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一種制漿機(jī)的防溢檢測(cè)電路的制作方法

文檔序號(hào):568703閱讀:283來源:國知局
專利名稱:一種制漿機(jī)的防溢檢測(cè)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種防溢檢測(cè)電路,特別是一種制漿機(jī)的防溢檢測(cè)電路。
背景技術(shù)
豆?jié){機(jī)、米糊機(jī)等制漿機(jī)的防溢十分重要,因?yàn)樵诩訜徇^程中,中央處理 芯片要時(shí)刻檢測(cè)容器內(nèi)食物的泡沫有沒有碰到防溢電極,如果碰到防溢電極就 停止加熱,以防止食物溢出容器外,同時(shí)也是據(jù)此來確定制漿機(jī)的制作工藝步 驟,實(shí)現(xiàn)智能控制。而現(xiàn)市場(chǎng)上銷售的豆?jié){機(jī)、米糊機(jī)等制槳機(jī)的防溢檢測(cè)電
路多利用單片機(jī)的AD轉(zhuǎn)換功能來實(shí)現(xiàn),如中國專利申請(qǐng)?zhí)枮?00710013412.9 就公開了通過AD轉(zhuǎn)換的防溢檢測(cè)防范,但這種方法增加單片機(jī)的成本。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型電路的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)缺陷,提供了一種簡(jiǎn)單可靠且成 本較低的制漿機(jī)的防溢檢測(cè)電路。
本實(shí)用新型技術(shù)方案是:一種制漿機(jī)的防溢檢測(cè)電路,包括有第一電阻R19、 充放電電容C1、防溢電極J13及導(dǎo)電體J10,第一電阻R19連接中央處理芯片 I/O 口并對(duì)充放電電容Cl充電,防溢電極J13與導(dǎo)電體J10分別連接充放電電 容C1的兩端。
上述防溢電極J13與導(dǎo)電體J10之間連接有供充放電電容Cl放電的第二電 阻R20,所述第二電阻R20的阻值是第一電阻R19的一百倍或以上。
上述導(dǎo)電體J10為金屬攪拌刀片、金屬攪拌軸、發(fā)熱管或金屬盛漿容器。本實(shí)用新型只通過一個(gè)充電電阻、 一個(gè)導(dǎo)電體、 一個(gè)防溢電極以及一個(gè)充 放電電容,就可有效的解決防溢電路,并且該電路對(duì)中央處理芯片的程序要求 非常簡(jiǎn)單,對(duì)比現(xiàn)有技術(shù)的防溢電路,本實(shí)用新型具有簡(jiǎn)單可靠、成本較低的 優(yōu)點(diǎn)。


圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例1的電路圖; 圖2是實(shí)用新型實(shí)施例2的電路圖; 圖中省略了與本實(shí)用新型無關(guān)的部件。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例,對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步詳細(xì)說明。 實(shí)施例1:
如圖l所示,本實(shí)用新型制漿機(jī)的防溢檢測(cè)電路,包括有第一電阻R19、充
放電電容C1、防溢電極J13以及導(dǎo)電體JIO,第一電阻R19通過與中央處理芯 片連接的I/O 口對(duì)充放電電容C2充電,防溢電極J13與導(dǎo)電體J10分別連接充 放電電容C1的兩端。
在制漿機(jī)中,該防溢檢測(cè)電路中的導(dǎo)電體J10可以是金屬攪拌刀片、金屬 攪拌軸、發(fā)熱管或金屬盛漿容器,也就是同制漿物料接觸的可以導(dǎo)電的部件即 可。
下面以豆?jié){機(jī)為例,說明本實(shí)用新型的工作過程。
如豆?jié){機(jī)的中央處理芯片為單片機(jī),先設(shè)與單片機(jī)連接的I/O 口為輸出狀 態(tài),同時(shí)輸出高電平,這樣I/0口有5V電壓,就可通過第一電阻R19對(duì)充放電 電容C1充電,由單片機(jī)程序控制充電時(shí)間(第一電阻R19的阻值較小,如1K歐,因此充電時(shí)間非常短, 一般只需0.01毫秒),以確保充放電電容充滿電。充 電完成后,單片機(jī)程序?qū)⒃O(shè)置1/0 口為輸入狀態(tài),檢測(cè)充放電電容C1的電壓直
到檢測(cè)到低電平。如果有豆?jié){機(jī)內(nèi)制漿物料泡沫碰到防溢電極JIO,導(dǎo)電體J13 通過制漿物料的泡沫與防溢電極J10導(dǎo)通,如圖中虛線所示,則充放電電容C1 就可通過制漿物料的泡沫放電,充放電電容C1的電壓降為低電平,單片機(jī)程序 檢測(cè)到后發(fā)出指令停止發(fā)熱裝置發(fā)熱,從而防止制漿物料的溢出。
實(shí)施例2:
由于實(shí)施例1中在沒有溢出情況下,充放電電容C1放電較慢,單片機(jī)檢測(cè) 充放電電容C1的兩端電壓直到低電平,要花很長(zhǎng)時(shí)間,會(huì)降低檢測(cè)的靈敏度, 同時(shí),由于沒有準(zhǔn)確的供參考的放電時(shí)間,其檢測(cè)結(jié)果有時(shí)候也不精確。
本實(shí)施例是對(duì)第一實(shí)施例的電路進(jìn)行了改進(jìn),在防溢電極J13與導(dǎo)電體J10 之間連接有供充放電電容C1放電的第二電阻R20。還是以豆?jié){機(jī)為例對(duì)其工作 原理進(jìn)行詳細(xì)描述
豆?jié){機(jī)的中央處理芯片為單片機(jī),先設(shè)與單片機(jī)連接的1/0 口為輸出狀態(tài), 同時(shí)輸出高電平,這樣I/0口有5V電壓,就可通過第一電阻R19對(duì)充放電電容 Cl充電,由單片機(jī)程序控制充電時(shí)間(第一電阻R19的阻值較小,如1K歐, 因此充電時(shí)間非常短, 一般只需0.01毫秒),以確保充放電電容充滿電;由于第 二電阻R20的阻值遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于R19 (比如說第二電阻R20的阻值為1M歐,也就 是第一電阻R19的1000倍),因此在充電過程中第二電阻R20的放電可忽略。 充電完成后,單片機(jī)程序?qū)⒃O(shè)置I/0口為輸入狀態(tài),檢測(cè)充放電電容C1的電壓 直到檢測(cè)到低電平,并由單片機(jī)程序記錄這一放電過程的時(shí)間。如果沒有制漿 物料的泡沫碰到防溢電極J10,則充放電電容C1只能通過R20放電,其放電時(shí)間為Tm會(huì)較長(zhǎng)(比如說是10毫秒);如果有豆?jié){機(jī)內(nèi)制漿物料泡沫碰到防溢電 極JIO,導(dǎo)電體J13通過制漿物料的泡沫與防溢電極J10導(dǎo)通,如圖2中虛線所 示,則充放電電容C1通過就可同時(shí)通過第二電阻R20以及制漿物料的泡沫放電, 這時(shí)候的放電時(shí)間為Tx會(huì)比較短(比如說是2毫秒)??紤]各種制漿物料泡沫 的電阻值,取其中的最大值,假設(shè)為Rr,再通過單片機(jī)程序得出充放電電容通 過R20和Rr同時(shí)放電的時(shí)間,假設(shè)為Tr (比如說是5毫秒)。這樣就可以判斷 有沒有泡沫碰到防溢電極如果Tx小于或等于Tr就認(rèn)為有泡沫碰到防溢電極 JIO,如果Tx大于Tr就認(rèn)為沒有泡沬碰到防溢電極。單片機(jī)根據(jù)檢測(cè)到的充放 電電容C1的放電時(shí)間來確定是否繼續(xù)加熱,從而達(dá)到精確防溢的效果。
權(quán)利要求1、一種制漿機(jī)的防溢檢測(cè)電路,其特征在于包括有第一電阻(R19)、充放電電容(C1)、防溢電極(J13)及導(dǎo)電體(J10),第一電阻(R19)連接中央處理芯片I/O口并對(duì)充放電電容(C1)充電,防溢電極(J13)與導(dǎo)電體(J10)分別連接充放電電容(C1)的兩端。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制漿機(jī)的防溢檢測(cè)電路,其特征在于上述防溢 電極(J13)與導(dǎo)電體(J10)之間連接有供充放電電容(Cl)放電的第二電阻(R20),所述第二電阻(R20)的阻值是第一電阻(R19)的一百倍或以上。
3、 根據(jù)^(利要求1或2所述的制漿機(jī)的防溢檢測(cè)電路,其特征在于上述 導(dǎo)電體(J10)為金屬攪拌刀片、金屬攪拌軸、發(fā)熱管或金屬盛漿容器。
專利摘要本實(shí)用新型是一種制漿機(jī)的防溢檢測(cè)電路,包括有第一電阻(R19)、充放電電容(C1)、防溢電極(J13)及導(dǎo)電體(J10),第一電阻(R19)連接中央處理芯片I/O口并對(duì)充放電電容(C1)充電,防溢電極(J13)與導(dǎo)電體(J10)分別連接充放電電容(C1)的兩端。本實(shí)用新型僅通過一個(gè)充電電阻、一個(gè)導(dǎo)電體、一個(gè)防溢電極以及一個(gè)充放電電容,就可有效的解決防溢電路,并且該電路對(duì)中央處理芯片的程序要求非常簡(jiǎn)單,對(duì)比現(xiàn)有的防溢電路,本實(shí)用新型具有簡(jiǎn)單可靠、成本較低的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)A23L1/10GK201332967SQ20082010099
公開日2009年10月28日 申請(qǐng)日期2008年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月11日
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