本發(fā)明涉及一種觸發(fā)電路，尤其涉及一種新型沖擊波觸發(fā)電路。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有沖擊波觸發(fā)電路一般采用電視機行輸出高壓包，輸出電流小，容易漏觸發(fā)；或者采用汽車點火器，產(chǎn)品體積較大，價格較高，使用受到限制，但也沒有更好的解決方案。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
有鑒于此，本發(fā)明的目的是提供一種沖擊波觸發(fā)電路，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的不足。
為了達到上述目的，本發(fā)明的目的是通過下述技術(shù)方案實現(xiàn)的：
一種沖擊波觸發(fā)電路，其中，包括觸發(fā)變壓器、電源變壓器、橋式整流器、可控硅、光電耦合器、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第五電阻、第六電阻、第七電阻、第八電阻、第九電阻、熔斷器、穩(wěn)壓二極管、第一二極管、第二二極管、第一發(fā)光二極管、第二發(fā)光二極管、第一電容、第二電容、第三電容和第四電容；
所述電源變壓器通過所述熔斷器連接外部電壓并將外部電壓變壓為低壓部分和高壓部分，所述橋式整流器和所述第一電容設(shè)于所述低壓部分，所述第一二極管設(shè)于所述高壓部分；
所述第一發(fā)光二極管和所述第二電阻串接后再與所述第二電容并接，所述第一電阻設(shè)于所述第二電阻和所述第二電容之間，所述第一發(fā)光二極管、所述第二電阻、所述第二電容和所述第一電阻設(shè)于所述光電耦合器和外部觸發(fā)信號之間；
所述光電耦合器通過所述第五電阻接入所述低壓部分，所述第五電阻、所述第四電容分別通過所述穩(wěn)壓二極管接地，所述光電耦合器通過所述第二二極管和所述第四電阻連接所述可控硅；
所述第二發(fā)光二極管與所述第三電阻串聯(lián)后分別與所述第六電阻、所述第七電阻并聯(lián)后設(shè)于所述可控硅與所述高壓部分之間，所述第三電容和所述第八電阻并聯(lián)后設(shè)于所述高壓部分與所述觸發(fā)變壓器之間。
上述沖擊波觸發(fā)電路，其中，所述第一電容為電解電容。
上述沖擊波觸發(fā)電路，其中，所述低壓部分為12v，所述高壓部分為420v。
與已有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果在于：
采用可控硅控制觸發(fā)變壓器，產(chǎn)生觸發(fā)高壓，觸發(fā)脈沖穩(wěn)定可靠，不漏發(fā)，不連發(fā)，電路簡潔，觸發(fā)穩(wěn)定，用于體外沖擊波碎石機。
附圖說明
構(gòu)成本發(fā)明的一部分的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當限定。在附圖中：
圖1示出了本發(fā)明沖擊波觸發(fā)電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
需要說明的是，在不沖突的情況下，本發(fā)明中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。
參考圖1所示，本發(fā)明沖擊波觸發(fā)電路包括觸發(fā)變壓器b22、電源變壓器b11、橋式整流器z1、可控硅scr1、光電耦合器q1、第一電阻r1、第二電阻r2、第三電阻r3、第四電阻r4、第五電阻r5、第六電阻r6、第七電阻r7、第八電阻r8、第九電阻r9、熔斷器f10、穩(wěn)壓二極管dz1、第一二極管d1、第二二極管d2、第一發(fā)光二極管ld1、第二發(fā)光二極管ld2、第一電容c1、第二電容c2、第三電容c3和第四電容c4。
電源變壓器b11通過熔斷器f10連接外部電壓220v并將外部電壓變壓為低壓部分和高壓部分，橋式整流器z1和第一電容c1設(shè)于低壓部分，第一二極管d1設(shè)于高壓部分。第一發(fā)光二極管ld1和第二電阻r2串接后再與第二電容c2并接，第一電阻r1設(shè)于第二電阻r2和第二電容c2之間，第一發(fā)光二極管ld1、第二電阻r2、第二電容c2和第一電阻r1設(shè)于光電耦合器q1和外部觸發(fā)信號之間。
光電耦合器q1通過第五電阻r5接入低壓部分，第五電阻r5、第四電容c4分別通過穩(wěn)壓二極管dz1接地，光電耦合器q1通過第二二極管d2和第四電阻r4連接可控硅 scr1。
第二發(fā)光二極管ld2與第三電阻r3串聯(lián)后分別與第六電阻r6、第七電阻r7并聯(lián)后設(shè)于可控硅scr1與高壓部分之間，第三電容c3和第八電阻r8并聯(lián)后設(shè)于高壓部分與觸發(fā)變壓器b22之間，其中第三電阻r3的阻值為200k/2w。
在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，第一電容c1為電解電容，低壓部分為12v，高壓部分為420v，觸發(fā)變壓器b22輸出觸發(fā)高壓，光電耦合器q1隔離觸發(fā)信號和后級高壓部分，觸發(fā)脈沖信號通過光電耦合器q1控制可控硅scr1導通，產(chǎn)生觸發(fā)高壓。整個電路安裝在一塊pcb板上。
從上述實施例可以看出，本發(fā)明的優(yōu)勢在于：
采用可控硅控制觸發(fā)變壓器，產(chǎn)生觸發(fā)高壓，觸發(fā)脈沖穩(wěn)定可靠，不漏發(fā)，不連發(fā)，電路簡潔，觸發(fā)穩(wěn)定，用于體外沖擊波碎石機。
以上對本發(fā)明的具體實施例進行了詳細描述，但本發(fā)明并不限制于以上描述的具體實施例，其只是作為范例。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，任何等同修改和替代也都在本發(fā)明的范疇之中。因此，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍下所作出的均等變換和修改，都應涵蓋在本發(fā)明的范圍內(nèi)。