一種鹽堿沙質(zhì)地苗木種植穴機構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及鹽堿地苗木種植技術(shù)領(lǐng)域，具體指一種鹽堿沙質(zhì)地苗木種植穴機構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]我國鹽堿地的面積為為9913萬公頃。我國堿土和堿化土壤的形成，大部分與土壤中碳酸鹽的累積有關(guān)，因而堿化度普遍較高，嚴重的鹽堿土壤地區(qū)植物幾乎不能生存。鹽堿地是鹽類集積的一個種類，形成的根本原因在于水分狀況不良，土壤里面所含的鹽分影響到作物的正常生長，因而很難找到可以種植的苗木品種。鹽堿地作為一種很寶貴的土地資源被浪費了。因此，針對上述的現(xiàn)有技術(shù)存在的問題設(shè)計一款可減少水分流失以滿足苗木正常生長，又可使得苗木逐漸適應(yīng)沙質(zhì)鹽堿地的種植機構(gòu)是本實用新型研究的目的。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]針對上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本實用新型在于提供一種鹽堿沙質(zhì)地苗木種植穴機構(gòu)，能夠有效解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題。
[0004]本實用新型的技術(shù)方案是:
[0005]—種鹽堿沙質(zhì)地苗木種植穴機構(gòu)，包括種植穴體，所述種植穴體的底部包覆有底層土工布，所述底層土工布包覆種植穴體至少30cm高；所述種植穴體四周設(shè)有30-50cm寬的土壤適應(yīng)緩沖環(huán)溝；所述種植穴體和緩沖環(huán)溝的上方鋪設(shè)有由頂層土工布形成的隔離層，所述隔離層的上方均勻分布有由細砂形成的防蒸發(fā)層。
[0006]所述防蒸發(fā)層為均勻分布的5-10cm厚的細砂層。
[0007]所述緩沖環(huán)溝內(nèi)填充有沙土混合物。
[0008]本實用新型的優(yōu)點:
[0009]本實用新型是在鹽堿地質(zhì)設(shè)置，通過形成隔離和逐漸適應(yīng)的種植方式，用于改善鹽堿地水分不足鹽分含量過多高影響苗木種植的問題，使得苗木適應(yīng)鹽堿地環(huán)境而存活生長，結(jié)構(gòu)簡單可廣泛推廣。通過底層土工布包覆具有鎖水粘性的黃土種植穴體形成一個隔離鹽堿地的種植主體，防止水分過多的流失，并且黃土較為肥沃，適合苗木的生長，通過頂層土工布形成的隔離層和細砂形成的防蒸發(fā)層，可較好的將水分與外界隔絕，避免過多的蒸發(fā)失水，再配合由鹽堿地沙和黃土按適當(dāng)比例混合的緩沖環(huán)溝的設(shè)置，可使得固根后的苗木逐漸適應(yīng)鹽堿地，提高適應(yīng)能力和存活率。
【附圖說明】
[0010]圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0011]為了便于本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，現(xiàn)將實施例結(jié)合附圖對本實用新型的結(jié)構(gòu)作進一步詳細描述:
[0012]參考圖1，一種鹽堿沙質(zhì)地苗木種植穴機構(gòu)，包括種植穴體1，所述種植穴體1內(nèi)填充有適用于植物生長的黃土，所述種植穴體1的底部包覆有底層土工布2，所述底層土工布2包覆種植穴體1至少30cm高；所述種植穴體1四周設(shè)有30-50cm寬的土壤適應(yīng)緩沖環(huán)溝3，所述緩沖環(huán)溝3內(nèi)填充有沙土混合物，所述沙土混合物為鹽堿地沙和黃土按適當(dāng)比例混合；所述種植穴體1和緩沖環(huán)溝3的上方鋪設(shè)有由頂層土工布形成的隔離層4，所述隔離層4的上方均勾分布有由細砂形成的防蒸發(fā)層5，所述防蒸發(fā)層5為均勾分布的5-10cm厚的細砂層。
[0013]通過內(nèi)側(cè)的種植穴體1和外側(cè)的緩沖環(huán)溝3的設(shè)置將種植的苗木與鹽堿地適當(dāng)?shù)母綦x，滿足苗木生長的前提下，能使苗木從移植種植到生根之后逐漸的適應(yīng)鹽堿地環(huán)境；通過底層土工布2包覆具有鎖水粘性的黃土種植穴體1形成一個隔離鹽堿地的種植主體，防止水分過多的流失，并且黃土較為肥沃，適合苗木的生長；通過頂層土工布形成的隔離層4和細砂形成的防蒸發(fā)層5，可較好的將水分與外界隔絕，避免過多的蒸發(fā)失水，再配合由鹽堿地沙和黃土按適當(dāng)比例混合的緩沖環(huán)溝3的設(shè)置，可使得固根后的苗木逐漸適應(yīng)鹽堿地。
[0014]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，凡依本實用新型申請專利范圍所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬于本實用新型的涵蓋范圍。
【主權(quán)項】
1.一種鹽堿沙質(zhì)地苗木種植穴機構(gòu)，包括種植穴體，其特征在于:所述種植穴體的底部包覆有底層土工布，所述底層土工布包覆種植穴體至少30cm高；所述種植穴體四周設(shè)有30-50cm寬的土壤適應(yīng)緩沖環(huán)溝；所述種植穴體和緩沖環(huán)溝的上方鋪設(shè)有由頂層土工布形成的隔離層，所述隔離層的上方均勻分布有由細砂形成的防蒸發(fā)層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鹽堿沙質(zhì)地苗木種植穴機構(gòu)，其特征在于:所述防蒸發(fā)層為均勻分布的5-lOcm厚的細砂層。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鹽堿沙質(zhì)地苗木種植穴機構(gòu)，其特征在于:所述緩沖環(huán)溝內(nèi)填充有沙土混合物。
【專利摘要】本實用新型涉及一種鹽堿沙質(zhì)地苗木種植穴機構(gòu)，包括種植穴體，所述種植穴體的底部包覆有底層土工布，所述底層土工布包覆種植穴體至少30cm高；所述種植穴體四周設(shè)有30-50cm寬的土壤適應(yīng)緩沖環(huán)溝；所述種植穴體和緩沖環(huán)溝的上方鋪設(shè)有由頂層土工布形成的隔離層，所述隔離層的上方均勻分布有由細砂形成的防蒸發(fā)層。本實用新型是在鹽堿地質(zhì)設(shè)置，通過形成隔離和逐漸適應(yīng)的種植方式，用于改善鹽堿地水分不足鹽分含量過多高影響苗木種植的問題，使得苗木適應(yīng)鹽堿地環(huán)境而存活生長，結(jié)構(gòu)簡單可廣泛推廣。
【IPC分類】A01G9/02
【公開號】CN205052294
【申請?zhí)枴緾N201520662900
【發(fā)明人】紀賢燁, 陳秀蘭, 黃燕秋, 楊國民, 黃杰
【申請人】福建省春天園林工程有限公司
【公開日】2016年3月2日
【申請日】2015年8月31日