專利名稱：一種口腔種植用瓷基臺及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種口腔醫(yī)療器材及其制造方法，尤其是一種口腔種植用瓷基臺及其制造方法，屬于牙種植技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
隨著現(xiàn)代牙種植技術(shù)的日益成熟，牙種植修復(fù)已在臨床上得到廣泛應(yīng)用，成為修復(fù)牙列缺損、缺失的重要方法之一。目前已有的種植系統(tǒng)一般為兩段式，即由種植體和基臺組成?；_是種植義齒，與連接埋植于頌骨中的種植體及起行使功能的上部結(jié)構(gòu)的重要部件，穿通牙齦組織，并在種植義齒的美觀效果中起著重要作用。傳統(tǒng)的基臺絕大多數(shù)由金屬制成，其透光性及美學(xué)性能難以滿足患者及修牙醫(yī)生的需要。近年來，隨著材料學(xué)和制瓷技術(shù)的飛速發(fā)展，人們已經(jīng)用高性能的陶瓷基臺替代金屬基臺成為口腔種植美容修復(fù)中較為常用的基臺。據(jù)申請人了解，世界上第一例的陶瓷基臺是1991年應(yīng)用于牙種植修復(fù)中的 CerAdapt基臺，其由致密燒結(jié)的高純度氧化鋁瓷核制成。1997年，Sadoun等又公布了一種玻璃滲透鋁一鋯瓷基臺的制作程序及其在臨床單個前牙種植修復(fù)中的應(yīng)用。目前，陶瓷基臺按其制作方式可以分為預(yù)成基臺和定制基臺。其中預(yù)成基臺為成品基臺，在工廠內(nèi)制作完成后，由修復(fù)醫(yī)生進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整以滿足大部分臨床患者的需求，但是這種基臺難以適應(yīng)患者的個性化要求；而定制基臺為個性化基臺，在特殊情況下患者無法使用預(yù)成基臺，只能根據(jù)其具體情況采用計算機(jī)輔助設(shè)計和制造技術(shù)定制個性化基臺。這兩種基臺的制作工藝復(fù)雜，成本較高，一般的患者難以負(fù)擔(dān)高昂的費用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，提供一種制作簡單，成本低廉，即能夠保證基臺強(qiáng)度，又能夠改善基臺美觀性的口腔種植用瓷基臺及其制造方法。為了解決以上技術(shù)問題，本發(fā)明的口腔種植用瓷基臺，包括具有沉頭通孔的基座， 其改進(jìn)之處在于，所述沉頭通孔中裝有外螺紋與置入頌骨內(nèi)種植體螺紋孔相配的中央沉頭螺絲；所述基座的下端具有嵌入種植體內(nèi)的縮徑接圈，中部具有向外延伸的突沿；所述基座上部外圓包覆有金屬底層，所述金屬底層的底端沿所述突沿的上表面外展，所述金屬底層外包覆有鑄造瓷層；所述鑄造瓷層的外形與烤瓷冠底部的凹孔相配。上述技術(shù)方案中，所述鑄造瓷層隨所述金屬底層朝上延伸，形成炮樓狀圓臺，所述圓臺中心具有與所述沉頭通孔相通的中心孔，所述圓臺的外圓具有與烤瓷冠底部凹孔壓合時的楔緊錐度。上述技術(shù)方案中，所述金屬底層和鑄造瓷層之間還具有遮色瓷層。本發(fā)明還提供了一種口腔種植用瓷基臺的制造方法，其步驟如下第一步、在基座上制作與金屬底層形狀相配的蠟?zāi)Ｒ约拌T道，并將其固定在鑄圈內(nèi)，向鑄圈灌注包埋材料混合液，靜置使混合液凝固成為包埋體；第二步、將包埋體在880 920°C溫度下焙燒，時間為40 55min，熔融蠟?zāi)２⒌钩鱿炓?，將金屬合金熔融后從鑄道澆入焙燒好的包埋體型腔內(nèi)，鑄造完成后，清除包埋材料，得到包覆金屬底層的基座；第三步、制作與鑄造瓷層形狀相配的蠟?zāi)Ｒ约拌T道，并將其固定在鑄圈內(nèi)，向鑄圈灌注包埋材料混合液，靜置使混合液凝固成為包埋體；第四步、將包埋體在830 870°C溫度下焙燒，時間為45min，熔融蠟?zāi)２⒌钩鱿炓?，將鑄造陶瓷在910 950°C溫度熔融后從鑄道澆入焙燒好的包埋體型腔內(nèi)，鑄造完成后，清除包埋材料，得到初成品；第五步、將初成品打磨、修形，并裝入沉頭螺絲，即得到所述瓷基臺成品。上述技術(shù)方案中，所述第二步與第三步之間還具有在金屬底層的表面均勻涂布遮色糊劑，并在930 970°C溫度下真空燒結(jié)，時間為1 士0. lmin，得到了附著在金屬底層上的遮色瓷。上述技術(shù)方案中，所述第五步中還具有初成品打磨、修形后，在其鑄造瓷層的表面涂布染色劑，并在760 800°C溫度下真空燒結(jié)，時間為1 士0. lmin。上述技術(shù)方案中，所述第二步中，金屬合金為金合金，其熔融溫度為1280 1320 O。上述技術(shù)方案中，所述第二步中還具有金屬底層采用氧化鋁顆粒進(jìn)行表面噴砂處理后在930 970°C溫度下氧化，然后進(jìn)行酸蝕處理。上述技術(shù)方案中，所述包埋材料混合液由質(zhì)量比為160 32 8的包埋料、包埋液、水組成。本發(fā)明提供的口腔種植用瓷基臺及其制造方法，具有以下優(yōu)點1.使用陶瓷直接鑄造瓷層能夠避免人工堆瓷程序，消除了人工操作導(dǎo)致的結(jié)構(gòu)缺陷，使得瓷層具有均一性和理想的抗壓強(qiáng)度，制作工藝簡單，成本低廉，容易普及；2.本發(fā)明的瓷基臺具有全瓷基臺的美觀性；3.通過齦瓷的添加，該瓷基臺能夠模擬天然牙齦的色彩，適用于牙齦嚴(yán)重退縮或缺損的病例；4.該瓷基臺的外形、直徑可以通過調(diào)整金屬底層及鑄造瓷層的厚度進(jìn)行調(diào)節(jié)，實現(xiàn)個性化設(shè)計，具有天然牙的仿真性。


下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。圖1為本發(fā)明實施例1結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明實施例1的操作流程圖。圖3為本發(fā)明實施例1的金屬鑄造工裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本發(fā)明實施例1的陶瓷鑄造工裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式實施例1本實施例的口腔種植用瓷基臺基本結(jié)構(gòu)如圖1所示，包括具有沉頭通孔的基座1， 沉頭通孔中裝有外螺紋與置入頌骨內(nèi)種植體6螺紋孔相配的中央沉頭螺絲5 ；基座1的下端具有嵌入種植體6內(nèi)的縮徑接圈4，中部具有向外延伸的突沿；基座1上部外圓包覆有金屬底層2，金屬底層2的底端沿突沿的上表面外展，金屬底層2外包覆有鑄造瓷層3，金屬底層2和鑄造瓷層3之間還具有遮色瓷；鑄造瓷層3的外形與烤瓷冠7底部的凹孔相配。鑄造瓷層3隨金屬底層2朝上延伸，形成炮樓狀圓臺，圓臺中心具有與沉頭通孔相通的中心孔， 圓臺的外圓具有與烤瓷冠7底部凹孔壓合時的楔緊錐度，度數(shù)為90°?；?為材質(zhì)為金鉬合金的通用型可鑄基臺。圓臺的中心孔與沉頭通孔構(gòu)成螺絲刀通道，使得螺絲刀能夠通過該通道將中央沉頭螺絲5安裝到基臺上，烤瓷冠7通過粘結(jié)劑與該基臺的鑄造瓷層3固定連接。本實施例的口腔種植用瓷基臺的制造方法具體步驟如下(見圖2)第一步，制作與金屬底層形狀相配的蠟?zāi)Ｏ雀鶕?jù)種植體和上部修復(fù)體的方向及角度在通用型可鑄基臺上制作金屬底層的蠟?zāi)?，為了方便金屬鑄造時蠟液流出以及金屬液體流入，在蠟?zāi)Ｉ显O(shè)有3mm的鑄道蠟型，蠟?zāi)Ｅc對頌牙齒模型的咬合面之間預(yù)留2 3mm的熱壓瓷和上部修復(fù)體空間，并在平齊牙齦處形成了清晰的淺凹面肩臺，寬度約Imm;對基座進(jìn)行稱重，在制作完成蠟?zāi)：笤俅畏Q重，兩者數(shù)據(jù)的差值即為蠟?zāi)５闹亓?，用其來計算牙科金屬合金的用量；采用鑄道蠟型將包覆蠟?zāi)５幕潭ㄓ阼T圈的澆鑄口，蠟?zāi)Ｎ挥阼T圈的中部1/3位置，并使鑄道蠟型的進(jìn)出口設(shè)置在澆鑄口內(nèi)。第二步，包埋處理采用德國Hager&werken公司的Dipol專用蠟?zāi)Ｇ逑磩┤コ災(zāi)１砻娴挠臀酆碗s質(zhì)，在真空攪拌機(jī)內(nèi)添加質(zhì)量比為160 32 8的德國Bego公司的 Bellavest包埋料、Bellavest包埋液以及水，攪拌lmim，得到包埋材料混合液；包埋材料混合液注入鑄圈內(nèi)，在灌注過程中，鑄圈安放在振動器上，混合液沿鑄圈邊緣緩慢地流入鑄圈內(nèi)直至注滿，灌注好的鑄圈在室溫條件下加壓3. OMpa，靜置30min，混合液凝固成為包埋體。第三步，焙燒、熔鑄將包埋體以鑄道口向下的形式送入自控高溫焙燒爐，在溫度為900°C條件下，焙燒45min，熔融蠟?zāi)＜拌T道蠟型并倒出蠟液；將焙燒好的包埋體送入鑄造機(jī)，在其坩堝內(nèi)放置金合金，加熱熔融，調(diào)節(jié)鑄造機(jī)的平衡，開始鑄造，1300°C溫度下，設(shè)置轉(zhuǎn)速為400轉(zhuǎn)/min，鑄造30s。焙燒、鑄造過程中，蠟?zāi)＜拌T道蠟型受熱熔化由澆鑄口 8 流出，在包埋體10內(nèi)形成鑄道9及金屬底層型腔，金屬合金熔融后由鑄道9進(jìn)入包埋體10 的型腔內(nèi)，在基座1外形成了金屬底層2 (見圖3)。第四步，金屬底層的預(yù)處理冷卻后，包埋體與鑄圈分離，敲碎包埋體，得到金屬鑄造件，去除金屬鑄造件周圍多余的包埋材料，然后采用砂片分割將金屬鑄造件與鑄道，并用鎢鋼磨頭初步打磨金屬鑄造件的表面，得到包覆金屬底層的基座，并對金屬底層進(jìn)行以下預(yù)處理在2 壓力下采用直徑120 μ m氧化鋁噴砂3s，950°C溫度時真空氧化5min，氧化后將其放入德國Bego公司生產(chǎn)的Arurocid溶液(0. 17g/ml)中酸蝕15min。第五步，金屬底層的遮色處理先采用毛筆將德國TriplePress公司的遮色糊劑均勻涂布于清洗后的金屬底層表面，直至完全遮蓋其金屬顏色，然后將其放入真空烤瓷爐中進(jìn)行真空燒結(jié)，得到附著在金屬底層上的遮色瓷，其燒結(jié)條件為起始溫度400°C，每分鐘溫度上升，燒結(jié)溫度950°C，保持lmin，其中打開真空溫度為580°C，關(guān)閉真空溫度為 950 "C。第六步，制作鑄造瓷層的蠟?zāi)Ｔ谡谏缮现谱髋c鑄造瓷層形狀相配的蠟?zāi)＃瑸榱朔奖闾沾设T造時蠟液的流出以及陶瓷液體的流入，在蠟?zāi)Ｉ显O(shè)有3mm的鑄道蠟型，蠟?zāi)Ｅc對頌牙之間預(yù)留1. 5 2mm的上部修復(fù)體空間；對基座進(jìn)行稱重，在制作完成蠟?zāi)：笤俅畏Q重，兩者數(shù)據(jù)的差額即為蠟?zāi)５闹亓?，用其來計算鑄造瓷層的瓷塊用量；采用鑄道蠟型將包覆蠟?zāi)５幕潭ㄓ阼T圈的澆鑄口，蠟?zāi)Ｎ挥阼T圈的中部1/3位置，并使鑄道蠟型的進(jìn)出口設(shè)置在澆鑄口內(nèi)。第七步，包埋處理采用德國Hager&werken公司的Dipol專用蠟?zāi)Ｇ逑磩┤コ災(zāi)１砻嬗臀酆碗s質(zhì)，在真空攪拌機(jī)內(nèi)添加質(zhì)量比為160 32 8的德國Bego公司的 Bellavest包埋料、Bellavest包埋液以及水，攪拌Imim ；包埋材料混合液注入鑄圈，在灌注過程中，鑄圈安置在振動器上，混合液沿鑄圈邊緣緩慢地流入鑄圈內(nèi)直至注滿，灌注好的鑄圈在室溫條件下放置30min，混合液凝固成為包埋體。第八步，焙燒、熔鑄包埋體以鑄道口向下的形式送入自控高溫焙燒爐進(jìn)行焙燒， 焙燒溫度為850°C，保持45min ；將焙燒好的包埋體送入義獲嘉公司生產(chǎn)的EP 300烤鑄一體爐內(nèi)，投入德國Triplel^ress公司的GPS鑄造瓷塊，進(jìn)行鑄造，其鑄造條件為起始溫度 7000C，每分鐘溫度上升60°C，壓制鑄造溫度930°C，保持時間22min，壓制后保持2min，其中打開真空溫度為709°C，關(guān)閉真空溫度為930°C。焙燒、鑄造過程中，蠟?zāi)＜拌T道蠟型受熱融化由澆鑄口 8流出，在包埋體10內(nèi)形成鑄道9及鑄造瓷層型腔，陶瓷熔融后由鑄道9進(jìn)入包埋體10型腔內(nèi)，在金屬底層2外形成了鑄造瓷層3 (見圖4)。第九步，打磨冷卻后，包埋體與鑄圈分離，在3 4MPa壓力下采用直徑為50 μ m 的玻璃珠噴砂以去除包埋材料，待陶瓷表面暴露后，壓力降到1 2MPa，繼續(xù)噴砂直至包埋材料完全去除，將陶瓷鑄件與鑄道分割，得到初成品，將初成品置于石膏模型種植體上試戴，并打磨、調(diào)整其外形。第十步，上釉燒結(jié)根據(jù)上部修復(fù)體顏色的不同，采用廠家提供的不同染色劑對調(diào)整后的瓷基臺初成品進(jìn)行上釉染色，染色部位僅局限于基臺穿齦部分；將上好釉的基臺放入真空烤瓷爐進(jìn)行真空燒結(jié)，燒結(jié)條件為起始溫度40(TC，每分鐘溫度上升60°C，燒結(jié)溫度780°C，保持時間lmin，其中打開真空溫度為580°C，關(guān)閉真空溫度為780°C。本實施例的瓷基臺采用GPS鑄造陶瓷，其為一種特殊的新型牙科鑄造陶瓷，其熱膨脹系數(shù)與常用的牙科合金更為接近，可以直接采取熱壓鑄的方式將瓷層鑄造到金屬底層外部，并在冷卻過程中避免應(yīng)力集中及瓷裂。實施例2在通用型可鑄基臺上制作與金屬底層形狀相配的蠟?zāi)＜拌T道，并將其固定在鑄圈內(nèi)，向鑄圈灌注包埋材料混合液，室溫條件下靜置30min，混合液凝固成包埋體；包埋體在 880°C溫度下焙燒，時間為40min，熔融蠟?zāi)２⒌钩鱿炓?，將焙燒好的包埋體送入鑄造機(jī)，投入金合金進(jìn)行鑄造，其條件是1280°C溫度下，400轉(zhuǎn)/min鑄造30s，冷卻，清除包埋材料， 得到包覆金屬底層的基座；對金屬底層進(jìn)行預(yù)處理，其方法為在2. 5 壓力下采用直徑 120 μ m氧化鋁噴砂3s，930°C溫度時真空氧化5min，氧化后將其放入德國Bego公司生產(chǎn)的 Arurocid溶液(0. 17g/ml)中酸蝕15min ；在金屬底層的表面涂布遮色糊劑，并在真空烤瓷爐進(jìn)行真空燒結(jié)，燒結(jié)溫度為930°C，其他條件見實施例1，得到遮色瓷；在遮色瓷上制作與鑄造瓷層形狀相配的蠟?zāi)＜拌T道，并將其固定在鑄圈內(nèi)，向鑄圈灌注包埋材料混合液，室溫條件下加壓3. OMpa,靜置30min，混合液凝固成包埋體；包埋體在830°C溫度下焙燒，時間為
645min,焙燒好的包埋體送入烤鑄一體爐，投入瓷塊鑄造，鑄造溫度為910°C，其他條件見實施例1，冷卻鑄圈，清除包埋材料，得到瓷基臺，對瓷基臺進(jìn)行處理后再對其上釉染色、真空燒結(jié)，真空燒結(jié)的溫度為760°C，其他條件見實施例1。實施例3在通用型可鑄基臺上制作金屬底層蠟?zāi)＃⒒潭ㄔ阼T圈內(nèi)，向鑄圈灌注包埋材料混合液，室溫條件下靜置30min，混合液凝固成包埋體；包埋體在自控高溫焙燒爐內(nèi)焙燒，溫度為920°C，時間為55min，熔融蠟?zāi)２⒌钩鱿炓?，焙燒好的包埋體送入鑄造機(jī)，投入金合金進(jìn)行鑄造，其條件是1320°C時，400轉(zhuǎn)/min鑄造30s，冷卻，清除包埋材料，得到包覆金屬底層的基座；對金屬底層進(jìn)行預(yù)處理，其方法為31 壓力下采用直徑120 μ m氧化鋁噴砂3s，970°C溫度時真空氧化5min，氧化后將其放入德國Bego公司生產(chǎn)的Arurocid溶液 (0. 17g/ml)中酸蝕15min ；在金屬底層的表面均勻涂布遮色糊劑，涂布后其在真空烤瓷爐進(jìn)行真空燒結(jié)，燒結(jié)溫度為970°C，其他條件見實施例1，得到遮色瓷；在遮色瓷上制作鑄造瓷層蠟?zāi)?，并將其固定在鑄圈內(nèi)，向鑄圈灌注包埋材料混合液，室溫條件下靜置30min，混合液凝固成為包埋體；包埋體在870°C溫度下焙燒，時間為45min，焙燒好的包埋體送入烤鑄一體爐，投入瓷塊進(jìn)行鑄造，鑄造溫度為950°C，其他條件見實施例1，冷卻，清除包埋材料， 得到瓷基臺，對其進(jìn)行處理后上釉染色、真空燒結(jié)，燒結(jié)溫度為800°C，其他條件見實施例 1。除上述實施例外，本發(fā)明還可以有其他實施方式。凡采用等同替換或等效變換形成的技術(shù)方案，均落在本發(fā)明要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種口腔種植用瓷基臺，包括具有沉頭通孔的基座，其特征是所述沉頭通孔中裝有外螺紋與置入頌骨內(nèi)種植體螺紋孔相配的中央沉頭螺絲；所述基座的下端具有嵌入種植體內(nèi)的縮徑接圈，中部具有向外延伸的突沿；所述基座上部外圓包覆有金屬底層，所述金屬底層的底端沿所述突沿的上表面外展，所述金屬底層外包覆有鑄造瓷層；所述鑄造瓷層的外形與烤瓷冠底部的凹孔相配。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的口腔種植用瓷基臺，其特征是所述鑄造瓷層隨所述金屬底層朝上延伸，形成炮樓狀圓臺，所述圓臺中心具有與所述沉頭通孔相通的中心孔，所述圓臺的外圓具有與烤瓷冠底部凹孔壓合時的楔緊錐度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的口腔種植用瓷基臺，其特征是所述金屬底層和鑄造瓷層之間還具有遮色瓷層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述口腔種植用瓷基臺的制造方法，其特征是包括以下步驟第一步、在基座上制作與金屬底層形狀相配的蠟?zāi)Ｒ约拌T道，并將其固定在鑄圈內(nèi)，向鑄圈灌注包埋材料混合液，靜置使混合液凝固成為包埋體；第二步、將包埋體在880 920°C溫度下焙燒，時間為40 55min，熔融蠟?zāi)２⒌钩鱿炓?，將金屬合金熔融后從鑄道澆入焙燒好的包埋體型腔內(nèi)，鑄造完成后，清除包埋材料，得到包覆金屬底層的基座；第三步、制作與鑄造瓷層形狀相配的蠟?zāi)Ｒ约拌T道，并將其固定在鑄圈內(nèi)，向鑄圈灌注包埋材料混合液，靜置使混合液凝固成為包埋體；第四步、將包埋體在830 870°C溫度下焙燒，時間為45min，熔融蠟?zāi)２⒌钩鱿炓海瑢㈣T造陶瓷在910 950°C溫度熔融后從鑄道澆入焙燒好的包埋體型腔內(nèi)，鑄造完成后，清除包埋材料，得到初成品；第五步、將初成品打磨、修形，并裝入沉頭螺絲，即得到所述瓷基臺成品。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的口腔種植用瓷基臺的制造方法，其特征是所述第二步與第三步之間還具有在金屬底層的表面均勻涂布遮色糊劑，并在930 970°C溫度下真空燒結(jié)，時間為1 士0. lmin，得到了附著在金屬底層上的遮色瓷。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的口腔種植用瓷基臺的制造方法，其特征是所述第五步中還具有初成品打磨、修形后，在其鑄造瓷層的表面涂布染色劑，并在760 800°C溫度下真空燒結(jié)，時間為1 士0. lmin。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的口腔種植用瓷基臺的制造方法，其特征是所述第二步中，金屬合金為金合金，其熔融溫度為1280 1320°C。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的口腔種植用瓷基臺的制造方法，其特征是所述第二步中還具有金屬底層采用氧化鋁顆粒進(jìn)行表面噴砂處理后在930 970°C溫度下氧化，然后進(jìn)行酸蝕處理。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的口腔種植用瓷基臺的制造方法，其特征是所述包埋材料混合液由質(zhì)量比為160 32 8的包埋料、包埋液和水組成。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種口腔種植用瓷基臺，包括具有沉頭通孔的基座，沉頭通孔中裝有外螺紋與種植體螺紋孔相配的中央沉頭螺絲，基座的下端具有縮徑接圈，中部具有向外延伸的突沿，基座上部外圓包覆有金屬底層，金屬底層的底端沿突沿的上表面外展，金屬底層外包覆有鑄造瓷層，鑄造瓷層的外形與烤瓷冠底部的凹孔相配；其制造方法如下在基座上制作金屬底層蠟?zāi)＜拌T道，并將其固定在鑄圈內(nèi)，向鑄圈灌注包埋材料混合液包埋，包埋體焙燒，熔融蠟?zāi)２⒌钩鱿炓?，金屬合金熔融后從鑄道澆入包埋體型腔內(nèi)，鑄造完成后，清除包埋材料，得到包覆金屬底層的基座，制作與鑄造瓷層蠟?zāi)＜拌T道，并將其固定在鑄圈內(nèi)，向鑄圈灌注包埋材料混合液包埋，包埋體焙燒，熔融蠟?zāi)２⒌钩鱿炓?，鑄造陶瓷熔融后從鑄道澆入焙燒好的包埋體型腔內(nèi)，鑄造完成后，清除包埋材料，得到初成品，將初成品打磨、修形，并裝入沉頭螺絲，即得到所述瓷基臺成品。本發(fā)明的有益效果是制作工藝簡單，成本低廉。
文檔編號A61C8/00GK102357044SQ20111021557
公開日2012年2月22日 申請日期2011年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月29日
發(fā)明者光寒冰, 夏露, 王培志, 王潔, 許小會 申請人:光寒冰, 夏露, 王培志, 王潔, 許小會