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二維超聲波面陣探頭及其制備方法與流程

文檔序號(hào):12023590閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)一種二維超聲波面陣探頭,該二維超聲波面陣探頭包括壓電陣列、背襯材料層、至少一層匹配層和若干個(gè)集成開(kāi)關(guān)芯片;所述壓電陣列包括多個(gè)呈陣列排布的壓電單元;所述背襯材料層位于壓電陣列的正極面處,用以吸收壓電陣列正極面處發(fā)射的超聲波;所述匹配層位于所述壓電陣列的負(fù)極面處,用以與人體的聲阻抗相匹配;每一個(gè)所述集成開(kāi)關(guān)芯片與至少兩個(gè)所述壓電單元電連接,用以分時(shí)控制至少兩個(gè)所述壓電單元的導(dǎo)通。本發(fā)明技術(shù)方案可以減少輸出信號(hào)通道的數(shù)量。此外,本發(fā)明還公開(kāi)一種二維超聲波面陣探頭的制備方法。

技術(shù)研發(fā)人員:徐海;曹文良
受保護(hù)的技術(shù)使用者:深圳深超換能器有限公司
技術(shù)研發(fā)日:2017.05.19
技術(shù)公布日:2017.10.24
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