一種半導體激光合成器治療儀的制作方法
【專利摘要】本實用新型是一種半導體激光合成器治療儀，包括：半導體激光合成器和控制系統(tǒng)，半導體激光合成器（11）包括：激光介質(zhì)晶體（4）、半導體激光器（1）、光學耦合系統(tǒng)(2)、反射鏡（3）和輸出鏡（5）、倍頻晶體（6）、反饋鏡（7），傳輸光纖（9）和聚焦透鏡（8）；激光介質(zhì)晶體（4）、反射鏡（3）和輸出鏡（5）組成激光諧振腔，倍頻晶體（6）放置于輸出鏡（5）和反饋鏡（7）之間，聚焦透鏡（8）設置于反饋鏡之后；控制系統(tǒng)包括：電源模塊（13），半導體激光合成器穩(wěn)定工作模塊（14）及系統(tǒng)控制模塊（12）。本實用新型采用腔外倍頻加基波反饋技術并結(jié)合電路控制系統(tǒng)，很好地實現(xiàn)了效率和穩(wěn)定性兼顧的目的?？捎行в糜诠鈩恿W治療，對鼻腔或穴位進行激光照射，用于血管性頭痛和腦梗塞、腦外傷后遺癥及慢性心、腦血管疾病的治療。
【專利說明】一種半導體激光合成器治療儀

【技術領域】
[0001]本實用新型屬于醫(yī)療器械領域，涉及激光治療設備，特別涉及一種新型半導體激光合成器治療儀。

【背景技術】
[0002]激光是20世紀以來，繼原子能、計算機、半導體之后，人類的又一重大發(fā)明，被稱為“最快的刀”、它的原理早在1916年已被著名的美國物理學家愛因斯坦發(fā)現(xiàn)。20世紀四大發(fā)明是“激光，原子能，半導體，計算機”。現(xiàn)在激光廣泛用于醫(yī)療領域。低強度激光照射治療效果，經(jīng)臨床驗證已受到國內(nèi)外專家的肯定。主要應用于治療腦部疾病、心血管疾病、糖尿病、腫瘤、白血病、精神性疾病等等。根據(jù)健康醫(yī)學發(fā)現(xiàn)，激光激發(fā)的血液熒光主要在600-670納米之間。激發(fā)血液由基態(tài)至激發(fā)態(tài)，由630-650納米的激光作為激光源最有效，治療的效果最好。低強度激光治療對心血管病前期的預防和發(fā)病后的恢復期都有很好的療效。對于亞健康人群的身體恢復和人體抗衰老有一定的作用。
[0003]現(xiàn)有技術中，已出現(xiàn)多種半導體激光治療儀，對疾病的預防和治療有一定的效果。但大多采用腔內(nèi)倍頻手段，即倍頻晶體放置在激光晶體和反射片之間如 申請人:擁有的一項專利名稱是:“一種激光治療機”，(專利號:00108495.X)提供了一種670nm激光治療機。采用這種純腔內(nèi)倍頻技術，雖然效率高，但功率波動大，穩(wěn)定性較差。且較大的功率波動性容易給患者造成危害性的傷害。
實用新型內(nèi)容
[0004]本實用新型的目的是解決上述現(xiàn)有技術的不足，提供一種新型激光合成器治療儀，使其具有較好的功率穩(wěn)定性和較高的效率。
[0005]為了實現(xiàn)上述技術目的，本實用新型采用如下技術方案:
[0006]一種半導體激光合成器治療儀，包括:半導體激光器和控制系統(tǒng)，
[0007]半導體激光器為半導體激光合成器包括:激光介質(zhì)晶體、用于泵浦激光介質(zhì)晶體的半導體激光器、將半導體激光器輸出的激光聚焦到激光介質(zhì)晶體上的光學耦合系統(tǒng)、使激光介質(zhì)受到半導體激光激發(fā)后，產(chǎn)生粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，從而在諧振腔之間產(chǎn)生基波激光振蕩的反射鏡和輸出鏡、將輸出鏡輸出的諧波激光倍頻為紅光激光的倍頻晶體、將未倍頻的諧波激光反射回激光諧振腔，并輸出產(chǎn)生的用于治療的紅光激光的反饋鏡；用于將輸出的紅光激光聚焦到傳輸光纖的端面，并通過該光纖，傳輸?shù)街委煵课?，進行治療的聚焦透鏡；激光介質(zhì)晶體、反射鏡和輸出鏡組成激光諧振腔，倍頻晶體放置于輸出鏡和反饋鏡之間，聚焦透鏡設置于反饋鏡之后。
[0008]控制系統(tǒng)包括:
[0009]電源模塊，與半導體激光合成器相連，提供所述半導體激光合成器所需工作電源；半導體激光合成器穩(wěn)定工作模塊，與半導體激光合成器、電源模塊和系統(tǒng)控制模塊相連，控制整個系統(tǒng)的穩(wěn)定輸出功率；系統(tǒng)控制模塊，與電源模塊和半導體激光合成器穩(wěn)定工作模塊相連，控制整個系統(tǒng)工作。
[0010]所述的半導體激光合成器治療儀，其中:激光介質(zhì)晶體為摻釹激光介質(zhì)晶體，選自 Nd:YV04 或 Nd:GdV04 晶體。
[0011]所述的半導體激光合成器治療儀，其中，傳輸光纖選用醫(yī)用光纖，用于傳輸紅光激光，并將治療儀輸出的紅光激光引導到治療部位，進行治療。
[0012]所述的半導體激光合成器治療儀，其中，倍頻晶體可以選自KTP或LBO或PPKTP或PPLN晶體。
[0013]所述的半導體激光合成器治療儀，其中，反射鏡的鏡面鍍有對泵浦的半導體激光束高透，對1300nm?1500nm波長全反射的光學膜。輸出鏡的鏡片鍍有對1300nm?1500nm波長激光部分反射，對紅光激光全反射的光學膜。反饋鏡的鏡片鍍有對1300nm?1500nm波長激光全反射，對紅光激光增透的光學膜。
[0014]所述的半導體激光合成器治療儀，其中，半導體激光合成器可發(fā)射強度為650nm_700nm的紅光激光。
[0015]所述的半導體激光合成器治療儀，其中，系統(tǒng)控制模塊包括CPU微處理器，作為半導體激光合成器的核心控制器件，控制整個系統(tǒng)的工作。該控制模塊還可設置顯示電路、電源檢測、報警電路，其中，可設置四個LED燈，3個LED燈分別用于顯示功率，還有一個LED燈是工作指示燈，30MIN是電源指示燈。三級管Q7是電源檢測1C，當電源過低時報警。
[0016]所述的半導體激光合成器治療儀，其中，電源模塊可以設置為包括:外接電源插座JP1、三端穩(wěn)壓塊Q1、內(nèi)部電池供電系統(tǒng)輸入端JP2、構(gòu)成充電電路的三級管Q3和Q4及用于控制充電的三級管Q9。
[0017]所述的半導體激光合成器治療儀，其中，半導體激光合成器穩(wěn)定工作模塊包括:輸出激光合成器穩(wěn)定電源的三級管Q8、提供半導體激光合成器電源輸出插座JP5、比較信號放大的比較器芯片U1、控制功率調(diào)節(jié)作用的三級管Q10、Q11，作為半導體激光合成器電源的三級管Q2，作為信息負反饋，穩(wěn)定輸出功率的三級管Q6。
[0018]本實用新型的有益效果
[0019]本實用新型半導體激光合成器采用腔外倍頻加基波反饋技術，綜合了腔外倍頻和腔內(nèi)倍頻技術的方案，使用倍頻晶體放置在輸出片和反饋鏡之間，該腔型的倍頻技術解決了激光技術穩(wěn)定性難題。本實用新型技術既利用了腔外倍頻的優(yōu)良的輸出穩(wěn)定性，又保持了腔內(nèi)倍頻的較高效率，很好地實現(xiàn)了效率和穩(wěn)定性兼顧的目的。
[0020]同時，本實用新型采用了微處理器(CPU)控制系統(tǒng)和結(jié)合本發(fā)明半導體激光合成器設置的電路控制系統(tǒng)，可提供安全可靠的治療操作。系統(tǒng)中設置了半導體激光合成器穩(wěn)定工作模塊，可有效的增強系統(tǒng)的可控功能，保證該激光治療儀具有恒定的輸出功率，并具備穩(wěn)定的性能。
[0021]本實用新型激光合成器治療儀，可望在新一代治療儀器上發(fā)揮重要作用?？捎糜诠鈩恿W治療，對鼻腔或穴位進行激光照射，用于血管性頭痛和腦梗塞、腦外傷后遺癥及慢性心、腦血管疾病的治療。是一種有效的激光治療設備。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1為實用新型半導體激光合成器治療儀工作原理圖
[0023]圖2為半導體激光合成器內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖
[0024]圖3為本實用新型控制系統(tǒng)中電源模塊的電路圖
[0025]圖4為本實用新型控制系統(tǒng)中控制按鍵的電路圖
[0026]圖5為本實用新型控制系統(tǒng)中系統(tǒng)控制模塊和半導體激光合成器穩(wěn)定工作模塊的電路圖
[0027]圖1中，11為半導體激光合成器，12為系統(tǒng)控制模塊，13為電源模塊，14為半導體激光合成器穩(wěn)定工作模塊，15為治療頭(光纖頭)。
[0028]圖2中，I為泵浦用半導體激光器，2為光學耦合系統(tǒng)，3為反射鏡，4為激光介質(zhì)晶體，5為輸出鏡，6為倍頻晶體，7為反饋鏡，8為聚焦透鏡，9為傳輸紅光激光的醫(yī)用光纖。
[0029]圖3中，JPl為外接電源插座，三級管Ql是三端穩(wěn)壓塊，JP2是內(nèi)部電池供電系統(tǒng)輸入端，三級管Q3、Q4、構(gòu)成充電電路控制電路，三級管Q9作為充電控制。
[0030]圖4中，JP4為控制按鍵插座。
[0031]圖5中，單片機AT89C2051為系統(tǒng)控制模塊中作為CPU微處理器，半導體激光合成器穩(wěn)定工作模塊中，三級管Q8輸出激光合成器穩(wěn)定的電源，芯片Ul是一個比較器,三級管Q10、Q11、起控制功率調(diào)節(jié)作用。三級管Q2是激光頭電源。圖中的“鍵盤”可接控制按鍵JP4。三級管Q6作為信息負反饋，穩(wěn)定輸出功率。

【具體實施方式】
[0032]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明技術方案進行說明。
[0033]本實用新型半導體激光合成器治療儀包括半導體激光器和控制系統(tǒng)，其中，半導體激光器為本實用新型的半導體激光合成器，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)見圖2，圖2中，I為泵浦用半導體激光器(LD),可米用多根組合的形式,其輸出波長為808nm或880nm。2為光學稱合系統(tǒng)，可為常用的LD激光耦合部件，如可以為球面鏡、非球面鏡、二元光學透鏡其中的一種或其組合，并在其通光面制備泵浦光的增透膜。3為反射鏡，可采用球面和平面的結(jié)構(gòu)，鏡上鍍有對泵浦光高透，對1300nm?1500nm波長全反射的反射膜；4為激光介質(zhì)晶體，可以為Nd: YV04或Nd:Gd:V04晶體；5為輸出鏡，采用平面結(jié)構(gòu)，鏡片鍍對1300nm?1500nm部分反射，對紅光激光全反射的光學膜；6為(可帶有溫度控制的)倍頻晶體，可以是KTP、LB0、周期極化KTP(PPKTP)、周期極化鈮酸鋰(PPLN)等非線性變頻晶體；7為反饋鏡，采用平面結(jié)構(gòu)，鏡片鍍有對1300nm?1500nm激光全反，對紅光激光增透的光學膜。8為聚焦透鏡；9為傳輸紅光激光的醫(yī)用光纖，10為泵浦用半導體激光器I的驅(qū)動電源。
[0034]本實用新型的控制系統(tǒng)包括電源模塊13、系統(tǒng)控制模塊12和半導體激光合成器穩(wěn)定工作模塊14。
[0035]參見圖3，電源模塊13包括外接電源插座JP1、三端穩(wěn)壓塊Q1。電源經(jīng)過外接電源插座JPl后，其中Ql是三端穩(wěn)壓塊，3端途經(jīng)二極管Dl后輸出電路的供電電壓(VCC)。
[0036]該電源模塊還包括內(nèi)部電池供電系統(tǒng)，JP2是內(nèi)部電池供電系統(tǒng)輸入端，由Q3、Q4、構(gòu)成充電電路控制電路，當客戶在使用時，不充電，當客戶停止使用時，Q3、Q4開始工作，此時才能對電池充電。三級管Q9用于充電控制，Q9的集電極與CPU微處理器(AT89C2051)的引腳相接。
[0037]電源模塊13與半導體激光合成器11相連，提供所述半導體激光合成器所需工作電源；
[0038]參見圖4，系統(tǒng)控制模塊12包括CPU微處理器，選用單片機AT89C2051作為半導體激光合成器的核心控制器件，控制整個系統(tǒng)的工作。該控制模塊還包括顯示電路、電源檢測、報警電路，其中，四個LED燈中3個分別用于顯示功率，3麗、4MW、5MW，還有一個是工作指示燈，30MIN是電源指示燈。三級管Q7是電源檢測1C，當電源過低時報警。
[0039]系統(tǒng)控制模塊12,與電源模塊13和半導體激光合成器穩(wěn)定工作模塊14相連,控制整個系統(tǒng)工作。
[0040]半導體激光合成器穩(wěn)定工作模塊14包括三級管Q6、Q8、Q10、Q11、芯片U1、U2等電路。其中Q8輸出激光合成器穩(wěn)定的電源，JP5是提供激光合成器電源輸出插座,芯片Ul是一個比較器，比較信號放大由I腳輸出，三級管Q10、Q11用于控制功率調(diào)節(jié)作用。Q2是激光頭(半導體激光合成器)電源。圖中的“鍵盤”接控制按鍵JP4。三級管Q6用于信息負反饋，穩(wěn)定輸出功率。三級管Q6、Q10、Q11的基極分別串聯(lián)電阻接CPU微處理器(AT89C2051)的引腳，三級管Q6的集電極串聯(lián)電阻與Q2和Ul芯片的引腳相接。
[0041]熟悉本領域的技術人員完全可以按照電路圖來實現(xiàn)該控制系統(tǒng)，這里不做另外的文字描述。
[0042]本實用新型的控制系統(tǒng)可以設置在一主機體內(nèi)。參見圖1，通過設置在主機體合適位置上的激光連接口用激光導光線(激光耦合線，也是電流導線)與半導體激光合成器的一端相連，半導體激光合成器的另一端還可連接有治療頭15 (光纖頭)，接觸人體表面，進行治療。
[0043]主機體上還可設置與治療控制有關的輔助配件，如與治療控制相關的選擇按鈕或開關按鈕及一些選擇性部件，如功率選擇鍵和治療啟動鍵等。
[0044]開啟電源，泵浦用半導體激光器I輸出的激光通過光學耦合系統(tǒng)2聚焦到激光介質(zhì)晶體4上，激光介質(zhì)晶體受到半導體激光激發(fā)后，產(chǎn)生粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，從而在由反射鏡3和輸出鏡5組成的諧振腔之間產(chǎn)生1300nm?1500nm激光振蕩。產(chǎn)生的1300nm?1500nm激光由輸出鏡5輸出，在倍頻晶體6上發(fā)生頻率變換，產(chǎn)生670nm-700nm紅光激光，產(chǎn)生的紅光激光由反饋鏡7輸出，剩余的1300nm?1500nm激光反射回諧振腔,起腔外反饋作用,提高倍頻晶體上的1300nm?1500nm激光強度。輸出的紅光激光，經(jīng)聚焦透鏡8聚焦到醫(yī)用光纖9的端面，并通過該光纖傳輸?shù)街委煵课?，進行治療。
[0045]具體實施例
[0046]實施例1:
[0047]泵浦用半導體激光器I采用808nm LD (是多根組合的形式)，光學耦合系統(tǒng)2可為常用的LD激光耦合部件，如可以為球面鏡、非球面鏡、二元光學透鏡其中的一種或其組合，并在其通光面制備泵浦光的增透膜。激光介質(zhì)晶體4采用Nd: YV04晶體，平面反射鏡3鍍對808nm增透，對1342nm激光全反射的光學膜，平面輸出鏡5鍍對1342nm部分反射，對671nm全反射的光學膜，倍頻晶體6采用PPLN，平面反饋鏡7鍍對671nm增透，對1342nm全反射的光學膜。
[0048]開啟電源10，泵浦用半導體激光器I輸出的激光通過光學耦合系統(tǒng)2聚焦到激光介質(zhì)晶體4上，激光介質(zhì)晶體4受到半導體激光激發(fā)后，產(chǎn)生粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，從而在由反射鏡3和輸出鏡5組成的諧振腔之間產(chǎn)生1342nm激光振蕩。產(chǎn)生的1342nm激光由輸出鏡5輸出，在倍頻晶體6上發(fā)生頻率變換，產(chǎn)生67Inm紅光激光，產(chǎn)生的67Inm紅光激光由反饋鏡7輸出，剩余的1342nm激光反射回諧振腔，起腔外反饋作用，提高倍頻晶體上的1342nm激光強度。輸出的671nm紅光激光經(jīng)聚焦透鏡8聚焦，注入醫(yī)用光纖端面，通過醫(yī)用光纖9傳導到治療部位。
[0049]實施例2:
[0050]泵浦用半導體激光器I采用880nm LD (是多根組合的形式)，光學耦合系統(tǒng)2可為常用的LD激光耦合部件，如可以為球面鏡、非球面鏡、二元光學透鏡其中的一種或其組合，并在其通光面制備泵浦光的增透膜。激光介質(zhì)晶體4采用Nd:YV04晶體，反射鏡3鍍對880nm增透，對1342nm激光全反射的膜系，輸出鏡5鍍對1342nm部分反射，對671nm全反射的膜系，倍頻晶體6采用LBO晶體，反饋鏡7鍍對671nm增透，對1342nm全反射的膜。
[0051]開啟電源10，泵浦用半導體激光器I輸出的激光通過光學耦合系統(tǒng)2聚焦到激光介質(zhì)晶體4上，激光介質(zhì)晶體4受到半導體激光激發(fā)后，產(chǎn)生粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，從而在由反射鏡3和輸出鏡5組成的諧振腔之間產(chǎn)生1342nm激光振蕩。產(chǎn)生的1342nm激光由輸出鏡5輸出，在倍頻晶體6上發(fā)生頻率變換，產(chǎn)生67Inm紅光激光，產(chǎn)生的67Inm紅光激光由反饋鏡7輸出，剩余的1342nm激光反射回諧振腔，起腔外反饋作用，提高倍頻晶體上的1342nm激光強度。輸出的671nm紅光激光經(jīng)聚焦透鏡8聚焦，注入醫(yī)用光纖9端面，通過醫(yī)用光纖9傳導到治療部位。
[0052]實施例3:
[0053]泵浦用半導體激光器I采用808nm LD (是多根組合的形式)，光學耦合系統(tǒng)2可為常用的LD激光耦合部件，如可以為球面鏡、非球面鏡、二元光學透鏡其中的一種或其組合，并在其通光面制備泵浦光的增透膜。激光介質(zhì)晶體4采用Nd:GdV04晶體，平面反射鏡3鍍對808nm增透，對1340nm激光全反射的膜系，平面輸出鏡5鍍對1340nm部分反射，對670nm全反射的膜系，倍頻晶體6采用PPKTP晶體，平面反饋鏡7鍍對670nm增透，對1340nm全反射的膜。
[0054]開啟電源10，泵浦用半導體激光器I輸出的激光通過光學耦合系統(tǒng)2聚焦到激光介質(zhì)晶體4上，激光介質(zhì)晶體4受到半導體激光激發(fā)后，產(chǎn)生粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，從而在由反射鏡3和輸出鏡5組成的諧振腔之間產(chǎn)生1340nm激光振蕩。產(chǎn)生的1340nm激光由輸出鏡5輸出，在倍頻晶體6上發(fā)生頻率變換，產(chǎn)生670nm紅光激光，產(chǎn)生的670nm紅光激光由反饋鏡7輸出，剩余的1340nm激光反射回諧振腔，起腔外反饋作用，提高倍頻晶體上的1340nm激光強度。輸出的670nm紅光激光經(jīng)聚焦透鏡8聚焦，注入醫(yī)用光纖9端面，通過醫(yī)用光纖9傳導到治療部位。
[0055]以上描述僅是本實用新型的實施方案，對本領域技術人員來說顯然可以做很多改進和變化而不會背離本實用新型的基本精神，所有這些變化和改進都被認為是本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導體激光合成器治療儀，包括:半導體激光器和控制系統(tǒng)，其特征在于， 半導體激光器為半導體激光合成器(11)包括:激光介質(zhì)晶體(4)、用于泵浦激光介質(zhì)晶體的半導體激光器(I)、將半導體激光器(I)輸出的激光聚焦到激光介質(zhì)晶體(4)上的光學耦合系統(tǒng)(2)、使激光介質(zhì)受到半導體激光激發(fā)后，產(chǎn)生粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，從而在諧振腔之間產(chǎn)生基波激光振蕩的反射鏡(3)和輸出鏡(5)、將輸出鏡(5)輸出的諧波激光倍頻為紅光激光的倍頻晶體(6)、將未倍頻的諧波激光反射回激光諧振腔，并輸出產(chǎn)生的用于治療的紅光激光的反饋鏡(7)，用于將輸出的紅光激光聚焦到傳輸光纖(9)的端面，并通過該光纖傳輸?shù)街委煵课唬M行治療的聚焦透鏡⑶；激光介質(zhì)晶體(4)、反射鏡(3)和輸出鏡(5)組成激光諧振腔，倍頻晶體(6)放置于輸出鏡(5)和反饋鏡(7)之間，聚焦透鏡⑶設置于反饋鏡之后; 控制系統(tǒng)包括: 電源模塊(13)，與半導體激光合成器(11)相連，提供所述半導體激光合成器所需工作電源； 半導體激光合成器穩(wěn)定工作模塊(14),與半導體激光合成器(11)、電源模塊(13)和系統(tǒng)控制模塊(12)相連，控制整個系統(tǒng)的穩(wěn)定輸出功率； 系統(tǒng)控制模塊(12),與電源模塊(13)和半導體激光合成器穩(wěn)定工作模塊(14)相連,控制整個系統(tǒng)工作。
2.如權(quán)利要求1所述的半導體激光合成器治療儀，其特征在于:激光介質(zhì)晶體(4)為摻釹激光介質(zhì)晶體，選自Nd: YV04或Nd: GdV04晶體。
3.如權(quán)利要求1所述的半導體激光合成器治療儀，其特征在于:傳輸光纖為用于傳輸紅光激光，并將治療儀輸出的紅光激光引導到治療部位，進行治療的醫(yī)用光纖(9)。
4.如權(quán)利要求1所述的半導體激光合成器治療儀，其特征在于:倍頻晶體選自KTP或LBO 或 PPKTP 或 PPLN 晶體。
5.如權(quán)利要求1所述的半導體激光合成器治療儀，其特征在于:反射鏡的鏡面鍍有對泵浦的半導體激光束高透，對1300nm?1500nm波長全反射的光學膜。
6.如權(quán)利要求1所述的半導體激光合成器治療儀，其特征在于:輸出鏡的鏡片鍍有對1300nm?1500nm波長激光部分反射，對紅光激光全反射的光學膜。
7.如權(quán)利要求1所述的半導體激光合成器治療儀，其特征在于:反饋鏡的鏡片鍍有對1300nm?1500nm波長激光全反射，對紅光激光增透的光學膜。
8.如權(quán)利要求1所述的半導體激光合成器治療儀，其特征在于:半導體激光合成器可發(fā)射強度為650nm - 700nm的紅光激光。
9.如權(quán)利要求1所述的半導體激光合成器治療儀，其特征在于:電源模塊(13)包括:外接電源插座JPl、三端穩(wěn)壓塊Q1、內(nèi)部電池供電系統(tǒng)輸入端JP2、構(gòu)成充電電路的三級管Q3和Q4及用于控制充電的三級管Q9。
10.如權(quán)利要求1所述的半導體激光合成器治療儀，其特征在于:半導體激光合成器穩(wěn)定工作模塊(14)包括:輸出激光合成器穩(wěn)定電源的三級管Q8、提供半導體激光合成器電源輸出插座JP5、比較信號放大的比較器芯片U1、控制功率調(diào)節(jié)作用的三級管Q10、Q11，作為半導體激光合成器電源的三級管Q2，作為信息負反饋，穩(wěn)定輸出功率的三級管Q6。
【文檔編號】A61N5/067GK203829492SQ201420191754
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2014年4月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月18日
【發(fā)明者】瞿國平, 周志華 申請人:深圳天基權(quán)健康科技集團股份有限公司