有機(jī)x射線檢測(cè)器組合件其制作方法
【專利摘要】公開一種x射線檢測(cè)器組合件，其包括具有多個(gè)電觸點(diǎn)的安裝基板，該安裝基板包括集成電路和電路板其中之一。x射線檢測(cè)器組合件還包括安裝基板頂面的第一部分上構(gòu)圖的第一電極，其中第一電極電耦合到多個(gè)電觸點(diǎn)。有機(jī)光電二極管層在第一電極頂上形成，并且具有電連接到第一電極的底面。第二電極耦合到有機(jī)光電二極管層的頂面，以及閃爍器耦合到第二電極。
【專利說明】有機(jī)X射線檢測(cè)器組合件其制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]一般來說，本發(fā)明的實(shí)施例涉及診斷成像，更具體來說，涉及有機(jī)X射線檢測(cè)器組合件以及用于制造有機(jī)X射線檢測(cè)器組合件的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]通常，在計(jì)算機(jī)控制斷層掃描(CT)成像系統(tǒng)中，X射線源將扇形束發(fā)射到受檢者或?qū)ο蟆⒗缁颊呋蛐欣罴?。下文中，術(shù)語“受檢者”和“對(duì)象”將包括能夠被成像的任何物體。具體來說，X射線源中包含的X射線管在焦點(diǎn)放射X射線束。射束經(jīng)受檢者衰減之后照射到輻射或X射線檢測(cè)器陣列上。
[0003]在已知CT系統(tǒng)中，X射線束經(jīng)過患者前置準(zhǔn)直儀從X射線源投射，其中患者前置準(zhǔn)直儀限定患者軸或Z軸的X射線束剖面。準(zhǔn)直儀通常包括X射線吸收材料，其中具有用于限制X射線束的孔徑。
[0004]一般來說，X射線源和檢測(cè)器陣列圍繞成像平面中的掃描架并且圍繞受檢者旋轉(zhuǎn)，使得X射線束與受檢者相交的角度恒定地變化。以一個(gè)掃描架角度來自檢測(cè)器陣列的一組X射線衰減測(cè)量結(jié)果、即投影數(shù)據(jù)稱作“視圖”。受檢者的“掃描”包括在X射線源和檢測(cè)器的一次旋轉(zhuǎn)期間以不同掃描架角度或視圖角度所形成的視圖集合。
[0005]這種CT成像系統(tǒng)的X射線檢測(cè)器通常按照以焦斑為中心的圓弧來配置。這類檢測(cè)器包括附加準(zhǔn)直儀，以用于準(zhǔn)直在檢測(cè)器所接收的X射線束，以聚焦到焦斑。
[0006]常規(guī)CT檢測(cè)器還包括閃爍器組件以及與準(zhǔn)直儀相鄰的光電二極管組件。閃爍器組件在接收射線照相能量時(shí)發(fā)光，以及光電二極管組件檢測(cè)閃爍器組件的發(fā)光，并且提供作為發(fā)光強(qiáng)度的函數(shù)的電信號(hào)。閃爍器組件的各閃爍器元件將X射線轉(zhuǎn)換成光能，并且將光能排放到相鄰光電二極管元件。由各閃爍器元件所發(fā)射的光是照射到閃爍器元件上的X射線的數(shù)量以及X射線的能級(jí)的函數(shù)。
[0007]典型CT檢測(cè)器的光電二極管組件使用剛性半導(dǎo)體材料、例如硅來制造。CT檢測(cè)器中的各光電二極管元件檢測(cè)光能，并且生成作為對(duì)應(yīng)光電二極管元件所發(fā)射的光的函數(shù)的對(duì)應(yīng)電信號(hào)。由光電二極管元件所生成的電信號(hào)指示由各閃爍器元件所接收的經(jīng)衰減射束。光電二極管元件的輸出然后傳送給數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，供圖像重構(gòu)。
[0008]所生成的X射線圖像中的各像素基于來自單獨(dú)光電二極管元件的輸出信號(hào)來形成，其通過接合到光電二極管元件的專用電通道饋送到圖像處理單元。因此，高分辨率圖像檢測(cè)器(即，具有充分高于10000像素的檢測(cè)器)包括穿過光電二極管陣列的表面或者貫穿光電二極管陣列中的內(nèi)層以將相應(yīng)光電二極管元件電耦合到數(shù)字讀出電子器件和/或?qū)Ｓ眉呻娐?ASIC)的電通道的復(fù)雜圖案。包括電通道和接合片的檢測(cè)器的表面部分形成檢測(cè)器表面的靜區(qū)。電極層固定到半導(dǎo)體材料的頂側(cè)和/或底側(cè)的接觸點(diǎn)，以創(chuàng)建電圖案。
[0009]部分由于大量導(dǎo)體通道以及光電二極管元件與數(shù)字讀出電子器件之間的連接，具有硅光電二極管的高分辨率CT圖像檢測(cè)器的制造和構(gòu)圖是復(fù)雜和昂貴的。此外，大量相應(yīng)的剛性光電二極管元件與閃爍器元件對(duì)的精確對(duì)齊進(jìn)一步增加制造成本和復(fù)雜度。
[0010]因此，期望設(shè)計(jì)一種用于CT成像系統(tǒng)的檢測(cè)器，其克服了常規(guī)CT圖像檢測(cè)器的上述缺點(diǎn)。還期望降低與制作CT圖像檢測(cè)器關(guān)聯(lián)的成本。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]按照本發(fā)明的一個(gè)方面，一種X射線檢測(cè)器組合件包括具有多個(gè)電觸點(diǎn)的安裝基板，該安裝基板包括集成電路和電路板其中之一。X射線檢測(cè)器組合件還包括安裝基板頂面的第一部分上構(gòu)圖的第一電極，其中第一電極電耦合到多個(gè)電觸點(diǎn)。有機(jī)光電二極管層在第一電極頂上形成，并且具有電連接到第一電極的底面。第二電極耦合到有機(jī)光電二極管層的頂面，以及閃爍器耦合到第二電極。
[0012]按照本發(fā)明的另一方面，一種制造計(jì)算機(jī)斷層掃描(CT)系統(tǒng)的X射線檢測(cè)器組合件的方法包括提供安裝基板，該安裝基板包括專用集成電路(ASIC)和電路板其中之一。該方法還包括在安裝基板的頂面的第一部分對(duì)底電極構(gòu)圖，使得底電極電耦合到安裝基板的電連接。此外，該方法包括采用有機(jī)光電二極管溶液來涂敷底電極，在有機(jī)光電二極管溶液上設(shè)置頂電極，并且將閃爍器陣列光學(xué)耦合到頂電極。
[0013]按照本發(fā)明的另一方面，計(jì)算機(jī)斷層掃描(CT)檢測(cè)器組合件包括具有剛性半導(dǎo)體光電二極管基板的第一檢測(cè)器子組合件以及耦合到第一檢測(cè)器組合件的第二檢測(cè)器子組合件。第二檢測(cè)器子組合件包括:柔性基板層，具有經(jīng)過其厚度所形成的多個(gè)導(dǎo)電通孔；第一電極，具有耦合到多個(gè)導(dǎo)電通孔的底面；以及有機(jī)光電二極管層，具有耦合到第一電極的頂面的底面。第二檢測(cè)器子組合件還包括:第二電極，具有耦合到有機(jī)光電二極管層的頂面的底面；以及閃爍器陣列，耦合到第二電極的頂面。
[0014]按照本公開的第一方面，提供一種X射線檢測(cè)器組合件，包括:
安裝基板，包括多個(gè)電觸點(diǎn)，所述安裝基板包括集成電路和電路板其中之一；
在所述安裝基板頂面的第一部分上構(gòu)圖的第一電極，其中所述第一電極電耦合到所述多個(gè)電觸點(diǎn)；
有機(jī)光電二極管層，在所述第一電極頂上形成，并且具有電連接到所述第一電極的底面；
第二電極，耦合到所述有機(jī)光電二極管層的頂面；以及閃爍器，耦合到所述第二電極。
[0015]按照第一方面的X射線檢測(cè)器組合件，還包括所述安裝基板與所述有機(jī)光電二極管層之間的平面化層，所述平面化層包括聚酰亞胺、丙烯酸酯和硅其中之一。
[0016]按照第一方面的X射線檢測(cè)器組合件，還包括設(shè)置在所述安裝基板與所述有機(jī)光電二極管層之間的焊接掩模層。
[0017]按照第一方面的X射線檢測(cè)器組合件，其中，所述安裝基板包括FR-4基板。
[0018]按照第一方面的X射線檢測(cè)器組合件，還包括耦合到所述安裝基板的底面的專用集成電路(ASIC)。
[0019]按照第一方面的X射線檢測(cè)器組合件，其中，所述安裝基板包括ASIC。
[0020]按照第一方面的X射線檢測(cè)器組合件，其中，所述頂電極包括透明未構(gòu)圖層。
[0021]按照第一方面的X射線檢測(cè)器組合件，其中，所述有機(jī)光電二極管層包括施主材料和受主材料；
其中所述施主材料包括低帶隙聚合物；以及所述受主材料包括富勒烯材料。
[0022]按照第一方面的X射線檢測(cè)器組合件，其中，所述施主材料具有大于或等于4.9eV的最高占據(jù)分子軌道(HOMO)。
[0023]按照第一方面的X射線檢測(cè)器組合件，其中，所述富勒烯材料包括苯基-C61- 丁酸甲酯(PCBM)。
[0024]按照本公開的第二方面，提供一種制造用于計(jì)算機(jī)斷層掃描(CT)系統(tǒng)的X射線檢測(cè)器組合件的方法，包括:
提供安裝基板，所述安裝基板包括專用集成電路(ASIC)和電路板其中之一；
在所述安裝基板的頂面的第一部分上對(duì)底電極構(gòu)圖，使得所述底電極電耦合到所述安裝基板的電連接；
采用有機(jī)光電二極管溶液來涂敷所述底電極；
將頂電極設(shè)置在所述有機(jī)光電二極管溶液上；以及將閃爍器陣列光耦合到所述頂電極。
[0025]按照第二方面的方法，還包括采用所述有機(jī)光電二極管溶液來涂敷所述安裝基板的頂面的第二部分。
[0026]按照第二方面的方法，還包括:
在對(duì)所述底電極構(gòu)圖之前，將平滑層沉積在所述安裝基板上；
形成經(jīng)過所述平滑層的通孔的圖案，所述通孔圖案與所述安裝基板的所述電連接對(duì)齊；以及
在所述平滑層的頂面上并且經(jīng)過所述多個(gè)通孔對(duì)所述底電極構(gòu)圖。
[0027]按照第二方面的方法，還包括混合低帶隙聚合物、富勒烯材料和溶劑，以形成所述有機(jī)光電二極管溶液。
[0028]按照第二方面的方法，還包括:
將所述頂電極設(shè)置在覆蓋所述有機(jī)光電二極管溶液的頂面的連續(xù)層中；以及對(duì)所述底電極構(gòu)圖，以形成多個(gè)檢測(cè)器像素。
[0029]按照本公開的第三方面，提供一種計(jì)算機(jī)斷層掃描(CT)檢測(cè)器組合件，包括:
第一檢測(cè)器子組合件，包括剛性半導(dǎo)體光電二極管基板；以及
第二檢測(cè)器子組合件，耦合到所述第一檢測(cè)器子組合件，所述第二檢測(cè)器子組合件包括:
柔性基板層，具有經(jīng)過其厚度所形成的多個(gè)導(dǎo)電通孔；
第一電極，具有耦合到所述多個(gè)導(dǎo)電通孔的底面；
有機(jī)光電二極管層，具有耦合到所述第一電極的頂面的底面；
第二電極，具有耦合到所述有機(jī)光電二極管層的頂面的底面；以及閃爍器陣列，耦合到所述第二電極的頂面。
[0030]按照第三方面的CT檢測(cè)器組合件，其中，第二檢測(cè)器子組合件還包括:
第一檢測(cè)器段，耦合到所述第一檢測(cè)器段的第一側(cè)；以及
第二檢測(cè)器段，耦合到第一檢測(cè)器段的第二側(cè)。 按照第三方面的CT檢測(cè)器組合件，還包括至少一個(gè)，其中所述頂電極包括透明未構(gòu)圖層。
[0031]按照第三方面的CT檢測(cè)器組合件，其中，所述有機(jī)光電二極管層包括:
施主材料，包括低帶隙聚合物；以及
受主材料，包括富勒烯材料。
[0032]按照第三方面的CT檢測(cè)器組合件，還包括耦合到所柔性基板層的底面的專用集成電路(ASIC)。
[0033]通過以下詳細(xì)描述和附圖，將使各種其它特征和優(yōu)點(diǎn)顯而易見。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0034]附圖示出當(dāng)前考慮用于執(zhí)行本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
[0035]附圖包括:
圖1是CT成像系統(tǒng)的不圖。
[0036]圖2是圖1所示系統(tǒng)的示意框圖。
[0037]圖3是CT系統(tǒng)檢測(cè)器組合件的一個(gè)實(shí)施例的透視圖。
[0038]圖4是按照本發(fā)明的一實(shí)施例的檢測(cè)器組合件的頂視圖。
[0039]圖5是按照本發(fā)明的一實(shí)施例、結(jié)合圖4的檢測(cè)器組合件的成像系統(tǒng)的一部分的側(cè)視圖。
[0040]圖6是按照本發(fā)明的一實(shí)施例、圖4的檢測(cè)器組合件的一部分的截面圖。
[0041]圖7是按照本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例、圖4的檢測(cè)器組合件的一部分的截面圖。
[0042]圖8是按照本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例、圖4的檢測(cè)器組合件的一部分的截面圖。
[0043]圖9是按照本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例、圖4的檢測(cè)器組合件的一部分的截面圖。
[0044]圖10是按照本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例、圖4的檢測(cè)器組合件的一部分的截面圖。
[0045]圖11示出按照本發(fā)明的一實(shí)施例、用于制造CT成像系統(tǒng)的檢測(cè)器組合件的技術(shù)。
[0046]圖12是按照本發(fā)明的一備選實(shí)施例的檢測(cè)器組合件的示意側(cè)視圖。
[0047]圖13是按照本發(fā)明的一備選實(shí)施例的檢測(cè)器組合件的示意側(cè)視圖。
[0048]圖14是供與無創(chuàng)包裹檢查系統(tǒng)配合使用的CT系統(tǒng)的示圖。

【具體實(shí)施方式】
[0049]針對(duì)64層面計(jì)算機(jī)斷層掃描(CT)系統(tǒng)來描述本發(fā)明的操作環(huán)境。但是，本領(lǐng)域的技術(shù)人員會(huì)理解，本發(fā)明同樣可適合與其它多層面配置配合使用。另外，雖然針對(duì)供與CT系統(tǒng)配合使用的圖像重構(gòu)技術(shù)來描述本發(fā)明的實(shí)施例，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會(huì)知道，本文所提出的概念并不局限于CT，而是能夠適用于與醫(yī)療領(lǐng)域和非醫(yī)療領(lǐng)域中的其它成像形態(tài)(例如X射線系統(tǒng)、PET系統(tǒng)、SPECT系統(tǒng)、MR系統(tǒng)或者它們的任何組合)配合使用的重構(gòu)技術(shù)。此外，將針對(duì)X射線的檢測(cè)和轉(zhuǎn)換來描述本發(fā)明。但是，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還會(huì)理解，本發(fā)明同樣可適用于其它高頻電磁能量的檢測(cè)和轉(zhuǎn)換。將針對(duì)“第三代”CT掃描儀來描述本發(fā)明，但是本發(fā)明對(duì)其它CT系統(tǒng)同樣是可適用的。
[0050]參照?qǐng)D1，計(jì)算機(jī)斷層掃描(CT)成像系統(tǒng)10示為包括代表“第三代” CT掃描儀的掃描架12，。掃描架12具有X射線源14，其將X射線束投射到掃描架12的相對(duì)側(cè)的檢測(cè)器組合件或準(zhǔn)直儀16?，F(xiàn)在參照?qǐng)D2，檢測(cè)器組合件16由多個(gè)檢測(cè)器或檢測(cè)器模塊18和數(shù)據(jù)獲取系統(tǒng)(DAS) 20來形成。多個(gè)檢測(cè)器18感測(cè)經(jīng)過內(nèi)科病人24的所投射x射線22，并且DAS 20將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)供后續(xù)處理。各檢測(cè)器18產(chǎn)生模擬電信號(hào)，其表示照射X射線束的強(qiáng)度并且因而表示經(jīng)過患者24時(shí)的經(jīng)衰減射束。在獲取X射線投影數(shù)據(jù)的掃描期間，掃描架12和其上安裝的組件繞旋轉(zhuǎn)中心26旋轉(zhuǎn)。
[0051]掃描架12的旋轉(zhuǎn)和X射線源14的操作由CT系統(tǒng)10的控制機(jī)構(gòu)28來管理?？刂茩C(jī)構(gòu)28包括:X射線控制器30，向X射線源14提供電力和定時(shí)信號(hào)；以及掃描架電動(dòng)機(jī)控制器32，控制掃描架12的轉(zhuǎn)速和位置。圖像重構(gòu)器或計(jì)算機(jī)處理器34從DAS 20接收經(jīng)取樣和數(shù)字化的X射線數(shù)據(jù)，并且執(zhí)行高速重構(gòu)。將重構(gòu)圖像作為輸入應(yīng)用于計(jì)算機(jī)36，其將圖像存儲(chǔ)在大容量存儲(chǔ)裝置38中。
[0052]計(jì)算機(jī)36還經(jīng)由控制臺(tái)40接收來自操作員的命令和掃描參數(shù)，其中控制臺(tái)40具有某種形式的操作員接口，例如鍵盤、鼠標(biāo)、語音激活控制器或者任何其它適當(dāng)?shù)妮斎朐O(shè)備。關(guān)聯(lián)顯示器42允許操作員觀察來自計(jì)算機(jī)36的重構(gòu)圖像和其它數(shù)據(jù)。操作員提供的命令和參數(shù)由計(jì)算機(jī)36用來向DAS 20、X射線控制器30和掃描架電動(dòng)機(jī)控制器32提供控制信號(hào)和信息。另外，計(jì)算機(jī)36操作臺(tái)架電動(dòng)機(jī)控制器44，其控制電動(dòng)臺(tái)架46以定位患者24和掃描架12。
[0053]如圖3所示，檢測(cè)器組合件16包括軌道48，其之間放置了準(zhǔn)直片或板50。板50定位成在X射線22照射到例如圖4的檢測(cè)器54 (其定位在檢測(cè)器組合件16上)之前對(duì)這類射束進(jìn)行準(zhǔn)直。
[0054]現(xiàn)在參照?qǐng)D4，按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，示出示范檢測(cè)器組合件56、例如圖1的檢測(cè)器組合件16的示意頂視圖。檢測(cè)器組合件56包括閃爍器陣列54，其由能夠?qū)射線轉(zhuǎn)換成可見光的磷光材料組成。在一個(gè)實(shí)施例中，由閃爍器陣列54所發(fā)射的光的波長區(qū)的范圍從大約360 nm至大約830 nm。按照一個(gè)實(shí)施例，閃爍器陣列54包括57個(gè)閃爍器組58，各閃爍器組58具有尺寸大約I _的60X16像素元件60的陣列大小。因此，檢測(cè)器組合件56具有64行和912列(16X57個(gè)檢測(cè)器)，其允許隨掃描架12的每次旋轉(zhuǎn)而收集64個(gè)并發(fā)數(shù)據(jù)層面。閃爍器組58定位在具有多個(gè)光電二極管元件64的有機(jī)光電二極管陣列62(圖6)上。
[0055]圖5示出包括檢測(cè)器組合件56的成像系統(tǒng)72、例如圖1的CT成像系統(tǒng)10的一部分的側(cè)視圖。成像系統(tǒng)72包括X射線源74，其配置成繞可旋轉(zhuǎn)掃描架78的旋轉(zhuǎn)中心76旋轉(zhuǎn)。當(dāng)從X射線源74所發(fā)射的高速電子碰撞X射線源74的靶部分(未示出)的表面時(shí)，產(chǎn)生X射線束80。X射線束80經(jīng)過患者82，并且照射到檢測(cè)器組合件56上。如圖5所示，檢測(cè)器組合件56具有沿成像系統(tǒng)72的y方向的凸曲率。在一個(gè)實(shí)施例中，檢測(cè)器組合件56還可構(gòu)造成具有沿成像系統(tǒng)72的面內(nèi)或z方向的凸曲率。
[0056]現(xiàn)在共同參照?qǐng)D4和圖5，檢測(cè)器組合件56包括:閃爍器陣列54 ;在柔性基板84上形成的光電二極管陣列62 ；以及ASIC層86，包括接合到柔性基板84的多個(gè)單獨(dú)半導(dǎo)體芯片。如所示，檢測(cè)器組合件56與X射線源74對(duì)齊，使得X射線束80經(jīng)過內(nèi)科病人82，并且照射到閃爍器陣列54的頂面88。閃爍器陣列54包括多個(gè)單獨(dú)閃爍器元件像素元件60，其沿閃爍器陣列54的表面按照行和通道的圖案所設(shè)置。有機(jī)光電二極管陣列62包括與閃爍器陣列54的各相應(yīng)閃爍器元件對(duì)應(yīng)的多個(gè)單獨(dú)光電二極管元件64(圖6)。
[0057]在成像系統(tǒng)72的操作期間，照射在閃爍器陣列54的像素元件60中的x射線生成穿過閃爍器組58的光子，由此生成模擬信號(hào)，其在光電二極管陣列62中的光電二極管兀件64(圖6)上檢測(cè)。電耦合到光電二極管陣列62的一個(gè)或多個(gè)電讀出器90將ASIC 86所接收的電信號(hào)傳送給數(shù)據(jù)獲取系統(tǒng)92、例如圖2的DAS 20。數(shù)據(jù)獲取系統(tǒng)92將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)，其被傳送給圖像重構(gòu)器、例如圖像重構(gòu)器34(圖2)供重構(gòu)。
[0058]圖6是按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例檢測(cè)器組合件94的一部分的放大截面圖，示出檢測(cè)器組合件56的分層結(jié)構(gòu)。構(gòu)建過程開始于提供ASIC 86，其具有在ASIC 86的頂面98所形成的可選焊接掩模層96 (以虛線示出)。柔性基板84然后在可選焊接掩模層96 (若使用的話)的頂面100上或者在省略可選焊接掩模層96的實(shí)施例中在ASIC 86的頂面98上形成。按照各個(gè)實(shí)施例，柔性基板84是薄的柔性材料，例如玻璃或塑料基板。柔性基板84可以是例如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚丁烯酞酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚醚砜、聚丙烯酯、聚酰亞胺、聚環(huán)烯烴、降冰片烯樹脂和含氟聚合物、諸如不銹鋼、鋁、銀和金之類的金屬、諸如氧化鈦和氧化鋅之類的金屬氧化物以及例如硅等半導(dǎo)體。按照一個(gè)實(shí)施例，柔性基板84的厚度范圍是大約50微米至數(shù)百微米。
[0059]透孔104的圖案經(jīng)過柔性基板84的厚度來形成。在一個(gè)實(shí)施例中，透孔104通過激光鉆孔來形成。如所示，透孔104貫穿基板84的頂面108與底面110之間所限定的柔性基板84的厚度106。透孔104然后填充有導(dǎo)電材料以形成導(dǎo)電通孔112，其電耦合到ASIC86的電觸點(diǎn)114。陽極層或底電極116設(shè)置在柔性基板84的頂面108的第一部分118。按照一個(gè)實(shí)施例，底電極在柔性基板84上使用例如薄膜沉積或電鍍技術(shù)來構(gòu)圖。底電極116由導(dǎo)電和透明材料(例如，諸如鋁、銅、銀、金之類的金屬以及例如氧化銦錫(ITO)等透明導(dǎo)體氧化物)來形成。
[0060]底電極116以及柔性基板84的頂面108的外露第二部分120涂敷有有機(jī)光電二極管材料122。有機(jī)光電二極管材料122形成連續(xù)未構(gòu)圖體異質(zhì)結(jié)有機(jī)光電二極管層，其吸收光、分離電荷并且向底電極116傳輸空穴和電子。按照各個(gè)實(shí)施例，有機(jī)光電二極管材料122可作為單層或多層疊層來形成。
[0061]在多層疊層實(shí)施例中，有機(jī)光電二極管材料122可包括電子阻擋層,其在多層疊層的頂面或底面形成。按照各個(gè)實(shí)施例，電子阻抗層可包括芳香叔胺和聚合芳香叔胺。用于電子阻擋層的適當(dāng)材料的示例包括聚-TH)(聚(4- 丁基苯基-聯(lián)苯-胺)、聚(N，N’ - 二(4-丁基苯基)-N，N’-二(苯基)聯(lián)苯胺、4，4’，N，N’-聯(lián)苯咔唑、1，3，5-三(3-甲基聯(lián)苯)苯、N，N’ - 二(1-亞萘基)-N-N’ -二(苯基聯(lián)苯胺)、N，N’-二-(3-甲基苯基)-N，N’-二(苯基)聯(lián)苯胺、N，N’ -二 (2-naphtalenyl)-N-Nj -二 _ (苯基聯(lián)苯胺)、4，4’，4，，-三(N，N-苯基-3-甲基苯基氨基)三苯胺、聚[9，9-二辛基芴基-2，7-二基)-共-(N，N’二 - (4- 丁基苯基-1,1’-亞聯(lián)苯基 _4，4- 二胺)]、聚(N，N’ - 二(4- 丁基苯基)-N, N’ - 二(苯基)聯(lián)苯胺、聚[(9，9-己二基芴基-2，7-亞基)-共-(N，N’ 二 {p- 丁基苯基}-1, 4- 二胺-亞苯基)]、附0、厘003、三-?-甲苯基胺、4，4' ,4''-三[苯基(m-甲苯基)氨基]三苯胺、4，4' ,4''-三[2-萘基(苯基)氨基]二苯胺、1，3，5-三[(3-甲基苯基)苯基氨基]苯、1，3，5-三(2-(9-乙基咔唑基-3)乙烯)苯、1，3，5-三(二苯胺)苯、三[4_( 二乙基氨基)苯基]胺、三(4-咔唑-9-基苯基)胺、鐵氧酞菁，錫(IV) 2，3-二氯化萘酞菁、N，N，N' ，N'-四苯基-萘-2，6-二胺、四-N-苯基聯(lián)苯胺、N，N，N' ,N'-四(2-萘基)聯(lián)苯胺、N，N，N' ,N'-四(3-甲基苯基)-3，3' -二甲基聯(lián)苯胺、N，N，N' ,N'-四(4-甲氧苯基)聯(lián)苯胺、聚(2-乙烯萘)、聚(2-乙烯咔唑)、聚(N-乙基-2-乙烯咔唑)、聚(銅酞菁)、聚[二(4-苯基)(2，4，6_三甲基苯基)胺]、二吡嗪并[2，3-f:2'，3' _h]喹喔啉-2，3，6，7，10，11-六腈 99%、N，N'-聯(lián)苯-N，N' -二 _p_ 四苯基苯 _1，4-二胺、4-( 二苯胺)苯醛二苯基腙、N，N' -二(2-萘基-N，N'-聯(lián)苯)_1，1'-聯(lián)苯_4，4' -二胺、9，9_ 二甲基-N，N' -二(1-萘基)_N，N'-聯(lián)苯-9!1-芴-2，7-二胺、2，2' -二甲基 _N，N' -二-[(1-萘基)_N，N'-聯(lián)苯]_1，Γ -聯(lián)苯-4,4' - 二胺、4_( 二芐基氨基)苯醛-N，N-聯(lián)苯-腙、4，4'-亞環(huán)己基二 [N，N-二(4-甲基苯基)苯胺]、N，N' -二(菲-9-某基)-Ν，Ν' -二(苯基)-聯(lián)苯胺、N，N' -二(3-甲基苯基)-N，N' - 二苯基聯(lián)苯胺、4，4' -二(3-乙基-N-咔唑基)-1，I'-聯(lián)苯、1，4-二(二苯胺)苯、4，4' -二(N-咔唑基)-1,1'-聯(lián)苯、4，4' -二(N-咔唑基)-1，I'-聯(lián)苯以及1,3-二(N-咔唑基)苯。在一些實(shí)施例中，施主材料可用作電子阻擋層材料，以及電荷阻抗層可以不存在。
[0062]類似地，可選空穴阻抗層可在多層疊層的相對(duì)表面來形成?？蛇x空穴阻擋層(未示出)可設(shè)置在有機(jī)光電二極管材料122上。用于空穴阻擋層的適當(dāng)材料包括鄰二氮雜菲化合物，例如2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1、10-鄰二氮雜菲(BCP)。
[0063]按照一個(gè)實(shí)施例，有機(jī)光電二極管材料122包括包含低帶隙聚合物的施主材料、包含富勒烯材料的受主材料以及溶劑的混合物。施主和受主材料的最高占據(jù)分子軌道(HOMO)和最低未占據(jù)分子軌道(LUMO)等級(jí)與可選電子阻擋層、可選空穴阻擋層以及在有機(jī)光電二極管材料122上形成的透明頂電極126相容，以便允許有效提取而沒有創(chuàng)建高能勢(shì)壘。吸收體包含富勒烯材料、低帶隙聚合物和溶劑。溶劑對(duì)濃度范圍溶解施主和受主材料，并且產(chǎn)生預(yù)期膜微結(jié)構(gòu)和厚度。溶劑材料的非限制性示例包括1，2-二氯苯、氯苯、二甲苯、甲基萘或者其組合。
[0064]適當(dāng)?shù)氖┲鞑牧峡梢允抢鏛UMO的范圍從大約3.1 eV至大約3.5 eV以及HOMO的范圍從大約4.9 eV至大約5.5 eV的低帶隙聚合物。低帶隙聚合物包括共軛聚合物和共聚物，其由從單雜環(huán)和聚雜環(huán)單體所組成，例如噻吩、芴、亞苯基乙烯、咔唑、吡咯并吡咯以及包含噻吩環(huán)的融合雜環(huán)單體，包括但不限于噻吩并噻吩、苯并二噻吩、苯并噻二唑、吡咯噻吩單體及其取代類似體。用作按照本發(fā)明的有機(jī)X射線檢測(cè)器中的低帶隙聚合物的適當(dāng)材料的示例包括例如從噻吩并噻吩和苯并噻二唑單體所衍生的共聚物，例如取[[4，8- 二[(2-乙基己基)氧基]苯并[1，2~b: 4, 5_b’ ] 二喔吩-2，6-亞基][3-氣代-2_[ (2-乙基己基)羰基]噻吩并[3，4-b] (PTB7)，以及從咔唑、噻吩和苯并噻二唑單體所衍生的共聚物，例如2，1,3-苯并噻二唑-4，7-亞基[4，4-二(2-乙基己基)-4H-環(huán)戊二烯并[2，l-b:3，4_b’]二噻吩-2，6-亞基(PCPDTBT)和聚[[9-(1-辛基壬基)-9H-咔唑-2，7-亞基]-2，5-三噻吩亞基_2，I, 3-苯并噻二唑-4，7-亞基-2，5-三噻吩亞基](PCDTBT)。
[0065]按照各個(gè)實(shí)施例，有機(jī)光電二極管材料122的受主材料可包括例如富勒烯衍生物、例如[6，6]-苯基-C61- 丁酸甲酯(PCBM)，PCBM類似物、例如PC71BM和二 -PC71BM以及茚-C6tl 二加合物(ICBA)。也可單獨(dú)使用或者與富勒烯材料配合使用芴共聚物，例如聚[(9，9-二辛基芴基-2，7-亞基)-&1卜(4，7-二(3-己基噻吩-5-yl)_2，1，3-苯并噻二唑)-2，，2，，-亞基](F8TBT)。
[0066]如所示，閃爍器陣列54設(shè)置在透明頂電極126上。按照各個(gè)實(shí)施例，透明頂電極126可以是薄蒸發(fā)金屬層、濺射透明導(dǎo)電聚合物(TCO)材料或者溶液涂敷導(dǎo)體。在一優(yōu)選實(shí)施例中，頂電極126作為有機(jī)光電二極管材料122的頂面128上的連續(xù)未構(gòu)圖層來形成。備選地，透明頂電極126可按照?qǐng)D案在有機(jī)光電材料122頂上劃分。頂電極126是傳導(dǎo)材料，其具有相容能級(jí)，以允許電子的提取而沒有提取的勢(shì)壘，在從閃爍器陣列54的發(fā)射的波長是透明，優(yōu)選地在對(duì)可見光的透射方面較高而在電阻值方面較低。用于透明頂電極126的適當(dāng)材料作為示例包括透明導(dǎo)體氧化物(TCO)和諸如金和銀之類的金屬的薄膜。適當(dāng)TCO的示例包括ITO (其具有低電阻和透明性)、IZO、AZO、FT0, SnO2, T12和ZnO。
[0067]柔性基板層84、導(dǎo)體通孔112、底電極116、有機(jī)光電二極管材料層122和透明頂電極126共同形成有機(jī)光電二極管陣列62。
[0068]可選保護(hù)或勢(shì)壘層124(以虛線示出)可定位在閃爍器陣列54與透明頂電極126之間，如圖6所示。按照一個(gè)實(shí)施例，勢(shì)壘層124可包括硅、金屬氧化物、金屬氮化物及其組合中的至少一個(gè)，其中金屬是銦、錫、鋅、鈦和鋁其中之一。金屬氮化物和金屬氧化物的非限制性示例包括氧化銦鋅(IZO)、氧化銦錫(ITO)、氧化娃、氮化娃、氧氮化娃、氧化招、氧氮化招、氧化鋅、氧化銦、氧化錫、氧化鎘錫、氧化鎘和氧化鎂。
[0069]另外，可提供可選粘合層130(以虛線示出)，以將閃爍器陣列54耦合到透明頂電極126?？蛇x粘合層130可以是例如透明環(huán)氧樹脂或壓敏粘合劑。
[0070]圖7示出按照本發(fā)明的一備選實(shí)施例的檢測(cè)器組合件132的一部分。將適當(dāng)?shù)叵鄬?duì)于相同參考標(biāo)號(hào)來論述針對(duì)圖6所述的檢測(cè)器組合件94共同的元件和組件。在圖7所示的實(shí)施例中，底電極116直接在ASIC 86的頂面98上與電觸點(diǎn)114對(duì)應(yīng)的頂面98的區(qū)域中構(gòu)圖。如所示，底電極116卷繞并且封裝電觸點(diǎn)114。有機(jī)光電二極管材料122然后沉積在底電極116和ASIC 86頂上，以封裝底電極116以及ASIC 86的頂面98與電觸點(diǎn)114和底電極116相鄰的非接觸部分134。
[0071]現(xiàn)在參照?qǐng)D8，按照本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，示出檢測(cè)器組合件136的一部分。再次將適當(dāng)?shù)叵鄬?duì)于相同參考標(biāo)號(hào)來論述針對(duì)圖6所述的檢測(cè)器組合件94共同的元件和組件。除了與檢測(cè)器組合件94共同的組件之外，檢測(cè)器組合件136還包括平滑層或平面化層138，其使用聚酰亞胺、丙烯酸酯或者低溶劑含量硅(作為非限制性示例)來形成。按照各個(gè)實(shí)施例，平面化層138可直接沉積到ASIC 86的頂面98上，或者可在可選焊接掩模層96 (以虛線示出)頂上形成。平面化層138在有機(jī)光電二極管材料122的沉積之前使ASIC86的表面平滑。通孔140在電觸點(diǎn)114的位置蝕刻到平面化層138中。底電極116然后在平面化層138的頂面142上形成，并且貫穿通孔140以創(chuàng)建與電觸點(diǎn)114的電連接。
[0072]圖9示出按照一備選實(shí)施例的檢測(cè)器組合件144的一部分。再次將適當(dāng)?shù)叵鄬?duì)于與圖6中使用的相同參考標(biāo)號(hào)來論述針對(duì)圖6所述的檢測(cè)器組合件94共同的元件和組件。如所示，檢測(cè)器組合件144包括設(shè)置在ASIC 86的頂面98上的焊接掩模層96。底電極116然后在焊接掩模層96的頂面100上形成，并且貫穿焊接掩模層96中的開口 146，以與電觸點(diǎn)114耦合。
[0073]現(xiàn)在參照?qǐng)D10，按照包括電路板150的一備選實(shí)施例，示出檢測(cè)器組合件148的一部分。為了其組件的獨(dú)立電觸點(diǎn)的清楚起見，在圖10中以局部分解截面圖來示出檢測(cè)器組合件148。此外，適當(dāng)?shù)叵鄬?duì)于相同參考標(biāo)號(hào)來論述檢測(cè)器組合件56(圖6)的部分94共同的那些元件和組件。
[0074]檢測(cè)器組合件148包括三個(gè)子組合件:閃爍器陣列54、有機(jī)光電二極管組合件152和ASIC 86。首先參照有機(jī)光電二極管陣列152，電路板150包括經(jīng)過電路板150的厚度156所形成的多個(gè)導(dǎo)電通孔154。在一個(gè)實(shí)施例中，電路板150包括纖維增強(qiáng)塑料基板或FR-4基板，其中具有銅透穿孔和焊接觸點(diǎn)。底電極層116在電路板150的頂面158上與導(dǎo)電通孔154對(duì)應(yīng)的位置來構(gòu)圖。有機(jī)光電二極管材料122然后沉積在底電極116以及電路板150的頂面158的外露部分之上。透明頂電極126覆蓋有機(jī)光電二極管材料122的頂面128。按照備選實(shí)施例，可選焊接掩模層、例如圖9的焊接掩模層96可定位在電路板150與有機(jī)光電材料122之間。接著有機(jī)光電二極管材料122的沉積以及透明頂電極126的形成，ASIC 86可使用回流焊接或?qū)w粘合劑來結(jié)合到有機(jī)光電二極管陣列152，以及閃爍器陣列54可使用透明環(huán)氧樹脂或壓敏粘合劑來附連到有機(jī)光電二極管陣列152。
[0075]如本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會(huì)知道，圖7-10所示的實(shí)施例可包括可選勢(shì)壘層124和可選粘合層130中的任一個(gè)或兩者。
[0076]圖11示出按照本發(fā)明的一實(shí)施例、用于制作檢測(cè)器組合件、例如檢測(cè)器組合件56的技術(shù)160。技術(shù)160在框162開始于提供基底基板或安裝基板。按照各個(gè)實(shí)施例，安裝基板可以是例如圖6柔性基板84等的柔性基板、例如圖7所示ASIC 86等的ASIC、其上形成了焊接掩模層、例如圖9的ASIC 86/焊接掩模層96的ASIC或者與圖10的電路板150相似的電路板。在安裝基板是柔性基板的實(shí)施例中，框162還包括使用例如激光消融過程在柔性基板84中形成透孔104的步驟。在可選框164 (以虛線示出)，平滑層或平面化層(例如圖8的平面化層138)在安裝基板的頂面形成，并且透穿孔經(jīng)過平面化層的厚度來形成。在框166，底電極116經(jīng)過金屬化并且在安裝基板的頂面、平面化層的頂面或者焊接掩模層的頂面來構(gòu)圖，這取決于實(shí)施例。更具體來說，在例如針對(duì)圖6和圖7所述的沒有包括平面化層的實(shí)施例中，底電極116直接構(gòu)圖到安裝基板上。在例如圖9所示實(shí)施例等的包括焊接掩模層但是沒有包括平面化層的實(shí)施例中，底電極116直接構(gòu)圖到焊接掩模的頂面上。此外，在例如圖8所示的包括平面化層的實(shí)施例中，底電極116直接構(gòu)圖到平面化層的頂面上。底電極116表示有機(jī)光電二極管陣列62的制作期間用來形成檢測(cè)器像素的單層構(gòu)圖，由此降低制造成本和復(fù)雜度。
[0077]在框168，有機(jī)光電二極管材料122施加到底電極116以及安裝基板(在沒有焊接掩?；蚱矫婊瘜拥膶?shí)施例中)、焊接層(在沒有平面化層的實(shí)施例中)或者平面化層的外露部分。在一些實(shí)施例中，可選電子阻擋層在設(shè)置有機(jī)光電二極管材料122的步驟之前設(shè)置在底電極116上。為了防止沖失，在其上涂敷有機(jī)光電二極管材料122之前，電子阻抗層可通過熱方式或通過輻射進(jìn)行交聯(lián)。交聯(lián)過程可設(shè)計(jì)成在聚合物材料用作柔性基板84時(shí)，防止基板變形或裝置損壞。備選地，可選電子阻抗層可由正交溶劑(orthogonal solvent)、即不會(huì)分解光電二極管材料122的材料的溶劑來覆蓋。
[0078]按照各個(gè)實(shí)施例，有機(jī)光電二極管材料122可使用溶液涂層或薄膜蒸發(fā)過程來涂敷到柔性基板84 (或者被使用時(shí)的電子阻抗層)上。接著光電二極管材料122的溶液涂層，透明頂電極126在框172濺射沉積到有機(jī)光電二極管材料122的表面。在一個(gè)實(shí)施例中，透明頂電極126作為覆蓋有機(jī)光電材料122的頂面128的未構(gòu)圖連續(xù)層來形成。
[0079]在可選框174 (以虛線示出)，勢(shì)壘層124在有機(jī)光電二極管材料122上形成。在勢(shì)壘層124在設(shè)置透明頂電極126的步驟之前設(shè)置在光電二極管材料122上的實(shí)施例中，陰極126通過濺射或者任何其它適當(dāng)方法直接設(shè)置在勢(shì)壘層124上。
[0080]閃爍器陣列54然后在框176光耦合到透明頂電極126。按照各個(gè)實(shí)施例，閃爍器陣列54可采取透明頂電極126上設(shè)置的絲網(wǎng)或薄膜形式而存在。在閃爍器材料擴(kuò)散在聚合物膜中的情況下，閃爍器陣列54可經(jīng)由壓敏粘合劑附連到透明頂電極126。產(chǎn)品電子器件然后可使用焊盤或TAB接合技術(shù)來接合到檢測(cè)器組合件56，并且組裝到產(chǎn)品外殼中。
[0081]在安裝基板是電路板或柔性基板的實(shí)施例中，安裝基板可在可選框178(以虛線示出)安裝到ASIC，使得安裝基板的電連接電耦合到ASIC的電連接。
[0082]在某些應(yīng)用中，有機(jī)光電二極管材料的性能特性可能不合乎需要。例如，有機(jī)光電二極管材料可能沒有呈現(xiàn)對(duì)CT系統(tǒng)所預(yù)期的預(yù)期時(shí)間、譜或線性度特性。相應(yīng)地，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，跨越圖5的檢測(cè)器組合件56的整個(gè)寬度的連續(xù)光電二極管柔性基板可采用例如圖12所示的檢測(cè)器組合件180來替代，其包括有機(jī)光電二極管檢測(cè)器模塊和常規(guī)剛性硅檢測(cè)器模塊的組合，如以下所述。
[0083]如圖12所示，檢測(cè)器組合件180使用一個(gè)或多個(gè)柔性檢測(cè)器子組合件182和一個(gè)或多個(gè)剛性光電二極管檢測(cè)器子組合件184的組合來制作。在一個(gè)實(shí)施例中，檢測(cè)器組合件180的中心部分186是常規(guī)剛性CT檢測(cè)器基板188，其包括由剛性半導(dǎo)體材料、例如硅所形成的光電二極管組合件。按照各個(gè)實(shí)施例，檢測(cè)器組合件180的第一和第二側(cè)檢測(cè)器部分190、192包括有機(jī)光電二極管材料，并且可按照與針對(duì)檢測(cè)器組合件部分94(圖6)、檢測(cè)器組合件部分132 (圖7)、檢測(cè)器組合件部分136 (圖8)或者檢測(cè)器組合件部分144 (圖9)所述的相似方式來制作。在一個(gè)示范實(shí)施例中，第一和第二側(cè)檢測(cè)器部分190、192包括直接沉積在柔性基板84上的有機(jī)光電二極管陣列62。閃爍器陣列54然后定位在有機(jī)光電二極管陣列62和剛性檢測(cè)器基板188的相應(yīng)頂面194、196頂上。
[0084]雖然圖12示出包括在中心剛性光電二極管檢測(cè)器子組合件的兩個(gè)柔性檢測(cè)器子組合件的檢測(cè)器組合件180，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會(huì)知道，檢測(cè)器組合件180可基于各種設(shè)計(jì)規(guī)范、使用柔性和剛性檢測(cè)器子組合件的備選組合來設(shè)置。例如，在圖13所示的一個(gè)備選實(shí)施例中，檢測(cè)器組合件198包括多個(gè)單獨(dú)獨(dú)立柔性檢測(cè)器模塊200和多個(gè)單獨(dú)獨(dú)立剛性檢測(cè)器模塊202，其中各柔性檢測(cè)器模塊200具有閃爍器組、有機(jī)光電二極管陣列以及與針對(duì)圖6-10所述的實(shí)施例的任一個(gè)相似的對(duì)應(yīng)讀出電子器件。在一示范實(shí)施例中，各剛性檢測(cè)器模塊202是常規(guī)CT檢測(cè)器模塊，其包括具有閃爍器組、背光剛性硅光電二極管陣列、連接中介層和ASIC(具有焊接掩模層和其上形成的焊料塊接合片)的由頂至下設(shè)置的多層疊層。雖然模塊200、202在圖13中按照交替圖案示出，但是按照各個(gè)實(shí)施例，模塊200,202可按照任何數(shù)量的備選圖案來設(shè)置。
[0085]有益地，本發(fā)明的實(shí)施例采用溶液涂敷有機(jī)光電二極管完全或部分取代檢測(cè)器組合件中通常使用的剛性硅光電二極管晶圓。溶液涂敷有機(jī)光電二極管的使用實(shí)現(xiàn)檢測(cè)器組合件的光電二極管層直接沉積到包括ASIC或電路板的多種低成本安裝基板上。
[0086]現(xiàn)在參照?qǐng)D14，包裹/行李檢驗(yàn)系統(tǒng)500包括可旋轉(zhuǎn)掃描架502，其中具有開口504，包裹或行李件可通過其中?？尚D(zhuǎn)掃描架502包含高頻電磁能量源506以及具有由與圖4所示相似的閃爍器單元所組成的閃爍器陣列的檢測(cè)器組合件508。還提供傳送系統(tǒng)510，它包括傳送帶512，其由結(jié)構(gòu)514支承以自動(dòng)連續(xù)地使包裹或行李件516通過開口504，以便進(jìn)行掃描。對(duì)象516由傳送帶512經(jīng)過開口 504饋送，然后獲取成像數(shù)據(jù)，以及傳送帶512以可控和連續(xù)的方式從開口 504取下包裹516。因此，郵政檢驗(yàn)人員、行李搬運(yùn)人員和其它安全人員可通過無創(chuàng)方式來檢查包裹516的內(nèi)含物中的炸藥、刀、槍支、違禁品坐寸ο
[0087]本領(lǐng)域的技術(shù)人員會(huì)理解，本發(fā)明的實(shí)施例可與其上存儲(chǔ)了計(jì)算機(jī)程序的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)進(jìn)行接口并且由其控制。計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)包括多個(gè)組件，例如一個(gè)或多個(gè)電子組件、硬件組件和/或計(jì)算機(jī)軟件組件。這些組件可包括一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其一般存儲(chǔ)諸如軟件、固件和/或匯編語言之類的指令，以用于執(zhí)行序列的一個(gè)或多個(gè)實(shí)現(xiàn)或?qū)嵤├囊粋€(gè)或多個(gè)部分。這些計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)一般是非暫時(shí)和/或有形的。這種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)的示例包括計(jì)算機(jī)和/或存儲(chǔ)裝置的可記錄數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)可采用例如磁、電、光、生物和/或原子數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的一個(gè)或多個(gè)。此外，這類介質(zhì)可采取例如軟盤、磁帶、⑶-ROM、DVD-ROM、硬盤驅(qū)動(dòng)器和/或電子存儲(chǔ)器的形式。未列示的其它形式的非暫時(shí)和/或有形計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)可與本發(fā)明的實(shí)施例配合使用。
[0088]在系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，能夠組合或分離多個(gè)這類組件。此外，這類組件可以是采用多種編程語言的任一種來編寫或?qū)崿F(xiàn)的一組和/或一系列計(jì)算機(jī)指令，這是本領(lǐng)域的技術(shù)人員會(huì)理解的。另外，例如載波等的其它形式的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可用于體現(xiàn)表示指令序列的計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)信號(hào)，指令序列在由一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)運(yùn)行時(shí)使一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)執(zhí)行序列的一個(gè)或多個(gè)實(shí)現(xiàn)或?qū)嵤├囊粋€(gè)或多個(gè)部分。
[0089]因此，按照一個(gè)實(shí)施例，一種X射線檢測(cè)器組合件包括具有多個(gè)電觸點(diǎn)的安裝基板，該安裝基板包括集成電路和電路板其中之一。X射線檢測(cè)器組合件還包括安裝基板頂面的第一部分上構(gòu)圖的第一電極，其中第一電極電耦合到多個(gè)電觸點(diǎn)。有機(jī)光電二極管層在第一電極頂上形成，并且具有電連接到第一電極的底面。第二電極耦合到有機(jī)光電二極管層的頂面，以及閃爍器耦合到第二電極。
[0090]按照本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，一種制造計(jì)算機(jī)斷層掃描(CT)系統(tǒng)的X射線檢測(cè)器組合件的方法包括提供安裝基板，該安裝基板包括專用集成電路(ASIC)和電路板其中之一。該方法還包括在安裝基板的頂面的第一部分對(duì)底電極構(gòu)圖，使得底電極電耦合到安裝基板的電連接。此外，該方法包括采用有機(jī)光電二極管溶液來涂敷底電極，在有機(jī)光電二極管溶液上設(shè)置頂電極，并且將閃爍器陣列光學(xué)耦合到頂電極。
[0091]按照又一個(gè)實(shí)施例，計(jì)算機(jī)斷層掃描(CT)檢測(cè)器組合件包括具有剛性半導(dǎo)體光電二極管基板的第一檢測(cè)器子組合件以及耦合到第一檢測(cè)器組合件的第二檢測(cè)器子組合件。第二檢測(cè)器子組合件包括:柔性基板層，具有經(jīng)過其厚度所形成的多個(gè)導(dǎo)電通孔；第一電極，具有耦合到多個(gè)導(dǎo)電通孔的底面；以及有機(jī)光電二極管層，具有耦合到第一電極的頂面的底面。第二檢測(cè)器子組合件還包括:第二電極，具有耦合到有機(jī)光電二極管層的頂面的底面；以及閃爍器陣列，耦合到第二電極的頂面。
[0092]本書面描述使用示例來公開本發(fā)明，其中包括最佳模式，以及還使本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)嵤┍景l(fā)明，包括制作和使用任何裝置或系統(tǒng)并且執(zhí)行任何結(jié)合的方法。本發(fā)明的專利范圍由權(quán)利要求書來定義，并且可包括本領(lǐng)域的技術(shù)人員想到的其它示例。如果這類其它示例具有與權(quán)利要求書的文字語言完全相同的結(jié)構(gòu)元件，或者如果它們包括具有與權(quán)利要求書的文字語言的非實(shí)質(zhì)差異的等效結(jié)構(gòu)元件，則它們意在落入權(quán)利要求書的范圍



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【權(quán)利要求】
1.一種X射線檢測(cè)器組合件，包括: 安裝基板，包括多個(gè)電觸點(diǎn)，所述安裝基板包括集成電路和電路板其中之一； 在所述安裝基板頂面的第一部分上構(gòu)圖的第一電極，其中所述第一電極電耦合到所述多個(gè)電觸點(diǎn)； 有機(jī)光電二極管層，在所述第一電極頂上形成，并且具有電連接到所述第一電極的底面； 第二電極，耦合到所述有機(jī)光電二極管層的頂面；以及 閃爍器，耦合到所述第二電極。
2.如權(quán)利要求1所述的X射線檢測(cè)器組合件，還包括所述安裝基板與所述有機(jī)光電二極管層之間的平面化層，所述平面化層包括聚酰亞胺、丙烯酸酯和硅其中之一。
3.如權(quán)利要求1所述的X射線檢測(cè)器組合件，還包括設(shè)置在所述安裝基板與所述有機(jī)光電二極管層之間的焊接掩模層。
4.如權(quán)利要求1所述的X射線檢測(cè)器組合件，其中，所述安裝基板包括FR-4基板。
5.如權(quán)利要求4所述的X射線檢測(cè)器組合件，還包括耦合到所述安裝基板的底面的專用集成電路(ASIC)。
6.如權(quán)利要求1所述的X射線檢測(cè)器組合件，其中，所述安裝基板包括ASIC。
7.如權(quán)利要求1所述的X射線檢測(cè)器組合件，其中，所述頂電極包括透明未構(gòu)圖層。
8.如權(quán)利要求1所述的X射線檢測(cè)器組合件，其中，所述有機(jī)光電二極管層包括施主材料和受主材料； 其中所述施主材料包括低帶隙聚合物；以及 所述受主材料包括富勒烯材料。
9.如權(quán)利要求8所述的X射線檢測(cè)器組合件，其中，所述施主材料具有大于或等于4.9eV的最高占據(jù)分子軌道(HOMO)。
10.如權(quán)利要求8所述的X射線檢測(cè)器組合件，其中，所述富勒烯材料包括苯基-C61-丁酸甲酯(PCBM)。
【文檔編號(hào)】A61B6/03GK104414674SQ201410433906
【公開日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2014年8月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月29日
【發(fā)明者】A.J.庫圖爾, M.謝普肯斯, A.伊赫勒夫 申請(qǐng)人:通用電氣公司