心箭SiC寶石的制作方法
【專利摘要】除了別的以外，本申請公開了適合于碳化硅(“SiC”)的光學特性的特定的一組切割比例，其可產(chǎn)生“心箭”反射圖案。
【專利說明】心箭SiC寶石
[0001]領域
本公開涉及一種在透明的碳化娃(“SiC”)寶石中產(chǎn)生“心箭(Hearts & Arrows)”反射圖案的方法。
[0002]背景
通常，在珍貴寶石和次珍貴寶石上切割平面，以采用經(jīng)濟的方式為這些寶石提供光澤。也可切割寶石，以提供具有可見圖案的反射。
[0003]發(fā)明概述
除了別的以外，本申請公開了適合于碳化硅(“SiC”)的光學特性的特定的一組切割比例，其可產(chǎn)生“心箭”反射圖案。
[0004]附圖簡述
圖1為具有心箭圖案的SiC寶石切割的一個實例的側視圖。
[0005]圖2為具有心箭圖案的SiC寶石切割的一個實例的俯視圖。
[0006]圖3為具有心箭圖案的SiC寶石切割的一個實例的仰視圖。
[0007]圖4說明產(chǎn)生具有心箭圖案的SiC寶石的一種方法的流程圖。
[0008]圖5說明具有心箭圖案的SiC寶石的仰視圖。
[0009]圖6說明具有心箭圖案的SiC寶石的俯視圖。
[0010]發(fā)明描述
碳化硅(SiC)為硅和碳的化合物。它以多種結晶形式存在，通常分組為具有類似結構的多型體。三種常見的多型體為3C(i3)、4H和6H(a)。3C ( β )具有立方晶體結構；4Η和6Η (α)各自具有六方晶體結構。
[0011]圖1為具有心箭圖案的SiC寶石切割的一個實例的側視圖。冠100為在腰之上的寶石部分。冠100具有星平面200、冠主平面210和冠腰平面220。腰130為寶石的外邊緣，使冠100與亭110分隔。腰130通常坐落于寶石最寬部分處的寶石區(qū)域附近，其中直徑120指示寶石的邊緣到邊緣的寬度。臺面140為寶石上最大的平面。
[0012]圖2為具有心箭圖案的SiC寶石切割的一個實例的俯視圖。星平面200(圍繞臺面的平面)可以21.46°切割。冠腰平面220 (冠上接近腰的平面)可切割為具有39.00°的角度。冠主平面可以31.91°切割。在該圖中為了減少零亂，標識了每一種類型的平面中的兩個。本領域技術人員認識到，在該圖中存在8個星平面200、8個冠主平面210和16個冠腰平面220。
[0013]圖3為具有心箭圖案的SiC寶石切割的一個實例的仰視圖。亭主平面300可以40.70°的角度切割。亭腰平面310可以41.84°的角度切割。在該圖中為了減少零亂，標識了每一種類型的平面中的兩個。本領域技術人員認識到，在該圖中存在8個亭主平面300和16個亭腰平面310。
[0014]具有所示角度的SiC寶石切割可顯示心箭圖案。本領域技術人員認識到，切割角度最多大或小0.1°的輕微變化仍可生產(chǎn)心箭圖案。
[0015]圖4說明產(chǎn)生具有心箭圖案的SiC寶石的一種方法的流程圖。在該實例中，切割腰輪廓400，以提供SiC寶石的直徑。切割亭平面410，包括亭主平面和亭腰平面。
[0016]將亭平面拋光420，同樣將腰拋光430。將寶石轉移以允許冠側的切割和拋光。
[0017]切割冠主平面、星平面和腰平面450，和拋光460。
[0018]圖5說明具有心箭圖案的SiC寶石的仰視圖。箭510可為SiC寶石的期望的設計。在該圖中為了減少零亂，僅標識了 8個箭510中的兩個。
[0019]圖6說明具有心箭圖案的SiC寶石的俯視圖。心610可為SiC寶石的期望的設計。在該圖中為了減少零亂，僅標識了 8個心610中的兩個。
[0020]雖然已就具體實施例表述了以上詳細說明，但是本領域技術人員認識到，可使用許多其它結構。因此，認識到在不偏離本發(fā)明的精神和范圍下可以對上述實施方案進行各種等價修改。
[0021]此外，在說明書中說明的操作顯示以特定順序發(fā)生的特定事件。在備選的實施方案中，特定操作可以不同的順序進行、修改或除去。此外，可對以上描述的邏輯增加步驟，并且仍符合所描述的實施方案。此外，本文描述的操作可序貫發(fā)生，或者特定操作可并行處理。另外，操作可通過單一加工單元或通過多個分散的加工單元進行。
[0022]為了說明和描述的目的，呈現(xiàn)本發(fā)明的各種實施方案的前述描述。不旨在為窮舉的或使本發(fā)明局限于所公開的精確形式。旨在本發(fā)明的范圍不局限于該詳細說明，而是由所附權利要求限定。以上說明書、實施例和數(shù)據(jù)提供本發(fā)明的制造和使用的完整說明。由于在不偏離本發(fā)明的精神和范圍下可以進行本發(fā)明的許多實施方案，本發(fā)明在于下文所附權利要求。
【權利要求】
1.一種SiC寶石,所述寶石包含:冠部分，其包含:多個以約31.91°的角度切割的冠主平面；多個以約39.00°的角度切割的冠腰平面；多個以約21.46°的角度切割的星平面；亭部分，其包含:多個以約40.70°的角度切割的亭主平面；多個以約41.84°的角度切割的亭腰平面；和腰部分，其鄰接冠部分并且沿著預定的平面延伸。
2.權利要求1的SiC寶石，其中存在8個冠主平面。
3.權利要求1的SiC寶石，其中存在16個冠腰平面。
4.權利要求1的SiC寶石，其中存在8個星平面。
5.權利要求1的SiC寶石，其中存在8個亭主平面。
6.權利要求1的SiC寶石，其中存在16個亭腰平面。
7.權利要求1的SiC寶石，其中所述SiC選自6H、4H和3CSiC0
8.一種切割SiC寶石的方法，所述方法包括:切割SiC寶石的腰輪廓；以約40.70°的角度在SiC寶石的亭側上切割主平面；以約41.84°的角度在SiC寶石的亭側上切割腰平面；以約31.91°的角度在SiC寶石的冠側上切割主平面；以約39.00°的角度在SiC寶石的冠側上切割腰平面；以約21.46°的角度在SiC寶石的冠側上切割星平面；和在SiC寶石的冠側上切割臺面。
9.權利要求8的方法，其中所述切割通過機器人切割機器進行。
10.權利要求8的方法，所述方法還包括拋光SiC寶石的冠側上的平面。
11.權利要求8的方法，所述方法還包括拋光SiC寶石的亭側上的平面。
【文檔編號】A44C17/00GK103945726SQ201280042360
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2012年3月13日 優(yōu)先權日:2011年9月2日
【發(fā)明者】安東尼·里奇 申請人:安東尼·里奇