本發(fā)明涉及植生毯技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種沉水植生毯。

背景技術(shù)：

富營養(yǎng)化是指生物所需的氮、磷等營養(yǎng)物質(zhì)大量進入水體，引起藻類及其他浮游生物迅速繁殖，水體溶解氧下降，魚類及其他生物大量死亡的現(xiàn)象。目前利用沉水植物降解水中的氮磷，抑制藻類生長是非常有效的方法。沉水植物可以直接從水層及底泥中吸收氮磷并同化成自身的結(jié)構(gòu)組成物質(zhì)，沉水植物通過吸附水體中生物性和非生物性懸浮物，提高水體透明度，改善水下光照條件，并通過光合作用增加水體中溶解氧濃度。

但是富營養(yǎng)化水體底部移植沉水植物或沉水植物幼苗成本及操作難度很大，直接撒播沉水植物種子極易被水流沖走或被其他生物消耗掉。

針對這些特點，本申請人提出一種種植簡單、施工成本低、成活率高的沉水植生毯。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了解決背景技術(shù)中存在的技術(shù)問題，本發(fā)明提出了一種沉水植生毯，效果好。

一種沉水植生毯，包括毯體，毯體內(nèi)設(shè)有容納空間，毯體上設(shè)有供植物穿過的縫隙，該縫隙與容納空間連接。

優(yōu)選的，毯體包括兩個編織層，兩個編織層自上而下依次布置，編織層上設(shè)有上述縫隙，位于上方的編織層包括多個凸起區(qū)，多個凸起區(qū)間隔分布，位于凸起區(qū)的編織層向上凸起形成第一凹槽；位于下方的編織層包括多個凹陷區(qū)，多個凹陷區(qū)間隔分布，位于凹陷區(qū)的編織層向下凹陷形成第二凹槽，多個第二凹槽與多個第一凹槽一一對應(yīng)設(shè)置，一個第二凹槽和一個第一凹槽圍合成一個上述容納空間。

優(yōu)選的，編織層由可降解的編織物形成。

本發(fā)明中，針對富營養(yǎng)化水體中種植沉水植物難度大，成活率低的特點，特地研制了用可降解編織物縫制成長方形分段沙包編織形的沉水植生毯，在容納空間內(nèi)填充植物生長基質(zhì)材料及按比例混合的沉水植物種子，可以有效防止種子被水流沖走或被其他生物消耗。

整個沉水植生毯采用自然降解編織物縫制而成，通過在容納空間內(nèi)填充基質(zhì)材料，基質(zhì)材料的密度大于水的密度，依靠沉水植生毯內(nèi)包裹的生長基質(zhì)材料的重力，在施工過程中便于水底鋪設(shè)，并且沉水植物根系可以從編織縫隙中生長出來在水體底部淤泥扎根，能很好的固定栽種位置，解決沉水植物難移植的問題。

自然降解編織物在一定時間內(nèi)可被水體自然降解，不會造成治理后的二次污染。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互的結(jié)合；下面參考附圖并結(jié)合實施例對本發(fā)明做詳細說明。

參照圖1：

本發(fā)明提出的一種沉水植生毯，包括毯體，毯體內(nèi)設(shè)有容納空間，毯體上設(shè)有供植物穿過的縫隙，該縫隙與容納空間連接。

本實施例中，毯體包括兩個編織層1，兩個編織層1自上而下依次布置，編織層1上設(shè)有上述縫隙，位于上方的編織層包括多個凸起區(qū)，多個凸起區(qū)間隔分布，位于凸起區(qū)的編織層向上凸起形成第一凹槽；位于下方的編織層包括多個凹陷區(qū)，多個凹陷區(qū)間隔分布，位于凹陷區(qū)的編織層向下凹陷形成第二凹槽，多個第二凹槽與多個第一凹槽一一對應(yīng)設(shè)置，一個第二凹槽和一個第一凹槽圍合成一個上述容納空間。

本實施例中，編織層1由可降解的編織物形成。

針對富營養(yǎng)化水體中種植沉水植物A難度大，成活率低的特點，特地研制了用可降解編織物縫制成長方形分段沙包編織形的沉水植生毯，容納空間內(nèi)填充植物生長基質(zhì)材料2及按比例混合的沉水植物種子，可以有效防止種子被水流沖走或被其他生物消耗。

整個沉水植生毯采用自然降解編織物縫制而成，通過在容納空間2內(nèi)填充基質(zhì)材料，基質(zhì)材料2的密度大于水的密度，依靠沉水植生毯內(nèi)包裹的生長基質(zhì)材料的重力，在施工過程中便于水底鋪設(shè)，并且沉水植物A根系可以從編織縫隙中生長出來在水體底部淤泥B扎根，能很好的固定栽種位置，解決沉水植物難移植的問題。

自然降解編織物在一定時間內(nèi)可被水體自然降解，不會造成治理后的二次污染。

在使用時，在容納空間內(nèi)填充基質(zhì)材料和沉水植物種子，而后，將整個沉水植生毯鋪在水底即可。本實施例沉水植物種植方便，效率高，沉水植物生長成活率高。

以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實施方式，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案及其發(fā)明構(gòu)思加以等同替換或改變，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。