專利名稱：在血管金屬支架上制造微坑的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于一種血管金屬支架微坑制備技術(shù)。
背景技術(shù)：
血管支架植入術(shù)是近10年來快速發(fā)展的介入治療心臟病和心肌梗死的變革性技術(shù)。微小的管狀支架可以即刻撐開那些因為脂肪堆積所造成的栓塞血管部位，降低了因為開胸外科搭橋手術(shù)的損傷和風(fēng)險，心肌缺血和冠心病等臨床病癥在手術(shù)后可立刻得到緩解，拯救了生命，病人24h后即可步行出院，療效顯著。但是由于裸金屬支架植入術(shù)后的約6個月內(nèi)會產(chǎn)生約25-30％的血管再狹窄，人們又制造了藥物涂層或藥物洗脫支架努力阻止疤痕組織的生長，它通過被包覆于金屬支架表面的載體攜帶藥物，當(dāng)植入病變部位后，藥物自載體通過洗脫方式釋放至心血管壁組織而發(fā)揮生物學(xué)效應(yīng)，力圖實現(xiàn)藥物釋放的可控性。然而臨床跟蹤統(tǒng)計表明，藥物洗脫支架雖然能夠有效降低血管再狹窄率，但其卻具有形成血栓的危險性，且藥物涂層支架表面組織治愈覆蓋率低。目前研究結(jié)果表明導(dǎo)致藥物涂層支架表面組織治愈覆蓋率低的原因與藥物載體材料對支架的整體覆蓋以及藥物載體材料的可降解和被吸收有關(guān)。為了達到發(fā)揮載藥支架中藥物抑制再狹窄的作用，同時減小藥物載體材料所占有支架的表面積，提高支架表面的組織治愈覆蓋率成為減小或避免晚期突發(fā)血栓的措施之一。為了達到上述目的，有人考慮設(shè)計載藥支架；一些公司和研究機構(gòu)做了新的嘗試。2003年比利時魯汶大學(xué)的Van Humbeeck團隊設(shè)計并用激光制造了麻坑型載藥支架；另據(jù)美國The Business Week2005年10月21日報道，Conor公司新近開發(fā)一種小井坑型藥物支架，是利用計算機指導(dǎo)激光制造技術(shù)在支架陣列上形成數(shù)百個小井坑存放藥物。但是上述兩種方案所涉及的激光加工出的帶有微坑的血管金屬支架存在以下問題(1)小井坑的開口尺寸過大并且縱斷面為深井型，開口直徑為8～25μm，井深度為8～25μm，這對于撐柱寬度和橋筋寬度為70-100μm的支架來說，已經(jīng)大大超出了支架可允許的缺陷范圍的界限，該范圍為不得大于撐柱寬度和橋筋寬度以及他們的深度的5％；(2)小井坑的排布為陣列式的，并且小井坑的大小是均勻統(tǒng)一的，這對于藥物釋放來說極為容易形成在支架被植入體內(nèi)后同一時間藥物釋放完畢，藥效同時失去，不利于藥物藥效的逐步釋放；(3)小井坑的排布只能圍繞著支架的外表面，無法位于支架撐柱以及橋筋的側(cè)面和內(nèi)表面，利用激光制備微坑的技術(shù)提高了支架處理成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了解決原有的在血管金屬支架上制造微坑的方法存在微坑開口直徑大、井深度深、小井坑大小均勻統(tǒng)一不利于藥物藥效的逐步釋放、小井坑的排布只能圍繞著支架的外表面，無法位于支架撐柱以及橋筋的側(cè)面和內(nèi)表面以及原有處理方法成本高的問題，而提出一種在血管金屬支架上制造微坑的方法。在血管金屬支架上制造微坑的方法通過以下步驟實現(xiàn)(一)在室溫條件下，將血管金屬支架基體放入質(zhì)量濃度為10～30％的鹽酸溶液中清洗5～10分鐘，酸洗完畢后將血管金屬支架基體放入蒸餾水中進行超聲波清洗5～10分鐘，將水洗處理后的血管金屬支架基體依次再放入分析純級的丙酮、無水乙醇和二次去離子水中進行超聲波清洗，在分析純級的丙酮、無水乙醇、二次去離子水中進行超聲波清洗的時間均為10～30分鐘，然后取出吹干；(二)將AlCl3的質(zhì)量百分含量為70～80％、NaCl和KCl的質(zhì)量百分含量各為10～15％的AlCl3-NaCl-KCl體系或AlCl3的質(zhì)量百分含量為70～80％的AlCl3-NaCl體系放入電解槽中并加熱至熔融態(tài)，將血管金屬支架基體放入電解槽并在熔融態(tài)的AlCl3-NaCl-KCl或AlCl3-NaCl中浸泡10～15分鐘，向電解槽中通入純度為99.99％的氬氣，然后以醫(yī)用金屬為陽極、血管金屬支架基體為陰極、電鍍溫度為110～250℃、陰極電流密度為±5～±50mA/cm2的條件下電鍍15～45分鐘；(三)在電鍍完畢后的5～10秒之內(nèi)將帶有金屬鍍層的血管金屬支架基體放入自來水中清洗5～10分鐘，自來水清洗完畢后將帶有金屬鍍層的血管金屬支架基體放入蒸餾水中進行超聲波清洗10～30分鐘；(四)以摩爾濃度為0.25～2.0mol/L的硫酸溶液或摩爾濃度為0.1～0.5mol/L的草酸溶液為電解液，將帶有金屬鍍層的血管金屬支架基體放入電解液中，在陽極氧化電壓為0.5～40V、電流密度為±10～±60mA/cm2、溫度為0～30℃的條件下對帶有金屬鍍層的血管金屬支架基體進行陽極氧化5～50分鐘之后提高電流密度1～5倍并保持該電流密度10～100秒，即將血管金屬支架上布滿了微坑。本發(fā)明處理過的血管金屬支架上的金屬鍍層脫落并且在血管金屬支架上布滿微坑，微坑為原位生成，微坑的開口尺寸小并且縱斷面為圓形或方形，微坑的大小為亞微米級或納米級，開口直徑為0.01～4μm，深度為0.01～4μm，小坑不規(guī)則排布，并且小井坑的大小不是均勻統(tǒng)一的，利于藥物藥效的逐步釋放。


圖1是具體實施方式
十二中處理后的血管金屬支架放大5000倍的電子掃描圖，圖2是具體實施方式
十三中處理后的血管金屬支架放大5000倍的電子掃描圖。
具體實施例方式
具體實施方式
一本實施方式中在血管金屬支架上制造微坑的方法通過以下步驟實現(xiàn)(一)在室溫條件下，將血管金屬支架基體放入質(zhì)量濃度為10～30％的鹽酸溶液中清洗5～10分鐘，酸洗完畢后將血管金屬支架基體放入蒸餾水中進行超聲波清洗5～10分鐘，將水洗處理后的血管金屬支架基體依次再放入分析純級的丙酮、無水乙醇和二次去離子水中進行超聲波清洗，在分析純級的丙酮、無水乙醇、二次去離子水中進行超聲波清洗的時間均為10～30分鐘，然后取出吹干；(二)將AlCl3的質(zhì)量百分含量為70～80％、NaCl和KCl的質(zhì)量百分含量各為10～15％的AlCl3-NaCl-KCl體系或AlCl3的質(zhì)量百分含量為70～80％的AlCl3-NaCl體系放入電解槽中并加熱至熔融態(tài)，將血管金屬支架基體放入電解槽并在熔融態(tài)的AlCl3-NaCl-KCl或AlCl3-NaCl中浸泡10～15分鐘，向電解槽中通入純度為99.99％的氬氣，然后以醫(yī)用金屬為陽極、血管金屬支架基體為陰極、電鍍溫度為110～250℃、陰極電流密度為±5～±50mA/cm2的條件下電鍍15～45分鐘；(三)在電鍍完畢后的5～10秒之內(nèi)將帶有金屬鍍層的血管金屬支架基體放入自來水中清洗5～10分鐘，自來水清洗完畢后將帶有金屬鍍層的血管金屬支架基體放入蒸餾水中進行超聲波清洗10～30分鐘；(四)以摩爾濃度為0.25～2.0mol/L的硫酸溶液或摩爾濃度為0.1～0.5mol/L的草酸溶液為電解液，將帶有金屬鍍層的血管金屬支架基體放入電解液中，在陽極氧化電壓為0.5～40V、電流密度為±10～±60mA/cm2、溫度為0～30℃的條件下對帶有金屬鍍層的血管金屬支架基體進行陽極氧化5～50分鐘之后提高電流密度1～5倍并保持該電流密度10～100秒，即將血管金屬支架上布滿了微坑。
本實施方式尤其適用于對心血管金屬支架基體的處理。
具體實施方式
二本實施方式與具體實施方式
一的不同點在于步驟(一)中在室溫條件下，將血管金屬支架基體放入質(zhì)量濃度為15～25％的鹽酸溶液中清洗6～9分鐘，酸洗完畢后將血管金屬支架基體放入蒸餾水中進行超聲波清洗6～9分鐘，將水洗處理后的血管金屬支架基體依次再放入分析純級的丙酮、無水乙醇和二次去離子水中進行超聲波清洗，在分析純級的丙酮、無水乙醇、二次去離子水中進行超聲波清洗的時間均為15～25分鐘，然后取出吹干。其它步驟與具體實施方式
一相同。
具體實施方式
三本實施方式與具體實施方式
一的不同點在于步驟((一)中在室溫條件下，將血管金屬支架基體放入質(zhì)量濃度為20％的鹽酸溶液中清洗8分鐘，酸洗完畢后將血管金屬支架基體放入蒸餾水中進行超聲波清洗8分鐘，將水洗處理后的血管金屬支架基體依次再放入分析純級的丙酮、無水乙醇和二次去離子水中進行超聲波清洗，在分析純級的丙酮、無水乙醇、二次去離子水中進行超聲波清洗的時間均為20分鐘，然后取出吹干。其它步驟與具體實施方式
一相同。
具體實施方式
四本實施方式與具體實施方式
一的不同點在于步驟(一)中在室溫條件下，將血管金屬支架基體放入質(zhì)量濃度為25％的鹽酸溶液中清洗6分鐘，酸洗完畢后將血管金屬支架基體放入蒸餾水中進行超聲波清洗8分鐘，將水洗處理后的血管金屬支架基體依次再放入分析純級的丙酮、無水乙醇和二次去離子水中進行超聲波清洗，在分析純級的丙酮、無水乙醇、二次去離子水中進行超聲波清洗的時間均為18分鐘，然后取出吹干。其它步驟與具體實施方式
一相同。
具體實施方式
五本實施方式與具體實施方式
一的不同點在于步驟(一)中在室溫條件下，將血管金屬支架基體放入質(zhì)量濃度為30％的鹽酸溶液中清洗5分鐘，酸洗完畢后將血管金屬支架基體放入蒸餾水中進行超聲波清洗7分鐘，將水洗處理后的血管金屬支架基體依次放入分析純級的丙酮、無水乙醇和二次去離子水中進行超聲波清洗，在分析純級的丙酮、無水乙醇、二次去離子水中進行超聲波清洗的時間均為16分鐘，然后取出吹干。其它步驟與具體實施方式
一相同。
具體實施方式
六本實施方式與具體實施方式
一的不同點在于步驟(一)中在室溫條件下，將血管金屬支架基體放入質(zhì)量濃度為28％的鹽酸溶液中清洗7分鐘，酸洗完畢后將血管金屬支架基體放入蒸餾水中進行超聲波清洗10分鐘，將水洗處理后的血管金屬支架基體依次再放入分析純級的丙酮、無水乙醇和二次去離子水中進行超聲波清洗，在分析純級的丙酮、無水乙醇、二次去離子水中進行超聲波清洗的時間均為28分鐘，然后取出吹干。其它步驟與具體實施方式
一相同。
具體實施方式
七本實施方式與具體實施方式
一的不同點在于步驟(二)中醫(yī)用金屬為醫(yī)用不銹鋼316L、醫(yī)用Co-Cr合金L605或醫(yī)用鎳鈦合金NT508。其它步驟與具體實施方式
一相同。
具體實施方式
八本實施方式與具體實施方式
一的不同點在于步驟(二)中電鍍溫度為150～230℃、陰極電流密度為±15～±40mA/cm2的條件下電鍍20～35分鐘。
具體實施方式
九本實施方式與具體實施方式
一的不同點在于步驟(二)中電鍍溫度為130℃、陰極電流密度為±38mA/cm2的條件下電鍍35分鐘。
具體實施方式
十本實施方式與具體實施方式
一的不同點在于步驟(二)中將血管金屬支架基體放入電解槽并在熔融態(tài)的AlCl3-NaCl-KCl或AlCl3-NaCl中浸泡12～14分鐘，向電解槽中通入純度為99.99％的氬氣，然后以醫(yī)用金屬為陽極、血管金屬支架基體為陰極、電鍍溫度為120～2400℃、陰極電流密度為±10～±45mA/cm2的條件下電鍍18～40分鐘。其它步驟與具體實施方式
一相同。
具體實施方式
十一本實施方式與具體實施方式
一的不同點在于步驟(二)中將血管金屬支架基體放入電解槽并在熔融態(tài)的AlCl3-NaCl-KCl或AlCl3-NaCl中浸泡15分鐘，向電解槽中通入純度為99.99％的氬氣，然后以醫(yī)用金屬為陽極、血管金屬支架基體為陰極、電鍍溫度為200℃、陰極電流密度為±35mA/cm2的條件下電鍍30分鐘。其它步驟與具體實施方式
一相同。
具體實施方式
十二本實施方式與具體實施方式
一的不同點在于步驟(二)中將血管金屬支架基體放入電解槽并在熔融態(tài)的AlCl3-NaCl-KCl或AlCl3-NaCl中浸泡13分鐘，向電解槽中通入純度為99.99％的氬氣，然后以醫(yī)用不銹鋼316L為陽極、血管金屬支架基體為陰極、電鍍溫度為220℃、陰極電流密度為±30mA/cm2的條件下電鍍28分鐘。其它步驟與具體實施方式
一相同。
本實施方式處理過的血管金屬支架上布滿微坑，用電子顯微鏡觀察，放大5000倍的電子掃描圖如圖1所示小井坑的開口尺寸小并且縱斷面為圓形，開口直徑為0.01～4μm，深度為0.01～4μm，小坑不規(guī)則排布，并且小井坑的大小不是均勻統(tǒng)一的，利于藥物藥效的逐步釋放。
具體實施方式
十三本實施方式與具體實施方式
一的不同點在于步驟(二)中將AlCl3的質(zhì)量百分含量為70～80％、NaCl和KCl的質(zhì)量百分含量各為10～15％的AlCl3-NaCl-KCl體系放入電解槽中并加熱至熔融態(tài)，將血管金屬支架基體放入電解槽并在熔融態(tài)的AlCl3-NaCl-KCl中浸泡10分鐘，向電解槽中通入純度為99.99％的氬氣，然后以醫(yī)用Co-Cr合金L605為陽極、血管金屬支架基體為陰極、電鍍溫度為140℃、陰極電流密度為±6mA/cm2的條件下電鍍40分鐘。其它步驟與具體實施方式
一相同。
本實施方式處理過的血管金屬支架上布滿微坑，用電子顯微鏡觀察，放大5000倍的電子掃描圖如圖2所示小井坑的開口尺寸小并且縱斷面為方形，開口直徑為0.1～4μm，深度為0.1～4μm，小坑不規(guī)則排布，并且小井坑的大小不是均勻統(tǒng)一的，利于藥物藥效的逐步釋放。
具體實施方式
十四本實施方式與具體實施方式
一的不同點在于步驟(三)中在電鍍完畢后的6～9秒之內(nèi)將帶有金屬鍍層的血管金屬支架基體放入自來水中清洗6～9分鐘，自來水清洗完畢后將帶有金屬鍍層的血管金屬支架基體放入蒸餾水中進行超聲波清洗15～25分鐘。其它步驟與具體實施方式
一相同。
具體實施方式
十五本實施方式與具體實施方式
一的不同點在于步驟(三)中在電鍍完畢后的9秒之內(nèi)將帶有金屬鍍層的血管金屬支架基體放入自來水中清洗10分鐘，自來水清洗完畢后將帶有金屬鍍層的血管金屬支架基體放入蒸餾水中進行超聲波清洗25分鐘。其它步驟與具體實施方式
一相同。
具體實施方式
十六本實施方式與具體實施方式
一的不同點在于步驟(四)中以摩爾濃度為0.75～1.8mol/L的硫酸溶液或摩爾濃度為0.2～0.4mol/L的草酸溶液為電解液，將帶有金屬鍍層的血管金屬支架基體放入電解液中，在陽極氧化電壓為1.5～35V、電流密度為±15～±55mA/cm2、溫度為5～25℃的條件下對帶有金屬鍍層的血管金屬支架基體進行陽極氧化20～48分鐘后提高電流密度2～4倍并保持該電流密度15～95秒。其它步驟與具體實施方式
一相同。
具體實施方式
十七本實施方式與具體實施方式
一的不同點在于步驟(四)中以摩爾濃度為1.0～1.5mol/L的硫酸溶液或摩爾濃度為0.25～0.35mol/L的草酸溶液為電解液，將帶有金屬鍍層的血管金屬支架基體放入電解液中，在陽極氧化電壓為5～30V、電流密度為±20～±45mA/cm2、溫度為10～24℃的條件下對帶有金屬鍍層的血管金屬支架基體進行陽極氧化25～45分鐘后提高電流密度2～4倍并保持該電流密度20～90秒。其它步驟與具體實施方式
一相同。
具體實施方式
十八本實施方式與具體實施方式
一的不同點在于步驟(四)中以摩爾濃度為1.4mol/L的硫酸溶液或摩爾濃度為0.3mol/L的草酸溶液為電解液，將帶有金屬鍍層的血管金屬支架基體放入電解液中，在陽極氧化電壓為25V、電流密度為±40mA/cm2、溫度為20℃的條件下對帶有金屬鍍層的血管金屬支架基體進行陽極氧化40分鐘后提高電流密度3倍并保持該電流密度75秒。其它步驟與具體實施方式
一相同。
具體實施方式
十九本實施方式與具體實施方式
一的不同點在于步驟(四)中以摩爾濃度為0.5mol/L的硫酸溶液為電解液，將帶有金屬鍍層的血管金屬支架基體放入電解液中，在陽極氧化電壓為1V、電流密度為±50mA/cm2、溫度為20℃的條件下對帶有金屬鍍層的血管金屬支架基體進行陽極氧化40分鐘后提高電流密度3倍并保持該電流密度75秒。其它步驟與具體實施方式
一相同。
具體實施方式
二十本實施方式與具體實施方式
一的不同點在于步驟(四)中以摩爾濃度為0.2mol/L的草酸溶液為電解液，將帶有金屬鍍層的血管金屬支架基體放入電解液中，在陽極氧化電壓為5V、電流密度為±45mA/cm2、溫度為20℃的條件下對帶有金屬鍍層的血管金屬支架基體進行陽極氧化40分鐘后提高電流密度5倍并保持該電流密度20秒。其它步驟與具體實施方式
一相同。
具體實施方式
二十一本實施方式與具體實施方式
一的不同點在于步驟(四)中以摩爾濃度為1mol/L的硫酸溶液為電解液，將帶有金屬鍍層的血管金屬支架基體放入電解液中，在陽極氧化電壓為10V、電流密度為±30mA/cm2、溫度為20℃的條件下對帶有金屬鍍層的血管金屬支架基體進行陽極氧化40分鐘后提高電流密度5倍并保持該電流密度20秒。其它步驟與具體實施方式
一相同。
具體實施方式
二十二本實施方式與具體實施方式
一的不同點在于步驟(四)中以摩爾濃度為1.5mol/L的硫酸溶液為電解液，將帶有金屬鍍層的血管金屬支架基體放入電解液中，在陽極氧化電壓為40V、電流密度為±20mA/cm2、溫度為20℃的條件下對帶有金屬鍍層的血管金屬支架基體進行陽極氧化40分鐘后提高電流密度5倍并保持該電流密度15秒。其它步驟與具體實施方式
一相同。
權(quán)利要求
1.在血管金屬支架上制造微坑的方法，其特征在于在血管金屬支架上制造微坑的方法通過以下步驟實現(xiàn)(一)在室溫條件下，將血管金屬支架基體放入質(zhì)量濃度為10～30％的鹽酸溶液中清洗5～10分鐘，酸洗完畢后將血管金屬支架基體放入蒸餾水中進行超聲波清洗5～10分鐘，將水洗處理后的血管金屬支架基體依次再放入分析純級的丙酮、無水乙醇和二次去離子水中進行超聲波清洗，在分析純級的丙酮、無水乙醇、二次去離子水中進行超聲波清洗的時間均為10～30分鐘，然后取出吹干；(二)將AlCl3的質(zhì)量百分含量為70～80％、NaCl和KCl的質(zhì)量百分含量各為10～15％的AlCl3-NaCl-KCl體系或AlCl3的質(zhì)量百分含量為70～80％的AlCl3-NaCl體系放入電解槽中并加熱至熔融態(tài)，將血管金屬支架基體放入電解槽并在熔融態(tài)的AlCl3-NaCl-KCl或AlCl3-NaCl中浸泡10～15分鐘，向電解槽中通入純度為99.99％的氬氣，然后以醫(yī)用金屬為陽極、血管金屬支架基體為陰極、電鍍溫度為110～250℃、陰極電流密度為±5～±50mA/cm2的條件下電鍍15～45分鐘；(三)在電鍍完畢后的5～10秒之內(nèi)將帶有金屬鍍層的血管金屬支架基體放入自來水中清洗5～10分鐘，自來水清洗完畢后將帶有金屬鍍層的血管金屬支架基體放入蒸餾水中進行超聲波清洗10～30分鐘；(四)以摩爾濃度為0.25～2.0mol/L的硫酸溶液或摩爾濃度為0.1～0.5mol/L的草酸溶液為電解液，將帶有金屬鍍層的血管金屬支架基體放入電解液中，在陽極氧化電壓為0.5～40V、電流密度為±10～±60mA/cm2、溫度為0～30℃的條件下對帶有金屬鍍層的血管金屬支架基體進行陽極氧化5～50分鐘之后提高電流密度1～5倍并保持該電流密度10～100秒，即將血管金屬支架上布滿了微坑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在血管金屬支架上制造微坑的方法，其特征在于步驟(一)中在室溫條件下，將血管金屬支架基體放入質(zhì)量濃度為15～25％的鹽酸溶液中清洗6～9分鐘，酸洗完畢后將血管金屬支架基體放入蒸餾水中進行超聲波清洗6～9分鐘，將水洗處理后的血管金屬支架基體依次再放入分析純級的丙酮、無水乙醇和二次去離子水中進行超聲波清洗，在分析純級的丙酮、無水乙醇、二次去離子水中進行超聲波清洗的時間均為15～25分鐘，然后取出吹干。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在血管金屬支架上制造微坑的方法，其特征在于步驟(一)中在室溫條件下，將血管金屬支架基體放入質(zhì)量濃度為20％的鹽酸溶液中清洗8分鐘，酸洗完畢后將血管金屬支架基體放入蒸餾水中進行超聲波清洗8分鐘，將水洗處理后的血管金屬支架基體依次再放入分析純級的丙酮、無水乙醇和二次去離子水中進行超聲波清洗，在分析純級的丙酮、無水乙醇、二次去離子水中進行超聲波清洗的時間均為20分鐘，然后取出吹干。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在血管金屬支架上制造微坑的方法，其特征在于步驟(二)中醫(yī)用金屬為醫(yī)用不銹鋼316L、醫(yī)用Co-Cr合金L605或醫(yī)用鎳鈦合金NT508。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在血管金屬支架上制造微坑的方法，其特征在于步驟(二)中將血管金屬支架基體放入電解槽并在熔融態(tài)的AlCl3-NaCl-KCl或AlCl3-NaCl中浸泡12～14分鐘，在向電解槽中通入純度為99.99％的氬氣，然后以醫(yī)用金屬為陽極、血管金屬支架基體為陰極、電鍍溫度為120～240℃、陰極電流密度為±10～±45mA/cm2的條件下電鍍18～40分鐘。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在血管金屬支架上制造微坑的方法，其特征在于步驟(二)中電鍍溫度為150～230℃、陰極電流密度為±15～±40mA/cm2的條件下電鍍20～35分鐘。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在血管金屬支架上制造微坑的方法，其特征在于步驟(二)中將血管金屬支架基體放入電解槽并在熔融態(tài)的AlCl3-NaCl-KCl或AlCl3-NaCl中浸泡15分鐘，向電解槽中通入純度為99.99％的氬氣，然后以醫(yī)用金屬為陽極、血管金屬支架基體為陰極、電鍍溫度為200℃、陰極電流密度為±35mA/cm2的條件下電鍍30分鐘。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在血管金屬支架上制造微坑的方法，其特征在于步驟(三)中在電鍍完畢后的6～9秒之內(nèi)將帶有金屬鍍層的血管金屬支架基體放入自來水中清洗6～9分鐘，自來水清洗完畢后將帶有金屬鍍層的血管金屬支架基體放入蒸餾水中進行超聲波清洗15～25分鐘。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在血管金屬支架上制造微坑的方法，其特征在于步驟(四)中以摩爾濃度為1.0～1.5mol/L的硫酸溶液或摩爾濃度為0.25～0.35mol/L的草酸溶液為電解液，將帶有金屬鍍層的血管金屬支架基體放入電解液中，在陽極氧化電壓為5～30V、電流密度為±20～±45mA/cm2、溫度為10～24℃的條件下對帶有金屬鍍層的血管金屬支架基體進行陽極氧化25～45分鐘后提高電流密度2～4倍并保持該電流密度20～90秒。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在血管金屬支架上制造微坑的方法，其特征在于步驟(四)中以摩爾濃度為1.4mol/L的硫酸溶液或摩爾濃度為0.3mol/L的草酸溶液為電解液，將帶有金屬鍍層的血管金屬支架基體放入電解液中，在陽極氧化電壓為25V、電流密度為±40mA/cm2、溫度為20℃的條件下對帶有金屬鍍層的血管金屬支架基體進行陽極氧化40分鐘后提高電流密度3倍并保持該電流密度75秒。
全文摘要
在血管金屬支架上制造微坑的方法，本發(fā)明屬于一種血管金屬支架微坑制備技術(shù)。它為了解決原有的在血管金屬支架上制造微坑的方法存在微坑開口直徑大、井深度深、小井坑大小均勻統(tǒng)一不利于藥物藥效的逐步釋放、小井坑排布只能圍繞著支架的外表面，無法位于支架撐柱以及橋筋的側(cè)面和內(nèi)表面以及原有處理方法成本高的問題。在血管金屬支架上制造微坑的方法通過以下步驟實現(xiàn)(一)支架預(yù)處理；(二)電鍍；(三)清洗帶有金屬鍍層的支架；(四)除去鍍層，處理后的血管金屬支架上布滿微坑。本發(fā)明處理過的血管金屬支架上布滿微坑，微坑的開口尺寸小并且縱斷面為圓形或方形，開口直徑為0.1～4μm，深度為0.1～4μm。
文檔編號A61F2/82GK101054702SQ20071007172
公開日2007年10月17日 申請日期2007年2月2日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月2日
發(fā)明者馬欣新, 陳慶福, 王玉江, 郭光偉, 劉禮華, 胡建剛 申請人:哈爾濱工業(yè)大學(xué), 江陰法爾勝佩爾新材料科技有限公司