專利名稱：一種基于最小阻抗頻率的腦部水腫變化測量裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及醫(yī)療測量領(lǐng)域，特別涉及一種測量腦部水腫變化的裝置。
背景技術(shù)：
在臨床醫(yī)學上，腦水腫(腦梗塞和腦出血)是近年國內(nèi)發(fā)病率和死亡率均進入前三位的常見致死性病變。搶救是否及時，是挽救生命和減少后遺癥的關(guān)鍵。臨床腦水腫主要通過CT、常規(guī)磁共振(MRI)及MRI彌散加權(quán)成像(DWI)等方式檢測，雖可準確判斷瞬時腦水腫的范圍和程度，在臨床過程中，缺乏實時的水腫演變信息。由于CT的放射性，CT不能長期使用，是不適合用做臨床監(jiān)護。近年研究表明，從腦出血開始到48小時以內(nèi)，有大約30% -50%的病人的出血仍在繼續(xù)。另外，出血48小時-72小時后，血腫周圍的腦組織開始出現(xiàn)水腫，以后水腫繼續(xù)·發(fā)展數(shù)周，使神經(jīng)細胞逐漸凋亡，所以，在腦水腫發(fā)生和發(fā)展的數(shù)周內(nèi)的治療與用藥，是拯救病人和預后是否良好的關(guān)鍵。中國實用新型專利
公開日為2003年5月28日，公開號為CN1419889A，實用新型創(chuàng)造名稱為“無創(chuàng)臨床監(jiān)測顱內(nèi)水腫的方法”，公開了一種無創(chuàng)臨床監(jiān)測顱內(nèi)水腫的方法，診斷腦積水時，大多數(shù)醫(yī)生利用頭部CT或MRI掃描。另一方面，目前監(jiān)測技術(shù)主要包括侵入性的方法，如顱內(nèi)壓監(jiān)測，腰穿(LP)，或使用在腦脊液中插入電極測量腦脊液阻抗。在這些程序中，一個洞是必需的，以評估顱內(nèi)環(huán)境，有時LP可引起腦疝死亡。近日，基于醫(yī)用超聲技術(shù)的經(jīng)顱超聲(TCS)已經(jīng)開發(fā)了無創(chuàng)性評估腦積水的技術(shù)，但是上述方法都沒有提供24個小時床旁監(jiān)護。因此急需一種對腦部組織引起的水腫情況進行測量裝。

實用新型內(nèi)容有鑒于此，本實用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種對腦部組織引起的水腫情況進行測量裝置。該裝置根據(jù)不同腦組織阻抗擁有不同的電容量，通過測量腦部組織阻抗的變化可以表明大腦情況的變化。本實用新型的目的是提出一種對腦部組織引起的水腫情況進行測量裝。本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的本實用新型提供的一種基于最小阻抗頻率的腦部水腫變化測量裝置，包括信號發(fā)生器、發(fā)射電極、接收電極、信號處理器和顯示單元，所述信號發(fā)生器，用于生成設(shè)定的電磁波；所述發(fā)射電極，用于向人腦發(fā)射信號編碼發(fā)生產(chǎn)生的電磁波；所述接收電極，用于接收穿過人腦的電磁波信號；所述信號處理器，用于處理分析接收電極所接收的電磁波信號；所述顯示單元，用于顯示信號處理器輸出的信號。進一步，還包括頻率調(diào)節(jié)裝置，所述頻率調(diào)節(jié)裝置與發(fā)射電極連接，用于改變發(fā)射電極發(fā)出的電磁波的頻率。[0015]進一步，所述信號處理器根據(jù)傳輸線的特性阻抗Ztl值、傳輸線的長度I值以及獲得的在距離I處的測量阻抗Z(I)并按照以下公式來計算負載阻抗的處理器
權(quán)利要求1.一種基于最小阻抗頻率的腦部水腫變化測量裝置，其特征在于包括信號發(fā)生器、發(fā)射電極、接收電極、信號處理器和顯示單元， 所述信號發(fā)生器，用于生成設(shè)定的電磁波； 所述發(fā)射電極，用于向人腦發(fā)射信號編碼發(fā)生產(chǎn)生的電磁波； 所述接收電極，用于接收穿過人腦的電磁波信號； 所述信號處理器，用于處理分析接收電極所接收的電磁波信號； 所述顯示單元，用于顯示信號處理器輸出的信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基于最小阻抗頻率的腦部水腫變化測量裝置，其特征在于還包括頻率調(diào)節(jié)裝置，所述頻率調(diào)節(jié)裝置與發(fā)射電極連接，用于改變發(fā)射電極發(fā)出的電磁波的頻率。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基于最小阻抗頻率的腦部水腫變化測量裝置，其特征在于所述信號處理器根據(jù)傳輸線的特性阻抗Ztl值、傳輸線的長度I值以及獲得的在距離I處的測量阻抗Z(I)并按照以下公式來計算負載阻抗的處理器z =z Z(J )- JZu tan(/c/)L — 0 Z0-JZ(l)tm(kl) ' 其中，4是被測量的負載阻抗，Ztl是傳輸線的特性阻抗，Z(I)表示在距離I處的測量阻抗，々=仍是波數(shù)，ω是電磁波的角頻率，μ是導磁系數(shù)，ε是介電常數(shù)，tan (kl)是周期函數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于最小阻抗頻率的腦部水腫變化測量裝置，其特征在于所述傳輸線采用1/4波長的光纜。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于最小阻抗頻率的腦部水腫變化測量裝置，其特征在于所述傳輸線為具有不同特性阻抗Ztl的細制銅線電纜。
專利摘要本實用新型公開了一種基于最小阻抗頻率的腦部水腫變化測量裝置，包括用于生成設(shè)定的電磁波的信號發(fā)生器、用于向人腦發(fā)射信號編碼發(fā)生產(chǎn)生的電磁波的發(fā)射電極、用于接收穿過人腦的電磁波信號的接收電極、用于處理分析接收電極所接收的電磁波信號的信號處理器和用于顯示信號處理器輸出的信號的顯示單元，本實用新型采用通過阻抗測量來計算負載阻抗，得到一種測量大腦組織介電常數(shù)變化的裝置，該裝置由于使用電路中匹配良好的阻抗傳輸線，因此沒有引進大量電感，使得阻抗幅值在某一頻率下達到局部最小值，即負載阻抗的感應(yīng)抵抗被取消，從而獲得該最小阻抗頻率MIF，通過獲取頻率、光纜長度和阻抗可以得到被測量的負載阻抗。
文檔編號A61B5/053GK202751392SQ201220357608
公開日2013年2月27日 申請日期2012年7月23日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月23日
發(fā)明者鄭翊, 蔣輝, 吳琪, 唐英勇 申請人:重慶博恩富克醫(yī)療設(shè)備有限公司