像素單元及像素電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種像素單元以及包括該像素單元的像素電路；其包括發(fā)光器件以及n個(gè)驅(qū)動子電路；其中，n為自然數(shù)且n>1；各所述驅(qū)動子電路均包括控制極掃描信號線、開關(guān)晶體管和驅(qū)動晶體管；所述開關(guān)晶體管的控制極連接控制極掃描信號線，第一極連接所述數(shù)據(jù)線，第二極連接驅(qū)動晶體管的控制極；所述驅(qū)動晶體管的第一極連接所述功率提供線，第二極連接發(fā)光器件的第三極；所述發(fā)光器件的第四極連接參考電壓端。本實(shí)用新型采用n（n>1）個(gè)用于驅(qū)動發(fā)光器件發(fā)光的驅(qū)動子電路的設(shè)計(jì)；可使各驅(qū)動子電路按照時(shí)序階段驅(qū)動發(fā)光器件發(fā)光；通過這種形式可有效縮短每個(gè)驅(qū)動子電路中驅(qū)動晶體管的應(yīng)力時(shí)間。
【專利說明】像素單元及像素電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種像素單元以及包括該像素單元的像素電路。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光二極管(OLED,Organic Light-Emitting Diode)作為一種電流型發(fā)光器件已越來越多地被應(yīng)用于高性能有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中。傳統(tǒng)的無源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(Passive Matrix 0LED)顯示器中，隨著顯示尺寸的增大，需要更短的單個(gè)像素的驅(qū)動時(shí)間，因而需要增大瞬態(tài)電流，增加功耗。同時(shí)大電流的應(yīng)用會造成納米銦錫金屬氧化物線上壓降過大，并使OLED工作電壓過高，進(jìn)而降低其效率。而有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(AMOLED，Active Matrix 0LED)顯示器通過開關(guān)晶體管逐行掃描輸入OLED電流，可以很好地解決這些問題。
[0003]在AMOLED的背板設(shè)計(jì)中，主要需要解決的問題是各AMOLED像素單元所驅(qū)動的OLED器件亮度的非均勻性。
[0004]首先，AMOLED采用薄膜晶體管(TFT, Thin-Film Transistor)構(gòu)建像素單元為發(fā)光器件提供相應(yīng)的驅(qū)動電流。現(xiàn)有技術(shù)中，大多采用低溫多晶硅薄膜晶體管或氧化物薄膜晶體管。與一般的非晶硅薄膜晶體管相比，低溫多晶硅薄膜晶體管和氧化物薄膜晶體管具有更高的遷移率和更穩(wěn)定的特性，更適合應(yīng)用于AMOLED顯示中。但是由于晶化工藝的局限性，在大面積玻璃基板上制作的低溫多晶硅薄膜晶體管，常常在諸如閾值電壓、遷移率等電學(xué)參數(shù)上具有非均勻性，這種非均勻性會轉(zhuǎn)化為OLED器件的驅(qū)動電流差異和亮度差異，并被人眼所感知，即色不均現(xiàn)象。氧化物薄膜晶體管雖然工藝的均勻性較好，但是與非晶硅薄膜晶體管類似，在長時(shí)間加壓和高溫下，其閾值電壓會出現(xiàn)漂移，由于顯示畫面不同，面板各部分薄膜晶體管的閾值漂移量不同，會造成顯示亮度差異，由于這種差異與之前顯示的圖像有關(guān)，因此常呈現(xiàn)為殘影現(xiàn)象。
[0005]由于OLED的發(fā)光器件是電流驅(qū)動器件，因此，在驅(qū)動發(fā)光器件發(fā)光的像素單元中，其驅(qū)動晶體管的閾值特性對驅(qū)動電流和最終顯示的亮度影響很大。驅(qū)動晶體管受到電壓應(yīng)力和光照都會使其閾值發(fā)生漂移，這種閥值漂移會在顯示效果上體現(xiàn)為亮度不均。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]本實(shí)用新型所解決的技術(shù)問題是提供一種像素單元及像素電路，用于解決現(xiàn)有技術(shù)的像素單元中驅(qū)動晶體管閾值漂移的問題。
[0007]本實(shí)用新型的目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:一種像素單元，包括發(fā)光器件以及η個(gè)驅(qū)動子電路；其中，η為自然數(shù)且η>1 ；
[0008]各所述驅(qū)動子電路均包括控制極掃描信號線、開關(guān)晶體管和驅(qū)動晶體管；所述開關(guān)晶體管的控制極連接控制極掃描信號線，第一極連接所述數(shù)據(jù)線，第二極連接驅(qū)動晶體管的控制極；所述驅(qū)動晶體管的第一極連接所述功率提供線，第二極連接發(fā)光器件的第三極；
[0009]所述發(fā)光器件的第四極連接參考電壓端。
[0010]進(jìn)一步地，各所述驅(qū)動子電路還包括控制晶體管；該控制晶體管的控制極連接時(shí)序控制模塊，第一極連接像素單元掃描信號線，第二極連接各所述開關(guān)晶體管的控制極。[0011 ] 進(jìn)一步地，所述控制極為柵極，所述第一極為漏極，所述第二極為源極。
[0012]進(jìn)一步地，所述第三極為陽極，所述第四極為陰極。
[0013]進(jìn)一步地，所述發(fā)光器件為頂發(fā)光式有機(jī)發(fā)光二極管。
[0014]進(jìn)一步地，n=2。
[0015]一種像素電路，包括以矩陣形式排列的多個(gè)如上所述的像素單元，還包括數(shù)據(jù)線和功率提供線，其中，
[0016]所述數(shù)據(jù)線連接各所述開關(guān)晶體管的第一極；
[0017]所述功率提供線連接各所述驅(qū)動晶體管的第一極。
[0018]進(jìn)一步地,還包括:
[0019]時(shí)序控制模塊，連接各所述控制晶體管的控制極，用于根據(jù)時(shí)序階段控制各所述驅(qū)動子電路依次驅(qū)動發(fā)光器件。
[0020]進(jìn)一步地，還包括P條像素單元掃描信號線；其中，P為像素單元掃描信號線的數(shù)量，且P為自然數(shù)，P>1 ;每一條所述像素單元掃描信號線均對應(yīng)連接一個(gè)所述像素單元中的所有所述控制晶體管的第一極。
[0021]本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下的優(yōu)點(diǎn):
[0022]1、本實(shí)用新型采用η (η>1)個(gè)用于驅(qū)動發(fā)光器件發(fā)光的驅(qū)動子電路的設(shè)計(jì)；可使各驅(qū)動子電路按照時(shí)序階段驅(qū)動發(fā)光器件發(fā)光；通過這種形式可有效解決現(xiàn)有像素單元中因發(fā)光器件長時(shí)間采用單一驅(qū)動晶體管進(jìn)行驅(qū)動，該驅(qū)動晶體管在驅(qū)動過程中，受電壓的應(yīng)力時(shí)間過長所造成的物理特性損害；這種物理特性損害是產(chǎn)生驅(qū)動晶體管閥值漂移的主要原因；采用時(shí)序控制模塊通過時(shí)序階段控制在多個(gè)驅(qū)動子電路之間進(jìn)行時(shí)序階段切換，可有效縮短每個(gè)驅(qū)動子電路中驅(qū)動晶體管的應(yīng)力時(shí)間；從而解決了驅(qū)動晶體管因漂移而導(dǎo)致的顯示質(zhì)量降低的問題，保證了發(fā)光器件的驅(qū)動效果；延長了像素單元的使用壽命。
[0023]2、本實(shí)用新型采用時(shí)序控制模塊的設(shè)計(jì)，通過時(shí)序階段控制各所述控制晶體管的開啟或關(guān)閉，從而實(shí)現(xiàn)在各驅(qū)動子電路之間按照時(shí)序階段順序進(jìn)行驅(qū)動切換的目的；保證了切換的準(zhǔn)確性，降低驅(qū)動切換的誤操作率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。
[0025]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例一中所述像素單元的電路連接示意圖；
[0026]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例一中所述像素單元的電路連接示意圖；
[0027]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例二中所述像素電路的電路連接示意圖；
[0028]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例二中所述驅(qū)動方法的步驟框圖；
[0029]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例二中所述驅(qū)動方法的時(shí)序階段控制示意圖。
【具體實(shí)施方式】[0030]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0031]實(shí)施例一:
[0032]參見圖1所示，本實(shí)用新型實(shí)施例所述的像素單元主要用于有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中各發(fā)光器件的驅(qū)動，每個(gè)發(fā)光器件由一個(gè)像素單元驅(qū)動；每一個(gè)像素單元包括發(fā)光器件以及η個(gè)驅(qū)動子電路；其中，η為驅(qū)動子電路的數(shù)量，且η為自然數(shù)，η>1 ；
[0033]各所述驅(qū)動子電路均包括控制極掃描信號線GATE、開關(guān)晶體管Ts和驅(qū)動晶體管DTFT ;所述開關(guān)晶體管的控制極連接控制極掃描信號線，第一極連接所述數(shù)據(jù)線DATA，第二極連接驅(qū)動晶體管的控制極；所述驅(qū)動晶體管的第一極連接所述功率提供線ELVDD，第二極連接發(fā)光器件OLED的第三極；
[0034]所述發(fā)光器件的第四極連接參考電壓端。圖1中，GATE (1)是指時(shí)序階段為第I個(gè)的控制極掃描信號線，GATE (2)是指時(shí)序階段為第2個(gè)的控制極掃描信號線，GATE (k_l)是指時(shí)序階段為第k-1個(gè)的控制極掃描信號線，GATE (k)是指時(shí)序階段為第k個(gè)的控制極掃描信號線；以此類推可知，GATE (n)是指時(shí)序階段為第η個(gè)的控制極掃描信號線，此時(shí)的k=n, k是指為同一工作周期中各時(shí)序階段的序號，且k為自然數(shù)，l≤k≤n);所述驅(qū)動子電路用于驅(qū)動所述發(fā)光器件在相應(yīng)的時(shí)序階段持續(xù)時(shí)間內(nèi)發(fā)光。
[0035]本實(shí)施例中所述控制極為柵極，所述第一極為漏極，所述第二極為源極；所述第三極為陽極，所述第四極為陰極；所述發(fā)光器件為頂發(fā)光式有機(jī)發(fā)光二極管。當(dāng)然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，由于晶體管的源極、漏極在結(jié)構(gòu)上的可互換性，也可以以源極為第一極、漏極為第二極。并且，取決于所述發(fā)光器件的連接方式，也可以以陰極作為第三極，而以陽極作為第四極。
[0036]參見圖1所示,如上所述,本實(shí)施例共有n個(gè)驅(qū)動子電路；其中，且n>1 ;因此,相應(yīng)的在像素單元的同一個(gè)工作周期中應(yīng)具有n個(gè)時(shí)序階段；也就是說驅(qū)動子電路的數(shù)量與時(shí)序階段的數(shù)量保持相等。定義同一工作周期中各時(shí)序階段的序號為k，且k為自然數(shù)，1≤k≤n;由于驅(qū)動子電路與時(shí)序階段的數(shù)量相同，因此，各所述驅(qū)動子電路的序號也定義為k;以下舉例說明；
[0037]當(dāng)時(shí)序階段序號k為I時(shí)，相對應(yīng)的第I條所述驅(qū)動子電路驅(qū)動發(fā)光器件工作；當(dāng)時(shí)序階段序號k為2時(shí)，相對應(yīng)的第2條所述驅(qū)動子電路驅(qū)動發(fā)光器件工作；以此類推，當(dāng)時(shí)序階段序號k為η時(shí)，相對應(yīng)的第η條所述驅(qū)動子電路驅(qū)動發(fā)光器件工作；至此，k=n時(shí)，則表示本周期內(nèi)的各驅(qū)動子電路按照時(shí)序階段的順序依次驅(qū)動發(fā)光器件發(fā)光完畢。本實(shí)用新型中每一個(gè)所述驅(qū)動子電路對應(yīng)一個(gè)相應(yīng)的時(shí)序階段，也就是說，本實(shí)用新型中驅(qū)動子電路的數(shù)量及序號與所述時(shí)序階段的數(shù)量及序號相匹配；同時(shí)，本實(shí)用新型中某一個(gè)時(shí)序階段的持續(xù)時(shí)間，即為與該時(shí)序階段的序號對應(yīng)的驅(qū)動子電路驅(qū)動發(fā)光器件發(fā)光的工作時(shí)長；例如在第K個(gè)時(shí)序階段時(shí)(其中，1 ≤k≤n),與其對應(yīng)的第k個(gè)所述驅(qū)動子電路的工作時(shí)長為tk，因此，tk也被表示為第K個(gè)時(shí)序階段的持續(xù)時(shí)間；本實(shí)用新型為保證各個(gè)時(shí)序階段階段內(nèi)驅(qū)動子電路對于發(fā)光器件驅(qū)動的均一性，特將各時(shí)序階段的持續(xù)時(shí)間設(shè)定為相同時(shí)長。[0038]參見圖2所示，各所述驅(qū)動子電路還包括控制晶體管Tc ;該控制晶體管的控制極連接時(shí)序控制模塊，第一極連接像素單元掃描信號線，第二極連接各所述開關(guān)晶體管的控制極。
[0039]本實(shí)用新型像素單元的各所述驅(qū)動晶體管的第一極均連接在功率提供線(屬于現(xiàn)有技術(shù))上，該功率提供線外接工作電源，為發(fā)光器件提供工作電壓。本實(shí)施例中所述發(fā)光器件為有機(jī)發(fā)光二極管(OLED器件)。
[0040]本實(shí)施例中所述參考電壓端用于連接所述發(fā)光器件的第四極。所述參考電壓端用以為發(fā)光器件的提供參考電壓，例如用于連接零線、地線以提供零電位或提供負(fù)電壓等。
[0041]本實(shí)施例中各所述驅(qū)動晶體管均為η型TFT驅(qū)動晶體管；該η型TFT驅(qū)動晶體管的TFT形態(tài)為增強(qiáng)型(閥值電壓為正)或耗盡型(閥值電壓為負(fù));所述驅(qū)動晶體管、驅(qū)動晶體管、開關(guān)晶體管、開關(guān)晶體管、控制晶體管、均為場效應(yīng)晶體管。
[0042]本實(shí)用新型采用至少兩條用于驅(qū)動發(fā)光器件發(fā)光的驅(qū)動子電路的設(shè)計(jì)；可使各驅(qū)動子電路按照時(shí)序階段驅(qū)動發(fā)光器件發(fā)光；通過這種形式可有效解決現(xiàn)有像素單元中因發(fā)光器件長時(shí)間采用單一驅(qū)動晶體管進(jìn)行驅(qū)動，該驅(qū)動晶體管在驅(qū)動過程中，受電壓的應(yīng)力時(shí)間過長所造成的物理特性損害；這種物理特性損害是產(chǎn)生驅(qū)動晶體管閥值漂移的主要原因；采用時(shí)序控制模塊通過時(shí)序階段控制在多個(gè)驅(qū)動子電路之間進(jìn)行時(shí)序階段切換，可有效縮短每個(gè)驅(qū)動子電路中驅(qū)動晶體管的應(yīng)力時(shí)間；從而解決了驅(qū)動晶體管因漂移而導(dǎo)致的顯示質(zhì)量降低的問題，保證了發(fā)光器件的驅(qū)動效果；延長了像素單元的使用壽命。
[0043]本實(shí)施例中假設(shè)所述的像素單元中包括η個(gè)驅(qū)動子電路(其中，η為驅(qū)動子電路的數(shù)量，且η>1)，也就是說像素單元具有η個(gè)驅(qū)動晶體管；在像素單元驅(qū)動發(fā)光器件時(shí)，當(dāng)η個(gè)中的一個(gè)驅(qū)動子電路驅(qū)動發(fā)光器件時(shí)，那么該驅(qū)動子電路中的驅(qū)動晶體管在驅(qū)動時(shí)所承受的應(yīng)力時(shí)間為現(xiàn)有技術(shù)中單個(gè)驅(qū)動晶體管驅(qū)動時(shí)驅(qū)動晶體管應(yīng)力時(shí)間的I/η倍；相應(yīng)的以此類推，η個(gè)驅(qū)動晶體管中的每一個(gè)驅(qū)動晶體管的應(yīng)力時(shí)間均減小為現(xiàn)有技術(shù)中單個(gè)驅(qū)動晶體管驅(qū)動時(shí)應(yīng)力時(shí)間的I/η ;以此很好的解決了現(xiàn)有技術(shù)中因驅(qū)動晶體管應(yīng)力時(shí)間過大而造成的閥值漂移問題；保證了驅(qū)動晶體管的使用壽命，提高了顯示質(zhì)量。
[0044]理論上講，所述像素單元所包括的驅(qū)動子電路的數(shù)量最少可以為兩個(gè)；但是，隨著驅(qū)動子電路的數(shù)量增加，像素單元中各驅(qū)動晶體管的閥值發(fā)生漂移的可能性就越低；并且，采用更多的驅(qū)動子電路，可在其中某個(gè)或某幾個(gè)驅(qū)動晶體管失效時(shí)，能夠確保發(fā)光器件在剩下的驅(qū)動晶體管按照時(shí)序階段依次驅(qū)動下仍能保持正常發(fā)光。但是，所述驅(qū)動子電路的數(shù)量的增加是有限制條件的，其數(shù)量的多少會受限于像素單元所應(yīng)用的顯示面板的尺寸和規(guī)格以及顯示面板包括的發(fā)光器件的數(shù)量，發(fā)光器件越多則意味著需要的晶體管也就越多；在顯示面板上布設(shè)的晶體管越多則就意味著在相同尺寸下的顯示面板上布設(shè)晶體管的密度就越大，這就會影響顯示面板的開口率，進(jìn)而影響顯示面板的顯示亮度；因此，當(dāng)驅(qū)動子電路的數(shù)量較多時(shí)，則相應(yīng)的采用本實(shí)用新型所述像素單元制成的顯示面板應(yīng)為頂發(fā)光式的有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。
[0045]所述的頂發(fā)光式的有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器是指:包括第三極層、有機(jī)電致發(fā)光層、第四極層的有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，所述有機(jī)電致發(fā)光層設(shè)置在第三極層上，所述第四極層設(shè)置在有機(jī)電致發(fā)光層上；且所述第四極層位于有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的光出射面，所述第三極層位于有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的光反射面，多個(gè)像素單元對應(yīng)設(shè)置在第三極層下，并與發(fā)光器件的第三極對應(yīng)連接；本實(shí)施例中所述的頂發(fā)光式有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其具體結(jié)構(gòu)屬于現(xiàn)有技術(shù)，此處不再過多贅述。
[0046]上述中這種頂發(fā)光式的有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的特點(diǎn)在于所述發(fā)光器件所對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層在像素單元的驅(qū)動下發(fā)出光線，光線先經(jīng)第三極層反射面進(jìn)行反射，反射后的光線再透過第四極層射出；因此，這種有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的亮度只與第四極層的開口率有關(guān)；而第三極層則只需具有高的光反射率以保證光線反射需要即可；由于像素單元是對應(yīng)設(shè)置在所述第三極層下方，因此，即使像素單元中的晶體管數(shù)量很多，第三極層的開口率很小，也不會對第三極層的光反射產(chǎn)生影響，進(jìn)而不會影響有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的顯示亮度及有機(jī)電致發(fā)光層的使用壽命。
[0047]實(shí)施例二:
[0048]本實(shí)施例中的像素電路是在實(shí)施例一基礎(chǔ)上的改進(jìn)，實(shí)施例一中公開的技術(shù)內(nèi)容不重復(fù)描述，實(shí)施例一公開的內(nèi)容也屬于本實(shí)施例公開的內(nèi)容。
[0049]參見圖3所示，本實(shí)用新型實(shí)施例所述的像素電路主要用于有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中所有發(fā)光器件的控制及驅(qū)動，其中，
[0050]所述像素電路，包括多個(gè)如實(shí)施例一中所述的像素單元，還包括數(shù)據(jù)線和功率提供線，其中，所述數(shù)據(jù)線連接各所述開關(guān)晶體管的第一極；
[0051]所述功率提供線連接各所述驅(qū)動晶體管的第一極。
[0052]本實(shí)施例中所述像素電路還包括:
[0053]時(shí)序控制模塊T-C0N，連接各所述控制晶體管的控制極，用于根據(jù)時(shí)序階段控制各所述驅(qū)動子電路依次驅(qū)動發(fā)光器件。
[0054]當(dāng)各所述控制晶體管按照時(shí)序階段依次開啟時(shí)，分別與各所述控制晶體管相連接的各所述控制極掃描信號線依次將脈沖掃描電壓傳遞至與之相連接的所述開關(guān)晶體管，用作所述開關(guān)晶體管的開啟電壓。
[0055]本實(shí)施例中所述時(shí)序控制模塊通過時(shí)序階段控制各所述控制晶體管的開啟或關(guān)閉，從而實(shí)現(xiàn)在各驅(qū)動子電路之間按照時(shí)序階段順序進(jìn)行驅(qū)動切換的目的；保證了切換的準(zhǔn)確性，降低驅(qū)動切換的誤操作率。
[0056]本實(shí)施例中所述像素電路還包括P條像素單元掃描信號線Scan ;其中，P為像素單元掃描信號線的數(shù)量，且P為自然數(shù)，P>1;每一條所述像素單元掃描信號線均對應(yīng)連接一個(gè)所述像素單元中的所有所述控制晶體管的第一極，也就是說各像素單元中的所有控制極掃描信號線均連接一個(gè)與之對應(yīng)的所述像素單元掃描信號線；各所述像素單元掃描信號線均與用于驅(qū)動像素電路工作的IC驅(qū)動電路IC連接；當(dāng)某一個(gè)或幾個(gè)像素單元的發(fā)光器件需要工作時(shí)，也就是說該一個(gè)或幾個(gè)像素單元處于時(shí)序階段內(nèi)，則IC驅(qū)動電路向該一個(gè)或幾個(gè)像素單元所連接的像素單元掃描信號線發(fā)送脈沖信號；所述時(shí)序控制模塊根據(jù)時(shí)序控制對應(yīng)開啟在該時(shí)序階段內(nèi)需要開啟的所述控制晶體管；脈沖信號通過與該時(shí)序階段相對應(yīng)的控制晶體管被傳遞至所述開關(guān)晶體管，從而實(shí)現(xiàn)某一驅(qū)動子電路對發(fā)光器件的驅(qū)動。
[0057]相對于圖3而言，圖中Scan(I)為第I個(gè)像素單元掃描信號線，Scan (P)為第P個(gè)控制極掃描信號線，P>1;所述IC驅(qū)動電路在各時(shí)序階段內(nèi)向各所述像素單元內(nèi)與該時(shí)序階段相對應(yīng)的控制晶體管提供開啟所需的脈沖電壓，用以控制該控制晶體管所處的驅(qū)動子電路驅(qū)動所述發(fā)光器件在相應(yīng)的時(shí)序階段持續(xù)時(shí)間內(nèi)發(fā)光。
[0058]需要說明的是，本實(shí)用新型實(shí)施例中的所有晶體管的第一極和第二極不做區(qū)分，例如，驅(qū)動晶體管的第一極也可以叫驅(qū)動晶體管的第二極，相應(yīng)地，此時(shí)驅(qū)動晶體管的第二極叫驅(qū)動晶體管的第一極。
[0059]參見圖4、圖5所示，本實(shí)用新型還提供一種如上述中所述的像素電路實(shí)現(xiàn)的驅(qū)動方法，以下結(jié)合圖4對方法進(jìn)行描述:圖中，Vgate⑴為第I條控制極掃描信號線輸出的電位波形；VeATE⑵為第2條控制極掃描信號線輸出的電位波形；VeATE α_υ為第k-1條控制極掃描信號線輸出的電位波形；VeATE a)為第k條控制極掃描信號線輸出的電位波形；VeATE (η)為當(dāng)k=n時(shí)，第η條控制極掃描信號線輸出的電位波形；t (k_n為第k-1時(shí)序階段；t⑴為第k時(shí)序階段；
[0060]所述方法包括:
[0061]1、開始第k-Ι時(shí)序階段，各行像素單元中的第k-Ι條驅(qū)動子電路開始驅(qū)動；所述時(shí)序控制模塊通過各行像素單元中的第k-Ι個(gè)所述控制晶體管導(dǎo)通各行像素單元中的第k-1條所述控制極掃描信號線，使之處于高電平；其余所述控制極掃描信號線均處于低電平；第k-Ι條所述控制極掃描信號線開啟各行像素單元中的第k-Ι個(gè)所述開關(guān)晶體管；數(shù)據(jù)線依次將數(shù)據(jù)電壓加載至各行像素單元中的第k-Ι個(gè)所述驅(qū)動晶體管，使各行像素單元中的第k-Ι個(gè)所述驅(qū)動晶體管被開啟，使所述功率提供線與所述發(fā)光器件導(dǎo)通，依次驅(qū)動各行像素單元中的發(fā)光器件發(fā)光；直至第k個(gè)時(shí)序階段開始。
[0062]2、開始第k時(shí)序階段，各行像素單元中的第k-Ι條驅(qū)動子電路停止驅(qū)動，各行像素單元中的第k-Ι條所述控制極掃描信號線關(guān)閉各行像素單元中的第k-Ι個(gè)所述開關(guān)晶體管和第k-Ι個(gè)所述驅(qū)動晶體管；同時(shí)，各行像素單元中的第k條驅(qū)動子電路開始驅(qū)動；所述時(shí)序控制模塊通過各行像素單元中的第k個(gè)所述控制晶體管導(dǎo)通各行像素單元中的第k條所述控制極掃描信號線，使之處于高電平，其余所述控制極掃描信號線均處于低電平；第k條所述控制極掃描信號線開啟各行像素單元中的第k個(gè)所述開關(guān)晶體管；數(shù)據(jù)線依次將數(shù)據(jù)電壓加載至各行像素單元中的第k個(gè)所述驅(qū)動晶體管，使各行像素單元中的第k個(gè)所述驅(qū)動晶體管被開啟，使所述功率提供線與所述發(fā)光器件導(dǎo)通，依次驅(qū)動各行像素單元中的發(fā)光器件發(fā)光。
[0063]3、以此類推，直至k=n時(shí)，本次工作周期結(jié)束，進(jìn)入下一工作周期；其中，η為驅(qū)動子電路的數(shù)量，且η>1冰為同一工作周期中各時(shí)序階段的序號，且Iη。
[0064]本實(shí)施例中在所述驅(qū)動子電路驅(qū)動階段前還包括在各個(gè)時(shí)序階段開始時(shí)，所述時(shí)序控制模塊按照時(shí)序階段依次順序開啟每一時(shí)序階段所分別對應(yīng)的所述驅(qū)動子電路中的所述控制晶體管；使分處于不同時(shí)序階段內(nèi)各所述驅(qū)動子電路中的各所述控制極掃描信號線分別按照時(shí)序階段依次順序被導(dǎo)通，用于時(shí)序控制模塊控制各所述驅(qū)動子電路按各自的時(shí)序階段依次驅(qū)動發(fā)光器件發(fā)光；且每個(gè)時(shí)序階段持續(xù)的時(shí)間為一幀圖像的時(shí)間。
【權(quán)利要求】
1.一種像素單元，其特征在于，包括發(fā)光器件以及η個(gè)驅(qū)動子電路；其中，η為自然數(shù)且η>1 ； 各所述驅(qū)動子電路均包括控制極掃描信號線、開關(guān)晶體管和驅(qū)動晶體管；所述開關(guān)晶體管的控制極連接控制極掃描信號線，第一極連接所述數(shù)據(jù)線，第二極連接驅(qū)動晶體管的控制極；所述驅(qū)動晶體管的第一極連接所述功率提供線，第二極連接發(fā)光器件的第三極；所述發(fā)光器件的第四極連接參考電壓端。
2.如權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，各所述驅(qū)動子電路還包括控制晶體管；該控制晶體管的控制極連接時(shí)序控制模塊，第一極連接像素單元掃描信號線，第二極連接各所述開關(guān)晶體管的控制極。
3.如權(quán)利要求1或2所述的像素單元，其特征在于，所述控制極為柵極，所述第一極為漏極，所述第二極為源極。
4.如權(quán)利要求1或2所述的像素單元，其特征在于，所述第三極為陽極，所述第四極為陰極。
5.如權(quán)利要求1或2所述的像素單元，其特征在于，所述發(fā)光器件為頂發(fā)光式有機(jī)發(fā)光二極管。
6.如權(quán)利要求1或2所述的像素單元，其特征在于，n=2。
7.一種像素電路，其特征在于，包括以矩陣形式排列的多個(gè)如權(quán)利要求1至6之任一項(xiàng)中所述的像素單元，還包括數(shù)據(jù)線和功率提供線，其中， 所述數(shù)據(jù)線連接各所述開關(guān)晶體管的第一極； 所述功率提供線連接各所述驅(qū)動晶體管的第一極。
8.如權(quán)利要求7所述的像素電路，其特征在于，還包括: 時(shí)序控制模塊，連接各所述控制晶體管的控制極，用于根據(jù)時(shí)序階段控制各所述驅(qū)動子電路依次驅(qū)動發(fā)光器件。
9.如權(quán)利要求8所述的像素電路，其特征在于， 還包括P條像素單元掃描信號線；其中，P為像素單元掃描信號線的數(shù)量，且P為自然數(shù)，P>1;每一條所述像素單元掃描信號線均對應(yīng)連接一個(gè)所述像素單元中的所有所述控制晶體管的第一極。
【文檔編號】G09G3/32GK203456072SQ201320615281
【公開日】2014年2月26日 申請日期:2013年9月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月30日
【發(fā)明者】張玉婷 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥鑫晟光電科技有限公司