本發(fā)明涉及醫(yī)療器械，具體涉及一種磁兼容指引導(dǎo)管。

背景技術(shù)：

1、影像引導(dǎo)微創(chuàng)介入診療學(xué)是一門融合了影像診斷和臨床治療的交叉學(xué)科，指的是在影像學(xué)技術(shù)(包括超聲、x射線、ct、mri等)引導(dǎo)和監(jiān)視下，利用各種穿刺針、導(dǎo)絲、導(dǎo)管及其它介入器材經(jīng)皮穿刺進(jìn)行微創(chuàng)診斷或者治療。相對(duì)于傳統(tǒng)外科手術(shù)操作，影像引導(dǎo)下手術(shù)操作創(chuàng)傷更小、療效肯定、費(fèi)用低廉、并發(fā)癥少。相比于ct等醫(yī)學(xué)影像手段，mri(核磁共振成像)有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，其安全性更高，對(duì)人體不會(huì)產(chǎn)生放射性損害；軟組織密度分辨率明顯高于ct；可直接呈現(xiàn)三維圖像和斷面圖像，因此有更為豐富充足的診斷信息。開放式磁體技術(shù)的出現(xiàn)和快速成像技術(shù)的進(jìn)步，使磁共振引導(dǎo)下的介入治療得以發(fā)展。

2、mri檢查時(shí)，各種金屬材料的植入物在臨床檢查中均會(huì)引起嚴(yán)重偽影，降低疾病診斷的準(zhǔn)確性，這種偽影主要表現(xiàn)為金屬植入物處大片低信號(hào)區(qū)，或其邊緣和附近存在小區(qū)域高信號(hào)帶，有時(shí)這些高信號(hào)會(huì)向后上方延伸且區(qū)域隨之變小，致使鄰近組織也發(fā)生嚴(yán)重的變形失真；它的產(chǎn)生有兩個(gè)方面的原因：一是金屬植入物與周圍組織的磁化率不同，破壞了靜磁場(chǎng)的局部均勻性，是金屬偽影產(chǎn)生的主要原因；二是在梯度線圈通電開始和關(guān)閉時(shí)，金屬植入物因?yàn)樘荻葓?chǎng)的變化切割而產(chǎn)生感應(yīng)電流，也稱為渦流，破壞了質(zhì)子核與梯度場(chǎng)的線性關(guān)系而引起圖像的不規(guī)則變形。雖然隨著mri設(shè)備的逐漸普及，mri下進(jìn)行精確定位的微創(chuàng)手術(shù)越來越成熟，但這些金屬植入物在mri中仍會(huì)磁場(chǎng)影響產(chǎn)生位移，產(chǎn)生偽影影響介入操作，還可能產(chǎn)生電磁感應(yīng)效應(yīng)而損傷患者。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、因此，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于現(xiàn)有技術(shù)中mri檢查使用的金屬材料的植入物在臨床檢查中均會(huì)引起嚴(yán)重偽影，降低疾病診斷的準(zhǔn)確性，從而提供一種磁兼容指引導(dǎo)管。

2、為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

3、一種磁兼容指引導(dǎo)管，包括：

4、導(dǎo)管座；

5、導(dǎo)管主體，安裝于所述導(dǎo)管座遠(yuǎn)端，包括自內(nèi)向外依次設(shè)置的內(nèi)層、中層和外層，所述內(nèi)層為聚四氟乙烯涂料層，所述中層為鈦結(jié)構(gòu)層，所述外層為高分子材料層；

6、遠(yuǎn)端管，設(shè)置于所述導(dǎo)管主體遠(yuǎn)端。

7、進(jìn)一步地，所述中層采用純鈦絲編織成鈦絲編織網(wǎng)，所述外層為聚醚嵌段聚酰胺材料層。

8、進(jìn)一步地，所述遠(yuǎn)端管側(cè)壁上開設(shè)有貫通的側(cè)孔，所述側(cè)孔位于所述遠(yuǎn)端管的遠(yuǎn)端端部2cm-3cm。

9、進(jìn)一步地，所述側(cè)孔為圓形通孔，所述圓形通孔的孔徑為0.5mm-2mm。

10、進(jìn)一步地，所述遠(yuǎn)端管上設(shè)置有至少兩個(gè)間隔布置的所述側(cè)孔，兩個(gè)所述側(cè)孔之間的間距為0.5cm-1cm，且兩個(gè)所述側(cè)孔分別設(shè)置于所述遠(yuǎn)端側(cè)壁的相對(duì)兩側(cè)上。

11、進(jìn)一步地，所述遠(yuǎn)端管與所述導(dǎo)管主體為同軸設(shè)置，且一體成型于所述導(dǎo)管主體遠(yuǎn)端以形成直型指引導(dǎo)管。

12、進(jìn)一步地，所述遠(yuǎn)端管與所述導(dǎo)管主體彎折連接，且一體成型于所述導(dǎo)管主體遠(yuǎn)端以形成彎型指引導(dǎo)管。

13、進(jìn)一步地，所述導(dǎo)管主體內(nèi)層的內(nèi)壁上開設(shè)有多個(gè)凹槽。

14、進(jìn)一步地，所述內(nèi)層的內(nèi)壁上開設(shè)有多排均勻間隔布置的凹槽，相鄰兩排凹槽錯(cuò)位布置。

15、進(jìn)一步地，所述凹槽為的槽面為橢圓形半球體。

16、本發(fā)明技術(shù)方案，具有如下優(yōu)點(diǎn)：

17、1.本發(fā)明提供的磁兼容指引導(dǎo)管，將導(dǎo)管主體中層設(shè)置為鈦結(jié)構(gòu)層，通過鈦具備的輕量、高強(qiáng)度和非磁性特性，使導(dǎo)管主體在mri(核磁共振成像)中不會(huì)產(chǎn)生明顯的干擾，不會(huì)被強(qiáng)磁場(chǎng)吸引而發(fā)生位移，不會(huì)產(chǎn)生偽影而影響后期的介入操作，也不會(huì)在介入操作時(shí)產(chǎn)生電磁感應(yīng)效應(yīng)而損傷患者，可以在進(jìn)行mri檢查時(shí)保證疾病診斷的準(zhǔn)確性。

18、2.本發(fā)明提供的磁兼容指引導(dǎo)管，中層采用純鈦絲編織成鈦絲編織網(wǎng)，外層為聚醚嵌段聚酰胺材料層。如此設(shè)置，可以提高指引導(dǎo)管的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，提高指引導(dǎo)管承壓性能、避免在使用中發(fā)生松散開焊等現(xiàn)象，且純鈦防腐蝕性能強(qiáng)，使用純鈦絲編織成鈦絲編織網(wǎng)，可以適應(yīng)指引導(dǎo)管在人體內(nèi)的酸性環(huán)境；同時(shí)純鈦的兼容性更強(qiáng)，相比其它金屬材料或鈦合金材料，純鈦材質(zhì)在mri掃描中產(chǎn)生的偽影更小，對(duì)影像質(zhì)量的影響更低。

19、3.本發(fā)明提供的磁兼容指引導(dǎo)管，遠(yuǎn)端管側(cè)壁上開設(shè)有貫通的側(cè)孔，側(cè)孔位于遠(yuǎn)端管的遠(yuǎn)端端部2cm-3cm。如此設(shè)置，提供額外的灌注通道，使造影劑或治療藥物能夠更順暢地進(jìn)入血管，減少主腔的灌注壓力，從而降低壓力嵌頓的風(fēng)險(xiǎn)；設(shè)置側(cè)孔可以平衡冠狀動(dòng)脈內(nèi)的壓力，減少因主腔壓力過高而引起的嵌頓現(xiàn)象，避免在手術(shù)過程中指引導(dǎo)管插入血管時(shí)因?yàn)檫^度壓迫而導(dǎo)致壓力嵌頓；如果發(fā)生壓力嵌頓，還可以通過側(cè)孔進(jìn)行緊急灌注或藥物治療，以緩解嵌頓癥狀并降低并發(fā)癥的風(fēng)險(xiǎn)，有助于提高手術(shù)的安全性和成功率。

20、4.本發(fā)明提供的磁兼容指引導(dǎo)管，遠(yuǎn)端管上設(shè)置有至少兩個(gè)間隔布置的側(cè)孔，兩個(gè)側(cè)孔之間的間距為0.5cm-1cm，且兩個(gè)側(cè)孔分別設(shè)置于遠(yuǎn)端側(cè)壁的相對(duì)兩側(cè)上。如此設(shè)置，使側(cè)孔間隔分布，且不在同一直線上，可以避免開設(shè)的側(cè)孔過多或過少而影響灌注效果。

21、5.本發(fā)明提供的磁兼容指引導(dǎo)管，遠(yuǎn)端管與導(dǎo)管主體為同軸設(shè)置，且一體成型于導(dǎo)管主體遠(yuǎn)端以形成直型指引導(dǎo)管。如此設(shè)置，在一些相對(duì)簡單、不需要復(fù)雜路徑導(dǎo)航的手術(shù)或操作中，直型指引導(dǎo)管能夠提供足夠的支持和引導(dǎo)功能。

22、6.本發(fā)明提供的磁兼容指引導(dǎo)管，遠(yuǎn)端管與導(dǎo)管主體彎折連接，且一體成型于導(dǎo)管主體遠(yuǎn)端以形成彎型指引導(dǎo)管。如此設(shè)置，通過彎型指引導(dǎo)管能夠輕松穿過人體內(nèi)的彎曲和狹窄通道，如血管、氣管等，在復(fù)雜路徑導(dǎo)航中表現(xiàn)出色，能夠確保器械或物質(zhì)準(zhǔn)確到達(dá)目標(biāo)區(qū)域；在需要高度精確性和靈活性的復(fù)雜手術(shù)或操作中，彎型指引導(dǎo)管能夠提供更好的支持。它可以幫助醫(yī)生在狹窄、扭曲的通道中順利操作，減少對(duì)患者的不適感和潛在損傷。

23、7.本發(fā)明提供的磁兼容指引導(dǎo)管，導(dǎo)管主體內(nèi)層的內(nèi)壁上開設(shè)有多個(gè)凹槽。如此設(shè)置，可以減少指引導(dǎo)管輸送的器械與指引導(dǎo)管內(nèi)管的內(nèi)壁之間的接觸面積，減少摩擦。

24、8.本發(fā)明提供的磁兼容指引導(dǎo)管，內(nèi)層的內(nèi)壁上開設(shè)有多排均勻間隔布置的凹槽，相鄰兩排凹槽錯(cuò)位布置。如此設(shè)置，使得指引導(dǎo)管在輸送器械時(shí)、器械與導(dǎo)管內(nèi)層的內(nèi)壁之間摩擦更均勻，避免器械長期在導(dǎo)管內(nèi)層的內(nèi)壁與部分區(qū)域摩擦導(dǎo)致的涂層損耗。

25、9.本發(fā)明提供的磁兼容指引導(dǎo)管，凹槽為的槽面為橢圓形半球體。如此設(shè)置，便于指引導(dǎo)管制備完成后將指引導(dǎo)管剝離脫出，同時(shí)凹槽與周壁相接的位置采用過渡圓角設(shè)計(jì)，進(jìn)一步減少摩擦。

技術(shù)特征：

1.一種磁兼容指引導(dǎo)管，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁兼容指引導(dǎo)管，其特征在于，所述中層(7)采用純鈦絲編織成鈦絲編織網(wǎng)(9)，所述外層(6)為聚醚嵌段聚酰胺材料層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁兼容指引導(dǎo)管，其特征在于，所述遠(yuǎn)端管(4)側(cè)壁上開設(shè)有貫通的側(cè)孔(5)，所述側(cè)孔(5)位于所述遠(yuǎn)端管(4)的遠(yuǎn)端端部2cm-3cm。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁兼容指引導(dǎo)管，其特征在于，所述側(cè)孔(5)為圓形通孔，所述圓形通孔的孔徑為0.5mm-2mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁兼容指引導(dǎo)管，其特征在于，所述遠(yuǎn)端管(4)上設(shè)置有至少兩個(gè)間隔布置的所述側(cè)孔(5)，兩個(gè)所述側(cè)孔(5)之間的間距為0.5cm-1cm，且兩個(gè)所述側(cè)孔(5)分別設(shè)置于所述遠(yuǎn)端側(cè)壁的相對(duì)兩側(cè)上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的磁兼容指引導(dǎo)管，其特征在于，所述遠(yuǎn)端管(4)與所述導(dǎo)管主體(3)為同軸設(shè)置，且一體成型于所述導(dǎo)管主體(3)遠(yuǎn)端以形成直型指引導(dǎo)管。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的磁兼容指引導(dǎo)管，其特征在于，所述遠(yuǎn)端管(4)與所述導(dǎo)管主體(3)彎折連接，且一體成型于所述導(dǎo)管主體(3)遠(yuǎn)端以形成彎型指引導(dǎo)管。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁兼容指引導(dǎo)管，其特征在于，所述導(dǎo)管主體(3)內(nèi)層(8)的內(nèi)壁上開設(shè)有多個(gè)凹槽(10)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁兼容指引導(dǎo)管，其特征在于，所述內(nèi)層(8)的內(nèi)壁上開設(shè)有多排均勻間隔布置的凹槽(10)，相鄰兩排凹槽(10)錯(cuò)位布置。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁兼容指引導(dǎo)管，其特征在于，所述凹槽(10)為的槽面為橢圓形半球體。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種磁兼容指引導(dǎo)管，包括導(dǎo)管座、安裝于所述導(dǎo)管座遠(yuǎn)端的導(dǎo)管主體和設(shè)置于所述導(dǎo)管主體遠(yuǎn)端的遠(yuǎn)端管，導(dǎo)管主體包括自內(nèi)向外依次設(shè)置的內(nèi)層、中層和外層，所述內(nèi)層為聚四氟乙烯涂料層，所述中層為鈦結(jié)構(gòu)層，所述外層為高分子材料層。如此設(shè)計(jì)，將導(dǎo)管主體中層設(shè)置為鈦結(jié)構(gòu)層，通過鈦具備的輕量、高強(qiáng)度和非磁性特性，使導(dǎo)管主體在MRI(核磁共振成像)中不會(huì)產(chǎn)生明顯的干擾，不會(huì)被強(qiáng)磁場(chǎng)吸引而發(fā)生位移，不會(huì)產(chǎn)生偽影而影響后期的介入操作，也不會(huì)在介入操作時(shí)產(chǎn)生電磁感應(yīng)效應(yīng)而損傷患者，可以在進(jìn)行MRI檢查時(shí)保證疾病診斷的準(zhǔn)確性。

技術(shù)研發(fā)人員：宦瑋,李茂全,梁棟科,宋媛,趙錚,孫春明
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海市第十人民醫(yī)院
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19