明的位于該投射系統(tǒng)PL和輻射系統(tǒng)2中反射器13、14和反射元件18、19附近的清洗系統(tǒng)100，如圖2所示。然而，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，還可以在該裝置的其它部分提供清洗系統(tǒng)。例如，可以給該光刻投射裝置的分劃板和一個(gè)或多個(gè)傳感器提供清洗系統(tǒng)。
圖3示出清洗系統(tǒng)100的第一個(gè)實(shí)例的更多細(xì)節(jié)。圖1和圖2中，清洗系統(tǒng)100位于裝置1的內(nèi)部。可以采用任何方便的裝置以任何適于具體應(yīng)用的方式在裝置1的外部控制該清洗系統(tǒng)。
然而，同樣可以在該裝置內(nèi)部提供用于控制該清洗系統(tǒng)的合適的裝置。例如，清洗系統(tǒng)100可以和一個(gè)測(cè)量器件通訊連接，該測(cè)量器件測(cè)量裝置1中的一個(gè)或者多個(gè)組件的一個(gè)或者多個(gè)表面的污染程度，例如，通過(guò)測(cè)量從該表面發(fā)出的二次電子。因此，如果該表面污染到一定程度，該測(cè)量器件可以輸出信號(hào)啟動(dòng)根據(jù)本發(fā)明的清洗系統(tǒng)100。
圖3和圖4示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的清洗系統(tǒng)100的實(shí)例和光學(xué)組件。要處理的光學(xué)組件是一個(gè)具有層疊結(jié)構(gòu)的多層反射鏡101。也可以處理不同于反射鏡的光學(xué)組件或者非光學(xué)組件。反射鏡101包含許多交替的具有折射率n1和n2的層102和103，它們分別在反射鏡表面104下面。一污染物質(zhì)層105，例如含有碳或者硅(-氧化)的材料或者物理吸附性微粒，沉積在反射鏡101的表面104。
層102和103可以分別由例如硅(Si)和鉬(Mo)制成，這種材料對(duì)在EUV光刻裝置中的反射鏡特別適合。多層反射鏡是指未封蓋的或者封蓋的反射鏡。未封蓋的多層反射鏡具有類(lèi)似于其他層的表面層，而封蓋的多層反射鏡具有一個(gè)或者多個(gè)表面層以防止損壞，例如對(duì)多層氧化。表面層或者“封蓋”典型地是一種不同于該反射鏡中其他層的物質(zhì)，例如表面層由釕(Ru)構(gòu)成。為簡(jiǎn)化起見(jiàn)，不對(duì)該多層反射鏡和該投射系統(tǒng)作進(jìn)一步的描述，因?yàn)樵诠饪掏渡漕I(lǐng)域多層反射鏡通常是公知的。
清洗系統(tǒng)100具有清洗粒子提供裝置，這個(gè)例子中它包括一個(gè)電場(chǎng)發(fā)生器。該例中，電場(chǎng)發(fā)生器包含一個(gè)電極106，一個(gè)電壓源V和反射鏡表面104。該表面104和該電壓源V的負(fù)觸點(diǎn)V-電連接。電極106面向表面104并且和該電壓源的正觸點(diǎn)V+電連接。電壓源V可以在表面104和電極106之間施加電壓差，因此可以在表面104和電極106之間產(chǎn)生電場(chǎng)107，如圖3和圖4中箭頭107所示。因此，該反射鏡的表面104位于電場(chǎng)中。
電場(chǎng)107在污染層105附近提供清洗粒子，該清洗粒子可以與污染相互作用，并且通過(guò)這個(gè)相互作用將污染除去。清洗粒子的提供和清洗粒子與表面的相互作用可以包括例如一個(gè)干刻蝕處理，如等離子蝕刻、反應(yīng)離子蝕刻或者離子研磨。關(guān)于干蝕的進(jìn)一步信息可以從，例如由Peter van Zant所著“微芯片制造半導(dǎo)體加工實(shí)用指南(Microchip FabricationA Practical Guide toSemiconductor Processing)”第三版、McGraw Hill出版公司、1997年、ISBN 0-07-067250-4、第266-273頁(yè)中獲得，在這里作為參考引入。然而，本發(fā)明并不限于干刻蝕。為適合特定的應(yīng)用，可以使用適于具體應(yīng)用的任何其他類(lèi)型的提供清洗粒子的方式和清洗粒子與表面的相互作用，并且同樣可以除去污染，例如使用僅僅具有足夠動(dòng)能的電子。
清洗粒子的提供可以包括，但不限于，將已經(jīng)存在的清洗粒子向著污染的方向引入。例如，已經(jīng)存在的載流子，如幾乎總是出現(xiàn)于電極附近的自由電子，可以由具有足夠的能量除去至少部分污染的電場(chǎng)提供，例如通過(guò)物理濺射法，或者可以由電場(chǎng)將其引導(dǎo)到污染。自由電子還可以起源于組件的表面或者另外的電子源。
清洗粒子的提供同樣可以包括清洗粒子的產(chǎn)生或者創(chuàng)建(且必要時(shí)將清洗粒子帶入污染)。例如，象反應(yīng)離子或者自由基這樣的反應(yīng)粒子可由電場(chǎng)(例如反應(yīng)濺射)產(chǎn)生，例如來(lái)自已經(jīng)存在于電場(chǎng)的氣體或者由氣體源提供的氣體，例如通過(guò)一個(gè)與加壓氣體連接的流體通道。該反應(yīng)性粒子可隨意地帶入表面附近。同樣，可以由該電場(chǎng)對(duì)電中性粒子充電，例如，氣體粒子可以通過(guò)由電場(chǎng)加速的電子間的碰撞而電離。該帶電粒子然后可以向著污染的方向加速，并且通過(guò)如物理濺射，將動(dòng)能傳遞到污染與污染相互作用。然而，本發(fā)明不限于這些具體的方式，可采用任何提供能與表面污染相互作用的清洗粒子的方法。
清洗粒子可以是任何適于具體應(yīng)用的類(lèi)型，并且可以是，例如由電場(chǎng)加速的載流子。同樣，該清洗粒子可以是不帶電清洗粒子，例如，通過(guò)和在電場(chǎng)作用下加速到污染區(qū)域的載流子的相互作用而在污染附近產(chǎn)生，或者在離污染一定距離處產(chǎn)生載流子，然后以適當(dāng)?shù)姆椒?，例如擴(kuò)散機(jī)理或者流體流動(dòng)，將載流子移動(dòng)到污染。該清洗粒子可以是氣體粒子，如氣體分子或者原子，由電場(chǎng)加速的電子對(duì)其電離，電離的粒子和污染發(fā)生相互化學(xué)作用。該清洗粒子也可以是自由基，來(lái)自例如由電場(chǎng)加速的電子解離的氧，自由基和污染中的物質(zhì)起反應(yīng)。該清洗粒子也可以是受激態(tài)分子，該分子通過(guò)電場(chǎng)或者電場(chǎng)提供的粒子如高能電子而受激。清洗粒子也可以是由氣體分子的電離而產(chǎn)生的電子。但是，也可以提供利用電場(chǎng)方法得到的其他類(lèi)型的清洗粒子，并且本發(fā)明不限于一種具體的清洗粒子。清洗粒子同樣可以是各種清洗粒子的組合類(lèi)型，例如電子和離子的混合，或者其他，且本發(fā)明不限于單一類(lèi)型的清洗粒子。
同樣地，清洗粒子和污染的相互作用可以是任何適于具體應(yīng)用的類(lèi)型，例如化學(xué)相互作用，物理相互作用(如動(dòng)能傳遞)，化學(xué)和物理相互作用的組合，或者其他。
依照本發(fā)明實(shí)施例的一種方法以及根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的清洗系統(tǒng)中，該清洗處理可以由電場(chǎng)控制。然而，本發(fā)明不限于通過(guò)電場(chǎng)控制并且可以使用除了電場(chǎng)之外的其他方式來(lái)提供對(duì)清洗處理的控制，例如控制清洗粒子的類(lèi)型和在清洗表面附近提供清洗粒子的具體方式。清洗系統(tǒng)可以包含例如一個(gè)污染相關(guān)調(diào)節(jié)器裝置，它和電場(chǎng)發(fā)生器裝置通訊連接，并且能調(diào)節(jié)至少一種與要除去的污染的至少一種特性相關(guān)的電場(chǎng)特性。例如，污染相關(guān)調(diào)節(jié)器裝置可以相對(duì)于要從表面除去的物質(zhì)改變電場(chǎng)強(qiáng)度，如下面將要解釋的一樣。然而，該污染相關(guān)調(diào)節(jié)器裝置同樣可以調(diào)節(jié)電場(chǎng)的其他特性，如電場(chǎng)調(diào)制頻率，電場(chǎng)方向或者和污染其他性質(zhì)相關(guān)的其它特性，如污染厚度或者作用，舉例來(lái)說(shuō)，反射鏡的光學(xué)特性。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的一種清洗系統(tǒng)可以包括一種和調(diào)節(jié)器裝置相關(guān)的清洗粒子，該調(diào)節(jié)器裝置和電場(chǎng)發(fā)生器裝置通訊連接，用于調(diào)節(jié)至少一種與所提供的清洗粒子的至少一種特性相關(guān)的電場(chǎng)特性。例如，當(dāng)氣體在電場(chǎng)中的時(shí)候，可以調(diào)節(jié)該電場(chǎng)強(qiáng)度，使得該氣體不再電離，并且提供電子來(lái)代替離子作為清洗粒子。該清洗粒子相關(guān)調(diào)節(jié)器裝置可以包括一種能夠調(diào)節(jié)所提供的該清洗粒子的至少一種特性和/或與要除去的污染至少一種特性相關(guān)的電場(chǎng)。例如，該裝置能改變清洗粒子的類(lèi)型或者它們的能量，以選擇性地除去存在于污染中的一種物質(zhì)，如下面將要更詳細(xì)地解釋的。
在圖3和4的例子中，在電極106和表面104之間的載流子將由電場(chǎng)朝向電極106或者表面104加速，這取決于電荷類(lèi)型，即負(fù)電荷或者正電荷以及電場(chǎng)107的方向。在所示的例子中，表面104處于負(fù)電位，因而將吸引正載流子，如正離子。電極106處于正電位，因而將吸引負(fù)載流子，如電子。表面104同樣可以是正電位，從而吸引負(fù)載流子。
向表面104加速的載流子將碰撞污染層105。該碰撞載流子至少將它們的一部分能量如動(dòng)能傳遞到污染層105的分子，因而能將分子從該表面釋放出來(lái)。從而，除去至少一部分污染。通常，載流子的加速和碰撞過(guò)程在此可稱作濺射或者蝕刻。然而，術(shù)語(yǔ)濺射和蝕刻并不限于加速和碰撞這兩個(gè)步驟。
由電場(chǎng)加速的載流子可以是任何適合于具體應(yīng)用的類(lèi)型。載流子可以包括例如從組件的表面發(fā)出的二次電子，帶電粒子如由電磁輻射，例如遠(yuǎn)紫外(Deep Ultra Violet)(DUV)或者極遠(yuǎn)紫外(EUV)輻射，感應(yīng)的離子或者與電子碰撞產(chǎn)生的離子，這幾種載流子的組合，或者其他。該載流子可以早已存在于該系統(tǒng)中，或者在清洗過(guò)程中介入或產(chǎn)生。例如，氣體可以在要清洗的表面附近介入，然后由電場(chǎng)或者EUV/DUV輻射而產(chǎn)生的受激電子將其電離。
通過(guò)在組件附近增加電極的方式，如圖3中在反射鏡101附近的電極106，或者不使用額外的電極而通過(guò)施加一個(gè)電壓到各個(gè)組件上的方式，能夠分別對(duì)每個(gè)組件施加電場(chǎng)107。后一種情況中，光刻投射裝置1的一個(gè)或者多個(gè)組件可作為對(duì)向電極，例如，接地組件可用作對(duì)向電極，如EUV系統(tǒng)中的真空容器。同樣，可以在一個(gè)組件上施加電壓差來(lái)作為對(duì)向電極，或者該組件可以接地。兩種情況都導(dǎo)致該組件要清洗的表面處于電場(chǎng)中。組件附近的電極可以是例如線柵，或者網(wǎng)格或柵格中具有合適的導(dǎo)線和適當(dāng)?shù)墓?jié)距的線柵或網(wǎng)格。這種線柵或者網(wǎng)格都能相對(duì)于輻射特別是電磁輻射如EUV透明。例如，清洗系統(tǒng)可使用與用于測(cè)量二次電子產(chǎn)生以確定污染的污染監(jiān)視模塊中相同的對(duì)向電極。組件的表面，如反射鏡，也可以不與電壓源連接而處于一個(gè)電場(chǎng)中。例如，可以將該反射鏡放在一個(gè)電容器件的負(fù)電極片和正電極片之間的電場(chǎng)中。這特別適合于，但不限于，具有低電導(dǎo)率表面的組件，如絕緣表面或者未摻雜的半導(dǎo)體材料的表面。
通過(guò)電場(chǎng)可以容易并且精確地控制污染質(zhì)的去除。例如，通過(guò)在兩個(gè)電極如電極106和表面104之間施加一個(gè)合適的電壓差，可以控制電場(chǎng)強(qiáng)度，而且因此，可以控制碰撞清洗粒子的能量或者清洗粒子產(chǎn)生的速率。
然而，同樣可以以不同的方式來(lái)控制電場(chǎng)強(qiáng)度，例如，通過(guò)改變電極位置這種方式，如通過(guò)改變具有機(jī)械致動(dòng)機(jī)構(gòu)如步進(jìn)馬達(dá)或者其他的電極。因而，例如能夠改變電極與表面的距離。同樣，能夠通過(guò)控制電極的可尋址柵格來(lái)改變電場(chǎng)強(qiáng)度。例如，通過(guò)改變局部電場(chǎng)強(qiáng)度或者電場(chǎng)和電極的適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)，可以在局部控制物質(zhì)的去除率，在此稱作蝕刻速率。電場(chǎng)同樣可以通過(guò)電極的可調(diào)節(jié)幾何結(jié)構(gòu)來(lái)得到控制。例如，可以將許多電極置于一個(gè)組件的表面附近，它們一起作為一個(gè)組合電極，并且這些電極可處于不同的電壓，從而提供了一個(gè)具備可調(diào)節(jié)的幾何結(jié)構(gòu)和尺寸的組合電極。因此，該蝕刻速率能適應(yīng)例如污染層厚度或者污染層物質(zhì)的局部差異。同樣，碰撞離子的方向也能通過(guò)電場(chǎng)的方向得到控制。此外，配置電極時(shí)，蝕刻速率可以通過(guò)碰撞載流子的入射角而得到控制，因?yàn)槲g刻速率非常依賴于該入射角。我們知道，離子照射時(shí)傾斜入射角比正入射的蝕刻速率高的多。同樣，入射角對(duì)除去不同物質(zhì)也有不同的效果。因而，可以采用一個(gè)合適的入射角選擇性地去除這些物質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的一種方法或者清洗系統(tǒng)，能夠應(yīng)用于以一步進(jìn)行的污染去除中或者在相同表面上用兩次或者多次去除進(jìn)行的污染去除中。例如，表面可以用至少兩次至少在某一方面互不相同的去除進(jìn)行清洗。例如，該清洗可包含從該表面的某一特定部分針對(duì)一部分污染的第一次去除和之后至少在某一方面不同于第一次去除且從該表面的某一特定部分除去一些或者全部剩余污染的第二次去除。例如，第一次去除相對(duì)于要從污染去除的物質(zhì)來(lái)說(shuō)可以是非選擇性的，而第二次去除是選擇性的且基本上除去單獨(dú)一種或者多種特定的預(yù)先確定類(lèi)型的物質(zhì)。也可能是第一次去除比第二次去除有更高的去除率，因而開(kāi)始的清洗較快而之后的清洗較慢，但是例如更容易控制，并且如果在第一次去除之后僅僅剩下很薄的一層污染，可以防止過(guò)度蝕刻。然而，同樣可以執(zhí)行更多次至少在某些方面彼此相同或者不同的去除，并且本發(fā)明對(duì)去除次數(shù)不限制。
該電場(chǎng)可基本上隨時(shí)間恒定。然后可以提供具有保持電場(chǎng)恒定的控制器件的電場(chǎng)發(fā)生器。例如，控制器件包括電場(chǎng)傳感器和調(diào)整電極106的電壓以保持電場(chǎng)恒定的反饋環(huán)。但是，電場(chǎng)也可以以不同的方式保持恒定，例如圖3和4的例子中使用一個(gè)直流電源。
電場(chǎng)發(fā)生器可以具有一個(gè)按時(shí)間改變電場(chǎng)的可變?cè)O(shè)備。例如圖4的例子中，可變?cè)O(shè)備可以包括一個(gè)連接到電極106和反射鏡101的交流電壓源。這種變化的電場(chǎng)可以例如有一個(gè)隨時(shí)間恒定的分量和一個(gè)疊加在它上面的隨時(shí)間變化的分量，例如圖3和4中使用的電壓源，它在直流電壓上疊加交流電壓。該電場(chǎng)同樣可以是一個(gè)交變場(chǎng)，例如電場(chǎng)的方向隨時(shí)間反轉(zhuǎn)，因而使得該表面在正電勢(shì)和負(fù)電勢(shì)之間轉(zhuǎn)換。為了反轉(zhuǎn)該電場(chǎng)，電場(chǎng)發(fā)生器可以具有一個(gè)反轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)。例如，這樣的反轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)可以是如圖3和4的例子中的電壓源，它有一個(gè)連接到組件101的輸出，該輸出提供交替變化的正電壓和負(fù)電壓。
如果采用一個(gè)變化電場(chǎng)，該電場(chǎng)可由一個(gè)與加速到該組件的載流子的特性相關(guān)的調(diào)制頻率來(lái)調(diào)制。如在等離子體濺射領(lǐng)域眾所周知的，該特性可以是例如不同類(lèi)型的載流子的(相對(duì)的)數(shù)量，因?yàn)殡妶?chǎng)的頻率與碰撞到表面104的不同類(lèi)型的載流子的(相對(duì)的)數(shù)量相關(guān)。調(diào)制電場(chǎng)能夠進(jìn)行例如開(kāi)/關(guān)的調(diào)制，也就是是該電場(chǎng)可進(jìn)行開(kāi)和關(guān)的交替轉(zhuǎn)換。碰撞到反射鏡表面的離子的數(shù)量和能量能夠在開(kāi)/關(guān)調(diào)制的電場(chǎng)中通過(guò)該電場(chǎng)轉(zhuǎn)換到開(kāi)的周期和轉(zhuǎn)換到關(guān)的周期而得到控制。
調(diào)制電場(chǎng)可以是例如脈沖電場(chǎng)，也就是一個(gè)具有相對(duì)短的接通時(shí)間(on-time)的電場(chǎng)，典型地，相比斷開(kāi)時(shí)間(off-time)少半個(gè)周期。例如，電場(chǎng)發(fā)生器可以包括一個(gè)產(chǎn)生脈沖電場(chǎng)的脈沖電場(chǎng)發(fā)生器。通過(guò)適當(dāng)?shù)姆绞狡ヅ潆妶?chǎng)的脈沖寬度能夠控制向著組件加速的載流子的特性。例如對(duì)離子來(lái)說(shuō)，該脈沖寬度既影響碰撞到該表面的離子的能量，又影響碰撞到該表面的離子的數(shù)量(每一個(gè)調(diào)制周期內(nèi))，也稱作離子通量。因此，對(duì)脈沖寬度的控制導(dǎo)致碰撞到該表面的離子的數(shù)量得到控制，同時(shí)該離子能量得到控制。該脈沖發(fā)生器例如可以包括圖3和4的例子中的脈沖寬度控制電路，該電路控制和電壓源V串聯(lián)連接的開(kāi)關(guān)的斷開(kāi)態(tài)的持續(xù)時(shí)間。然而，對(duì)于具體的應(yīng)用同樣能以任何合適的方式進(jìn)行脈沖寬度的控制。
實(shí)驗(yàn)表明，蝕刻速率，也稱作濺射速率，能夠在0(沒(méi)有濺射)到少于20nm/min(對(duì)應(yīng)于1納秒到10毫秒范圍的脈沖寬度和調(diào)制頻率在1kHz到100kHz間)這樣高的精度內(nèi)變化。對(duì)于在幾十kHz下的調(diào)制頻率，脈沖寬度在幾納秒到幾毫秒之間，蝕刻速率可達(dá)10nm/min。然而，本發(fā)明不限于這些實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的方法或者系統(tǒng)，當(dāng)清洗表面時(shí)，電磁輻射可以投射到組件的一部分或者整個(gè)表面。該輻射能夠是例如遠(yuǎn)紫外(DUV)或者極遠(yuǎn)紫外(EUV)輻射。DUV或者EUV輻射能電離氣體分子，并且因而產(chǎn)生載流子。因此，由于存在更多的清洗粒子，污染的去除增加了。該輻射可以應(yīng)用于整個(gè)表面或者僅僅局部地應(yīng)用于部分表面，例如采用一個(gè)專(zhuān)用分劃板，如圖1中裝置1中的掩模MA，分劃板在污染表面如反射鏡局部地產(chǎn)生一個(gè)輻射光束輪廓，輻射光束輪廓對(duì)應(yīng)于要從該表面去除的污染層的厚度。因此，該組件僅僅被局部清洗，因而防止過(guò)度蝕刻或者非均勻去除。該電磁輻射可以以任何適當(dāng)?shù)姆绞教峁?，例如具有輻射器件的圖3和4中的清洗系統(tǒng)100或者來(lái)自圖1和2中的輻射源LA的輻射可以投射到該表面。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的清洗系統(tǒng)或者方法中，也可以通過(guò)磁場(chǎng)發(fā)生器裝置施加一個(gè)磁場(chǎng)來(lái)控制載流子。圖4所示系統(tǒng)的例子有一個(gè)置于電極106附近以將二次電子容納在電極106附近的區(qū)域并且由此激勵(lì)離子產(chǎn)生的永久磁體161。圖4中，該永久磁體161由兩個(gè)北極N和一個(gè)在兩個(gè)北極間的南極S。因而磁體161具有一個(gè)磁場(chǎng)，該磁場(chǎng)在電極106附近產(chǎn)生一個(gè)區(qū)域(“磁陷阱”)，那里電子損失率減少且電離可能性增強(qiáng)。
用于產(chǎn)生電場(chǎng)107的電極可以具有一個(gè)和組件的表面物質(zhì)基本上類(lèi)似的物質(zhì)的表面。因此，防止帶有被來(lái)自電極表面的載流子所除去的物質(zhì)的組件表面上的污染。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的例子中，存在污染團(tuán)的層壓板或者基底的表面，例如在光刻裝置中作為光學(xué)反射元件的掩?；蛘邔訅喊宓谋砻?，通過(guò)以離子和/或電子輻射給上面的污染團(tuán)輸送能量，直到它們被除去，使得該表面得到清洗。污染團(tuán)的直徑范圍典型地從幾十納米(約80nm)到幾微米，高度范圍從一納米的若干分之一到至少40nm。它們通常主要包含碳、氧、硫磺、氮和/或硅。然而，這些污團(tuán)同樣可以有不同的成分和/或有不同的尺寸。污染團(tuán)產(chǎn)生于將反射鏡放置在某一殘留氣體中，或者電子輻射，或者波長(zhǎng)范圍從DUV—超過(guò)EUV—到Rontgen，或者在外部電場(chǎng)影響下的殘留氣體中。
該實(shí)施例可特別地應(yīng)用于側(cè)向尺寸在納米范圍的情況。利用最小尺寸的離子或者電子束，能夠除去特定的納米大小的污染團(tuán)。然而，如果需要，也能夠通過(guò)適當(dāng)?shù)財(cái)U(kuò)大粒子束截面進(jìn)行整體清洗。
兩種不同的處理能夠?qū)θコ砻嫖廴緢F(tuán)作出貢獻(xiàn)。一方面通過(guò)發(fā)射粒子產(chǎn)生機(jī)械去除，另一方面也有一種“應(yīng)力-釋放”機(jī)構(gòu)，即通過(guò)輸送離子輻射能量直到污染團(tuán)的斑點(diǎn)破裂。
除選擇這種輻射粒子之外，清洗方法可由參數(shù)粒子束的能量，入射角和輻射時(shí)間更精確地控制。三個(gè)參數(shù)最好都應(yīng)調(diào)整使得，一方面這些污團(tuán)破裂和/或燒蝕，并且另一方面該表面的粗糙度和/或?qū)雍穸鹊木鶆蛐曰旧媳３治锤臓顟B(tài)。取決于粒子種類(lèi)和表面物質(zhì)，因而這些參數(shù)范圍必須這樣選擇，使得在這些污團(tuán)的去除和該表面的改變之間獲得一個(gè)平衡。
為除去這些污團(tuán)，該粒子束能量可在例如40eV到2000eV之間，并且該電子束能量在40eV到15000eV之間。離子束相對(duì)于該表面的入射角可在4度到45度范圍內(nèi)，電子束的入射角從70度到90度，且輻射時(shí)間在0.5秒到300秒之間。
對(duì)于離子束，優(yōu)選采用例如惰性氣體離子(即氦、氖、氬或者氪離子)、鹵素離子(即氟、氯、溴或者碘離子)和/或鎵離子。一方面，從技術(shù)觀點(diǎn)看，這些離子適合提供離子束。另一方面，采用這種離子束，能夠很好地除去這些污染團(tuán)，而不會(huì)對(duì)表面的粗糙度和/或?qū)雍穸鹊木鶆蛐援a(chǎn)生太大的影響。
根據(jù)本發(fā)明，該清洗方法很適合從包含例如鉬、碳化鉬、釕、銠、銥、金、鎢、鎳、碳化硼、硅、鈹、氮化硅、二氧化硅、氮化硼、鈦、二氧化鈦、氮化鈦、釔、氧化釔、鈰、氧化銠、鋯、氧化鋯、鈮、銅-金混合物(即Cu3Au、AuCu、Au3Cu)、鈀或者鉑的一些表面除去污團(tuán)。特別是對(duì)EUV光學(xué)器件的清洗，例如多層，該表面應(yīng)包含這些層物質(zhì)。特別合適作為基底的材料是硅、石英或者不同種類(lèi)的玻璃(例如，Zerodur(Schott公司生產(chǎn))、ULE(Corning公司生產(chǎn)))。
下面描述四個(gè)用根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方法的實(shí)例除去污染團(tuán)例子。
例1以05.keV到1.0keV能量的氖離子，其電流在微安范圍內(nèi)(取決于離子源)，相對(duì)于表面的入射角從10°到30°，時(shí)間周期少于30秒，激發(fā)(firing)被污染團(tuán)污染的層，結(jié)果將這些污染團(tuán)除去。該表面粗糙度rms-值約0.3nm，幾乎不變。如果上層很薄并且包含金屬如釕，或者半導(dǎo)體如硅，這些層產(chǎn)生可以忽略的微小混合。
例2借助于電子掃描顯微鏡，以10keV的電子，其電流在納安范圍內(nèi)，時(shí)間周期少于60秒，相對(duì)于表面的角度85°-90°，特別激發(fā)污染團(tuán)，結(jié)果污染團(tuán)破裂。保留的殘留物隨后通過(guò)如UV-臭氧清洗而除去。幾乎沒(méi)有上層間的混合發(fā)生。表面粗糙度rms值約0.25nm保持不變。
例3以1keV的氬離子，其電流在微安范圍內(nèi)，相對(duì)于表面的入射角小于30°，時(shí)間周期10-20秒，激發(fā)被污染團(tuán)污染的層，結(jié)果將這些污染團(tuán)除去。因?yàn)闅宓馁|(zhì)量基本上比污染團(tuán)中的物質(zhì)的質(zhì)量要大，當(dāng)上層中包含金屬如銠，或者非金屬如氮化硅，且當(dāng)它們很薄時(shí)，上層間能夠發(fā)生輕微的混合。該表面的粗糙度幾乎仍不受影響。
例4在電子掃描顯微鏡下，以0.5keV的氪離子，其電流在微安范圍內(nèi)，相對(duì)于表面的入射角少于30°，以及12keV電子，其電流在納安范圍內(nèi)，相對(duì)于表面的入射角從80°到85°，時(shí)間周期10-20秒，特別激發(fā)污染團(tuán)，結(jié)果污染團(tuán)破裂和燒蝕而除去。因?yàn)殡吹馁|(zhì)量基本上比污染團(tuán)中的物質(zhì)的質(zhì)量要大，當(dāng)上層中包含金屬如銥，或者非金屬如碳化硼，且當(dāng)它們很薄時(shí)，上層間能夠發(fā)生輕微的混合。該表面的粗糙度幾乎仍不受影響。
圖3和4中的清洗系統(tǒng)100，或者依照權(quán)利要求19-33所要求保護(hù)的任何一種方法中的清洗系統(tǒng)的操作，能夠以一種簡(jiǎn)單的方式進(jìn)行調(diào)整而選擇性地除去一種特定的污染物質(zhì)，例如通過(guò)改變電場(chǎng)的一個(gè)或者多個(gè)特性，如強(qiáng)度或者頻率，或者通過(guò)改變載流子的類(lèi)型。因此，例如能夠從組件的表面選擇性除去具有含碳或者含硅物質(zhì)的污染，而不會(huì)除去反射鏡表面的有效物質(zhì)，例如多層反射鏡的一層中的硅或者鉬。這種選擇性去除對(duì)EUV多層反射鏡特別合適。這種反射鏡對(duì)“過(guò)度蝕刻”相對(duì)敏感，因?yàn)閺氖芪廴颈砻娉ヌ辔镔|(zhì)將破壞該多層反射鏡的固有表面，即反射鏡污染前的表面，并因此破壞反射鏡的光學(xué)特性。
例如可以通過(guò)將載流子加速到一個(gè)特定的速度或者動(dòng)能來(lái)獲得對(duì)物質(zhì)的選擇性去除，例如，通過(guò)對(duì)電場(chǎng)強(qiáng)度的控制或者其他方法。通常，對(duì)物理濺射而言存在一個(gè)閾值，該閾值主要取決于要除去的原子的表面結(jié)合能Ebind和轟擊粒子和目標(biāo)[即，4*Mt.a.*Ms.i./(Mt.a.+Ms.i.)2]之間的最大轉(zhuǎn)換效率，Mt.a.代表目標(biāo)原子的質(zhì)量，Ms.i.代表濺射離子的質(zhì)量(即轟擊粒子)。事實(shí)上，為了實(shí)現(xiàn)從表面噴射目標(biāo)原子，該有效轉(zhuǎn)換效率應(yīng)該大于該表面結(jié)合能Ebind。噴射所需要的最小能量稱作物理濺射的最小置換能閾值Edispl。
圖5(從E.Hechtl，J.Bohdansky，”低轟擊能量的石墨和鉬的濺射特性(Sputtingbehaviour of graphite and molybdenum at low bombarding energies)”，J.Nucl.Mat.122/123(1984)1431獲得)示出測(cè)量的石墨濺射產(chǎn)率作為各種有不同動(dòng)能的惰性氣體離子的原子質(zhì)量的函數(shù)。石墨是一個(gè)接近EUV光刻投射裝置中碳污染結(jié)構(gòu)的參考物質(zhì)，因此從石墨獲得的結(jié)果可應(yīng)用到其他含碳物質(zhì)中。圖5示出兩個(gè)方向的石墨濺射產(chǎn)率?？招姆?hào)代表平行于石墨結(jié)構(gòu)中碳層切割的石墨，實(shí)心符號(hào)代表垂直于碳層切割的石墨。正如從圖5中可以推出的，通過(guò)減少濺射離子的動(dòng)能，可以顯著地降低濺射產(chǎn)率，從而由一個(gè)適當(dāng)?shù)妮d流子動(dòng)能選擇性地除去污染。例如實(shí)驗(yàn)表明，在大約10-3mbar壓力的氬的EUV輻射下，能夠通過(guò)物理濺射選擇性除去含碳物質(zhì)(但是具有很低濺射產(chǎn)率)，即使離子的動(dòng)能小于150eV，并且特別地，離子動(dòng)能在100eV和40eV左右。
表1示出對(duì)某些類(lèi)型的表面物質(zhì)的物理濺射(使用氬離子)的最小置換能閾值Edispl。如表1所示，石墨的閾值Edispl為25eV，金的閾值Edispl為36eV。因此，石墨可以例如從金反射鏡上完全選擇性地除去，即用具有～30eV動(dòng)能的氬離子清洗不會(huì)破壞該反射鏡表面，因?yàn)檫@個(gè)能量在石墨閾值之上，但在金的閾值之下。類(lèi)似地，能夠用能量在20eV下的氬離子從釕表面除去硅，以及用能量在36eV下的氬離子從金表面除去硅。應(yīng)注意的是，也能夠選擇性地除去其他物質(zhì)，并且本發(fā)明并不限于一個(gè)具體的污染質(zhì)。
表1物理濺射最小置換能

為了從光刻投射裝置的組件表面選擇性除去某些物質(zhì)，還可以采用反應(yīng)離子蝕刻(RIE)。在反應(yīng)離子蝕刻中，通過(guò)電場(chǎng)離子向著表面加速，然后和表面物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，與物理濺射中離子和表面物質(zhì)不反應(yīng)，而僅僅將動(dòng)能傳遞到表面的分子相反。然而，大多數(shù)的RIE過(guò)程中，也從離子傳遞動(dòng)能，因而也會(huì)出現(xiàn)物理濺射。
依照蝕刻的物質(zhì)不同，反應(yīng)離子可以是例如O+，H+，N+，F(xiàn)+，Cl+，Br+(參考S.Tachi，S.Okudaira，“用F+、Cl+和Br+離子對(duì)硅的化學(xué)濺射反應(yīng)離子蝕刻的反應(yīng)局部模型(Chemical sputtering of silicon by F+，Cl+，and Br+ionsreactivespot model for reactive ion etching)”，J.Vac.Sci.Technol.B4，2(1986)459)或者其他。這些離子可以通過(guò)增加一種組分而加到該系統(tǒng)中，如氣體或者其他組分，該組分包含這些離子或者從該組分中能夠產(chǎn)生這些離子，例如，從化學(xué)鍵合原子中能夠得到反應(yīng)離子。例如，如果僅僅是含碳物質(zhì)要被除去，這些反應(yīng)離子能夠與該含碳物質(zhì)反應(yīng)形成新的化學(xué)化合物，如碳氧化物(COx)。如果形成的這些化合物是揮發(fā)性的，通常是這種情況，該含碳物質(zhì)就從表面被除去。
圖7示出由實(shí)驗(yàn)得到的關(guān)于石墨，鉬和硅的物理濺射和RIE的濺射率。圖7中，濺射產(chǎn)率作為以電子伏特(eV)為單位的離子能量的函數(shù)。如圖7所示，用氖離子(Ne+)對(duì)石墨和鉬，用氬離子(Ar+)對(duì)硅進(jìn)行物理濺射。用氧離子(O+)來(lái)對(duì)石墨和鉬進(jìn)行RIE。
對(duì)于低離子能量，由重量損失測(cè)量確定出氧離子轟擊的石墨總腐蝕率是1左右，幾乎不受溫度和入射的離子能量影響。這表明化學(xué)腐蝕在低能量范圍內(nèi)優(yōu)于物理濺射。圖7示出用能量為150eV和更高的O+離子對(duì)鉬的RIE是有效的，然而，用能量小于10eV的反應(yīng)O+離子蝕刻，碳已經(jīng)被除去。因此，低能量(小于或者等于150eV)的O+濺射能用于獲得很高(2階數(shù)量級(jí))的從例如鉬表面對(duì)碳的選擇性去除。
如圖7中能夠得到的一樣，當(dāng)離子能量例如低于100eV時(shí)，從鉬或者硅表面對(duì)碳的選擇性去除能夠獲得100比1的選擇率，而對(duì)于離子能量在5和25eV之間，甚至能夠達(dá)到更高的選擇率。對(duì)于象芳香族和石墨這樣的物質(zhì)的去除，為使化學(xué)鍵聯(lián)斷裂，優(yōu)選離子能量大于5eV，然而對(duì)于物理濺射，最小置換能量為25eV才有利。對(duì)于從表面去除物理吸附分子，甚至更低的能量就足夠。電子激勵(lì)解吸附作用可以用于除去物理吸附分子和弱化學(xué)吸附分子。另外，本領(lǐng)域公知，受激的分子如O2*對(duì)化學(xué)蝕刻有貢獻(xiàn)。
圖6(從上述引用參考獲得S.Tachi，S.Okudaira，......)示出使用F+，Cl+和Br+離子對(duì)硅進(jìn)行RIE的化學(xué)濺射產(chǎn)率，即通過(guò)減去物理濺射分量所得到的。該結(jié)果表明，選擇適當(dāng)?shù)碾x子能量和離子劑量進(jìn)行的選擇性化學(xué)蝕刻具有很大的潛力。
為了檢測(cè)根據(jù)本發(fā)明的方法的具體參數(shù)，如(局部)蝕刻速度，電場(chǎng)強(qiáng)度或者其他量，能夠使用現(xiàn)有的污染層厚度檢測(cè)方案，例如光學(xué)檢測(cè)，橢圓偏振測(cè)量術(shù)的檢測(cè)或者使用二次電子檢測(cè)。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的方法可以應(yīng)用于離線(off-line)清洗，就是當(dāng)光刻投射裝置不在使用狀態(tài)時(shí)，也稱作離線(off-line)清洗。然而，當(dāng)該裝置處于在線(on-line)或者在使用時(shí)，同樣可以應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的一種方法，例如通過(guò)相對(duì)于脈沖EUV源觸發(fā)電場(chǎng)脈沖。這防止了停機(jī)時(shí)間且因此減少了業(yè)主的費(fèi)用。為清楚起見(jiàn)，離線清洗包括光刻裝置不對(duì)晶片曝光時(shí)的清洗。在線清洗包括光刻裝置曝光期間的清洗。在線和離線清洗都在原處完成，即在清洗過(guò)程中不必從該裝置中拆卸各個(gè)組件。在線清洗可以間歇進(jìn)行，例如在一個(gè)表面污染到一定程度后。然而，這種在線清洗也可以以一個(gè)(半)連續(xù)的方式進(jìn)行，從而防止污染大量增長(zhǎng)。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)以(半)連續(xù)方式進(jìn)行的清洗方法因而被視為一個(gè)緩和方法。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的在線清洗法可以包括例如一種器件制造方法，該方法包括提供一至少部分覆蓋一層輻射敏感材料的基底；利用輻射系統(tǒng)提供輻射投射光束；利用構(gòu)圖部件來(lái)使投射光束的橫截面具有圖案；在具有該層輻射敏感材料的靶部上投射帶圖案的輻射光束。之后，當(dāng)組件的表面污染到一定程度，例如有含碳物質(zhì)，一個(gè)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例用于除去該污染的清洗方法能夠應(yīng)用于該輻射系統(tǒng)的至少一部分，包括在該光刻投射裝置的某一部分產(chǎn)生電場(chǎng)；通過(guò)所述電場(chǎng)在污染附近提供清洗粒子，和通過(guò)清洗粒子與該污染的相互作用除去至少部分所述污染。也可以在提供該基底或者在提供該投射光束之前應(yīng)用該清洗方法。因此，該制造過(guò)程以清洗表面開(kāi)始，而且，如果該清洗應(yīng)用于光學(xué)組件中，可以獲得投射光束的高精確度。
此外，一個(gè)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的方法或者系統(tǒng)可以在原處完成，也就是不需要將要清洗的組件從其位置處拆卸下來(lái)。
應(yīng)當(dāng)注意，上面提到的實(shí)施例解釋而不是限制本發(fā)明，并且本領(lǐng)域普通人員能夠在不偏離所附權(quán)利要求的范圍下作出其他可能性的設(shè)計(jì)。權(quán)利要求中任何一個(gè)放在圓括號(hào)中的附圖標(biāo)記并不限制該權(quán)利要求。詞語(yǔ)“包括”不排除其他的在權(quán)利要求中未列出的元件或者步驟。在互不相同的權(quán)利要求中列舉某些方法這一事實(shí)并不表明這些方法不能有利地組合使用。
權(quán)利要求
1.一種從光刻投射裝置的組件表面的至少一部分上除去污染的清洗系統(tǒng)，包括用于在所述表面附近提供清洗粒子的清洗粒子供給裝置，清洗粒子供給裝置包括用于產(chǎn)生電場(chǎng)的電場(chǎng)發(fā)生器。
2.如權(quán)利要求1所述的清洗系統(tǒng)，還包括和電場(chǎng)發(fā)生器裝置通訊連接的污染相關(guān)調(diào)節(jié)器裝置，用于調(diào)整與要除去的該污染的至少一個(gè)特性相關(guān)的該電場(chǎng)的至少一個(gè)特性。
3.如權(quán)利要求1或者2所述的清洗系統(tǒng)，還包括和電場(chǎng)發(fā)生器裝置通訊連接的清洗粒子相關(guān)調(diào)節(jié)器裝置，用于調(diào)整與所提供的清洗粒子的至少一個(gè)特性相關(guān)的該電場(chǎng)的至少一個(gè)特性。
4.如權(quán)利要求3所述的清洗系統(tǒng)，其中該清洗粒子相關(guān)調(diào)節(jié)器裝置包括用于調(diào)整與要除去的該污染的至少一個(gè)特性相關(guān)的所提供的清洗粒子和/或該電場(chǎng)的至少一個(gè)特性。
5.如前面任何一個(gè)權(quán)利要求所述的清洗系統(tǒng)，其中該電場(chǎng)發(fā)生器包括用于保持電場(chǎng)基本上隨時(shí)間恒定的控制裝置。
6.如前面任何一個(gè)權(quán)利要求所述的清洗系統(tǒng)，其中該電場(chǎng)發(fā)生器包括用于按時(shí)間改變電場(chǎng)的可變裝置。
7.如權(quán)利要求3和6所述的清洗系統(tǒng)，其中該電場(chǎng)發(fā)生器包括用于產(chǎn)生脈沖電場(chǎng)的脈沖電場(chǎng)發(fā)生器，并且其中該清洗粒子調(diào)節(jié)器裝置和該脈沖發(fā)生器通訊連接，用于控制與所提供的該清洗粒子的至少一個(gè)特性相關(guān)的脈沖電場(chǎng)的脈沖寬度。
8.如前面任何一個(gè)權(quán)利要求所述的清洗系統(tǒng)，其中所提供的該清洗粒子包括下組中的至少一種以電場(chǎng)的方式加速的載流子；和以加速的載流子的方式產(chǎn)生的粒子，該載流子包括下組中的至少一種—由電磁輻射如遠(yuǎn)紫外或者極遠(yuǎn)紫外輻射感應(yīng)的帶電粒子；—電子，如從該組件表面發(fā)出的二次電子和由產(chǎn)生離子而產(chǎn)生的電子；—離子；—化學(xué)反應(yīng)載流子；和—化學(xué)惰性載流子，如惰性氣體離子；和以加速載流子方式產(chǎn)生的粒子，它包括反應(yīng)粒子，如反應(yīng)離子或者自由基。
9.如前面任何一個(gè)權(quán)利要求所述的清洗系統(tǒng)，還包括至少一個(gè)磁場(chǎng)發(fā)生器裝置，用于產(chǎn)生控制該清洗粒子的磁場(chǎng)。
10.如前面任何一個(gè)權(quán)利要求所述的清洗系統(tǒng)，還包括至少一種氣體供給裝置，用于在該電場(chǎng)中提供至少一種氣體。
11.如權(quán)利要求10所述的清洗系統(tǒng)，其中所述的氣體是氧氣和氫氣中的一種，并且其中從所述的氣體中產(chǎn)生的反應(yīng)離子在電場(chǎng)作用下向該表面加速。
12.如前面任何一個(gè)權(quán)利要求所述的清洗系統(tǒng)，其中該電場(chǎng)發(fā)生器裝置包括至少一個(gè)電極并且該清洗系統(tǒng)還包括一個(gè)機(jī)械致動(dòng)機(jī)構(gòu)，用于改變相對(duì)于該表面的至少一個(gè)電極中的至少一個(gè)的位置。
13.如權(quán)利要求12所述的清洗系統(tǒng)，其中該機(jī)械致動(dòng)機(jī)構(gòu)能調(diào)整該電極和該表面之間的距離。
14.如前面任何一個(gè)權(quán)利要求所述的清洗系統(tǒng)，其中該電場(chǎng)發(fā)生器裝置包括至少一個(gè)具有可調(diào)幾何結(jié)構(gòu)的電極。
15.如前面任何一個(gè)權(quán)利要求所述的清洗系統(tǒng)，其中該電場(chǎng)發(fā)生器裝置包括至少一個(gè)電極，該電極具有一個(gè)一種，與該組件表面物質(zhì)類(lèi)似的物質(zhì)的表面。
16.如前面任何一個(gè)權(quán)利要求所述的清洗系統(tǒng)，其中該電場(chǎng)發(fā)生器裝置包括一個(gè)用于反轉(zhuǎn)該電場(chǎng)的反轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)。
17.如前面任何一個(gè)權(quán)利要求所述的清洗系統(tǒng)，還包括用于投射電磁輻射如遠(yuǎn)紫外或者極遠(yuǎn)紫外輻射到該組件的表面的至少一部分上的輻射裝置。
18.如前面任何一個(gè)權(quán)利要求所述的清洗系統(tǒng)，還包括一個(gè)分劃板，該分劃板被構(gòu)造和設(shè)置為用于改變由所述分劃板反射或者透射的輻射光束的輪廓，使得光束強(qiáng)度、光束方向、光束偏振、光束截面中的至少一個(gè)適應(yīng)于要從該組件的表面除去的污染的位置、污染層的厚度和/或污染的類(lèi)型。
19.一種從光刻投射裝置的組件表面的至少一部分上除去污染的方法，包括在該光刻投射裝置的至少一部分產(chǎn)生電場(chǎng)；通過(guò)所述電場(chǎng)在所述污染附近提供清洗粒子；和通過(guò)所述清洗粒子和所述污染的相互作用除去所述污染的至少一部分。
20.一種如權(quán)利要求19所述的方法，還包括將電磁輻射，如遠(yuǎn)紫外或者極遠(yuǎn)紫外輻射，投射到該組件表面的至少一部分上。
21.一種如權(quán)利要求19或者20所述的方法，包括對(duì)所述污染的一部分進(jìn)行的第一次去除；和至少一次對(duì)所述污染的另一部分進(jìn)行的第二次去除，第二次去除和第一次去除至少在一方面不同。
22.一種清洗層壓板或者基底表面的方法，其中存在于所述表面的污染團(tuán)由離子和/或電子輻射供給能量，直到除去它們。
23.一種如權(quán)利要求22所述的方法，其中由離子和/或電子輻射供給能量到該污染團(tuán)，直到所述污團(tuán)破裂和/或燒蝕。
24.一種如權(quán)利要求22或者23所述的方法，其中該離子和/或電子束的能量使得，一方面該污染團(tuán)破裂和/或燒蝕，另一方面該表面的粗糙度和/或該層厚度的均勻性基本保持不變。
25.一種如權(quán)利要求22到24所述的方法，其中該離子束的能量在40eV和2000eV之間。
26.一種如權(quán)利要求22到24所述的方法，其中該電子束的能量在40eV和15000eV之間。
27.一種如權(quán)利要求22到26所述的方法，其中選擇該離子和/或電子束相對(duì)于該表面的入射角，使得一方面該污染團(tuán)破裂和/或燒蝕，并且另一方面該表面的粗糙度和/或該層厚度的均勻性基本保持不變。
28.一種如權(quán)利要求27所述的方法，其中選擇該離子光束相對(duì)該表面的入射角在4度和45度之間。
29.一種如權(quán)利要求27或者28所述的方法，其中選擇該電子光束相對(duì)該表面的入射角在70度和90度之間。
30.一種如權(quán)利要求22到29所述的方法，其中選擇該離子和/或電子束的輻射時(shí)間使得一方面該污染團(tuán)破裂和/或燒蝕，并且另一方面該表面的粗糙度和/或該層厚度的均勻性基本保持不變。
31.一種如權(quán)利要求30所述的方法，其中選擇該輻射時(shí)間在0.5秒到300秒之間。
32.一種如權(quán)利要求22到31所述的方法，其中該離子束中的離子包括至少下組中的一種惰性氣體離子、鹵素離子和鎵離子。
33.一種如權(quán)利要求22到32所述的方法，其中要清洗的該表面包括鉬、碳化鉬、釕、銠、銥、金、鎢、鎳、碳化硼、硅、鈹、氮化硅、二氧化硅、氮化硼、鈦、二氧化鈦、氮化鈦、釔、氧化釔、鈰、氧化銠、鋯、氧化鋯、鈮、銅-金化合物、鈀或鉑。
34.一種器件制造方法包括下列步驟應(yīng)用權(quán)利要求19-33中任何一個(gè)所述的方法從組件表面的至少一部分上除去污染；提供一至少部分覆蓋一層輻射敏感材料的基底；利用輻射系統(tǒng)提供輻射投射光束；利用構(gòu)圖部件來(lái)使投射光束的橫截面具有圖案；在具有該層輻射敏感材料的靶部上投射帶圖案的輻射光束。
35.一種光刻投射裝置，包括用于支撐構(gòu)圖部件的支撐結(jié)構(gòu)，所述構(gòu)圖部件用于根據(jù)理想的圖案對(duì)投射光束進(jìn)行構(gòu)圖；用于保持基底的基底臺(tái)；用于將帶圖案的光束投射到基底的靶部上的投射系統(tǒng)；和至少一種如權(quán)利要求1-19任一所述的清洗系統(tǒng)，用于從該裝置的組件表面除去污染。
全文摘要
清洗系統(tǒng)，光刻投射裝置的組件表面的清洗方法，光刻投射裝置，器件制造方法。一種用于從光刻投射裝置(1)的組件(101)的表面(104)的至少一部分上除去污染(105)的清洗系統(tǒng)(100)，包括一個(gè)清洗粒子供給裝置，用于在所述表面提供清洗粒子，該清洗粒子供給裝置包括一個(gè)用于產(chǎn)生電場(chǎng)(107)的電場(chǎng)發(fā)生器(106，V)。此外，一種從光刻投射裝置(1)的組件(101)的表面(104)的至少一部分上除去污染(105)的方法。該方法包括在該光刻投射裝置的至少一部分產(chǎn)生電場(chǎng)；通過(guò)所述的電場(chǎng)(107)在該污染附近提供清洗粒子；并且通過(guò)所述的清洗粒子和所述的污染的相互作用除去所述的污染。因此，污染(105)從該表面(104)除去。
文檔編號(hào)B08B7/00GK1534381SQ20031012519
公開(kāi)日2004年10月6日 申請(qǐng)日期2003年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月20日
發(fā)明者L·P·巴克, R·庫(kù)爾特, B·M·梅坦斯, M·維斯, J·特倫克勒, W·辛格, L P 巴克, 卓死, 梅坦斯 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司, 卡爾蔡司Smt股份公司