專利名稱：腦深部癇性放電引導(dǎo)電極的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
腦深部癇性放電引導(dǎo)電極
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種治療腦部癲癇疾病的醫(yī)療器件，尤其涉及一種可將腦深部區(qū) 域癲癇灶的癇性放電引導(dǎo)到顱外的引導(dǎo)電極。
背景技術(shù)：
癲癇是一種慢性腦病，是由于腦內(nèi)部分神經(jīng)元的超同步放電而形成的，在臨床上 是一種非常常見和多發(fā)的疾病，發(fā)病率約為0. 9%。癲癇發(fā)作是由于癲癇灶內(nèi)興奮性突觸后 電位異常增強，隨之PDS到達(dá)一定程度后產(chǎn)生的高幅癇樣放電。癲癇灶鄰近區(qū)域的神經(jīng)元 隨之產(chǎn)生同步化的癲癇放電，使癲癇灶的異常放電更加明顯增強，導(dǎo)致臨床癲癇發(fā)作，而腦 深部區(qū)域患有癲癇灶的患者約占癲癇的1/2。目前，癲癇的治療主要是通過藥物、手術(shù)治療、放射治療或電刺激治療，無論是哪 一種治療方法，其根本目的是減少癇性放電的產(chǎn)生或阻斷其擴散，以抑制為根本理念的治 療方法，但仍有50%左右的患者藥物治療不佳或者不能忍受藥物的副作用，而放射治療的 療效不理想，已經(jīng)很少應(yīng)用，手術(shù)治療則費用極高且風(fēng)險大，也存在長期并發(fā)癥的可能性， 約有40%左右的臨床治療效果不佳，如此，使得目前將近有30%的癲癇沒有得到有效的治 療，從而出現(xiàn)慢性神經(jīng)功能損害和精神障礙。通過臨床檢測可能得知，在癲癇患者出現(xiàn)癇性放電時，腦皮層內(nèi)的癲癇灶會在腦 皮層內(nèi)產(chǎn)生比頭皮處高10倍甚至更高電壓的電活動，此時可通過高導(dǎo)材料將腦皮層的癇 性放電引導(dǎo)到顱內(nèi)相對低電壓的區(qū)域，從而可以降低顱內(nèi)電壓水平，但目前缺乏這類器件 或裝置。鑒于此，確有必要提供一種腦深部癇性放電引導(dǎo)電極來解決上述問題。
實用新型內(nèi)容本實用新型所解決的技術(shù)問題在于提供一種腦深部癇性放電引導(dǎo)電極，其克服了 現(xiàn)有的抑制神經(jīng)元放電治療的不足，將癲癇性放電引導(dǎo)至顱骨之外，避免了癲癇放電傳導(dǎo) 而形成的臨床癲癇發(fā)作。為解決上述技術(shù)問題，本實用新型采用如下技術(shù)方案一種腦深部癇性放電引導(dǎo) 電極，包括長條形硅膠主體、分別位于硅膠主體兩端的頭端觸點和末端電極片、及嵌設(shè)于所 述硅膠主體內(nèi)的導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接所述頭端觸點和末端電極片，所述硅膠主體寬度均勻， 所述頭端觸點固定于所述硅膠主體上，所述末端電極片呈圓形片狀，其面積大于所述頭端 觸點的面積。進(jìn)一步地，所述頭端觸點的突起于所述硅膠柱體的表面。進(jìn)一步地，所述末端電極片與所述硅膠主體分離設(shè)置，其與自硅膠主體一端伸出 的導(dǎo)線連接。進(jìn)一步地，所述頭端觸點的數(shù)量與所述導(dǎo)線數(shù)量相同，所述每一導(dǎo)線連接一個頭 端觸點。[0011]進(jìn)一步地，所述頭端觸點與所述末端電極片分別位于顱骨內(nèi)外兩側(cè)。進(jìn)一步地，所述頭端觸點呈矩形片狀，其數(shù)量為一個或多個，并沿著硅膠主體的縱 長方向排列設(shè)置于硅膠主體的一端。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實用新型所述的腦深部癇性放電引導(dǎo)電極可有效將顱骨內(nèi)腦 皮層處的高電壓癇性放電傳導(dǎo)至顱骨外頭皮下的末端電極片中，從而迅速降低腦皮層部位 的電壓水平，可減少或控制癲癇的發(fā)作。

圖1是本實用新型腦深部癇性放電引導(dǎo)電極的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本實用新型腦深部癇性放電引導(dǎo)電極的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式請參閱圖1和圖2所示，為本實用新型提供的一種腦深部癇性放電引導(dǎo)電極100， 其包括硅膠主體10、設(shè)于硅膠主體10 —端的頭端觸點11、位于硅膠主體10另一端的末端 電極片12及連接所述頭端觸點11和末端電極片12的導(dǎo)線13。請參閱圖1所示，所述硅膠主體10呈長條狀，且寬度均勻并設(shè)有縱向兩端。所述 頭端觸點11呈矩形片狀，其數(shù)量為兩個(也可以是一個或者多個)，并沿著硅膠主體10的 縱長方向排列設(shè)置于硅膠主體10的一縱向端，且所述頭端觸點11的突起于所述硅膠柱體 10的表面。所述末端電極片12呈圓形片狀，數(shù)量為一個，并設(shè)于所述硅膠主體10的另一 縱向端，且所述末端電極片12的面積大于所述頭端觸點11的面積，由此使得該末端電極片 12和所述頭端觸點11分別位于所述長條狀硅膠主體10的縱向兩端，且兩者之間通過兩根 導(dǎo)線13電性連接，每一導(dǎo)線13連接一個頭端觸點11，該兩根導(dǎo)線13分別同時與末端電極 片12相連，另外，所述導(dǎo)線13用帶有一絕緣層且嵌設(shè)于所述硅膠柱體10內(nèi)而與硅膠主體 10成為一體，所述頭端觸點11固定于硅膠主體10上，而所述末端電極片12與所述硅膠主 體10分離設(shè)置，其與自硅膠主體10 —端伸出的兩根導(dǎo)線13連接，且所述末端電極片12表 面不帶硅膠保持層，其用于置于頭皮下無肌層皮下組織內(nèi)。請參閱圖2所示，為本實用新型所述的腦深部癇性放電引導(dǎo)電極應(yīng)用于大腦8內(nèi) 時的示意圖，當(dāng)患者產(chǎn)生癇性放電時，腦深部癲癇灶處放電部位1產(chǎn)生的高電壓癇性放電 可以通過顱骨7內(nèi)癲癇灶放電部位1內(nèi)的頭端觸點11及通過顱骨7孔內(nèi)的導(dǎo)線13傳遞到 頭皮9下的末端電極片12中，所述頭皮9下的末端電極片12再經(jīng)過皮下組織擴散，從而迅 速降低腦皮層部位的電壓水平，避免局部的癇性放電形成癲癇發(fā)作的臨床癥狀，從而達(dá)到 減少或控制癲癇發(fā)作的目的，克服了目前癲癇藥物與手術(shù)治療的不足。以上所述，僅是本實用新型的最佳實施例而已，并非對本實用新型作任何形式上 的限制，均屬于本實用新型技術(shù)方案的范圍之內(nèi)。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本 實用新型技術(shù)方案范圍情況下，利用上述揭示的方法內(nèi)容對本實用新型技術(shù)方案做出許多 可能的變動和修飾，均屬于權(quán)利要求書保護(hù)的范圍。
權(quán)利要求1.一種腦深部癇性放電引導(dǎo)電極，包括長條形硅膠主體、分別位于硅膠主體兩端的頭 端觸點和末端電極片、及嵌設(shè)于所述硅膠主體內(nèi)的導(dǎo)線，其特征在于所述導(dǎo)線連接所述頭 端觸點和末端電極片，所述硅膠主體寬度均勻，所述頭端觸點固定于所述硅膠主體上，所述 末端電極片呈圓形片狀，其面積大于所述頭端觸點的面積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腦深部癇性放電引導(dǎo)電極，其特征在于所述頭端觸點突起 于所述硅膠柱體的表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的腦深部癇性放電引導(dǎo)電極，其特征在于所述末端電極片與 所述硅膠主體分離設(shè)置，其與自硅膠主體一端伸出的導(dǎo)線連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的腦深部癇性放電引導(dǎo)電極，其特征在于所述頭端觸點的數(shù) 量與所述導(dǎo)線數(shù)量相同，所述每一導(dǎo)線連接一個頭端觸點。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的腦深部癇性放電引導(dǎo)電極，其特征在于所述頭端觸點與所 述末端電極片分別位于顱骨內(nèi)外兩側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的腦深部癇性放電引導(dǎo)電極，其特征在于所述頭端觸點呈矩 形片狀，其數(shù)量為一個或多個，并沿著硅膠主體的縱長方向排列設(shè)置于硅膠主體的一端。
專利摘要本實用新型提供了一種腦深部癇性放電引導(dǎo)電極，包括長條形硅膠主體、分別位于硅膠主體兩端的頭端觸點和末端電極片、及嵌設(shè)于所述硅膠主體內(nèi)的導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接所述頭端觸點和末端電極片，所述硅膠主體寬度均勻，所述頭端觸點固定于所述硅膠主體上，所述末端電極片呈圓形片狀，其面積大于所述頭端觸點的面積。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實用新型所述的腦深部癇性放電引導(dǎo)電極可有效將顱骨內(nèi)腦皮層處的高電壓癇性放電傳導(dǎo)至顱骨外頭皮下的末端電極片中，從而迅速降低腦皮層部位的電壓水平，可減少或控制癲癇的發(fā)作。
文檔編號A61N1/14GK201880211SQ20102064765
公開日2011年6月29日 申請日期2010年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月8日
發(fā)明者梁樹立 申請人:梁樹立