專利名稱：用于pet和/或spect的虛擬像素化檢測器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及用于正電子發(fā)射斷層掃描(PET, positron emissiontomography)和/或單光子發(fā)射計算機化斷層顯像(SPECT, single photon emissioncomputed tomography)的檢測器。
背景技術(shù)：
PET和SPECT成像設(shè)備是通過檢測累積在病人的目標(biāo)器官或者組織中的放射性藥劑發(fā)射出的伽馬輻射來操作的。通過映像特定伽馬源的位置來構(gòu)造二維或者三維圖像。對于特定的PET實驗，給病人施加一種選定的放射性藥物，該放射性藥物可以包括多種生理學(xué)上相關(guān)的分子中的任一種。放射性藥物的適用性部分取決于要被成像的器官或組織。一個特別常用的選擇是氟代脫氧葡萄糖(f luorodeoxyglucose, FDG),它是用18F取代輕基的葡萄糖分子。18F是￠ +輻射源，這意味著它進行以下核衰變反應(yīng)18F — 18O+ P ++v+e-等式 I其中，￠ +是正電子，V是微中子，e_是電子。正電子以相當(dāng)大的動能從18F的原子核中射出，該動能必須在該正電子與電子結(jié)合湮滅之前幾乎完全耗盡。一般而言，耗散過程可以是與該正電子所經(jīng)路徑中的任何周圍物質(zhì)的彈性或非彈性散射，這些物質(zhì)包括電子和原子核。統(tǒng)計顯示，正電子行進大約Imm才會損失足夠的動能以與電子結(jié)合并湮滅。當(dāng)湮滅發(fā)生時，產(chǎn)生一對511keV的伽馬光子，其能量與湮滅粒子的能量相當(dāng)，并且彼此以接近180°輻射。在理想情況下，湮滅時正電子和電子都具有零動量，伽馬光子將正好以180°出射。偏離180°約+/-0.5°表示湮滅事件在粒子仍有剩余動量時發(fā)生。通常以彼此180°安放一對PET檢測器來檢測從一次湮滅事件發(fā)射的一對伽馬光子，并從收集到的數(shù)據(jù)計算 湮滅事件的位置。在有些情況下，兩個或更多個PET檢測器圍繞病人旋轉(zhuǎn)，其他情況下，PET檢測器在病人周圍形成一個連續(xù)環(huán)，因此不需要旋轉(zhuǎn)。不論何種情況，各個檢測器收集伽馬光子，并且部分根據(jù)光子是否在大約511keV的可接受范圍內(nèi)以及光子是否是在可接受的時窗內(nèi)到達來接受數(shù)據(jù)或丟棄數(shù)據(jù)以將一個伽馬光子與另一個伽馬光子相關(guān)聯(lián)。當(dāng)發(fā)現(xiàn)光子之間匹配，也就是判斷出它們源自同一個湮滅事件，便能夠在檢測到該光子的各檢測器上的兩點之間繪出響應(yīng)線(line of response，L0R)。因此，湮滅事件的位置必然位于在沿著該LOR的某處。一些儀器具有足夠的時間分辨率以根據(jù)一對伽馬光子的飛行時間(time offlight, T0F)差計算湮滅事件的位置。在較低分辨率的儀器中，必須使用其它數(shù)學(xué)方法以基于插值算法和/或外推算法計算湮滅位置。傳統(tǒng)的PET/SPECT檢測器包括多個閃爍晶體，這些閃爍晶體以像素化二維陣列排列并且用間隔材料間隔開，該間隔材料限制了相鄰晶體之間的光學(xué)干涉。該閃爍晶體排列與也以二維排列排列的多個光電轉(zhuǎn)換器進行光通信。通常，一個光電轉(zhuǎn)換器與多個閃爍晶體進行光通信。當(dāng)閃爍晶體接收到伽馬光子時，該光子在最終被吸收之前在該晶體內(nèi)行進有限的一段距離。該距離被稱為作用深度(depth of interaction, D0I)。在伽馬光子被吸收的位置處，晶體發(fā)射出大量的UV和/或者可見光子，即，該晶體閃爍。光子波前在晶體內(nèi)部傳播并且接觸光電轉(zhuǎn)換器。傳統(tǒng)上，光電轉(zhuǎn)換器持續(xù)累積光子信號，并且根據(jù)它們是否達到最小閾值信號強度而被單獨讀出，之后可以對該數(shù)據(jù)進行數(shù)字化。此時應(yīng)用質(zhì)心計算來估計閃爍事件的位置。從該數(shù)據(jù)能夠計算出用于圖像重構(gòu)的參數(shù)。例如，然后可以將已知的圖像重構(gòu)算法應(yīng)用于該數(shù)據(jù)以產(chǎn)生圖像。這種圖像重構(gòu)算法可以包括濾波逆投影成像算法(Filtered Back Proiection)和/或有序子集最大期望值法(Ordered SubsetExpectation Maximization)。然后根據(jù)已知的圖像顯示算法如最大密度投影(maximumintensity projection, MIP)和 / 或最小密度投影(minimum intensity projection,mIP)顯示重構(gòu)的圖像。需要一種非像素化的平板檢測器，它能夠更精確地計算重構(gòu)高分辨率圖像所需的作用深度和/或其他參數(shù)。本發(fā)明的一些實施例克服了現(xiàn)有技術(shù)的一個或多個缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
—些實施例涉及一種平板檢測器(slab detector),包括具有用于接收伽馬射線的第一主表面的閃爍晶體板，該第一主表面包括適于反射閃爍光子的反射涂層，以及第二主表面，沒有反射涂層，并且與第一主表面間隔開，該間隔定義厚度，其中第一和第二主表面每個由共同限定四個次表面的四個邊沿限定(bound)，每個次表面包括適于反射閃爍光子的反射涂層；以及多個光電轉(zhuǎn)換器，所述多個光電轉(zhuǎn)換器分別與閃爍晶體的第二主表面進行光通信并且限定二維陣列的，其中每個光電轉(zhuǎn)換器與相鄰光電轉(zhuǎn)換器抵接。根據(jù)一些實施例，該閃爍晶體板包括單個晶體。根據(jù)一些實施例，該閃爍晶體板包括由指數(shù)匹配材料連接的多個晶體。根據(jù)一些實施例，該閃爍晶體板沒有像素化槽。根據(jù)一些實施例，該閃爍晶體板進一步包括一個或多個像素化槽。根據(jù)一些實施例，第一或第二主表面之一是彎曲的，以定義透鏡。根據(jù)一些實施例，該透鏡用于使閃爍光子聚焦在二維陣列光電轉(zhuǎn)換器的預(yù)定部分上，或者該透鏡用于使閃爍光子準(zhǔn)直以使它們相對于該二維陣列以直角撞擊該二維陣列光電轉(zhuǎn)換器。根據(jù)一些實施例，該閃爍晶體包括下列中的一種或多種材料中選擇的材料摻鈰正娃酸乾镥、摻鈉碘化銫、鍺酸秘、摻鋪正娃酸禮、摻銘碘化鈉、氟化鋇、摻鋪招酸乾、摻鋪正硅酸镥、溴化鑭、摻鈰溴化鑭或者它們的任意組合。根據(jù)一些實施例，所述多個光電轉(zhuǎn)換器選自由硅光電倍增器或雪崩光電二極管中的一個或多個。一些實施例還包括數(shù)據(jù)處理模塊，該數(shù)據(jù)處理模塊與每個光電轉(zhuǎn)換器進行電子通信，并且適于同時地并且以適于在實時的光子波前時間米樣中十取一的方式從每個光電轉(zhuǎn)換器收集數(shù)據(jù)。根據(jù)一些實施例，根據(jù)權(quán)利要求1的多個檢測器適于互相并列以使各檢測器的閃爍晶體板在邊沿處抵接。

一些實施例涉及一種平板檢測器，包括具有用于接收伽馬射線的第一主表面的閃爍晶體板，該第一主表面包括適于反射閃爍光子的反射涂層，以及第二主表面，包括適于反射閃爍光子的反射涂層，并且與第一主表面間隔開，該間隔定義厚度，其中第一和第二主表面每個由共同限定四個次表面的四個邊沿限定，每個次表面沒有反射涂層；以及與閃爍晶體板的次表面進行光通信的多個光電轉(zhuǎn)換器，其中每個次表面與至少一個光電轉(zhuǎn)換器進行光通信。根據(jù)一些實施例，該閃爍晶體板包括單個晶體。根據(jù)一些實施例，該閃爍晶體板包括由指數(shù)匹配材料連接的多個晶體。根據(jù)一些實施例，一個或多個表面是彎曲的，以定義透鏡。根據(jù)一些實施例，該透鏡適于使閃爍光子聚焦在所述多個光電轉(zhuǎn)換器的預(yù)定部分上，或者該透鏡適于是閃爍光子準(zhǔn)直以使它們相對于該二維陣列以直角撞擊所述多個光電轉(zhuǎn)換器。根據(jù)一些實施例，該爍晶體包括從下列中的一種或多種材料中選擇的材料摻鈰正娃酸乾镥、摻鈉碘化銫、鍺酸秘、摻鋪正娃酸禮、摻銘碘化鈉、氟化鋇、摻鋪招酸乾、摻鋪正硅酸镥、溴化鑭、摻鈰溴化鑭、或者它們的任意組合。根據(jù)一些實施例，所述多個光電轉(zhuǎn)換器選自硅光電倍增器或雪崩光電二極管中的一個或多個?！嵤├€包括數(shù)據(jù)處理模塊，該數(shù)據(jù)處理模塊與每個光電轉(zhuǎn)換器進行電子通信，并且適于同時地并且以適于在實時的光子波前時間米樣中十取一的方式從每個光電轉(zhuǎn)換器收集數(shù)據(jù)。`一些實施例涉及一種平板檢測器，包括閃爍晶體板，該閃爍晶體板包括具有用于接收伽馬射線的第一主表面的單個晶體，該第一主表面包括用于反射閃爍光子的反射涂層，以及第二主表面，沒有反射涂層，并且與第一主表面間隔開，該間隔定義厚度，其中第一和第二主表面每個由共同限定四個次表面的四個邊沿限定，每個次表面包括適于反射閃爍光子的反射涂層，并且其中第一或第二主表面之一是彎曲的，以定義透鏡；以及多個光電轉(zhuǎn)換器，所述多個光電轉(zhuǎn)換器每個與閃爍晶體的第二主表面進行光通信，并且定義二維陣列，其中每個光電轉(zhuǎn)換器與相鄰的光電轉(zhuǎn)換器抵接，其中該透鏡適于使閃爍光子聚焦在所述多個光電轉(zhuǎn)換器的預(yù)定部分上，或者該透鏡適于使閃爍光子準(zhǔn)直以使它們相對于該二維陣列以直角撞擊該二維陣列光電轉(zhuǎn)換器。本領(lǐng)域技術(shù)人員閱讀和理解以下詳細說明之后，其他益處和優(yōu)點將會變得明顯。


本發(fā)明的某些部分和部分的配置采用實體形式，其實施例將在本說明書中予以詳細描述，并在形成說明書一部分的附圖中示出，其中圖1A是一實施例的平板閃爍晶體的透視圖；圖1B是一實施例的包括像素化槽的平板閃爍晶體的透視圖；圖2A是一實施例的多個連接的閃爍晶體的透視圖；圖2B是一實施例的平板閃爍晶體的透視圖；圖3是一實施例的PET/SPECT檢測器的透視圖；圖4是一對邊沿抵接的PET/SPECT檢測器的透視圖；圖5A圖3所示的檢測器的截面圖5B是從波前檢測得到的信號的曲線圖。
具體實施例方式根據(jù)一些實施例，PET/SPECT斷層成像系統(tǒng)至少包括單個連續(xù)的平板閃爍晶體，該晶體具有平坦的上下面。晶體的面與多個高速光電轉(zhuǎn)換器進行光通信，該光電轉(zhuǎn)換器用于同步檢測晶體內(nèi)部的閃爍事件。適當(dāng)?shù)墓怆娹D(zhuǎn)換器包括但不限于硅光電倍增器(SiPM)陣列，或者雪崩光電二極管陣列。作為選擇，在某些實施例中，平板晶體可以包括一個主表面，該主表面具有彎曲的幾何形狀并限定透鏡。根據(jù)這種實施例，該晶體可以包括一個或者多個聚焦透鏡或者準(zhǔn)直透鏡。特別地，所述多個光電轉(zhuǎn)換器適于同時實時地獲取波前的數(shù)字樣本的時間序列，該時間序列包括十取一的時間采樣。根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，對數(shù)字脈沖數(shù)據(jù)應(yīng)用一個或多個算法，這能夠?qū)r間分辨率提高到大約4皮秒。之后，使用脈沖波前數(shù)字處理器對已得到的高時間分辨率數(shù)據(jù)應(yīng)用一個或者多個算法，從而實現(xiàn)脈沖能量、脈沖時間、閃爍事件位置、湮滅的X-Y位置、伽馬光子飛行時間(TOF)以及伽馬光子與閃爍晶體的作用深度的高精確計算。根據(jù)一些實施例，適當(dāng)?shù)拈W爍晶體可以包括下列中的一個或多個摻鈰正硅酸宇乙镥(cerium doped lutetium yttrium orthosilicate (LYSO))、慘鈉碘化銫(sodiumdoped cesium iodide (Na: CsI))、錯酸秘(bismuth germinate (BGO))、慘鋪正娃酸 L (cerium doped gadolinium orthosilicate (GSO))、慘 它碘化鋪(thallium dopedsodium iodide (Tl :NaI))、氟化鋇(barium fluoride (BaF2)) > 慘鋪招酸乾(ceriumdoped yttrium aluminate(YAIO3,即 YAP))、慘鋪娃酸镥(cerium doped lutetiumoxyorthosilicate (Ce:Lu2SiO5,即 LSO))、溴化鑭(lanthanum bromide (LaBr3))、慘鋪溴化鑭(cerium doped lanthanum bromide)或者它們的任意組合?！嵤├ㄩW爍晶體,在閃爍晶體的一個或者多個表面上具有反射涂層或者有反射組件以防止閃爍光子的損失。此外，在一些實施例中，除了與一個或多個光電轉(zhuǎn)換器進行光通信的表面以外的每個表面都包括反射涂層或者反射組件。在本技術(shù)領(lǐng)域中已知很多適當(dāng)?shù)耐该鞣瓷渫繉?。典型的反射組件可以包括聚四氟乙烯(PTFE)帶或者各種漫反射材料中的任何一種。適當(dāng)?shù)拈W爍檢測器可以采取多種形式。例如，在一些實施例中，合適的檢測器可以包括如圖1A中所示的單個閃爍晶體板(slab) IOOa的。在一些實施例中，該板(slab)可以沒有像素化槽，或者它可以包括布置在晶體IOOb的一個或多個面110上的一個或者多個像素化槽120。此外，一些閃爍晶體不能作為尺寸大到足以用于平板檢測器的單個晶體而獲得。因此，一些實施例200可以包括使用系數(shù)匹配材料210連接的多個閃爍晶體201 a、20 Ib、201c和201d，系數(shù)匹配材料210匹配所連接的晶體201a-d的折射系數(shù)，從而限制或消除界面反射，即菲涅爾反射。適當(dāng)?shù)南禂?shù)匹配材料可以包括本領(lǐng)域公知的各種光學(xué)粘合劑中的任一種，其特性在于它的折射系數(shù)與閃爍晶體的折射系數(shù)相似。本領(lǐng)域技術(shù)人員將會認識至IJ，系數(shù)匹配材料的正確選擇依賴于在檢測器中選用的具體閃爍晶體。例如，根據(jù)一些實施例，閃爍晶體可以包括單個LYSO晶體平板200b，而其他實施例200a可以包括多個較小的LYSO晶體201a_d，其中每個晶體是使用指數(shù)匹配材料210連接在一起的矩形子單元。因此，多個連接的LYSO晶體200a的整體尺寸可以與單個平板LYSO晶體200b的尺寸相似。另外，在一些實施例中，多個連接的LYSO晶體101a-d中的每一個可以包括多個連接的晶體200a的總面積的大約四分之一的面積。如圖3中所示，根據(jù)一些實施例，閃爍檢測器300可以包括單個閃爍晶體100，其中晶體100的主表面與以二維陣列排列的多個光電轉(zhuǎn)換器310進行光通信。適當(dāng)?shù)墓怆娹D(zhuǎn)換器可以包括但不限于硅光電倍增器和/或雪崩光電二極管。如上面所談到的，單個晶體100可以可選擇地包括多個連接的晶體，如圖2A中的200a，并且/或者可以包括像素化槽，如圖1B中的IOOb中的像素化槽。圖4說明一些實施例的檢測器300相互并列，形成檢測器300的邊緣抵接對400。在這些實施例中，閃爍晶體平板100、100’被空氣界面420分隔開。轉(zhuǎn)到圖5A，其示出在檢測閃爍事件期間圖3中的檢測器的截面圖。根據(jù)一些實施例，從￠+衰退中產(chǎn)生的一個511keV的伽馬光子進入閃爍晶體100a，并且行進510到與閃爍晶體IOOa作用的深度，也就是被閃爍晶體IOOa吸收。隨后，閃爍晶體松弛并發(fā)射出多個可見光譜的光子，從而定義閃爍事件520。該光子波前530在閃爍晶體IOOa中傳播，并且特征在于光脈沖持續(xù)時間大約10到100納秒，或者在LYSO的情況下大約為40納秒。波前530到達光電轉(zhuǎn)換器540a-g，這些光電轉(zhuǎn)換器同時檢測以獲得波前530的第一數(shù)字樣本測量。然后光電轉(zhuǎn)換器540a-g重復(fù)檢測以獲得波前530的數(shù)字樣本560a_f的時間序列，其定義電子脈沖信號550。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認識到，盡管僅示出一維陣列的光電轉(zhuǎn)換器540a-f，但是在測量波前530的測量中，可以采用完整的二維陣列。 只是為了便于例示才使用一維陣列來論述檢測。盡管前面的論述是對單個閃爍事件的描述，但本領(lǐng)域技術(shù)人員將認識到在實際操作中，多個閃爍事件能夠幾乎同時發(fā)生，使得這些事件的波前重疊，或者超出檢測器的時間分辨率，導(dǎo)致脈沖堆積和/或尾部堆積。此外，脈沖堆積會導(dǎo)致受污染的數(shù)據(jù)集，例如包括對脈沖能量的錯誤測量。因此，一些實施例進一步包括用于校正、減小和/或消除脈沖堆積的方法。例如，一些實施例可以包括用于對重疊脈沖進行去卷積、檢測和排除重疊脈沖的算法，或者其他適當(dāng)?shù)男Ｕ椒ā８鶕?jù)一些實施例，可以對脈沖數(shù)據(jù)550應(yīng)用一個或多個交叉相關(guān)、插值和/或超分辨率算法，以將時間分辨率提高大約50倍(fifty-fold)，使得時間分辨率達到約4ps。這種高時間分辨率使得能夠高精度地計算參數(shù)，這些參數(shù)包括但不限于x_y湮滅位置、伽馬光子的飛行時間(TOF)、伽馬光子作用深度(DOI)、閃爍事件位置、脈沖能量和/或脈沖時間或者它們的任意組合。特別地，表I中包括根據(jù)本發(fā)明實施例可獲得的一些代表性的精度范圍。表I
權(quán)利要求
1.一種平板檢測器，包括 閃爍晶體板，其具有用于接收伽馬射線的第一主表面，所述第一主表面包括用于反射閃爍光子的反射涂層，以及第二主表面，該第二主表面沒有反射涂層，并且與所述第一主表面間隔開，從而定義了厚度，其中所述第一和第二主表面每個由四個邊沿限定，四個邊沿共同限定了四個次表面，每個次表面包括用于反射閃爍光子的反射涂層，以及 多個光電轉(zhuǎn)換器，所述多個光電轉(zhuǎn)換器每個與所述閃爍晶體的所述第二主表面進行光通信并且形成了二維陣列，其中每個光電轉(zhuǎn)換器與相鄰的光電轉(zhuǎn)換器抵接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測器，其中所述閃爍晶體板包括單個晶體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測器，其中所述閃爍晶體板包括用系數(shù)匹配材料連接的多個晶體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測器，其中所述閃爍晶體板沒有像素化槽。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測器，其中所述閃爍晶體板進一步包括一個或多個像素化槽。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測器，其所述第一或第二主表面之一是曲面的，從而形成了透鏡。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的檢測器，其中所述透鏡使閃爍光子聚焦在所述二維陣列光電轉(zhuǎn)換器的預(yù)定部分上，或者所述透鏡適于使閃爍光子準(zhǔn)直以使它們相對于所述二維陣列以直角撞擊所述二維陣列光電轉(zhuǎn)換器。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測器，其中所述閃爍晶體包括從下列中的一種或多種材料中選擇的材料摻鈰正硅酸釔镥、摻鈉碘化銫、鍺酸鉍、摻鈰正硅酸釓、摻鉈碘化鈉、氟化鋇、摻鈰鋁酸釔、摻鈰正硅酸镥、溴化鑭、摻鈰溴化鑭、或者它們的任意組合。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測器，其中所述多個光電轉(zhuǎn)換器選自硅光電倍增器或雪崩光電二極管中的一個或多個。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測器，進一步包括數(shù)據(jù)處理模塊，所述數(shù)據(jù)處理模塊與所述光電轉(zhuǎn)換器中的每一個進行電子通信，并且適于同時地且以適于在實時的光子波前時間采樣中十取一的方式從每個光電轉(zhuǎn)換器收集數(shù)據(jù)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測器，其中根據(jù)權(quán)利要求1的多個檢測器適于互相并列以使各檢測器的閃爍晶體板在邊沿處抵接。
12.—種平板檢測器，包括 閃爍晶體板，其具有用于接收伽馬射線的第一主表面，所述第一主表面包括適于反射閃爍光子的反射涂層，以及第二主表面，所述第二主表面包括適于反射閃爍光子的反射涂層，并且與所述第一主表面間隔開，從而定義了厚度，其中所述第一和第二主表面每個由四個邊沿限定，四個邊沿共同限定了四個次表面，每個次表面沒有反射涂層；以及 與所述閃爍晶體板的次表面進行光通信的多個光電轉(zhuǎn)換器，其中每個次表面與至少一個光電轉(zhuǎn)換器進行光通信。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的檢測器，其中所述閃爍晶體板包括單個晶體。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的檢測器，其中所述閃爍晶體板包括用系數(shù)匹配材料連接的多個晶體。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的檢測器，其中一個或多個表面是曲面的，從而形成了透鏡。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的檢測器，其中所述透鏡適于使閃爍光子聚焦在所述多個光電轉(zhuǎn)換器的預(yù)定部分上，或者所述透鏡適于使閃爍光子準(zhǔn)直以使它們相對于所述二維陣列以直角撞擊所述多個光電轉(zhuǎn)換器。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的檢測器，其中所述閃爍晶體包括從下列中的一種或多種材料中選擇的材料摻鋪正娃酸乾镥、摻鈉碘化銫、鍺酸秘、摻鋪正娃酸禮、摻銘碘化鈉、氟化鋇、摻鈰鋁酸釔、摻鈰正硅酸镥、溴化鑭、摻鈰溴化鑭、或者它們的任意組合。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的檢測器，其中所述多個光電轉(zhuǎn)換器選自硅光電倍增器或雪 崩光電二極管中的一個或多個。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的檢測器，進一步包括數(shù)據(jù)處理模塊，所述數(shù)據(jù)處理模塊與所述光電轉(zhuǎn)換器中的每一個進行電子通信，并且適于同時地且以適于在實時的光子波前時間采樣中十取一的方式從每個光電轉(zhuǎn)換器收集數(shù)據(jù)。
20.一種平板檢測器，包括 閃爍晶體板，所述閃爍晶體板包括單個晶體，該單個晶體具有用于接收伽馬射線的第一主表面，所述第一主表面包括用于反射閃爍光子的反射涂層，該單個晶體還具有第二主表面，所述第二主表面沒有反射涂層，并且與所述第一主表面間隔開，從而定義了厚度，其中所述第一和第二主表面每個由四個邊沿限定，四個邊沿共同限定了四個次表面，每個次表面包括適于反射閃爍光子的反射涂層，并且其中所述第一或第二主表面之一是曲面的，從而形成了透鏡；以及 多個光電轉(zhuǎn)換器，所述多個光電轉(zhuǎn)換器每個與閃爍晶體的所述第二主表面進行光通信，并且形成了二維陣列，其中每個光電轉(zhuǎn)換器與相鄰的光電轉(zhuǎn)換器抵接， 其中，所述透鏡適于使閃爍光子聚焦在所述多個光電轉(zhuǎn)換器的預(yù)定部分上，或者所述透鏡適于使閃爍光子準(zhǔn)直以使它們相對于所述二維陣列以直角撞擊所述二維陣列光電轉(zhuǎn)換器。
全文摘要
一種用于PET和/或SPECT的虛擬像素化檢測器。一種用于PET和/或SPECT成像的平板檢測器包括閃爍晶體板和多個光電轉(zhuǎn)換器，每個光電轉(zhuǎn)換器與閃爍晶體的表面進行光通信。在一些實施例中，所述多個光電轉(zhuǎn)換器定義二維陣列，其中每個光電轉(zhuǎn)換器與相鄰的光電轉(zhuǎn)換器抵接。此外，根據(jù)一些實施例，多個平板檢測器可以互相并列以使得它們的平板晶體在邊沿處抵接。
文檔編號A61B6/03GK103027703SQ20121009761
公開日2013年4月10日 申請日期2012年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月9日
發(fā)明者威廉·K·麥克羅斯基, 蒂莫西·W·米立夫, 威廉·D·迪金森 申請人:Fmi技術(shù)公司