一種半導(dǎo)體激光合成器治療儀的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明一種半導(dǎo)體激光合成器治療儀，包括：半導(dǎo)體激光合成器和控制系統(tǒng)，半導(dǎo)體激光合成器包括：激光介質(zhì)晶體（4）、半導(dǎo)體激光器（1）、光學(xué)耦合系統(tǒng)(2)、反射鏡（3）和輸出鏡（5）、倍頻晶體（6）、反饋鏡（7），傳輸光纖（9）和聚焦透鏡（8）；激光介質(zhì)晶體（4）、反射鏡（3）和輸出鏡（5）組成激光諧振腔，倍頻晶體（6）放置于輸出鏡（5）和反饋鏡（7）之間，聚焦透鏡（8）設(shè)置于反饋鏡之后；控制系統(tǒng)包括：電源模塊，半導(dǎo)體激光合成器穩(wěn)定工作模塊及系統(tǒng)控制模塊。本發(fā)明采用腔外倍頻加基波反饋技術(shù)并結(jié)合電路控制系統(tǒng)，很好地實(shí)現(xiàn)了效率和穩(wěn)定性兼顧的目的?？捎行в糜诠鈩?dòng)力學(xué)治療，對(duì)鼻腔或穴位進(jìn)行激光照射，用于血管性頭痛和腦梗塞、腦外傷后遺癥及慢性心、腦血管疾病的治療。
【專利說(shuō)明】一種半導(dǎo)體激光合成器治療儀
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于醫(yī)療器械領(lǐng)域，涉及激光治療設(shè)備，特別涉及一種新型半導(dǎo)體激光合成器治療儀。
【背景技術(shù)】
[0002]激光是20世紀(jì)以來(lái)，繼原子能、計(jì)算機(jī)、半導(dǎo)體之后，人類的又一重大發(fā)明，被稱為“最快的刀”、它的原理早在1916年已被著名的美國(guó)物理學(xué)家愛(ài)因斯坦發(fā)現(xiàn)。20世紀(jì)四大發(fā)明是“激光，原子能，半導(dǎo)體，計(jì)算機(jī)”?，F(xiàn)在激光廣泛用于醫(yī)療領(lǐng)域。低強(qiáng)度激光照射治療效果，經(jīng)臨床驗(yàn)證已受到國(guó)內(nèi)外專家的肯定。主要應(yīng)用于治療腦部疾病、心血管疾病、糖尿病、腫瘤、白血病、精神性疾病等等。根據(jù)健康醫(yī)學(xué)發(fā)現(xiàn)，激光激發(fā)的血液熒光主要在600-670納米之間。激發(fā)血液由基態(tài)至激發(fā)態(tài)，由630-650納米的激光作為激光源最有效，治療的效果最好。低強(qiáng)度激光治療對(duì)心血管病前期的預(yù)防和發(fā)病后的恢復(fù)期都有很好的療效。對(duì)于亞健康人群的身體恢復(fù)和人體抗衰老有一定的作用。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，已出現(xiàn)多種半導(dǎo)體激光治療儀，對(duì)疾病的預(yù)防和治療有一定的效果。但大多采用腔內(nèi)倍頻手段，即倍頻晶體放置在激光晶體和反射片之間如 申請(qǐng)人:擁有的一項(xiàng)專利名稱是:“一種激光治療機(jī)”，(專利號(hào):00108495.X)提供了一種670nm激光治療機(jī)。采用這種純腔內(nèi)倍頻技術(shù)，雖然效率高，但功率波動(dòng)大，穩(wěn)定性較差。且較大的功率波動(dòng)性容易給患者造成危害性的傷害。

【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明的目的是解決上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種新型激光合成器治療儀，使其具有較好的功率穩(wěn)定性和較高的效率。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)發(fā)明目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0006]一種半導(dǎo)體激光合成器治療儀，包括:半導(dǎo)體激光器和控制系統(tǒng)，
[0007]半導(dǎo)體激光器為半導(dǎo)體激光合成器包括:激光介質(zhì)晶體、用于泵浦激光介質(zhì)晶體的半導(dǎo)體激光器、將半導(dǎo)體激光器輸出的激光聚焦到激光介質(zhì)晶體上的光學(xué)耦合系統(tǒng)、使激光介質(zhì)受到半導(dǎo)體激光激發(fā)后，產(chǎn)生粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，從而在諧振腔之間產(chǎn)生基波激光振蕩的反射鏡和輸出鏡、將輸出鏡輸出的諧波激光倍頻為紅光激光的倍頻晶體、將未倍頻的諧波激光反射回激光諧振腔，并輸出產(chǎn)生的用于治療的紅光激光的反饋鏡；用于將輸出的紅光激光聚焦到傳輸光纖的端面，并通過(guò)該光纖，傳輸?shù)街委煵课唬M(jìn)行治療的聚焦透鏡；激光介質(zhì)晶體、反射鏡和輸出鏡組成激光諧振腔，倍頻晶體放置于輸出鏡和反饋鏡之間，聚焦透鏡設(shè)置于反饋鏡之后。
[0008]控制系統(tǒng)包括:
[0009]電源模塊，與半導(dǎo)體激光合成器相連，提供所述半導(dǎo)體激光合成器所需工作電源；半導(dǎo)體激光合成器穩(wěn)定工作模塊，與半導(dǎo)體激光合成器、電源模塊和系統(tǒng)控制模塊相連，控制整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定輸出功率；系統(tǒng)控制模塊，與電源模塊和半導(dǎo)體激光合成器模塊相連，控制整個(gè)系統(tǒng)工作。
[0010]所述的半導(dǎo)體激光合成器治療儀，其中:激光介質(zhì)晶體為摻釹激光介質(zhì)晶體，選自 Nd:YV04 或 Nd:GdV04 晶體。
[0011]所述的半導(dǎo)體激光合成器治療儀，其中，傳輸光纖選用醫(yī)用光纖，用于傳輸紅光激光，并將治療儀輸出的紅光激光引導(dǎo)到治療部位，進(jìn)行治療。
[0012]所述的半導(dǎo)體激光合成器治療儀，其中，倍頻晶體可以選自KTP、LB0, PPKTP或PPLN晶體。[0013]所述的半導(dǎo)體激光合成器治療儀，其中，反射鏡的鏡面鍍有對(duì)泵浦的半導(dǎo)體激光束高透，對(duì)1300nm~1500nm波長(zhǎng)全反射的光學(xué)膜。輸出鏡的鏡片鍍有對(duì)1300nm~1500nm波長(zhǎng)激光部分反射，對(duì)紅光激光全反射的光學(xué)膜。反饋鏡的鏡片鍍有對(duì)1300nm~1500nm波長(zhǎng)激光全反射，對(duì)紅光激光增透的光學(xué)膜。
[0014]所述的半導(dǎo)體激光合成器治療儀，其中，半導(dǎo)體激光合成器可發(fā)射強(qiáng)度為650nm_700nm的紅光激光。
[0015]所述的半導(dǎo)體激光合成器治療儀，其中，系統(tǒng)控制模塊包括CPU微處理器，作為半導(dǎo)體激光合成器的核心控制器件，控制整個(gè)系統(tǒng)的工作。該控制模塊還可設(shè)置顯示電路、電源檢測(cè)、報(bào)警電路，其中，可設(shè)置四個(gè)LED燈，3個(gè)LED燈分別用于顯示功率，還有一個(gè)LED燈是工作指示燈，30MIN是電源指示燈。三級(jí)管Q7是電源檢測(cè)1C，當(dāng)電源過(guò)低時(shí)報(bào)警。
[0016]所述的半導(dǎo)體激光合成器治療儀，其中，電源模塊可以設(shè)置為包括:外接電源插座JP1、三端穩(wěn)壓塊Q1、內(nèi)部電池供電系統(tǒng)輸入端JP2、構(gòu)成充電電路的三級(jí)管Q3和Q4及用于控制充電的三級(jí)管Q9。
[0017]所述的半導(dǎo)體激光合成器治療儀，其中，半導(dǎo)體激光合成器穩(wěn)定工作模塊包括:輸出激光合成器穩(wěn)定電源的三級(jí)管Q8、提供半導(dǎo)體激光合成器電源輸出插座JP5、比較信號(hào)放大的比較器芯片U1、控制功率調(diào)節(jié)作用的三級(jí)管Q10、Q11，作為半導(dǎo)體激光合成器電源的三級(jí)管Q2，作為信息負(fù)反饋，穩(wěn)定輸出功率的三級(jí)管Q6。
[0018]本發(fā)明的有益效果
[0019]本發(fā)明半導(dǎo)體激光合成器采用腔外倍頻加基波反饋技術(shù)，綜合了腔外倍頻和腔內(nèi)倍頻技術(shù)的方案，使用倍頻晶體放置在輸出片和反饋鏡之間，該腔型的倍頻技術(shù)解決了激光技術(shù)穩(wěn)定性難題。本發(fā)明技術(shù)既利用了腔外倍頻的優(yōu)良的輸出穩(wěn)定性，又保持了腔內(nèi)倍頻的較高效率，很好地實(shí)現(xiàn)了效率和穩(wěn)定性兼顧的目的。
[0020]同時(shí)，本發(fā)明采用了微處理器(CPU)控制系統(tǒng)和結(jié)合本發(fā)明半導(dǎo)體激光合成器設(shè)置的電路控制系統(tǒng)，可提供安全可靠的治療操作。系統(tǒng)中設(shè)置了半導(dǎo)體激光合成器穩(wěn)定工作模塊，可有效的增強(qiáng)系統(tǒng)的可控功能，保證該激光治療儀具有恒定的輸出功率，并具備穩(wěn)定的性能。
[0021]本發(fā)明激光合成器治療儀，可望在新一代治療儀器上發(fā)揮重要作用?？捎糜诠鈩?dòng)力學(xué)治療，對(duì)鼻腔或穴位進(jìn)行激光照射，用于血管性頭痛和腦梗塞、腦外傷后遺癥及慢性心、腦血管疾病的治療。是一種有效的激光治療設(shè)備。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0022]圖1為本發(fā)明半導(dǎo)體激光合成器治療儀工作原理圖[0023]圖2為半導(dǎo)體激光合成器內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖
[0024]圖3為本發(fā)明控制系統(tǒng)中電源模塊的電路圖
[0025]圖4為本發(fā)明控制系統(tǒng)中控制按鍵的電路圖
[0026]圖5為本發(fā)明控制系統(tǒng)中系統(tǒng)控制模塊和半導(dǎo)體激光合成器模塊的電路圖
[0027]圖1中，11為半導(dǎo)體激光合成器，12為系統(tǒng)控制模塊，13為電源模塊，14為半導(dǎo)體激光合成器穩(wěn)定工作模塊，15為治療頭(光纖頭)。
[0028]圖2中，I為泵浦用半導(dǎo)體激光器，2為光學(xué)耦合系統(tǒng)，3為反射鏡，4為激光介質(zhì)晶體，5為輸出鏡，6為倍頻晶體，7為反饋鏡，8為聚焦透鏡，9為傳輸紅光激光的醫(yī)用光纖。
[0029]圖3中，JPl為外接電源插座，三級(jí)管Ql是三端穩(wěn)壓塊，JP2是內(nèi)部電池供電系統(tǒng)輸入端，三級(jí)管Q3、Q4、構(gòu)成充電電路控制電路，三級(jí)管Q9作為充電控制。
[0030]圖4中，JP4為控制按鍵插座。
[0031]圖5中，單片機(jī)AT89C2051為系統(tǒng)控制模塊中作為CPU微處理器，半導(dǎo)體激光合成器模塊中，三級(jí)管Q8輸出激光合成器穩(wěn)定的電源，芯片Ul是一個(gè)比較器,三級(jí)管Q10、Q11、起控制功率調(diào)節(jié)作用。三級(jí)管Q2是激光頭電源。圖中的“鍵盤(pán)”可接控制按鍵JP4。三級(jí)管Q6作為信息負(fù)反饋，穩(wěn)定輸出功率。
【具體實(shí)施方式】
[0032]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案進(jìn)行說(shuō)明。
[0033]本發(fā)明半導(dǎo)體激光合成器治`療儀包括半導(dǎo)體激光器和控制系統(tǒng)，其中，
[0034]半導(dǎo)體激光器為本發(fā)明的半導(dǎo)體激光合成器，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)見(jiàn)圖2，圖2中，I為泵浦用半導(dǎo)體激光器(LD),可米用多根組合的形式,其輸出波長(zhǎng)為808nm或880nm。2為光學(xué)率禹合系統(tǒng)，可為常用的LD激光耦合部件，如可以為球面鏡、非球面鏡、二元光學(xué)透鏡其中的一種或其組合，并在其通光面制備泵浦光的增透膜。3為反射鏡，可采用球面和平面的結(jié)構(gòu)，鏡上鍍有對(duì)泵浦光高透，對(duì)1300nm~1500nm波長(zhǎng)全反射的反射膜；4為激光介質(zhì)晶體，可以為Nd:YV04*Nd:Gd:V04晶體；5為輸出鏡，采用平面結(jié)構(gòu)，鏡片鍍對(duì)1300nm~1500nm部分反射，對(duì)紅光激光全反射的光學(xué)膜；6為(可帶有溫度控制的)倍頻晶體，可以是KTP、LB0、周期極化KTP (PPKTP)、周期極化鈮酸鋰(PPLN)等非線性變頻晶體；7為反饋鏡，采用平面結(jié)構(gòu)，鏡片鍍有對(duì)1300nm~1500nm激光全反，對(duì)紅光激光增透的光學(xué)膜。8為聚焦透鏡；9為傳輸紅光激光的醫(yī)用光纖，10為泵浦用半導(dǎo)體激光器11的驅(qū)動(dòng)電源。
[0035]本發(fā)明的控制系統(tǒng)包括電源模塊13、系統(tǒng)控制模塊12和激光合成器穩(wěn)定工作模塊14。
[0036]參見(jiàn)圖3，電源模塊13包括外接電源插座JP1、三端穩(wěn)壓塊Q1。電源經(jīng)過(guò)外接電源插座JPl后，其中Ql是三端穩(wěn)壓塊，3端途經(jīng)二極管Dl后輸出電路的供電電壓(VCC)。
[0037]該電源模塊還包括內(nèi)部電池供電系統(tǒng)，JP2是內(nèi)部電池供電系統(tǒng)輸入端，由Q3、Q4、構(gòu)成充電電路控制電路，當(dāng)客戶在使用時(shí)，不充電，當(dāng)客戶停止使用時(shí)，Q3、Q4開(kāi)始工作，此時(shí)才能對(duì)電池充電。三級(jí)管Q9用于充電控制，Q9的集電極與CPU微處理器(AT89C2051)的引腳相接。
[0038]電源模塊13與半導(dǎo)體激光合成器11相連，提供所述半導(dǎo)體激光合成器所需工作電源；[0039]參見(jiàn)圖4，系統(tǒng)控制模塊12包括CPU微處理器，選用單片機(jī)AT89C2051作為半導(dǎo)體激光合成器的核心控制器件，控制整個(gè)系統(tǒng)的工作。該控制模塊還包括顯示電路、電源檢測(cè)、報(bào)警電路，其中，四個(gè)LED燈中3個(gè)分別用于顯示功率，3麗、4MW、5MW，還有一個(gè)是工作指示燈，30MIN是電源指示燈。三級(jí)管Q7是電源檢測(cè)1C，當(dāng)電源過(guò)低時(shí)報(bào)警。
[0040]系統(tǒng)控制模塊12,與電源模塊13和半導(dǎo)體激光合成器穩(wěn)定工作模塊14相連,控制整個(gè)系統(tǒng)工作。
[0041]半導(dǎo)體激光合成器穩(wěn)定工作模塊14包括三級(jí)管Q6、Q8、Q10、Q11、芯片U1、U2等等電路。其中Q8輸出激光合成器穩(wěn)定的電源，JP5是提供激光合成器電源輸出插座,芯片Ul是一個(gè)比較器，比較信號(hào)放大由1腳輸出，三級(jí)管Q10、Q11用于控制功率調(diào)節(jié)作用。Q2是激光頭(半導(dǎo)體激光合成器)電源。圖中的“鍵盤(pán)”接控制按鍵JP4。三級(jí)管Q6用于信息負(fù)反饋，穩(wěn)定輸出功率。三級(jí)管Q6、Q10、QlI的基極分別串聯(lián)電阻接CPU微處理器(AT89C2051)的引腳，三級(jí)管Q6的集電極串聯(lián)電阻與Q2和Ul芯片的引腳相接。
[0042]熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員完全可以按照電路圖來(lái)實(shí)現(xiàn)該控制系統(tǒng)，這里不做另外的文字描述。
[0043]本發(fā)明的控制系統(tǒng)可以設(shè)置在一主機(jī)體內(nèi)。參見(jiàn)圖1，通過(guò)設(shè)置在主機(jī)體合適位置上的激光連接口用激光導(dǎo)光線(激光耦合線，也是電流導(dǎo)線)與半導(dǎo)體激光合成器的一端相連，半導(dǎo)體激光合成器的另一端還可連接有治療頭15 (光纖頭)，接觸人體表面，進(jìn)行治療。
[0044]主機(jī)體上還可設(shè)置與治療控制有關(guān)的輔助配件，如與治療控制相關(guān)的選擇按鈕或開(kāi)關(guān)按鈕及一些選擇性部件，如功率選擇鍵和治療啟動(dòng)鍵等。
[0045]開(kāi)啟電源，半導(dǎo)體激光器I輸出的激光通過(guò)光學(xué)耦合系統(tǒng)2聚焦到激光介質(zhì)晶體4上，激光介質(zhì)晶體受到半導(dǎo)體激光激發(fā)后，產(chǎn)生粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，從而在由反射鏡3和輸出鏡5組成的諧振腔之間產(chǎn)生1300nm~1500nm激光振蕩。產(chǎn)生的1300nm~1500nm激光由輸出鏡5輸出，在倍頻晶體6上發(fā)生頻率變換，產(chǎn)生670nm-700nm紅光激光，產(chǎn)生的紅光激光由反饋鏡7輸出，剩余的1300nm~1500nm激光反射回諧振腔,起腔外反饋?zhàn)饔?，提高倍頻晶體上的1300nm~1500nm激光強(qiáng)度。輸出的紅光激光，經(jīng)聚焦透鏡8聚焦到醫(yī)用光纖9的端面，并通過(guò)該光纖傳輸?shù)街委煵课?，進(jìn)行治療。
具體實(shí)施例
[0046]實(shí)施例1:
[0047]泵浦用半導(dǎo)體激光器I采用808nm LD (是多根組合的形式)，光學(xué)耦合系統(tǒng)2可為常用的LD激光耦合部件，如可以為球面鏡、非球面鏡、二元光學(xué)透鏡其中的一種或其組合，并在其通光面制備泵浦光的增透膜。激光介質(zhì)晶體4采用Nd: YV04晶體，平面反射鏡3鍍對(duì)808nm增透，對(duì)1342nm激光全反射的光學(xué)膜，平面輸出鏡5鍍對(duì)1342nm部分反射，對(duì)671nm全反射的光學(xué)膜，倍頻晶體6采用PPLN，平面反饋鏡7鍍對(duì)671nm增透，對(duì)1342nm全反射的光學(xué)膜。
[0048]開(kāi)啟電源10，泵浦用半導(dǎo)體激光器I輸出的激光通過(guò)光學(xué)耦合系統(tǒng)2聚焦到激光介質(zhì)晶體4上，激光介質(zhì)晶體4受到半導(dǎo)體激光激發(fā)后，產(chǎn)生粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，從而在由反射鏡3和輸出鏡5組成的諧振腔之間產(chǎn)生1342nm激光振蕩。產(chǎn)生的1342nm激光由輸出鏡5輸出，在倍頻晶體6上發(fā)生頻率變換，產(chǎn)生67Inm紅光激光，產(chǎn)生的67Inm紅光激光由反饋鏡7輸出，剩余的1342nm激光反射回諧振腔，起腔外反饋?zhàn)饔?，提高倍頻晶體上的1342nm激光強(qiáng)度。輸出的671nm紅光激光經(jīng)聚焦透鏡8聚焦，注入醫(yī)用光纖端面，通過(guò)醫(yī)用光纖9傳導(dǎo)到治療部位。
[0049]實(shí)施例2:
[0050]泵浦用半導(dǎo)體激光器I采用880nm LD (是多根組合的形式)，光學(xué)耦合系統(tǒng)2可為常用的LD激光耦合部件，如可以為球面鏡、非球面鏡、二元光學(xué)透鏡其中的一種或其組合，并在其通光面制備泵浦光的增透膜。激光介質(zhì)晶體4采用Nd: YV04晶體，反射鏡3鍍對(duì)880nm增透，對(duì)1342nm激光全反射的膜系，輸出鏡5鍍對(duì)1342nm部分反射，對(duì)671nm全反射的膜系，倍頻晶體6采用LBO晶體，反饋鏡7鍍對(duì)671nm增透，對(duì)1342nm全反射的膜。
[0051]開(kāi)啟電源10，泵浦用半導(dǎo)體激光器I輸出的激光通過(guò)光學(xué)耦合系統(tǒng)2聚焦到激光介質(zhì)晶體4上，激光介質(zhì)晶體4受到半導(dǎo)體激光激發(fā)后，產(chǎn)生粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，從而在由反射鏡3和輸出鏡5組成的諧振腔之間產(chǎn)生1342nm激光振蕩。產(chǎn)生的1342nm激光由輸出鏡5輸出，在倍頻晶體6上發(fā)生頻率變換，產(chǎn)生67Inm紅光激光，產(chǎn)生的67Inm紅光激光由反饋鏡7輸出，剩余的1342nm激光反射回諧振腔，起腔外反饋?zhàn)饔?，提高倍頻晶體上的1342nm激光強(qiáng)度。輸出的671nm紅光激光經(jīng)聚焦透鏡8聚焦，注入醫(yī)用光纖9端面，通過(guò)醫(yī)用光纖9傳導(dǎo)到治療部位。[0052]實(shí)施例3:
[0053]泵浦用半導(dǎo)體激光器I采用808nm LD (是多根組合的形式)，光學(xué)耦合系統(tǒng)2可為常用的LD激光耦合部件，如可以為球面鏡、非球面鏡、二元光學(xué)透鏡其中的一種或其組合，并在其通光面制備泵浦光的增透膜。激光介質(zhì)晶體4采用Nd:GdV04晶體，平面反射鏡3鍍對(duì)808nm增透，對(duì)1340nm激光全反射的膜系，平面輸出鏡5鍍對(duì)1340nm部分反射，對(duì)670nm全反射的膜系，倍頻晶體6采用PPKTP晶體，平面反饋鏡7鍍對(duì)670nm增透，對(duì)1340nm全反射的膜。
[0054]開(kāi)啟電源10，泵浦用半導(dǎo)體激光器I輸出的激光通過(guò)光學(xué)耦合系統(tǒng)2聚焦到激光介質(zhì)晶體4上，激光介質(zhì)晶體4受到半導(dǎo)體激光激發(fā)后，產(chǎn)生粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，從而在由反射鏡3和輸出鏡5組成的諧振腔之間產(chǎn)生1340nm激光振蕩。產(chǎn)生的1340nm激光由輸出鏡5輸出，在倍頻晶體6上發(fā)生頻率變換，產(chǎn)生670nm紅光激光，產(chǎn)生的670nm紅光激光由反饋鏡7輸出，剩余的1340nm激光反射回諧振腔，起腔外反饋?zhàn)饔?，提高倍頻晶體上的1340nm激光強(qiáng)度。輸出的670nm紅光激光經(jīng)聚焦透鏡8聚焦，注入醫(yī)用光纖9端面，通過(guò)醫(yī)用光纖9傳導(dǎo)到治療部位。
[0055]以上描述僅是本發(fā)明的實(shí)施方案，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)顯然可以做很多改進(jìn)和變化而不會(huì)背離本發(fā)明的基本精神，所有這些變化和改進(jìn)都被認(rèn)為是本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體激光合成器治療儀，包括:半導(dǎo)體激光器和控制系統(tǒng)，其特征在于， 半導(dǎo)體激光器為半導(dǎo)體激光合成器(11)包括:激光介質(zhì)晶體(4)、用于泵浦激光介質(zhì)晶體的半導(dǎo)體激光器(I)、將半導(dǎo)體激光器(I)輸出的激光聚焦到激光介質(zhì)晶體(4)上的光學(xué)耦合系統(tǒng)(2)、使激光介質(zhì)受到半導(dǎo)體激光激發(fā)后，產(chǎn)生粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，從而在諧振腔之間產(chǎn)生基波激光振蕩的反射鏡(3)和輸出鏡(5)、將輸出鏡(5)輸出的諧波激光倍頻為紅光激光的倍頻晶體(6)、將未倍頻的諧波激光反射回激光諧振腔，并輸出產(chǎn)生的用于治療的紅光激光的反饋鏡(7)，用于將輸出的紅光激光聚焦到傳輸光纖(9)的端面,并通過(guò)該光纖,傳輸?shù)街委煵课?，進(jìn)行治療的聚焦透鏡(8);激光介質(zhì)晶體(4)、反射鏡(3)和輸出鏡(5)組成激光諧振腔，倍頻晶體(6)放置于輸出鏡(5)和反饋鏡(7)之間，聚焦透鏡(8)設(shè)置于反饋鏡之后; 控制系統(tǒng)包括: 電源模塊(13)，與半導(dǎo)體激光合成器(11)相連，提供所述半導(dǎo)體激光合成器所需工作電源； 半導(dǎo)體激光合成器穩(wěn)定工作模塊(14),與半導(dǎo)體激光合成器(11)、電源模塊(13)和系統(tǒng)控制模塊(12)相連，控制整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定輸出功率； 系統(tǒng)控制模塊(12),與電源模塊(13)和半導(dǎo)體激光合成器穩(wěn)定工作模塊(14)相連,控制整個(gè)系統(tǒng)工作。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光合成器治療儀，其特征在于:激光介質(zhì)晶體(4)為摻釹激光介質(zhì)晶體，選自Nd: YV04、Nd: GdV04晶體。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光合成器治療儀，其特征在于:傳輸光纖為用于傳輸紅光激光，并將治療儀輸出的紅光激光引導(dǎo)到治療部位，進(jìn)行治療的醫(yī)用光纖(9)。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光合成器治療儀，其特征在于:倍頻晶體選自KTP、LBO、PPKTP 或 PPLN 晶體。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光合成器治療儀，其特征在于:反射鏡的鏡面鍍有對(duì)泵浦的半導(dǎo)體激光束高透，對(duì)1300nm~1500nm波長(zhǎng)全反射的光學(xué)膜。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光合成器治療儀，其特征在于:輸出鏡的鏡片鍍有對(duì)1300nm~1500nm波長(zhǎng)激光部分反射，對(duì)紅光激光全反射的光學(xué)膜。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光合成器治療儀，其特征在于:反饋鏡的鏡片鍍有對(duì)1300nm~1500nm波長(zhǎng)激光全反射，對(duì)紅光激光增透的光學(xué)膜。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光合成器治療儀，其特征在于:半導(dǎo)體激光合成器可發(fā)射強(qiáng)度為650nm - 700nm的紅光激光。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光合成器治療儀，其特征在于:電源模塊(13)包括:外接電源插座JPl、三端穩(wěn)壓塊Ql、內(nèi)部電池供電系統(tǒng)輸入端JP2、構(gòu)成充電電路的三級(jí)管Q3和Q4及用于控制充電的三級(jí)管Q9。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光合成器治療儀，其特征在于:半導(dǎo)體激光合成器穩(wěn)定工作模塊(14)包括:輸出激光合成器穩(wěn)定電源的三級(jí)管Q8、提供半導(dǎo)體激光合成器電源輸出插座JP5、比較信號(hào)放大的比較器芯片U1、控制功率調(diào)節(jié)作用的三級(jí)管Q10、Q11，作為半導(dǎo)體激光合成器電源的三級(jí)管Q2，作為信息負(fù)反饋，穩(wěn)定輸出功率的三級(jí)管Q6。
【文檔編號(hào)】A61N5/067GK103877679SQ201410158335
【公開(kāi)日】2014年6月25日 申請(qǐng)日期:2014年4月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月18日
【發(fā)明者】瞿國(guó)平, 周志華 申請(qǐng)人:深圳天基權(quán)健康科技集團(tuán)股份有限公司