發(fā)光裝置及其制造方法
【專利摘要】關(guān)于本發(fā)明的發(fā)光裝置，在形成于基板(101)上的多個(gè)發(fā)光部，第1發(fā)光部和第2發(fā)光部被鄰接地設(shè)置，該第1發(fā)光部由覆蓋至少一個(gè)藍(lán)色LED芯片(102)且分散有紅色熒光體(109)的樹(shù)脂層構(gòu)成，該紅色熒光體(109)通過(guò)來(lái)自該藍(lán)色LED芯片(102)的激勵(lì)光而發(fā)出紅色光，該第2發(fā)光部由至少一個(gè)藍(lán)色LED芯片(102)構(gòu)成。由此，不會(huì)增大設(shè)置面積，能以簡(jiǎn)單構(gòu)成來(lái)容易地調(diào)整藍(lán)色光和紅色光的光量比例。
【專利說(shuō)明】發(fā)光裝置及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及能夠發(fā)出多個(gè)光譜的光的發(fā)光裝置及其制造方法。尤其是涉及能夠有效率地栽培培養(yǎng)進(jìn)行光合作用的特定生物的發(fā)光裝置及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來(lái)，作為植物栽培用光源而用到利用了多個(gè)種類的LED的發(fā)光裝置。另外，為使植物效率良好地生長(zhǎng)，較之單光而優(yōu)選多光。
[0003]因此，現(xiàn)有作為由發(fā)光裝置生成多光的方法，已知通過(guò)由紅色LED、藍(lán)色LED、以及綠色LED構(gòu)成的三個(gè)種類的LED的組合來(lái)生成多光的方法、通過(guò)藍(lán)色LED和熒光體的組合以使各自的光發(fā)生混色來(lái)生成多光的方法。
[0004]例如，在專利文獻(xiàn)I中公開(kāi)了如圖14(a)所示那樣在基板405上設(shè)置了許多發(fā)出不同光譜光的多個(gè)種類的LED407的、植物育成用的發(fā)光裝置401。在該發(fā)光裝置401中，各LED407被設(shè)置成朝向作為對(duì)象的植物的一方發(fā)出光。
[0005]此外，在專利文獻(xiàn)2中公開(kāi)了如圖14(b)所示那樣將在基板上配置了紅色LED502和藍(lán)色LED503的、育成容器的蓋501作為植物育成用的發(fā)光裝置的技術(shù)。在該蓋501中，能夠根據(jù)植物的種類來(lái)調(diào)整紅色LED502的光量和藍(lán)色LED503的光量的比例。例如，被用于藍(lán)色LED503的光量相對(duì)于紅色LED502的光量而成為50%以下的比例，根據(jù)植物而單獨(dú)地使用紅色LED502。
[0006]先行技術(shù)文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)1:日本公開(kāi)專利公報(bào)“特開(kāi)2004-344114號(hào)公報(bào)(2004年12月9日公開(kāi))，，
[0009]專利文獻(xiàn)2:日本公開(kāi)專利公報(bào)“特開(kāi)平9-252651號(hào)公報(bào)(1997年9月30日公開(kāi))，，

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]發(fā)明要解決的課題
[0011 ] 然而，在現(xiàn)有的利用了紅色LED和藍(lán)色LED的植物育成用的發(fā)光裝置中，具有以下的⑴以及⑵所示的課題。
[0012](I)雖然需要根據(jù)作為對(duì)象的植物來(lái)調(diào)整藍(lán)色波段和紅色波段的光量比例，但是在通過(guò)調(diào)整藍(lán)色LED或者紅色LED的個(gè)數(shù)以使光量比例一致的情況下，若考慮長(zhǎng)期驅(qū)動(dòng)，則因藍(lán)色LED和紅色LED的劣化特性的差異，伴隨著發(fā)光時(shí)間會(huì)產(chǎn)生光量比例的不一致。
[0013](2)藍(lán)色LED和紅色LED的混色較為困難,獲得植物育成所必要的混合色較為困難。具體而言，在藍(lán)色LED和紅色LED的單個(gè)元件被使用多個(gè)的情況下，滿足規(guī)定的光量比例、且同時(shí)實(shí)現(xiàn)在空間上無(wú)顏色不均的均勻混色光是非常困難的。
[0014]此外，為了如專利文獻(xiàn)2那樣將藍(lán)色LED光的光量設(shè)為紅色LED光的光量的50%以下的比例，而需要㈧?(C)所示的措施等。
[0015](A)使紅色LED高亮度發(fā)光(增加驅(qū)動(dòng)電流)。
[0016](B)增加搭載于各LED的LED芯片數(shù)。
[0017](C)增加紅色LED的個(gè)數(shù)。
[0018]然而，在(A)的情況下，藍(lán)色/紅色LED芯片間的劣化特性差被助長(zhǎng)，長(zhǎng)期驅(qū)動(dòng)時(shí)的光量比例的不一致變得更大。此外，在以電氣方法來(lái)進(jìn)行光量調(diào)整的情況下，由于需要設(shè)置電驅(qū)動(dòng)電路等，因此成為復(fù)雜的構(gòu)成。
[0019]在⑶的情況下，紅色LED的大小變大，產(chǎn)生難以控制廣角的指向特性等問(wèn)題。
[0020]在(C)的情況下，藍(lán)色LED的個(gè)數(shù)少，即便進(jìn)行均等配置、或?qū)⑺{(lán)色LED設(shè)為具有廣角的指向特性，紅色光以及藍(lán)色光的混色也不充分，故產(chǎn)生易于發(fā)生顏色不均的顧慮。
[0021]本發(fā)明正是鑒于上述現(xiàn)有的問(wèn)題點(diǎn)而完成的，其目的在于提供一種不會(huì)增大藍(lán)色LED芯片的設(shè)置面積、能以簡(jiǎn)單構(gòu)成而容易地調(diào)整藍(lán)色光和紅色光的光量比例的發(fā)光裝置及其制造方法。
[0022]用于解決課題的手段
[0023]本發(fā)明的發(fā)光裝置為了解決上述課題，其特征在于，具備:基板；和在上述基板上相互鄰接地形成的第I發(fā)光部以及第2發(fā)光部，上述第I發(fā)光部由發(fā)出藍(lán)色光的至少一個(gè)藍(lán)色LED芯片、以及覆蓋該藍(lán)色LED芯片且分散有紅色熒光體的樹(shù)脂構(gòu)成，該紅色熒光體通過(guò)來(lái)自該藍(lán)色LED芯片的激勵(lì)光而發(fā)出紅色光，上述第2發(fā)光部由發(fā)出藍(lán)色光的至少一個(gè)藍(lán)色LED芯片構(gòu)成。
[0024]上述構(gòu)成中的藍(lán)色光在可見(jiàn)光區(qū)域(波長(zhǎng)380?800nm)中是指波長(zhǎng)380?550nm區(qū)域的光成分占優(yōu)勢(shì)的光。此外，紅色光在可見(jiàn)光區(qū)域中是指波長(zhǎng)550?SOOnm區(qū)域的光成分占優(yōu)勢(shì)的光。
[0025]根據(jù)上述構(gòu)成，由于在上述第I發(fā)光部中，通過(guò)調(diào)整紅色熒光體在樹(shù)脂層內(nèi)的分散濃度，能夠調(diào)整藍(lán)色和紅色的光量，因此可使藍(lán)色和紅色的混色性進(jìn)一步提高。此外，由于第I發(fā)光部能發(fā)出紅色和藍(lán)色的兩種光，因此不會(huì)增大LED的設(shè)置面積，能以構(gòu)成簡(jiǎn)單來(lái)容易地調(diào)整藍(lán)色光和紅色光的光量比例。
[0026]而且，由于僅由藍(lán)色LED構(gòu)成的第2發(fā)光部與上述第I發(fā)光部鄰接地設(shè)置，因此可以將第I發(fā)光部主要?jiǎng)澐譃榧t色光的發(fā)光用，將第2發(fā)光部劃分為藍(lán)色光的發(fā)光用，由于可以獨(dú)立地驅(qū)動(dòng)控制各個(gè)發(fā)光部，因此藍(lán)色和紅色的發(fā)光量的調(diào)整變得容易。其結(jié)果，在由第I發(fā)光部和第2發(fā)光部所形成的混色光中，可以自由地改變紅色光和藍(lán)色光的比例，因此能夠使紅色和藍(lán)色的混色性進(jìn)一步提高。
[0027]此外，由于第I發(fā)光部和第2發(fā)光部均僅由劣化特性相同的藍(lán)色LED構(gòu)成，因此即便在長(zhǎng)期驅(qū)動(dòng)時(shí)，劣化也相同。因此，不會(huì)產(chǎn)生如現(xiàn)有技術(shù)那樣，像使劣化特性不同的藍(lán)色LED和紅色LED同時(shí)存在的情況，長(zhǎng)期驅(qū)動(dòng)時(shí)的光量比例的不一致變大這樣的問(wèn)題。
[0028]進(jìn)而，作為紅色光的發(fā)光源，不使用發(fā)光效率差的紅色LED芯片而利用紅色熒光體，較之使用紅色LED芯片的發(fā)光裝置，能夠減少發(fā)光成本，壽命被大幅改善。進(jìn)而，通過(guò)不使用溫度特性差的紅色LED芯片，從而溫度特性被改善。
[0029]此外，由于在配置有發(fā)光效率良好的藍(lán)色LED芯片的同一區(qū)域內(nèi)分散了紅色熒光體，因此能夠提供混色性更高、且大幅抑制了發(fā)光部的設(shè)置面積的發(fā)光裝置。[0030]本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，包括:接合工序，在基板上形成發(fā)出藍(lán)色光的多個(gè)藍(lán)色LED芯片；和含有熒光體的樹(shù)脂層形成工序，在基板上的第I區(qū)域中，針對(duì)該區(qū)域中所含的至少一個(gè)上述藍(lán)色LED芯片，由使通過(guò)來(lái)自該藍(lán)色LED芯片的激勵(lì)光而發(fā)出紅色光的紅色熒光體分散后的樹(shù)脂來(lái)進(jìn)行密封，從而形成第I發(fā)光部，制造將由基板上的與上述第I區(qū)域鄰接的第2區(qū)域中所含的至少一個(gè)藍(lán)色LED芯片而形成的發(fā)光部作為第2發(fā)光部的發(fā)光裝置。
[0031]根據(jù)上述方法，可形成紅色熒光體分散后的混合發(fā)光部，可制造混色性高、且能容易調(diào)整紅色光和藍(lán)色光的光成分的發(fā)光裝置。
[0032]此外，由于是利用發(fā)光效率良好的藍(lán)色LED芯片來(lái)發(fā)出紅色光的構(gòu)成，因此可有效率地發(fā)出藍(lán)色光和紅色光，能夠防止發(fā)光部的設(shè)定面積的擴(kuò)大，并且能夠抑制制造成本。
[0033]發(fā)明效果
[0034]本發(fā)明具備基板和形成在上述基板上的多個(gè)發(fā)光部，上述多個(gè)發(fā)光部至少包含第I發(fā)光部和第2發(fā)光部,且上述第I發(fā)光部和第2發(fā)光部被鄰接地設(shè)置,其中該第I發(fā)光部由發(fā)出藍(lán)色光的至少一個(gè)藍(lán)色LED芯片、和覆蓋該藍(lán)色LED芯片且使通過(guò)來(lái)自該藍(lán)色LED芯片的激勵(lì)光而發(fā)出紅色光的紅色熒光體分散后的樹(shù)脂層構(gòu)成，該第2發(fā)光部由發(fā)出藍(lán)色光的至少一個(gè)藍(lán)色LED芯片構(gòu)成，從而可起到如下效果，即:發(fā)出藍(lán)色光的第2發(fā)光部、以及發(fā)出藍(lán)色光和紅色光的第I發(fā)光部可分別個(gè)別地進(jìn)行發(fā)光的控制，可提供一種不會(huì)增大LED的設(shè)置面積、能以構(gòu)成簡(jiǎn)單來(lái)容易地調(diào)整藍(lán)色光和紅色光的光量比例的發(fā)光裝置及其制造方法。進(jìn)而，本發(fā)明的發(fā)光裝置例如通過(guò)將發(fā)光部形成為錯(cuò)綜復(fù)雜的形狀，從而可起到能夠獲得更進(jìn)一步的混色性的效果。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0035]圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的螺旋型發(fā)光裝置的發(fā)光面的構(gòu)成例的俯視圖。
[0036]圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的橫格型發(fā)光裝置的發(fā)光面的構(gòu)成例的俯視圖。
[0037]圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3所涉及的交叉型發(fā)光裝置的發(fā)光面的構(gòu)成例的俯視圖。
[0038]圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施方式4所涉及的雙重圓型發(fā)光裝置的發(fā)光面的構(gòu)成例的俯視圖。
[0039]圖5是表示本發(fā)明的前提技術(shù)所涉及的基板型發(fā)光裝置的構(gòu)成例的截面圖。圖5(a)是紅色系熒光體，圖5(b)是表示前提技術(shù)下的發(fā)光裝置的一形態(tài)的圖，是表示發(fā)光裝置的構(gòu)成的截面圖。
[0040]圖6(a)是表示前提技術(shù)下的發(fā)光裝置的樹(shù)脂層形成前的構(gòu)成的俯視圖，圖6(b)是表示前提技術(shù)下的發(fā)光裝置的樹(shù)脂層形成后的構(gòu)成的俯視圖。
[0041]圖7是表示按照前提技術(shù)下的發(fā)光裝置的樹(shù)脂配比分別示出的發(fā)光光譜的圖表，圖7(a)是表示將樹(shù)脂配比設(shè)為樹(shù)脂:紅色熒光體=I: 0.05時(shí)的圖表，圖7(b)是表示將樹(shù)脂配比設(shè)為樹(shù)脂:紅色熒光體=I: 0.10時(shí)的圖表，圖7(c)是表示將樹(shù)脂配比設(shè)為樹(shù)脂:紅色熒光體=I: 0.15時(shí)的圖表，圖7(d)是表示將樹(shù)脂配比設(shè)為樹(shù)脂:紅色熒光體=I: 0.20時(shí)的圖表。
[0042]圖8是表示葉綠素的吸收光譜、和前提技術(shù)下的發(fā)光裝置的應(yīng)用例的圖。
[0043]圖9是將前提技術(shù)下的發(fā)光裝置的溫度特性與現(xiàn)有的發(fā)光裝置的比較下表示的圖表。
[0044]圖10(a)、(b)是表示前提技術(shù)下的照明用的發(fā)光裝置的構(gòu)成的俯視圖，圖10(c)是表示前提技術(shù)下的照明用的發(fā)光裝置中的發(fā)光光譜的圖表。
[0045]圖11是表示前提技術(shù)下的發(fā)光裝置向植物工廠應(yīng)用的應(yīng)用例的說(shuō)明圖。
[0046]圖12(a)是表示在比較技術(shù)下的炮彈型LED燈中將配比設(shè)為樹(shù)脂:紅色熒光體=I: 0.05時(shí)的構(gòu)成的截面圖，圖12(b)是表示在比較技術(shù)下的炮彈型LED燈中將樹(shù)脂配比設(shè)為樹(shù)脂:紅色熒光體=I: 0.20時(shí)的構(gòu)成的截面圖。
[0047]圖13(a)是表示前提技術(shù)的另一形態(tài)的圖，是表示藍(lán)色復(fù)合型發(fā)光裝置的構(gòu)成的截面圖，圖13(b)是表示藍(lán)色復(fù)合型發(fā)光裝置中的樹(shù)脂層形成前的構(gòu)成的俯視圖。
[0048]圖14是表示現(xiàn)有的發(fā)光裝置的發(fā)光面的構(gòu)成例的俯視圖，圖14(a)是專利文獻(xiàn)I的俯視圖，圖14(b)是專利文獻(xiàn)2的俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0049]〔實(shí)施方式I〕
[0050](發(fā)光裝置的基本構(gòu)成)
[0051]圖1是表示本實(shí)施方式的發(fā)光裝置100的一構(gòu)成例的俯視圖。
[0052]如圖1所示，發(fā)光裝置100具備:基板101、藍(lán)色LED芯片102 (發(fā)光元件)、印刷電阻元件104 (保護(hù)元件)、第I樹(shù)脂壩105 (樹(shù)脂性框)、第2樹(shù)脂壩106 (樹(shù)脂性隔壁)、含有熒光體的樹(shù)脂層107、透光性樹(shù)脂層108、以及紅色熒光體109。
[0053]基板101是由陶瓷構(gòu)成的基板。基板101具有在俯視的情況下為長(zhǎng)方形的形狀。在基板101的一個(gè)面(以下定義為上表面。)設(shè)有LED芯片102、印刷電阻元件104、第I樹(shù)脂壩105、第2樹(shù)脂壩106、含有熒光體的樹(shù)脂層107、透光性樹(shù)脂層108、以及紅色熒光體109。在基板101的上表面還形成有外部連接用的電極焊盤(pán)110?113。
[0054]電極焊盤(pán)110、112作為陽(yáng)極電極而發(fā)揮功能，電極焊盤(pán)111、113作為陰極電極而發(fā)揮功能。電極焊盤(pán)110?113分別被配置在基板101的上表面的、被第I樹(shù)脂壩105包圍的區(qū)域的外側(cè)且上表面的4角附近。電極焊盤(pán)110?113的表面露出，且可與外部端子連接。
[0055]此外，形成有與電極焊盤(pán)110?113電連接的布線。在本實(shí)施方式中，雖然上述布線為印刷布線，但是并不限定于此。與電極焊盤(pán)110、113電連接的布線，被形成且埋入在形成有第一樹(shù)脂壩105的位置的一部分。另一方面，與電極焊盤(pán)111、112電連接的布線，被形成且埋入在形成有第一樹(shù)脂壩105的位置的一部分，并且從該被埋入的布線的一端起朝向基板101的中心于基板101上延伸到中心的跟前。即，在中心處不與其他布線連接。
[0056]LED芯片102通過(guò)引線103來(lái)電連接各藍(lán)色LED芯片102間、以及藍(lán)色LED芯片102-布線間。具體而言，在一處通過(guò)引線103來(lái)電連接與電極焊盤(pán)113已電連接的布線、和一個(gè)藍(lán)色LED芯片102，通過(guò)引線103來(lái)電連接一個(gè)藍(lán)色LED芯片102、和另一個(gè)藍(lán)色LED芯片102，且在一處通過(guò)引線103來(lái)電連接與電極焊盤(pán)112已電連接的布線、和又一個(gè)藍(lán)色LED 芯片 102。
[0057]由此，電極焊盤(pán)113和電極焊盤(pán)112經(jīng)由藍(lán)色LED芯片102和引線103而連接成該LED芯片102可發(fā)光。此外，關(guān)于電極焊盤(pán)111和電極焊盤(pán)110，也采取上述相同的構(gòu)成，經(jīng)由另外的藍(lán)色LED芯片102和另外的引線103而連接成該藍(lán)色LED芯片102可發(fā)光。
[0058]各藍(lán)色LED芯片102在雙重螺旋線(漩渦線)上被等間隔地配置。并未特別限定，上述螺旋線為同樣的螺旋形狀、所謂的阿基米德的螺旋形狀，優(yōu)選周間距離為固定、且雙重螺旋線相互為等間隔。
[0059]在本實(shí)施方式中，LED芯片102形成在1.5周的量的螺旋線上。此外，在本實(shí)施方式中，在雙重螺旋線的各個(gè)螺旋線上，26個(gè)LED芯片102被等間隔地設(shè)置。另一方面，作為引線103的材質(zhì)，只要是具有高導(dǎo)電性的金屬、合金、素材即可，并未特別限定。例如，作為引線103的材質(zhì)，舉出金(Au)。
[0060]第I樹(shù)脂壩105以及第2樹(shù)脂壩106是對(duì)含有熒光體的樹(shù)脂層107以及透光性樹(shù)脂層108的形成區(qū)域進(jìn)行規(guī)定的構(gòu)件。即，第I樹(shù)脂壩105以及第2樹(shù)脂壩106作為用于防止含有熒光體的樹(shù)脂層107以及透光性樹(shù)脂層108在形成時(shí)的樹(shù)脂泄漏的壩(攔截構(gòu)件)而發(fā)揮功能。
[0061]第I樹(shù)脂壩105被設(shè)置成包圍預(yù)先規(guī)定的藍(lán)色LED芯片102的安裝區(qū)域(形成多個(gè)發(fā)光部的區(qū)域)。由此，第I樹(shù)脂壩105具有在俯視的情況下為正圓的環(huán)狀(ring狀)的形狀。
[0062]第2樹(shù)脂壩106被設(shè)置成:將由第I樹(shù)脂壩105所包圍的部分劃分為上述含有熒光體的樹(shù)脂層107的形成區(qū)域、和透光性樹(shù)脂層108的形成區(qū)域。由此，第2樹(shù)脂壩106被形成為:從第I樹(shù)脂壩105朝向安裝區(qū)域的中心呈雙重的螺旋線狀地形成，且在安裝區(qū)域的中心區(qū)域結(jié)合兩條螺旋線。上述雙重的螺旋線上的曲線，優(yōu)選采取同樣的螺旋形狀，且各自相對(duì)于另一條螺旋線而被等間隔地形成。
[0063]根據(jù)該構(gòu)成，本實(shí)施方式所涉及的發(fā)光裝置所發(fā)光的區(qū)域即兩個(gè)種類的發(fā)光部(在下面進(jìn)行說(shuō)明)，并非是集中于一處的形狀，而形成為在一個(gè)發(fā)光部中糾纏有另一個(gè)發(fā)光部的形狀。故此，同等的配光特性糾纏在一起地靠近，因此在同時(shí)點(diǎn)亮了各發(fā)光部的情況下，易獲得混色，可獲得非常良好的混色。進(jìn)而，由于各發(fā)光部靠近，因此熱給各發(fā)光部帶來(lái)的影響相同，所生成的光的明亮度以及色調(diào)受熱以及經(jīng)時(shí)變化的影響少，此外可以降低峰值波長(zhǎng)的變動(dòng)以及顯色性的大幅變動(dòng)。
[0064]此時(shí)，在本實(shí)施方式中，第2樹(shù)脂壩106在兩處與形成為環(huán)狀的第I樹(shù)脂壩105接觸。此時(shí)，第I樹(shù)脂壩105和第2樹(shù)脂壩106形成為點(diǎn)對(duì)稱。
[0065]此外，第I樹(shù)脂壩105以及第2樹(shù)脂壩106由具有光反射性或者光遮斷性的樹(shù)脂、例如白色的硅酮樹(shù)脂等構(gòu)成。尤其是，上述白色的硅酮樹(shù)脂優(yōu)選將透光性的硅酮樹(shù)脂作為母材、含有氧化鈦(TiO2)作為光擴(kuò)散填充劑的樹(shù)脂。由此，與利用了環(huán)氧樹(shù)脂等的情形相比，樹(shù)脂劣化少，可靠性得以提高。
[0066]此外，作為上述光擴(kuò)散填充劑能使用的化合物并不限定為氧化鈦(TiO2),也可以是二氧化硅(SiO2)、氧化鋁(Al2O3)、碳酸鈣(CaCO3)、硫酸鋇(BaSO4)、氫氧化鋁(Al(OH)3)
坐寸ο
[0067]含有熒光體的樹(shù)脂層107是由含有分散的粒子狀的紅色熒光體109的樹(shù)脂構(gòu)成的密封樹(shù)脂層。含有熒光體的樹(shù)脂層107形成為被填充到由第I樹(shù)脂壩105以及第2樹(shù)脂壩106所包圍的兩個(gè)區(qū)域之中一個(gè)區(qū)域，且埋入配置于該區(qū)域的LED芯片102以及引線103。也就是說(shuō)，含有熒光體的樹(shù)脂層107 —并密封藍(lán)色LED芯片102，形成為在俯視的情況下描
繪螺旋線。
[0068]發(fā)光裝置100具有如下構(gòu)成，即:在由第I樹(shù)脂壩105以及第2樹(shù)脂壩106所包圍的螺旋狀的兩個(gè)區(qū)域，分別形成有由藍(lán)色LED芯片102以及含有熒光體的樹(shù)脂層107所構(gòu)成的第I發(fā)光部、和由藍(lán)色LED芯片102以及透光性樹(shù)脂層108所構(gòu)成的第2發(fā)光部。
[0069]透光性樹(shù)脂層108是由樹(shù)脂構(gòu)成的密封樹(shù)脂。形成為被填充到由第I樹(shù)脂壩105以及第2樹(shù)脂壩106所包圍的、未形成有含有熒光體的樹(shù)脂層107的、另一個(gè)區(qū)域，且埋入配置于該區(qū)域的藍(lán)色LED芯片102以及引線103。也就是說(shuō)，透光性樹(shù)脂層108—并密封藍(lán)色LED芯片102，形成為在俯視的情況下描繪螺旋線。
[0070]由此，在發(fā)光裝置100中，通過(guò)在由第2樹(shù)脂壩106所劃分的區(qū)域中設(shè)置含有熒光體的樹(shù)脂層107以及透光性樹(shù)脂層108，從而各發(fā)光面靠近。此外，各發(fā)光面的邊界部分(螺旋線狀)遍及第I樹(shù)脂壩105的內(nèi)側(cè)區(qū)域的整個(gè)區(qū)域而幾乎同樣地存在。
[0071]根據(jù)上述構(gòu)成，各發(fā)光部并非是集中于一處的形狀，而具有形成為一個(gè)發(fā)光部糾纏在另一個(gè)發(fā)光部中的形狀的構(gòu)成，因此能夠獲得更進(jìn)一步的混色性。
[0072]此外，在發(fā)光裝置100中，發(fā)光部的數(shù)目并不限于兩個(gè)，也能設(shè)為3個(gè)以上。此時(shí)，只要根據(jù)發(fā)光部的數(shù)目隨時(shí)改變第2樹(shù)脂壩106的形狀即可。在具備3個(gè)以上的發(fā)光部的情況下，優(yōu)選將作為陰極電極而發(fā)揮功能的電極焊盤(pán)、和作為陽(yáng)極電極而發(fā)揮功能的電極焊盤(pán)分別設(shè)為與發(fā)光部相同數(shù)目。由此，可以獨(dú)立地驅(qū)動(dòng)各發(fā)光部。
[0073]即，關(guān)于可具備3個(gè)以上的各發(fā)光部的形狀，當(dāng)從與基板101的上表面垂直的方向觀看而將該上表面中的多個(gè)發(fā)光部的形成區(qū)域的中心作為基準(zhǔn)點(diǎn)時(shí)，在通過(guò)上述基準(zhǔn)點(diǎn)的與該上表面垂直的一截面中，只要各發(fā)光部的樹(shù)脂層被設(shè)定成與不同的發(fā)光部的樹(shù)脂層鄰接、且配置在多處即可。
[0074]此外，在發(fā)光裝置100中，通過(guò)在電極焊盤(pán)110?113連接外部端子以供應(yīng)電力，從而能夠獨(dú)立地驅(qū)動(dòng)來(lái)自含有熒光體的樹(shù)脂層107的發(fā)光、和來(lái)自透光性樹(shù)脂層108的發(fā)光。
[0075]具體而言，當(dāng)將在含有熒光體的樹(shù)脂層107的區(qū)域內(nèi)所形成的包含藍(lán)色LED和紅色熒光體的發(fā)光部作為第I發(fā)光部，將在透光性樹(shù)脂層108的區(qū)域內(nèi)所形成的僅由藍(lán)色LED構(gòu)成的發(fā)光部作為第2發(fā)光部的情況下，利用與第I發(fā)光部的藍(lán)色LED芯片102電連接的電極焊盤(pán)110、111、和與第2發(fā)光部的藍(lán)色LED芯片102電連接的電極焊盤(pán)112、113，從而可個(gè)別地驅(qū)動(dòng)第I發(fā)光部和第2發(fā)光部。
[0076](藍(lán)色LED芯片)
[0077]接下來(lái)，當(dāng)提供生物栽培培養(yǎng)用的發(fā)光裝置之際，簡(jiǎn)單地說(shuō)明進(jìn)行成為前提的光合作用的生物，并說(shuō)明藍(lán)色LED芯片。在生物之中存在吸收光能并作為能量加以利用的生物。已知這些生物的大部分具有在光合作用中承擔(dān)主要作用的、葉綠素(chlorophyll)等的光合作用色素化合物。
[0078]已知葉綠素不僅是植物所具有的，也是包含細(xì)菌類等的多種生物所具有的，具有葉綠素的生物經(jīng)由葉綠素來(lái)吸收光能，并利用該能量進(jìn)行育成、繁殖。鑒于此，通過(guò)照射葉綠素能有效率地吸收的光，從而能夠提供有效率的生物栽培培養(yǎng)用的發(fā)光裝置。
[0079]本發(fā)明的LED芯片使用了藍(lán)色LED芯片，這是由于葉綠素在藍(lán)色區(qū)域內(nèi)具有吸收峰值的緣故。
[0080]雖然葉綠素也吸收紅色的光，但是紅色LED芯片一般而言較之藍(lán)色LED芯片易于發(fā)生劣化，發(fā)光效率也差，因此在本實(shí)施方式中使用藍(lán)色LED芯片，關(guān)于紅色的光而利用紅色突光體的發(fā)光。
[0081]具體而言，葉綠素在被稱作B帶(索雷譜帶)的藍(lán)色區(qū)域(波長(zhǎng)400?480nm)、和被稱作Q帶的紅色區(qū)域具有光吸收峰值。例如，已知在植物或一部分的藻類中較為常見(jiàn)的、被稱作葉綠素a和葉綠素b的葉綠素一種,各自的光吸收特性不同。具體而言，葉綠素a在430?440nm具有藍(lán)色區(qū)域的光吸收峰值，葉綠素b在450?460nm具有藍(lán)色區(qū)域的光吸收峰值。
[0082]此外，除了葉綠素a、葉綠素b之外，還已知多種葉綠素。例如，舉出葉綠素C1、葉綠素C2、葉綠素d、葉綠素f、細(xì)菌葉綠素a、細(xì)菌葉綠素b、細(xì)菌葉綠素C、細(xì)菌葉綠素d、細(xì)菌葉綠素e、細(xì)菌葉綠素f、細(xì)菌葉綠素g等，已知這些葉綠素在藍(lán)色區(qū)域內(nèi)全部均具有吸收峰值。進(jìn)而，作為吸收光能的光合作用色素，除了葉綠素之外還已知類胡羅卜素等，已知類胡羅卜素也在藍(lán)色區(qū)域具有光吸收峰值。
[0083]鑒于此，優(yōu)選藍(lán)色LED芯片102是發(fā)光峰值波長(zhǎng)處于400?480nm的范圍內(nèi)的藍(lán)色LED芯片。尤其是，更優(yōu)選發(fā)光峰值波長(zhǎng)在430?460nm的范圍內(nèi)。
[0084]由此，能夠更有效率地提供適于生物的栽培培養(yǎng)的光。尤其是，植物所具有的葉綠素的藍(lán)色區(qū)域的峰值位于450nm附近的緣故。能夠提供適于植物栽培、特定藻類的培養(yǎng)的發(fā)光裝置。
[0085]此外，各藍(lán)色LED芯片102也可以是被含有熒光體的樹(shù)脂層107覆蓋的藍(lán)色LED芯片102、和被透光性樹(shù)脂層108覆蓋的藍(lán)色LED芯片102具有不同的發(fā)光峰值波長(zhǎng)的芯片。
[0086]例如，作為發(fā)光峰值波長(zhǎng)為430?440nm的LED芯片102 (類型I)、和發(fā)光峰值波長(zhǎng)為450?460nm的LED芯片102 (類型II)，分別將類型I的LED芯片102、和類型II的LED芯片102形成于上述含有熒光體的樹(shù)脂層107中的上述第I發(fā)光部、和上述透光性樹(shù)脂層108中的上述第2發(fā)光部。
[0087]根據(jù)該構(gòu)成，在被含有熒光體的樹(shù)脂層107覆蓋的區(qū)域(第I發(fā)光部)、和被透光性樹(shù)脂層108覆蓋的區(qū)域(第2發(fā)光部)中，由于各個(gè)LED芯片102中流動(dòng)的電流量能夠調(diào)節(jié)，發(fā)光量能夠調(diào)節(jié)，因此能夠任意地調(diào)整成具有各種各樣的葉綠素a (藍(lán)色區(qū)域的光吸收峰值為430?440nm)和葉綠素b (藍(lán)色區(qū)域的光吸收峰值為450?460nm)的比率的、適于作為對(duì)象的特定植物、藻類的光量，從而能夠提供發(fā)出更適當(dāng)?shù)墓獬煞值陌l(fā)光裝置。
[0088]此外，也可使類型I的藍(lán)色LED芯片102、和類型II的藍(lán)色LED芯片102預(yù)先混合在分別被含有熒光體的樹(shù)脂層107、和透光性樹(shù)脂層108覆蓋的同一區(qū)域中。
[0089]例如，相對(duì)于一個(gè)類型的藍(lán)色LED芯片102，能夠?qū)⒘硪粋€(gè)類型的LED芯片102設(shè)為每?jī)蓚€(gè)、每三個(gè)、每四個(gè)的情形地排列上述LED芯片102。
[0090]由此，通過(guò)與作為對(duì)象的特定植物、藻類的葉綠素a(藍(lán)色區(qū)域的光吸收峰值為430?440nm)和葉綠素b (藍(lán)色區(qū)域的光吸收峰值為450?460nm)的吸收光譜之比相一致地進(jìn)行排列，從而能夠提供具有一定的葉綠素a和葉綠素b的比率的、適于特定植物、藻類的光量的適當(dāng)光成分的發(fā)光裝置。
[0091]另一方面，在發(fā)光裝置100中，雖然作為藍(lán)色LED芯片102而搭載了全部為同一形狀的芯片，但是并不限于此，也可酌情搭載不同形狀、尺寸的芯片。例如，藍(lán)色LED芯片102的上表面不限于長(zhǎng)方形，也可以是正方形。由此，可以提升藍(lán)色LED芯片102的配置的自由度。
[0092]另外，作為用于本實(shí)施方式的藍(lán)色LED芯片102，也能夠利用一般被出售的LED芯片。
[0093](紅色熒光體)
[0094]另一方面，如上所述，在葉綠素中被稱作Q帶的紅色區(qū)域具有光吸收峰值。具體而言，葉綠素a在紅色區(qū)域的650?660nm具有光吸收峰值，葉綠素b在紅色區(qū)域的620?630nm具有光吸收峰值。
[0095]因此，在本發(fā)明中設(shè)為，在上述含有熒光體的樹(shù)脂層107中，使上述紅色熒光體109與藍(lán)色的上述LED芯片102 —起進(jìn)行分散，利用從被含有熒光體的樹(shù)脂層107覆蓋的藍(lán)色的LED芯片102所發(fā)出的光能，同時(shí)也能發(fā)出紅色的光。即，上述紅色熒光體109是通過(guò)藍(lán)色的上述LED芯片102的光成分被激勵(lì)而呈紅色的發(fā)光的熒光體。
[0096]因此，在將本發(fā)明的生物栽培培養(yǎng)用發(fā)光裝置用于植物栽培的情況下，優(yōu)選利用具有與葉綠素a、葉綠素b的光吸收峰值波長(zhǎng)接近的發(fā)光峰值波長(zhǎng)的、紅色熒光體的(Sr，Ca) AlSiN3 =Eu系熒光體、或者/以及、CaAlSiN3 =Eu系熒光體。
[0097]另外，CaAlSiN3 =Eu是將銪(Eu)作為活化材的氮化物紅色熒光體，是溫度特性穩(wěn)定且高發(fā)光效率的熒光體之一。
[0098](Sr, Ca)AlSiN3 =Eu系熒光體是將CaAlSiN3 =Eu系熒光體中的、Ca的一部分作為Sr，使發(fā)光峰值的波長(zhǎng)移位到短波長(zhǎng)側(cè)的熒光體，與CaAlSiN3 =Eu系熒光體一起均為溫度特性高且高發(fā)光效率的熒光體。
[0099]尤其是，在用于包含許多葉綠素a的植物的栽培、藻類的培養(yǎng)的情況下，更優(yōu)選利用CaAlSiN3 =Eu系熒光體。由此，處于葉綠素a的紅色區(qū)域即650?660nm的范圍內(nèi)的光吸收峰值、和處于CaAlSiN3 =Eu系熒光體的650?660nm的范圍內(nèi)的發(fā)光峰值相對(duì)應(yīng)，能夠提供適于包含許多葉綠素a的生物的栽培、培養(yǎng)的發(fā)光裝置。
[0100]此外，在用于包含許多葉綠素b的植物的栽培、藻類的培養(yǎng)的情況下，更優(yōu)選是(Sr，Ca)AlSiN3:Eu系熒光體。由此，處于葉綠素b的紅色區(qū)域的620?630nm的范圍內(nèi)的光吸收峰值、和處于(Sr，Ca) AlSiN3 =Eu系熒光體的620?630nm的范圍內(nèi)的發(fā)光峰值相對(duì)應(yīng)，能夠提供適用于包含許多葉綠素b的生物的栽培、培養(yǎng)的發(fā)光裝置。
[0101]此夕卜，作為粒子狀熒光體，并不特別限定，也可以使用紅色熒光體的3.5Mg0.0.5MgF2.GeO2:Mn、La2O2S:Eu、Y2O2S:Eu、LiEuff2O8, (Y, Gd, Eu)203、(Y, Gd, Eu) BO3,YVO4:Eu、或者 / 以及、CaS:Eu, Ce, K。
[0102]進(jìn)而，也可使多個(gè)紅色熒光體109以任意的特定比例進(jìn)行混合來(lái)加以利用。由此，能夠提供適于以特有的比例具有葉綠素a、葉綠素b、除此之外的葉綠素類等的、各生物的發(fā)光裝置。
[0103]此外，本發(fā)明的發(fā)光裝置也能用于具有作為葉綠素一種的細(xì)菌葉綠素的、特定的細(xì)菌類的培養(yǎng)。已知細(xì)菌葉綠素較之葉綠素a、葉綠素b等葉綠素的紅色區(qū)域的光吸收峰值而在長(zhǎng)波長(zhǎng)側(cè)的800nm以上的區(qū)域具有光吸收峰值。
[0104]在此情況下，利用較之紅色熒光體的發(fā)光峰值而在長(zhǎng)波長(zhǎng)側(cè)具有發(fā)光峰值的紅色熒光體。即，選擇具有與細(xì)菌葉綠素的光吸收峰值對(duì)應(yīng)的發(fā)光峰值的紅色熒光體，并分散、導(dǎo)入到含有熒光體的樹(shù)脂層中，從而也能夠提供具有更適當(dāng)?shù)募?xì)菌葉綠素的特定細(xì)菌類的培養(yǎng)用發(fā)光裝置。
[0105]在本實(shí)施方式中，含有熒光體的樹(shù)脂層107中的樹(shù)脂和紅色熒光體109的配比(重量比)設(shè)為1: 0.05~1: 0.40。其結(jié)果，可以作為適于植物的發(fā)芽?育苗以及栽培、特定藻類的培養(yǎng)的發(fā)光裝置。
[0106]尤其是，在將本發(fā)明的發(fā)光裝置用于植物栽培的情況下，優(yōu)選含有熒光體的樹(shù)脂層107中的樹(shù)脂和紅色熒光體109的配比(重量比)成為1: 0.30~1: 0.40。
[0107]根據(jù)上述構(gòu)成，能夠提供作為在具備葉且光合作用變得活躍的栽培階段容易出射具有藍(lán)色以及紅色兩種光成分的光的植物栽培用的發(fā)光裝置。
[0108](光合光子通量)
[0109]根據(jù)以上的構(gòu)成，第I發(fā)光部通過(guò)“藍(lán)色LED芯片+紅色熒光體”發(fā)出藍(lán)色光以及紅色光。第2發(fā)光部通過(guò)“藍(lán)色LED芯片”發(fā)出藍(lán)色光。
[0110]由于可以個(gè)別地驅(qū)動(dòng)各發(fā)光部，因此可以使各發(fā)光部單獨(dú)地點(diǎn)亮，或者可以通過(guò)調(diào)整上述各發(fā)光部的點(diǎn)亮條件(發(fā)光強(qiáng)度)而使各發(fā)光部單獨(dú)地點(diǎn)亮，或者可以通過(guò)調(diào)整上述各發(fā)光部的點(diǎn)亮條件(發(fā)光強(qiáng)度)而使波長(zhǎng)400nm~480nm的藍(lán)色波段中的光合光子通量與波長(zhǎng)620nm~700nm的紅色波段中的光合光子通量之比容易調(diào)整為1: 1.3~
I: 10。
[0111]其結(jié)果，能夠提供適于植物的發(fā)芽、育苗以及栽培、特定藻類、細(xì)菌的培養(yǎng)的發(fā)光
>J-U ρ?α裝直。
[0112]尤其是，在作為植物栽培用的發(fā)光裝置的情況下，優(yōu)選波長(zhǎng)400nm~480nm的藍(lán)色區(qū)域中的光合光子通量與波長(zhǎng)620nm~700nm的紅色區(qū)域中的光合光子通量之比成為1: 7.5~1: 10。根據(jù)該構(gòu)成，能夠提供更適于植物的栽培的發(fā)光裝置。
[0113]在作為植物發(fā)芽用或者育苗用的發(fā)光裝置的情況下，優(yōu)選波長(zhǎng)400nm~480nm的藍(lán)色波段中的光合光子通量與波長(zhǎng)620nm~700nm的紅色波段中的光合光子通量之比為1: 1.3~1: 3.5。由此，能夠作為適于植物的發(fā)芽?育苗的發(fā)光裝置。
[0114](自動(dòng)發(fā)光控制單元)
[0115]另一方面，如上述，在植物的光合作用中承擔(dān)主要作用的葉綠素在藍(lán)色區(qū)域和紅色區(qū)域具有明確的光吸收峰值。也就是說(shuō)，在具備葉且光合作用變得活躍的栽培階段中，具有藍(lán)色區(qū)域以及紅色區(qū)域兩種光成分的發(fā)光峰值對(duì)于生長(zhǎng)而言是有效的。
[0116]相對(duì)于此，藍(lán)色區(qū)域的光也會(huì)給被稱作植物的高能量反應(yīng)系統(tǒng)的光反應(yīng)系統(tǒng)帶來(lái)影響，對(duì)于特定植物的健全形態(tài)形成是不必可少的。因此，在發(fā)芽.育苗的階段中，藍(lán)色區(qū)域的光成分的重要性加大。
[0117]鑒于此，作為特定植物的栽培方法，在具備葉且光合作用變得活躍的栽培階段中，能夠進(jìn)行如下操作，即:相對(duì)于發(fā)芽?育苗階段，增強(qiáng)第I發(fā)光部(發(fā)出藍(lán)色光以及紅色光)的LED芯片的發(fā)光強(qiáng)度，減弱第2發(fā)光部(發(fā)出藍(lán)色光)的LED芯片的發(fā)光強(qiáng)度。由此，在特定植物的栽培中，通過(guò)一個(gè)發(fā)光裝置便能夠在發(fā)芽.育苗階段和具備葉且光合作用變得活躍的栽培階段提供最適的光成分。
[0118]此外，在應(yīng)用于植物工廠的情況下，無(wú)需增大發(fā)芽.育苗.栽培面積或設(shè)置面積，通過(guò)一個(gè)發(fā)光裝置便能夠與各階段相一致地調(diào)整光量比例。
[0119]因此，優(yōu)選預(yù)先具備發(fā)光控制單元，即:預(yù)先調(diào)查作為對(duì)象的植物的發(fā)芽.育苗階段和具備葉且光合作用變得活躍的栽培階段的時(shí)間信息，然后預(yù)先輸入該時(shí)間信息，按照該時(shí)間信息自動(dòng)地增強(qiáng)第I發(fā)光部的發(fā)光強(qiáng)度而減弱第2發(fā)光部的發(fā)光強(qiáng)度。上述發(fā)光控制單元例如可考慮基于程序裝置的裝置等。
[0120]由此，不用借助于人手，通過(guò)一個(gè)發(fā)光裝置便能夠自動(dòng)地在特定植物的發(fā)芽?育苗階段和具備葉且光合作用變得活躍的栽培階段提供最適的光成分。
[0121]此外，發(fā)光控制單元還可以是不僅限于發(fā)芽.育苗階段與具備葉且光合作用變得活躍的栽培階段之間的發(fā)光控制，還與植物的細(xì)微的成長(zhǎng)階段相一致地進(jìn)行發(fā)光強(qiáng)度的控制的發(fā)光控制單元。
[0122](基板)
[0123]另一方面，基板101的上表面的形狀并不限于長(zhǎng)方形，也可以是多邊形、正方形或圓形等。進(jìn)而，在本實(shí)施方式的發(fā)光裝置100中，作為基板101，雖然使用了由陶瓷構(gòu)成的基板，但是并不限于此，也可取代陶瓷的基板，例如使用在金屬基板表面形成了絕緣層的金屬芯基板。
[0124]在此情況 下，能夠構(gòu)成為，絕緣層僅形成在形成有印刷電阻元件104、布線以及電極焊盤(pán)Iio~113的區(qū)域，且將多個(gè)藍(lán)色LED芯片102直接搭載于金屬基板表面。
[0125]此外，優(yōu)選印刷電阻元件104盡量不被第I樹(shù)脂壩105覆蓋，但并非限制性。此外，也可形成用于控制電壓的齊納二極管，在此情況下也優(yōu)選盡量不被第I樹(shù)脂壩105覆蓋，但并非限制性。
[0126]另外，發(fā)光裝置100未必一定要具備印刷電阻元件104。印刷電阻元件104的大小(電阻值)、電路設(shè)置根據(jù)所搭載的藍(lán)色LED芯片102的數(shù)目、使用環(huán)境(有可能施加給藍(lán)色LED芯片102的靜電耐壓值的大小等)來(lái)決定。
[0127]另一方面，在本實(shí)施方式中，雖然在基板101的上表面的相反側(cè)(以下定義為背面。)什么也沒(méi)有設(shè)置，但是并不特別限定于此，優(yōu)選具備某些冷卻單元。
[0128]例如，在兼做基板型發(fā)光裝置的散熱器的基板101的背面?zhèn)?，可以安裝鰭片散熱器。由此，例如在將本發(fā)明的發(fā)光裝置設(shè)置于生物栽培培養(yǎng)工廠的室內(nèi)的情況下，在該室內(nèi)，通過(guò)利用空氣流量，從而可由上述鰭片散熱器對(duì)基板101進(jìn)行冷卻。另外，在此情況下，優(yōu)選鰭片散熱器的開(kāi)口部為與空氣流量的方向相同的方向。
[0129]此外，也可構(gòu)成為，在基板101的背面設(shè)置了使液體培養(yǎng)液循環(huán)的管。由此，可以適當(dāng)?shù)乩鋮s發(fā)光裝置100，從而能夠照射穩(wěn)定的與葉綠素的光吸收特性的光吸收峰值相適的光。
[0130](對(duì)象生物)
[0131]本發(fā)明的發(fā)光裝置是能夠主要通過(guò)光照射來(lái)進(jìn)行生物的栽培、培養(yǎng)的發(fā)光裝置。本發(fā)明作為對(duì)象的能栽培、培養(yǎng)的生物為進(jìn)行光合作用的生物。作為該生物，例如能夠舉出作為通過(guò)光能栽培、培養(yǎng)的生物的艾蒿、爺子、圓白菜、金盞花、黃瓜、向日葵、菜花、西蘭花、小松菜等的綠色植物、褐藻等的褐藻類、苔蘚等的硅藻類、觸絲藻等的觸絲藻類、甲藻等的隱藻類、海萵苣或水綿等的綠藻類、螺旋藻等的藍(lán)藻類、以及被稱作所謂的光合作用細(xì)菌的細(xì)菌類，但是并不限定于這些。
[0132](照明用發(fā)光部)
[0133]上述的發(fā)光裝置100只要是生物栽培培養(yǎng)用的發(fā)光裝置，直接地利用該發(fā)光裝置而作為人類作業(yè)所必要的照明用的發(fā)光裝置是不妥當(dāng)?shù)摹?br> [0134]如上所述，在本發(fā)明中發(fā)光部不限于兩個(gè)，可以形成多個(gè)發(fā)光部。
[0135]在此，在上述的發(fā)光裝置100中還形成一個(gè)照明用的發(fā)光部，并示出同時(shí)放出人類作業(yè)所必要的照明用的光、和生物栽培培養(yǎng)用的光這樣的發(fā)光裝置的構(gòu)成。
[0136]例如，作為將發(fā)光部形成為3區(qū)域的情況下的發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)，舉出將電極焊盤(pán)形成為三組，進(jìn)而將構(gòu)建成雙重的螺旋狀的發(fā)光部變?yōu)槿氐穆菪隣畹慕Y(jié)構(gòu)，但是并不限定于此。
[0137]S卩，除了第I發(fā)光部、第2發(fā)光部之外，還形成下述發(fā)光部作為照明用發(fā)光部，該發(fā)光部在對(duì)多個(gè)藍(lán)色LED芯片2的上側(cè)進(jìn)行覆蓋的樹(shù)脂層的樹(shù)脂中除了紅色熒光體7b之外還追加綠色熒光體7c而混合分散在樹(shù)脂7a中。
[0138]綠色熒光體只要利用吸收上述的藍(lán)色區(qū)域(波長(zhǎng)400nm?480nm)的光、且發(fā)出發(fā)光峰值波長(zhǎng)為500?600nm的區(qū)域的光的、現(xiàn)有已知的熒光體即可，并沒(méi)有特別限定。例如，舉出(Ba, Sr)2Si04:Eu 等。
[0139]在此，照明用發(fā)光部能夠與第I發(fā)光部、第2發(fā)光部獨(dú)立地調(diào)整發(fā)光量。
[0140]在照明用發(fā)光部中，優(yōu)選樹(shù)脂7a、紅色熒光體7b和綠色熒光體7c的配比(重量比)例如成為1: 0.01: 0.10。
[0141]由此，能夠發(fā)出適于葉綠素的吸收光譜的藍(lán)色光、紅色光，并且能夠增加人類感覺(jué)到最亮的波長(zhǎng)550nm附近的光量。因此，照明用發(fā)光部作為在進(jìn)行生物栽培培養(yǎng)的空間內(nèi)人類作業(yè)用的照明光源是有效的。
[0142]該照明用發(fā)光部既可以與上述的第I發(fā)光部和第2發(fā)光部一起發(fā)光，也可以單獨(dú)地發(fā)光。
[0143](發(fā)光裝置的制造方法)
[0144]接下來(lái)，對(duì)本實(shí)施方式所涉及的發(fā)光裝置的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。另外，以下所提示的各構(gòu)件的尺寸只是簡(jiǎn)單的一例，發(fā)光裝置100并不限定于其尺寸。
[0145]<布線電極焊盤(pán)形成工序>
[0146]首先，在基板101的上表面形成布線以及電極焊盤(pán)110?113。準(zhǔn)備規(guī)定大小的基板101(外形尺寸:24mmX 20mm,厚度:1mm)。然后,在基板101的上表面,通過(guò)印刷布線形成由金(Au)構(gòu)成的導(dǎo)電體圖案，從而形成布線(寬度:300μπι，厚度:10μπι)。之后，在同一面，通過(guò)印刷布線形成由銀(Ag)-鉬(Pt)構(gòu)成的導(dǎo)電體圖案，從而形成電極焊盤(pán)110?113 (長(zhǎng)度:3.5mm,寬度:1.4mm,厚度:20 μ m)。由此,在規(guī)定位置形成上布線以及電極焊盤(pán)110 ?113。
[0147]<印刷電阻元件形成工序>
[0148]接著，在對(duì)包含電阻成分的膏進(jìn)行絲網(wǎng)印刷之后，在電爐中燒制該基板101以使膏固定，從而形成作為保護(hù)元件的印刷電阻元件104 (寬度:0.2μπι，厚度:10μπι，電阻值:1ΜΩ)。以氧化釕(RuO2)作為主成分來(lái)構(gòu)成上述膏。由此，在規(guī)定位置形成印刷電阻元件104。
[0149]〈接合工序〉
[0150]接著，在基板101的上表面安裝藍(lán)色LED芯片102。具體而言，首先利用例如硅酮樹(shù)脂將52個(gè)藍(lán)色LED芯片102分別芯片焊接在規(guī)定位置(從外側(cè)向中心)。另外，預(yù)先在藍(lán)色LED芯片102的上表面設(shè)有陽(yáng)極用以及陰極用的兩個(gè)芯片電極。然后，利用引線103對(duì)藍(lán)色LED芯片102間的陽(yáng)極用芯片電極和陰極用芯片電極進(jìn)行引線接合，從而電連接藍(lán)色LED芯片102間。
[0151]進(jìn)而，利用引線103對(duì)陽(yáng)極用芯片電極、和與電極焊盤(pán)(陰極電極)已電連接的布線進(jìn)行引線接合，利用引線103對(duì)上述陰極用芯片電極、和與電極焊盤(pán)(陽(yáng)極電極)已電連接的布線進(jìn)行引線接合，從而各自進(jìn)行電連接。
[0152]〈樹(shù)脂壩形成工序〉
[0153]接著，在基板101的上表面形成第I樹(shù)脂壩105以及第2樹(shù)脂壩106。具體而言，例如利用分配器，將液狀的白色硅酮樹(shù)脂(含有光擴(kuò)散填充劑TiO2)描繪在規(guī)定位置。即，當(dāng)在第I樹(shù)脂壩105的形成位置進(jìn)行了描繪之后，在第2樹(shù)脂壩106的形成位置進(jìn)行描繪。此時(shí)，其特征在于，第2樹(shù)脂壩106形成的起點(diǎn)與上述第I樹(shù)脂壩105接觸，其終點(diǎn)也與第I樹(shù)脂壩105接觸。不使第2樹(shù)脂壩106與藍(lán)色LED芯片102接觸。
[0154]然后，在溫度:150°C、時(shí)間:60分鐘的條件下被熱固化，從而形成第I樹(shù)脂壩105 (寬度:1mm，環(huán)徑:16mm)以及第2樹(shù)脂壩106 (寬度:0.5mm)。另外，上述的溫度以及時(shí)間只是一例，并不限定于此。
[0155]<含有熒光體的樹(shù)脂層形成工序>
[0156]接著，在基板101的上表面形成含有熒光體的樹(shù)脂層107。具體而言，預(yù)先制造使粒子狀的紅色熒光體109分散到液狀的透明的硅酮樹(shù)脂中的含有熒光粒子的樹(shù)脂，并注入該包含紅色熒光體的樹(shù)脂以填滿由第I樹(shù)脂壩105以及第2樹(shù)脂壩106所包圍的一個(gè)區(qū)域。
[0157]在注入了包含紅色熒光體的樹(shù)脂之后，在溫度:150°C、時(shí)間:30分鐘的條件下被熱固化，從而形成含有熒光體的樹(shù)脂層107。另外，上述的溫度以及時(shí)間只是一例，并不限定于此。通過(guò)利用硅酮樹(shù)脂，從而較之利用環(huán)氧樹(shù)脂等的情形，樹(shù)脂劣化少、且可靠性得以提聞。
[0158]<透光性樹(shù)脂層形成工序>
[0159]接著，在基板101的上表面形成透光性樹(shù)脂層108。具體而言，注入液狀的透明的硅酮樹(shù)脂以填滿由第I樹(shù)脂壩105以及第2樹(shù)脂壩106所包圍的另一個(gè)區(qū)域。然后，在溫度:150。C、時(shí)間:5小時(shí)的條件下被熱固化，從而形成透光性樹(shù)脂層108。
[0160]由此，在規(guī)定位置形成透光性樹(shù)脂層108。即，透光性樹(shù)脂層108—并密封藍(lán)色LED芯片102，形成為在俯視的情況下描繪螺旋線。這樣，能制作出圖1所示的發(fā)光裝置100。
[0161]〔實(shí)施方式2〕
[0162]圖2是表示本實(shí)施方式的發(fā)光裝置200的一構(gòu)成例的俯視圖。以下，關(guān)于發(fā)光裝置200的構(gòu)成以及形態(tài)設(shè)為，未記載的構(gòu)成或者形態(tài)采取與實(shí)施方式I中的發(fā)光裝置100同一構(gòu)成或者同一形態(tài)。
[0163](發(fā)光裝置的基本構(gòu)成)
[0164]發(fā)光裝置200具備:基板10ULED芯片102、第I樹(shù)脂壩105、含有熒光體的樹(shù)脂層107 (樹(shù)脂層)、紅色熒光體109以及透光性樹(shù)脂層108 (樹(shù)脂層)。
[0165]與實(shí)施方式I同樣地，電極焊盤(pán)110、112作為陽(yáng)極電極而發(fā)揮功能。電極焊盤(pán)111、113作為陰極電極而發(fā)揮功能。在第I樹(shù)脂壩105的內(nèi)側(cè)的區(qū)域內(nèi)形成有含有熒光體的樹(shù)脂層107、以及透光性樹(shù)脂層108。其中，與實(shí)施方式I不同之處在于，未形成第2樹(shù)脂壩。
[0166]根據(jù)上述構(gòu)成，由于未形成第2樹(shù)脂壩，而含有熒光體的樹(shù)脂層107以及透光性樹(shù)脂層108形成為直接鄰接，因此能夠有效率地發(fā)光，且能夠獲得更進(jìn)一步的混色性。
[0167]含有熒光體的樹(shù)脂層107是由含有紅色熒光體109的樹(shù)脂構(gòu)成的樹(shù)脂層。透光性樹(shù)脂層108形成在圓形的第I樹(shù)脂壩105的內(nèi)側(cè)的區(qū)域，并埋入配置于該區(qū)域的LED芯片102以及引線103。
[0168]在本實(shí)施方式中，含有熒光體的樹(shù)脂層107形成為將LED芯片102劃分為多個(gè)組并分別進(jìn)行密封。由此，含有熒光體的樹(shù)脂層107在俯視的情況下呈帶狀地形成在三個(gè)區(qū)域(3區(qū)域)。
[0169]具體而言，若將圖2的左右方向定義為橫向，將上下定義為上下方向或者上下，則使含有熒光體的樹(shù)脂層107于由第I樹(shù)脂壩105形成的圓內(nèi)在橫向上與第I樹(shù)脂壩105接觸地呈帶狀形成有上述3區(qū)域。上述3區(qū)域的含有熒光體的樹(shù)脂層107之一形成在由第I樹(shù)脂壩105形成的圓的中心上，其余的兩個(gè)區(qū)域的含有熒光體的樹(shù)脂層107，在形成于該圓的中心上的含有熒光體的樹(shù)脂層107的區(qū)域的上下，分別與該圓的中央對(duì)稱地形成。
[0170]透光性樹(shù)脂層108是由樹(shù)脂構(gòu)成的密封樹(shù)脂層。透光性樹(shù)脂層108形成在第I樹(shù)脂壩105的內(nèi)側(cè)的區(qū)域，并埋入配置于該區(qū)域的LED芯片102以及引線103。也就是說(shuō)，透光性樹(shù)脂層108形成為將藍(lán)色LED芯片102劃分為多個(gè)組并分別進(jìn)行密封。
[0171]由此，透光性樹(shù)脂層108與第I樹(shù)脂壩105接觸，在俯視的情況下呈帶狀地形成在四個(gè)區(qū)域。即，透光性樹(shù)脂層108形成為填滿由第I樹(shù)脂壩105和含有熒光體的樹(shù)脂層107所形成的四個(gè)區(qū)域。
[0172]在本實(shí)施方式中，在由含有熒光體的樹(shù)脂層107形成的三個(gè)區(qū)域、以及由透光性樹(shù)脂層108形成的四個(gè)區(qū)域這七個(gè)區(qū)域中，各自的LED芯片102以及引線103形成為二列。
[0173]與電極焊盤(pán)110?113電連接的布線被埋在第I樹(shù)脂壩105中。
[0174]在本實(shí)施方式的粒子狀熒光體中，作為在650nm附近具有峰值發(fā)光波長(zhǎng)的紅色熒光體109，利用的是CaAlSiN3 =Eu系熒光體。
[0175]由此，形成有含有熒光體的樹(shù)脂層107的區(qū)域，成為通過(guò)“藍(lán)色LED芯片+紅色熒光體”而發(fā)出藍(lán)色光以及紅色光的第I發(fā)光部。形成有透光性樹(shù)脂層108的區(qū)域，成為通過(guò)“藍(lán)色LED芯片”而發(fā)出藍(lán)色光的第2發(fā)光部。
[0176](發(fā)光裝置的制造方法)
[0177]具有上述構(gòu)成的發(fā)光裝置200，能夠以與利用圖1說(shuō)明過(guò)的實(shí)施方式I的發(fā)光裝置100的制造方法相同的工序，相同的順序來(lái)進(jìn)行。
[0178]在含有熒光體的樹(shù)脂層形成工序中，如圖2所明示的那樣，在基板101的上表面形成含有熒光體的樹(shù)脂層107。具體而言，通過(guò)使上述紅色熒光體分散到透明的硅酮樹(shù)脂中的含有熒光體粒子的樹(shù)脂載置在規(guī)定位置，從而形成含有熒光體的樹(shù)脂層107。
[0179]另外，由觸變性高且無(wú)流動(dòng)性的硅酮樹(shù)脂來(lái)形成了含有熒光體的樹(shù)脂層107的硅酮樹(shù)脂。該觸變性高且無(wú)流動(dòng)性的硅酮樹(shù)脂，例如能夠通過(guò)使觸變性附加劑混入到樹(shù)脂中來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0180]由此，含有熒光體的樹(shù)脂層107在載置于基板101的上表面之后，不被熱固化，粘度提升而固化。也就是說(shuō)，含有熒光體的樹(shù)脂層107對(duì)藍(lán)色LED芯片102進(jìn)行密封，在俯視的情況下形成為帶狀。
[0181]這樣，作為含有熒光體的樹(shù)脂層107，通過(guò)利用觸變性高于透光性樹(shù)脂層108 (粘度高的)樹(shù)脂，從而在此時(shí)刻點(diǎn)無(wú)需使含有熒光體的樹(shù)脂層107熱固化。
[0182]在透光性樹(shù)脂層形成工序中，含有熒光體的樹(shù)脂層107作為用于形成透光性樹(shù)脂層108的、所謂的實(shí)施方式中的樹(shù)脂壩(樹(shù)脂壁)而發(fā)揮功能。即，含有熒光體的樹(shù)脂層107不被硬化，能用作壩材。在該含有熒光體的樹(shù)脂層107之間形成透光性樹(shù)脂層108。
[0183]這樣，能制作圖2所示的發(fā)光裝置200。在發(fā)光裝置200中，通過(guò)在電極焊盤(pán)110?113處連接外部端子以供應(yīng)電力，從而能夠獨(dú)立地驅(qū)動(dòng)來(lái)自含有熒光體的樹(shù)脂層107的發(fā)光、以及來(lái)自透光性樹(shù)脂層108的發(fā)光。
[0184]故此，由于可以個(gè)別地驅(qū)動(dòng)各發(fā)光部，因此可以使各發(fā)光部單獨(dú)地點(diǎn)亮，可以通過(guò)調(diào)整各發(fā)光部的點(diǎn)亮條件(發(fā)光強(qiáng)度)而使波長(zhǎng)450nm的藍(lán)色波段中的光合光子通量與波長(zhǎng)650nm的紅色波段中的光合光子通量之比容易調(diào)整為大致1: 10。
[0185]本實(shí)施方式的發(fā)光裝置尤其適用于藻類的培養(yǎng)
[0186]〔實(shí)施方式3〕
[0187]圖3是表示本實(shí)施方式的發(fā)光裝置300的一構(gòu)成例的俯視圖。以下，關(guān)于實(shí)施方式3中的發(fā)光裝置300的構(gòu)成以及形態(tài)設(shè)為，未記載的構(gòu)成或者形態(tài)采取與實(shí)施方式I中的發(fā)光裝置100同一構(gòu)成或者同一形態(tài)。
[0188](發(fā)光裝置的基本構(gòu)成)
[0189]含有熒光體的樹(shù)脂層107形成為將LED芯片102劃分為多個(gè)區(qū)域并分別進(jìn)行密封。在本實(shí)施方式中形成為兩個(gè)區(qū)域。
[0190]透光性密封樹(shù)脂層108形成為將LED芯片102劃分為多個(gè)區(qū)域并分別進(jìn)行密封。在本實(shí)施方式中形成為兩個(gè)區(qū)域。第I樹(shù)脂壩105以及第2樹(shù)脂壩106在俯視的情況下形成為具有與上下方向、左右方向平行的帶的田字狀。具體而言，形成為田字狀的樹(shù)脂壩之中，第I樹(shù)脂壩105形成為口字狀，第2樹(shù)脂壩106與第I樹(shù)脂壩105連續(xù)地形成為十字狀。
[0191]此外，含有熒光體的樹(shù)脂層107以及透光性密封樹(shù)脂層108形成在由第I樹(shù)脂壩105以及第2樹(shù)脂壩106所包圍的區(qū)域中。
[0192]此外，在形成為田字狀的第I樹(shù)脂壩105中，靠近電極焊盤(pán)110?113的四個(gè)角形成為描繪曲線。即，第I樹(shù)脂壩105以及第2樹(shù)脂壩106在俯視的情況下形成為四個(gè)角圓潤(rùn)的田字狀。
[0193]在由形成為田字狀的第I樹(shù)脂壩105以及第2樹(shù)脂壩106所包圍的四個(gè)區(qū)域中，在位于電極焊盤(pán)110、113側(cè)的區(qū)域形成有上述透光性密封樹(shù)脂層108，在位于電極焊盤(pán)111、112側(cè)的區(qū)域形成有上述含有熒光體的樹(shù)脂層107。
[0194]由此，形成有含有熒光體的樹(shù)脂層107的區(qū)域，成為通過(guò)“藍(lán)色LED芯片+紅色熒光體”而發(fā)出藍(lán)色光以及紅色光的第I發(fā)光部。形成有透光性密封樹(shù)脂層108的區(qū)域，成為通過(guò)“藍(lán)色LED芯片”而發(fā)出藍(lán)色光的第2發(fā)光部。
[0195]在各發(fā)光部中，藍(lán)色LED芯片102在上下方向上以均等間隔并列設(shè)置為6列。藍(lán)色LED芯片102通過(guò)引線103而在上下方向上連接成可發(fā)光。為了電連接成為相同發(fā)光部的兩個(gè)區(qū)域，在縱橫附近形成有橫跨兩個(gè)區(qū)域的布線。連接第I發(fā)光部的布線和連接第2發(fā)光部的布線這兩條布線形成為在中央部不電接觸，例如改變高度地交叉。
[0196]對(duì)于含有熒光體的樹(shù)脂層107的粒子狀的紅色熒光體109，利用的是在620?630nm的區(qū)域具有發(fā)光峰值波長(zhǎng)的(Sr，Ca)AlSiN3 =Eu系熒光體。
[0197]在發(fā)光裝置300中，連接LED芯片102。具體而言，在形成有含有熒光體的樹(shù)脂層107的各區(qū)域，密封有類型I的LED芯片102(發(fā)光峰值波長(zhǎng)為430?440nm的區(qū)域內(nèi))。此夕卜，在形成有透光性密封樹(shù)脂層108的各區(qū)域，密封有類型II的LED芯片102 (發(fā)光峰值波長(zhǎng)為450?460nm的區(qū)域內(nèi))。
[0198]另一方面，如實(shí)施方式I所記載的那樣,具有處于450?460nm的區(qū)域內(nèi)的發(fā)光峰值波長(zhǎng)的藍(lán)色光也會(huì)給被稱作植物的高能量反應(yīng)系統(tǒng)的光反應(yīng)系統(tǒng)帶來(lái)影響，對(duì)于植物的健全形態(tài)形成是必不可少的。因此，在發(fā)芽.育苗的階段，藍(lán)色光的成分的重要性增大。
[0199]因而，形成有透光性密封樹(shù)脂層108的區(qū)域，僅使通過(guò)“藍(lán)色LED芯片”而發(fā)出藍(lán)色光的第2發(fā)光部進(jìn)行發(fā)光、或者使第2發(fā)光部發(fā)光強(qiáng)于第I發(fā)光部，從而能夠提供作為在發(fā)芽.育苗的階段中容易出射對(duì)于植物的健全形態(tài)形成而言必不可少的藍(lán)色光的成分的光的植物栽培用LED光源的發(fā)光裝置。
[0200]〔實(shí)施方式4〕
[0201]圖4是表不本實(shí)施方式的發(fā)光裝置400的一構(gòu)成例的俯視圖。以下,關(guān)于實(shí)施方式4中的發(fā)光裝置400的構(gòu)成以及形態(tài)設(shè)為，未記載的構(gòu)成或者形態(tài)采取與實(shí)施方式3中的發(fā)光裝置300同一構(gòu)成或者同一形態(tài)。
[0202](發(fā)光裝置的基本構(gòu)成)
[0203]發(fā)光裝置400具備如圖所示那樣被電連接的多個(gè)LED芯片102。
[0204]含有熒光體的樹(shù)脂層107形成為分別密封藍(lán)色LED芯片102。透光性密封樹(shù)脂層108形成為分別密封藍(lán)色LED芯片102。由此，上述含有熒光體的樹(shù)脂層107以及上述透光性密封樹(shù)脂層108在俯視的情況下在上述第I樹(shù)脂壩105的內(nèi)側(cè)的區(qū)域內(nèi)形成了圓形圖案。
[0205]在含有熒光體的樹(shù)脂層107的粒子狀的紅色熒光體中，作為在650nm附近具有發(fā)光峰值波長(zhǎng)的紅色熒光體109，利用的是CaAlSiN3 =Eu系熒光體。
[0206]由此，形成有含有熒光體的樹(shù)脂層107的區(qū)域，成為通過(guò)“藍(lán)色LED (對(duì)應(yīng)于葉綠素b) +紅色熒光體”而發(fā)出藍(lán)色光以及紅色光的第I發(fā)光部。形成有透光性樹(shù)脂層108的區(qū)域，成為通過(guò)“藍(lán)色LED (對(duì)應(yīng)于葉綠素a) ”而發(fā)出藍(lán)色光的第2發(fā)光部。
[0207]在此，在本實(shí)施方式中構(gòu)成為，被上述含有熒光體的樹(shù)脂層107覆蓋的藍(lán)色的LED102 (類型II)的波長(zhǎng)在對(duì)應(yīng)于葉綠素b的450?460nm具有發(fā)光峰值，被上述透光性樹(shù)脂層108覆蓋的藍(lán)色的LED102 (類型I)的波長(zhǎng)在對(duì)應(yīng)于葉綠素a的430?440nm具有發(fā)光峰值。
[0208]另一方面，已知作為美白.美顏.防豆.皮膚的炎癥防止用而使用葉綠素。因此，作為本發(fā)明的發(fā)光裝置的使用方法的一例，利用本發(fā)明的發(fā)光裝置，從培養(yǎng)或者栽培出的、褐藻、菊科艾蒿屬植物、螺旋藻等之中提取葉綠素，從而能夠提供葉綠素。
[0209]另外，本發(fā)明并不限定于上述的各實(shí)施方式，在權(quán)利要求所示的范圍內(nèi)可以進(jìn)行各種變更，酌情組合在不同的實(shí)施方式中分別公開(kāi)的技術(shù)手段而獲得的實(shí)施方式也包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。
[0210]另外，本發(fā)明是基于以下所示的前提技術(shù)而發(fā)明出的技術(shù)。即，本發(fā)明是將包含下述所示的前提技術(shù)的構(gòu)成的藍(lán)色LED和紅色熒光體在內(nèi)的發(fā)光部作為第I發(fā)光部，進(jìn)而在該第I發(fā)光部中包含僅由藍(lán)色LED構(gòu)成的第2發(fā)光部的發(fā)光裝置的發(fā)明。以下示出僅由第一發(fā)光部構(gòu)成的前提技術(shù)。
[0211]〔前提技術(shù)〕
[0212]基于圖5?11、13來(lái)說(shuō)明成為本發(fā)明前提的技術(shù)，則如下所述。即，本發(fā)明是基于以下所示的前提技術(shù)而發(fā)明出的技術(shù)。
[0213](前提技術(shù)的發(fā)光裝置的構(gòu)成)
[0214]基于圖6(a)、(b)來(lái)說(shuō)明本前提技術(shù)的植物栽培用的發(fā)光裝置的構(gòu)成。圖6(a)是表示注入含有紅色熒光體的樹(shù)脂之前的植物栽培用的發(fā)光裝置的俯視圖，圖6(b)是表示注入了含有紅色熒光體的樹(shù)脂之后的植物栽培用的發(fā)光裝置的俯視圖。
[0215]如圖6(a)所示，作為本前提技術(shù)的植物栽培用的發(fā)光裝置的基板型發(fā)光裝置10，在基板I上搭載有多個(gè)藍(lán)色LED芯片2，在其周圍設(shè)有由樹(shù)脂構(gòu)成的樹(shù)脂壩3。
[0216]在本前提技術(shù)中，藍(lán)色LED芯片2例如由24個(gè)構(gòu)成，即:24個(gè)藍(lán)色LED芯片2，是將串聯(lián)電連接而各3個(gè)串聯(lián)為一組的串聯(lián)組，在鄰接的各列間藍(lán)色LED芯片2彼此被并聯(lián)電連接地并聯(lián)排列8列而得到的。另外，在本發(fā)明中，藍(lán)色LED芯片2的個(gè)數(shù)未必限定為多個(gè)，可以是I個(gè)，此外即便為多個(gè)也不限為24個(gè)。進(jìn)而，多個(gè)的排列方式也不限定。電連接方法也不限于此。
[0217]上述各藍(lán)色LED芯片2在樹(shù)脂壩3的內(nèi)偵彳，利用導(dǎo)電性的引線5而分別與設(shè)于各列的藍(lán)色LED芯片2的兩側(cè)的布線4a和布線4b進(jìn)行連接。而且，布線4a和布線4b分別與在基板I上搭載于樹(shù)脂壩3的外側(cè)的陰極電極焊盤(pán)6a和陽(yáng)極電極焊盤(pán)6b進(jìn)行連接。
[0218]而且，如圖6(b)所示，在本前提技術(shù)的基板型發(fā)光裝置10中，設(shè)有填充到樹(shù)脂壩3的內(nèi)側(cè)且對(duì)上述多個(gè)藍(lán)色LED芯片2的上側(cè)進(jìn)行覆蓋的樹(shù)脂層7，在該樹(shù)脂層7中混合分散了紅色熒光體7b。
[0219]而且，本前提技術(shù)的藍(lán)色LED芯片2產(chǎn)生作為與葉綠素的藍(lán)色波段吸收峰值對(duì)應(yīng)的藍(lán)色光的波長(zhǎng)400nm?480nm的光。此外，紅色熒光體7b成為吸收藍(lán)色LED芯片2的光，并發(fā)出與葉綠素的紅色波段吸收峰值對(duì)應(yīng)的發(fā)光峰值為波長(zhǎng)620?700nm的紅色光的熒光體。
[0220]另外，藍(lán)色LED芯片2也可以不僅是作為與藍(lán)色波段吸收峰值對(duì)應(yīng)的藍(lán)色光的波長(zhǎng)400nm?480nm,還輸出到包含紫外色的藍(lán)紫外色區(qū)域。
[0221](藍(lán)色光和紅色光的光量比例的調(diào)整)
[0222]基于圖5(a)、(b)以及圖7，對(duì)本前提技術(shù)的基板型發(fā)光裝置10中的藍(lán)色波段和紅色波段的光量比例的調(diào)整方法進(jìn)行說(shuō)明。圖5 (a)、(b)分別是示意性表示紅色熒光體和硅酮樹(shù)脂的配比互不相同的基板型LED光源IO(IOA).IO(IOD)的構(gòu)成的截面圖。
[0223]如圖5(a)所示，在本前提技術(shù)的基板型發(fā)光裝置10中，樹(shù)脂層7構(gòu)成為在由作為樹(shù)脂的硅酮樹(shù)脂構(gòu)成的樹(shù)脂7a中含有紅色熒光體7b而成。因此，通過(guò)變更紅色熒光體7b相對(duì)于該樹(shù)脂7a的比例，從而能夠出射互不相同的波長(zhǎng)的光。[0224]例如，作為紅色熒光體7b而使用CaAlSiN3:Eu,如前所述，從藍(lán)色LED芯片2出射在波長(zhǎng)為400?480nm的范圍內(nèi)具有發(fā)光峰值的光。由此，出射發(fā)光峰值波長(zhǎng)400?480nm的藍(lán)色光和發(fā)光峰值波長(zhǎng)620?700nm的紅色光。
[0225]具體而言，如圖5(a)所示，在將配比(重量比)設(shè)為樹(shù)脂7a:紅色熒光體7b =I: 0.05的基板型發(fā)光裝置IOA的情況下，如圖7(a)所示，可獲得在波長(zhǎng)440nm處具有發(fā)光強(qiáng)度1.0的峰值波長(zhǎng)、和在波長(zhǎng)640nm處具有發(fā)光強(qiáng)度0.3的峰值波長(zhǎng)的發(fā)光光譜。
[0226]此外，在將配比(重量比)設(shè)為樹(shù)脂7a:紅色熒光體7b = I: 0.10的基板型LED光源IOB的情況下，如圖7(b)所示，可獲得在波長(zhǎng)440nm處具有發(fā)光強(qiáng)度1.0的峰值波長(zhǎng)、和在波長(zhǎng)640nm處具有發(fā)光強(qiáng)度0.8的峰值波長(zhǎng)的光譜。
[0227]進(jìn)而，在將配比(重量比)設(shè)為樹(shù)脂7a:紅色熒光體7b = I: 0.15的基板型LED光源IOC的情況下，如圖7(c)所示，可獲得在波長(zhǎng)440nm處具有發(fā)光強(qiáng)度0.56的峰值波長(zhǎng)、和在波長(zhǎng)640nm處具有發(fā)光強(qiáng)度1.0的峰值波長(zhǎng)的光譜。
[0228]而且，如圖5(b)所示，在將配比(重量比)設(shè)為樹(shù)脂7a:紅色熒光體7b = I: 0.20的基板型發(fā)光裝置IOD的情況下，如圖7(d)所示，可獲得在波長(zhǎng)440nm處具有發(fā)光強(qiáng)度0.4的峰值波長(zhǎng)、和在波長(zhǎng)640nm處具有發(fā)光強(qiáng)度1.0的峰值波長(zhǎng)的光譜。
[0229]這樣，通過(guò)變更樹(shù)脂7a和紅色熒光體7b的配比(重量比)，從而可以容易地調(diào)整藍(lán)色波段和紅色波段的光量比例。
[0230](在植物的成長(zhǎng)中必要的光的波長(zhǎng))
[0231]接下來(lái)，基于圖8來(lái)說(shuō)明在植物的成長(zhǎng)中照射什么樣波長(zhǎng)的光為好。圖8是表示葉綠素的光吸收光譜和本前提技術(shù)的基板型發(fā)光裝置10的發(fā)光光譜的圖。
[0232]首先，如上述，在植物的光合作用中承擔(dān)主要作用的葉綠素(chlorophyll)不是同樣地吸收光，而如圖8所示,在紅色660nm附近和藍(lán)色450nm附近示出明確的吸收峰值，與此相關(guān)聯(lián)地，光合作用的波長(zhǎng)特性在660nm附近具有第一峰值，并且在450nm附近具有第二峰值。
[0233]因此，在植物具備葉且光合作用變得活躍的栽培階段中，具有紅色以及藍(lán)色兩種光成分對(duì)于生長(zhǎng)是有效的。
[0234]另一方面，450nm附近的藍(lán)色光也會(huì)給被稱作植物的高能量反應(yīng)系統(tǒng)的光反應(yīng)系統(tǒng)帶來(lái)影響，對(duì)于植物的健全形態(tài)形成是必不可少的。因而，在發(fā)芽.育苗的階段中，藍(lán)色光的成分的重要性增大。
[0235]相對(duì)于此，在本前提技術(shù)的基板型發(fā)光裝置10中，如圖8所示，本前提技術(shù)的基板型發(fā)光裝置IOA適于葉綠素的藍(lán)色波段吸收帶，并且本前提技術(shù)的基板型發(fā)光裝置IOD適于葉綠素的紅色波段吸收帶。
[0236]由此可知，在本前提技術(shù)的基板型發(fā)光裝置10中，只是變更樹(shù)脂7a和紅色熒光體7b的配比(重量比)便能容易地一致于葉綠素的光吸收特性。
[0237]但是，在光領(lǐng)域中，作為光量的單位，例如利用了光子通量密度。在此，光子通量密度是指，對(duì)向某對(duì)象物照射一秒鐘的光子的數(shù)目除以此對(duì)象物的受光面積而得到的值。
[0238]然而，在光子通量密度這一情況下，由于要計(jì)數(shù)光子的數(shù)目，因此無(wú)論是紅外光或者紫外光的哪一種光到來(lái)均是一個(gè)計(jì)一個(gè)。另一方面，光化學(xué)反應(yīng)只是在色素能吸收的光子到來(lái)時(shí)被引起。例如，在植物的情況下，無(wú)論不被葉綠素吸收的光到來(lái)多少，都視作不存在。因此，在光合作用的領(lǐng)域中，定義了只有到葉綠素能吸收的400nm?700nm為止的波長(zhǎng)區(qū)域的光合有效光子通量密度或者光合光子通量。另外，所謂光合光子通量，是指光合有效光子通量密度(PPFD:photosynthetic photon flux density)乘以光照射面積而得到的值。
[0239]該值并非是簡(jiǎn)單地用葉綠素的紅色波段以及藍(lán)色波段的吸收峰值波長(zhǎng)的能量來(lái)表現(xiàn)的值，而是為了求取植物的成長(zhǎng)所必要的光強(qiáng)度，用光子的量來(lái)表現(xiàn)與紅色波段以及藍(lán)色波段的各吸收光譜對(duì)應(yīng)的能量(即，光合作用所必要的能量)的值。
[0240]此外，光合光子通量能夠根據(jù)來(lái)自發(fā)光裝置的發(fā)光光譜特性、和各波長(zhǎng)的I個(gè)光子的能量來(lái)求取。
[0241]而且，在圖7(a)所示的基板型發(fā)光裝置IOA中，波長(zhǎng)400nm?480nm的藍(lán)色波段中的光合光子通量與波長(zhǎng)620nm?700nm的紅色波段中的光合光子通量之比成為1: 1.3。
[0242]此外，在圖7(b)所示的基板型發(fā)光裝置IOB中，波長(zhǎng)400nm?480nm的藍(lán)色波段中的光合光子通量與波長(zhǎng)620nm?700nm的紅色波段中的光合光子通量之比成為1: 3.5。
[0243]此外，在圖7(c)所示的基板型LED光源IOC中，波長(zhǎng)400nm?480nm的藍(lán)色波段中的光合光子通量與波長(zhǎng)620nm?700nm的紅色波段中的光合光子通量之比成為1: 7.5。
[0244]此外，在圖7(d)所示的基板型發(fā)光裝置IOD中，波長(zhǎng)400nm?480nm的藍(lán)色波段中的光合光子通量與波長(zhǎng)620nm?700nm的紅色波段中的光合光子通量之比成為1: 10。
[0245]因此，在本前提技術(shù)中，波長(zhǎng)400nm?480nm的藍(lán)色波段中的光合光子通量與波長(zhǎng)620nm?700nm的紅色波段中的光合光子通量之比成為1: 1.3?1: 10。其結(jié)果，優(yōu)選作為適于植物的發(fā)芽.育苗以及栽培的基板型發(fā)光裝置10。
[0246]具體而言，在植物育成中以被設(shè)置在發(fā)芽棚或者育苗棚為目的的情況下，優(yōu)選波長(zhǎng)400nm?480nm的藍(lán)色波段中的光合光子通量與波長(zhǎng)620nm?700nm的紅色波段中的光合光子通量之比成為1: 1.3?1: 3.5的基板型發(fā)光裝置IOA.IOB0由此，能夠作為適于植物的發(fā)芽.育苗的基板型LED光源IOA.IOB0
[0247]此外，在本前提技術(shù)中，在植物育成中以被設(shè)置在栽培棚為目的的情況下，優(yōu)選波長(zhǎng)400nm?480nm的藍(lán)色波段中的光合光子通量與波長(zhǎng)620nm?700nm的紅色波段中的光合光子通量之比成為1: 7.5?1: 10的基板型發(fā)光裝置IOC *10D。由此，能夠作為適于植物的栽培的基板型LED光源IOC.IOD0
[0248]此外，在圖9中示出本前提技術(shù)的基板型發(fā)光裝置10以及現(xiàn)有的單獨(dú)的植物育成用的紅色LED的相對(duì)總光通量中的溫度特性。在圖9中，橫軸表示搭載芯片的結(jié)溫度，縱軸表示相對(duì)總光通量值。如圖9所示，可知在基板型發(fā)光裝置10(圖9中為實(shí)線)和現(xiàn)有的單獨(dú)的植物育成用的紅色LED(圖9中為虛線)中，在100°C附近的高溫區(qū)域內(nèi)存在約10%的溫度特性的差。該理由是因紅色LED的溫度特性差而引起的。另外，在此所示的現(xiàn)有的紅色炮彈型LED燈是基于上述專利文獻(xiàn)2的“發(fā)明的實(shí)施方式”、圖1、2而制作出的發(fā)光裝置。
[0249]由此可知，本前提技術(shù)的基板型發(fā)光裝置10較之現(xiàn)有的紅色炮彈型LED燈，能夠發(fā)出從低溫到高溫的穩(wěn)定的光成分的光。
[0250]相對(duì)于此，在本前提技術(shù)的基板型發(fā)光裝置10中，由于取代紅色LED而由紅色熒光體7b來(lái)構(gòu)成，因此溫度特性得以提高。進(jìn)而，基板型發(fā)光裝置10以及后述的炮彈型LED燈40能夠很好地與葉綠素的光吸收特性的光吸收峰值相一致。
[0251](紅色熒光體)
[0252]在此，在上述的說(shuō)明中，在前提技術(shù)的基板型發(fā)光裝置10中，作為紅色熒光體7b，雖然使用了 CaAlSiN3:Eu，但是未必一定要限定于此，例如也可以使用(Sr，Ca)AlSiN3 =Eu0該(Sr，Ca) AlSiN3是在CaAlSiN3 =Eu中將Ca的一部分置換成Sr而使發(fā)光峰值波長(zhǎng)移位到短波長(zhǎng)的熒光體，與CaAlSiN3 =Eu同樣地是溫度特性穩(wěn)定且高發(fā)光效率的熒光體。
[0253]具體而言，尤其是，針對(duì)于包含許多葉綠素a (被稱作Q帶的紅色區(qū)域)的植物等，優(yōu)選使用CaAlSiN3:Eu(發(fā)光峰值波長(zhǎng)650~660nm)作為紅色熒光體7b。此外，針對(duì)包含許多葉綠素b的植物等，優(yōu)選使用在更短的短波長(zhǎng)側(cè)具有發(fā)光峰值(620~630nm)的(Sr，Ca) AlSiN3 =Eu作為紅色熒光體7b。
[0254]此外，作為紅色熒光體7b，也可以使用 3.5Mg0.0.5MgF2.GeO2:Mn、La2O2S:Eu、Y2O2S:Eu、LiEuW208、(Y, Gd, Eu) 203、(Y, Gd, Eu) BO3、以及 / 或者 YVO4:Eu、CaS:Eu, Ce, K。
[0255]當(dāng)然，也可使用CaAlSiN3:Eu和(Sr，Ca) AlSiN3:Eu等的兼用2個(gè)種類的紅色熒光體7b，也是不言而喻的。對(duì)于葉綠素a和葉綠素b共存的植物的栽培而言是有效的。
`[0256]此外，也可針對(duì)于葉綠素的藍(lán)色區(qū)域的光吸收特性來(lái)酌情選定藍(lán)色LED芯片2的峰值波長(zhǎng)以與葉綠素a以及葉綠素b的吸收峰值一致。例如，優(yōu)選在包含許多葉綠素a的植物中使用在430~440nm具有峰值的藍(lán)色LED芯片2 (類型I)，在包含許多葉綠素b的植物中使用在450~460nm具有峰值的藍(lán)色LED芯片2 (類型II)。
[0257]進(jìn)而，也可作為使藍(lán)色LED芯片2和紅色熒光體7b的組合與葉綠素a以及葉綠素b的各類型一致的組合的基板型LED光源10。
[0258]例如，也可作為類型I的藍(lán)色LED芯片2和由CaAlSiN3 =Eu構(gòu)成的紅色熒光體7b的組合、或類型II的藍(lán)色LED芯片2和由(Sr，Ca)AlSiN3:Eu構(gòu)成的紅色熒光體7b的組合等的各組合構(gòu)成的基板型LED光源10。
[0259]在此情況下，分別將樹(shù)脂7a和紅色熒光體7b的配比(重量比)酌情調(diào)整為所期望的光量比例。
[0260](照明用的發(fā)光裝置)
[0261]上述的基板型發(fā)光裝置10是植物栽培用的發(fā)光裝置，直接地利用該發(fā)光裝置而作為人類作業(yè)所必要的照明用的發(fā)光裝置是不妥當(dāng)?shù)摹?br> [0262]因此，以下示出對(duì)該基板型發(fā)光裝置10加以改良來(lái)作為人類作業(yè)所必要的照明用的發(fā)光裝置20的方法。
[0263]即，除了前述的基板型LED光源10的構(gòu)成之外，還如圖7 (a)、(b)、(C)所示，在對(duì)多個(gè)藍(lán)色LED芯片2的上側(cè)進(jìn)行覆蓋的樹(shù)脂層7中除了紅色熒光體7b之外還追加綠色熒光體7c并混合分散在樹(shù)脂7a中。
[0264]在此，作為能利用的綠色熒光體，只要是吸收從藍(lán)色LED芯片所發(fā)出的光，并發(fā)出具有以550附近為中心的發(fā)光峰值的光的熒光體即可，并沒(méi)有特別限定。作為綠色熒光體，例如舉出(Ba，Sr)2Si04:Eu、(Si，Al)6(O, N)8:Eu 等。
[0265]此外，具體而言，照明用的發(fā)光裝置20在基板I上搭載多個(gè)藍(lán)色LED芯片2，并在其周圍立設(shè)有樹(shù)脂壩3。
[0266]在本前提技術(shù)下，藍(lán)色LED芯片2例如構(gòu)成為156個(gè)，該156個(gè)藍(lán)色LED芯片2是各串聯(lián)排列12個(gè)的串聯(lián)組被并聯(lián)地排列13列而得到的。另外，在本發(fā)明中，藍(lán)色LED芯片2的個(gè)數(shù)未必限定為多個(gè)，可以是I個(gè)，此外即便為多個(gè)也不限為156個(gè)。進(jìn)而，多個(gè)的排列方式也不限定。
[0267]上述各藍(lán)色LED芯片2在樹(shù)脂壩3的內(nèi)偵彳，利用導(dǎo)電性的引線5而分別與設(shè)于各列的藍(lán)色LED芯片2的兩側(cè)的布線4a和布線4b進(jìn)行電連接。而且，布線4a和布線4b分別與在基板I上搭載于樹(shù)脂壩3的外側(cè)的陰極電極焊盤(pán)6a和陽(yáng)極電極焊盤(pán)6b進(jìn)行電連接。
[0268]而且，如圖10(b)所示，在本前提技術(shù)的照明用的發(fā)光裝置20中，設(shè)有填充到樹(shù)脂壩3的內(nèi)側(cè)且對(duì)上述多個(gè)藍(lán)色LED芯片2的上側(cè)進(jìn)行覆蓋的樹(shù)脂層7，在該樹(shù)脂層7中紅色熒光體7b和綠色熒光體7c被混合分散在由硅酮樹(shù)脂構(gòu)成的樹(shù)脂7a中。
[0269]在此，在照明用的發(fā)光裝置20中，樹(shù)脂7a、紅色熒光體7b和綠色熒光體7c的配比(重量比)例如成為1: 0.01: 0.10。通過(guò)該配比(重量比)，可獲得圖10(c)所示的發(fā)光光譜。在圖10(C)所示的發(fā)光光譜中，能夠掌握到人類感覺(jué)到最亮的波長(zhǎng)550nm附近的光量增加。因此可知，照明用LED光源20作為人類作業(yè)用的照明光源是有效的。
[0270](向植物工廠的應(yīng)用)
[0271]接下來(lái)，基于圖11來(lái)說(shuō)明本前提技術(shù)的基板型發(fā)光裝置10向植物工廠應(yīng)用的應(yīng)用例。圖11是表示使用本前提技術(shù)的基板型發(fā)光裝置10以及照明用的發(fā)光裝置20的植物工廠30的一例的圖。
[0272]在本前提技術(shù)的植物工廠30中，如圖11所示，在發(fā)芽棚中例如設(shè)置1300個(gè)基板型發(fā)光裝置10A。此外，在育苗棚中設(shè)置4600個(gè)基板型發(fā)光裝置10A。進(jìn)而，在栽培棚中設(shè)置17000個(gè)基板型發(fā)光裝置10D。此外，在發(fā)貨室，由于人類進(jìn)行作業(yè)，因此設(shè)置370個(gè)照明用的發(fā)光裝置20。
[0273]這樣，本前提技術(shù)的植物栽培用的發(fā)光裝置設(shè)有:至少一個(gè)藍(lán)色LED芯片2，為了與葉綠素的藍(lán)色波段吸收峰值對(duì)應(yīng)而在波長(zhǎng)為400?480nm的范圍內(nèi)具有發(fā)光峰值；紅色熒光體7b，為了與葉綠素的紅色波段吸收峰值對(duì)應(yīng)而通過(guò)來(lái)自藍(lán)色LED芯片2的激勵(lì)光發(fā)出發(fā)光峰值為波長(zhǎng)620?700nm的光；以及樹(shù)脂層7，分散紅色熒光體7b且覆蓋上述至少一個(gè)藍(lán)色LED芯片2。
[0274]根據(jù)上述的構(gòu)成，植物育成用的發(fā)光裝置由至少一個(gè)藍(lán)色LED芯片2、以及覆蓋該藍(lán)色LED芯片2且分散有紅色熒光體7b的樹(shù)脂層7構(gòu)成。而且，在該構(gòu)成中，為了與葉綠素的藍(lán)色波段吸收峰值對(duì)應(yīng)，而藍(lán)色LED芯片2在波長(zhǎng)為400?480nm的范圍內(nèi)輸出光。而且，為了與葉綠素的紅色波段吸收峰值對(duì)應(yīng)，而紅色熒光體7b通過(guò)來(lái)自藍(lán)色LED芯片2的激勵(lì)光發(fā)出發(fā)光峰值為波長(zhǎng)620?700nm的光。
[0275]其結(jié)果，即便不使用獨(dú)立的藍(lán)色LED芯片2和獨(dú)立的紅色LED芯片這2個(gè)種類的LED芯片，也能夠由I個(gè)種類的藍(lán)色LED芯片2出射與植物的成長(zhǎng)所必要的葉綠素的藍(lán)色波段吸收峰值和紅色波段吸收峰值對(duì)應(yīng)的光。因而，不會(huì)增大設(shè)置面積。而且，在該構(gòu)成中，由于紅色熒光體7b被分散在樹(shù)脂層中，因此可以使紅色熒光體7b以規(guī)定的配比(重量比)分散到樹(shù)脂中，且能夠根據(jù)該配比(重量比)來(lái)改變藍(lán)色波段和紅色波段中的光量。
[0276]因此，能夠提供如下的植物栽培用LED光源，即:不會(huì)增大設(shè)置面積，能以簡(jiǎn)單的構(gòu)成來(lái)容易地調(diào)整藍(lán)色波段和紅色波段的光量比例，與此同時(shí)可放出在空間上顏色不均少的藍(lán)色光以及紅色光的混色光。[0277]此外，在本前提技術(shù)的基板型發(fā)光裝置10中，優(yōu)選波長(zhǎng)400nm~480nm的藍(lán)色波段中的光合光子通量與波長(zhǎng)620nm~700nm的紅色波段中的光合光子通量之比成為1: 1.3~1: 10。其結(jié)果，可以作為適于植物的發(fā)芽?育苗以及栽培的基板型發(fā)光裝置10。
[0278]此外，在本前提技術(shù)的基板型發(fā)光裝置10中，樹(shù)脂層7中的樹(shù)脂7a和紅色熒光體7b的配比(重量比)成為1: 0.05~1: 0.20。其結(jié)果，可以作為適于植物的發(fā)芽?育苗以及栽培的基板型發(fā)光裝置10。
[0279]此外，在本前提技術(shù)的基板型發(fā)光裝置10中，在以被設(shè)置在發(fā)芽棚或者育苗棚為目的的情況下，優(yōu)選樹(shù)脂層7中的樹(shù)脂7a和紅色熒光體7b的配比(重量比)成為1: 0.05 ~1: 0.10。
[0280]即，在植物的光合作用中承擔(dān)主要作用的葉綠素(chlorophyll)不是同樣地吸收光，而在紅色660nm附近和藍(lán)色450nm附近示出明確的吸收峰值，與之相關(guān)聯(lián)地，光合作用的波長(zhǎng)特性在660nm附近具有第一峰值,而在450nm附近具有第二峰值。
[0281]也就是說(shuō)，在具備葉且光合作用變得活躍的栽培階段中，具有藍(lán)色以及紅色兩種光成分對(duì)于生長(zhǎng)是有效的。另一方面，450nm附近的藍(lán)色光也會(huì)給被稱作植物的高能量反應(yīng)系統(tǒng)的光反應(yīng)系統(tǒng)帶來(lái)影響，對(duì)于植物的健全形態(tài)形成是必不可少的。因此，在發(fā)芽?育苗的階段中，藍(lán)色光的成分的重要性增大。
[0282]關(guān)于該點(diǎn)，在本前提技術(shù)下，樹(shù)脂層7中的樹(shù)脂7a和紅色熒光體7b的配比(重量比)成為1: 0.05~1: 0.10。因而，通過(guò)作為該配比(重量比)，從而能夠提供在發(fā)芽?育苗的階段中容易出射對(duì)于植物的健全形態(tài)形成而言必不可少的藍(lán)色光的成分的光的基板型發(fā)光裝置10。
[0283]此外，在本前提技術(shù)的基板型發(fā)光裝置10中，在以被設(shè)置在栽培棚為目的的情況下，樹(shù)脂層?中的樹(shù)脂7a和紅色熒光體7b的配比(重量比)成為1: 0.15~1: 0.20。由此，能夠提供在具備葉且光合作用變得活躍的栽培階段中容易出射具有藍(lán)色以及紅色兩種光成分的光的基板型LED光源10。
[0284]此外，在本前提技術(shù)的基板型發(fā)光裝置10中，在以被設(shè)置在發(fā)芽棚或者育苗棚為目的的情況下，優(yōu)選波長(zhǎng)400nm~480nm的藍(lán)色波段中的光合光子通量與波長(zhǎng)620nm~700nm的紅色波段中的光合光子通量之比成為1: 1.3~1: 3.5。由此，可以作為適于植物的發(fā)芽.育苗的基板型發(fā)光裝置10。
[0285]此外，在本前提技術(shù)的基板型發(fā)光裝置10中，在以被設(shè)置在栽培棚為目的的情況下，優(yōu)選波長(zhǎng)400nm~480nm的藍(lán)色波段中的光合光子通量與波長(zhǎng)620nm~700nm的紅色波段中的光合光子通量之比成為1: 7.5~1: 10。由此，可以作為適于植物的栽培的基板型發(fā)光裝置10。
[0286]此外，在本前提技術(shù)的基板型發(fā)光裝置10中，紅色熒光體7b在較之葉綠素b而包含許多葉綠素a的植物栽培中，優(yōu)選具有CaAlSiN3 =Eu系的成分。
[0287]即，植物具有葉綠素a和葉綠素b。在此，葉綠素a和葉綠素b的光吸收特性分別不同。具體而言，葉綠素a在紅色區(qū)域中于650~660nm具有吸收峰值,葉綠素b在紅色區(qū)域中于620~630nm具有吸收峰值·。
[0288]因而，在本前提技術(shù)下，紅色熒光體7b在較之葉綠素b而包含許多葉綠素a的植物栽培中具有CaAlSiN3:Eu系的成分。即，具有CaAlSiN3 =Eu系的成分的紅色熒光體能夠出射發(fā)光峰值650?660nm的波長(zhǎng)。
[0289]因此，在較之葉綠素b而包含許多葉綠素a的植物栽培中，優(yōu)選使用具有CaAlSiN3 =Eu系的成分的紅色熒光體7b。
[0290]此外，在本前提技術(shù)的基板型發(fā)光裝置10中，紅色熒光體7b在較之葉綠素a而包含許多葉綠素b的植物栽培中，優(yōu)選具有(Sr，Ca)AlSiN3 =Eu系的成分。
[0291]S卩，葉綠素b在紅色區(qū)域中于620?630nm具有吸收峰值，并且具有(Sr，Ca)AlSiN3 =Eu系的成分的紅色熒光體能夠出射發(fā)光峰值620?630nm的波長(zhǎng)。
[0292]因此，在較之葉綠素a而包含許多葉綠素b的植物栽培中，優(yōu)選使用具有(Sr，Ca)AlSiN3:Eu系的成分的紅色熒光體7b。
[0293]此外，在本前提技術(shù)的基板型發(fā)光裝置10中，在基板I上搭載有多個(gè)藍(lán)色LED芯片2，在其周圍設(shè)有樹(shù)脂壩3，并且在樹(shù)脂壩3的內(nèi)側(cè)填充有使紅色熒光體7b分散的樹(shù)脂7a。
[0294]因此，通過(guò)I個(gè)基板型發(fā)光裝置10，能夠以較少的設(shè)置面積來(lái)出射大光量的光。
[0295]此外，在本前提技術(shù)的基板型發(fā)光裝置10中，可出射波長(zhǎng)400?480nm的藍(lán)色光和波長(zhǎng)620?700nm的紅色光。
[0296]由此，能夠通過(guò)I個(gè)基板型LED光源10來(lái)生成植物育成所必要的藍(lán)色以及紅色的兩個(gè)峰值。這樣，通過(guò)設(shè)為I個(gè)基板型發(fā)光裝置10，從而可以縮小基板型發(fā)光裝置10的設(shè)置面積，可靠性得到提升，能夠作為適于在植物工廠等中使用的光源。
[0297]此外，在本前提技術(shù)的基板型發(fā)光裝置10中，藍(lán)色光是來(lái)自藍(lán)色LED芯片2的光，紅色光是從紅色熒光體7b放出的光。即，在基板型發(fā)光裝置10中，在發(fā)光部附近生成了葉綠素的光吸收特性的光吸收峰值。鑒于此，來(lái)自基板型發(fā)光裝置10的藍(lán)色光和紅色光被均勻地照射。即，在基板型發(fā)光裝置10中，在發(fā)光部附近生成了葉綠素的光吸收特性的光吸收峰值。鑒于此，來(lái)自基板型發(fā)光裝置10的藍(lán)色光和紅色光被均勻地照射。
[0298]具體而言,從藍(lán)色LED芯片2出射的藍(lán)色光,一部分被紅色熒光體7b吸收而從該紅色熒光體7b出射紅色光，其余由紅色熒光體7b散射。而且，由于紅色熒光體7b的熒光體逐個(gè)為點(diǎn)光源，因此均勻地發(fā)出藍(lán)色光或者紅色光。
[0299]其結(jié)果，能夠通過(guò)I個(gè)基板型發(fā)光裝置10來(lái)生成植物育成所必要的藍(lán)色以及紅色的兩個(gè)峰值。這樣，通過(guò)設(shè)為I個(gè)基板型發(fā)光裝置10，從而可以縮小基板型發(fā)光裝置10的設(shè)置面積，可靠性得到提升，能夠作為適于在植物工廠等中使用的發(fā)光裝置。
[0300]此外，本前提技術(shù)的植物工廠30具備:上述基板型發(fā)光裝置IOA以及/或者基板型發(fā)光裝置10B、和基板型發(fā)光裝置IOC以及/或者基板型發(fā)光裝置10D。
[0301]故此，能夠提供具備如下基板型發(fā)光裝置10的植物工廠30，即:不會(huì)增大設(shè)置面積，能以簡(jiǎn)單的構(gòu)成來(lái)容易地調(diào)整藍(lán)色波段和紅色波段的光量比例。
[0302]例如，在圖5(a)、(b)中，雖然在基板I的背面什么也沒(méi)有設(shè)置，但是并不特別限定于此。例如，在兼做基板型LED光源10的散熱器的基板I的背面?zhèn)?、即與搭載了藍(lán)色LED芯片2的面相反的一側(cè)，可以安裝鰭片散熱器。由此，在植物工廠的室內(nèi)，通過(guò)利用空氣流量，從而可由鰭片散熱器對(duì)基板I進(jìn)行冷卻。另外，在此情況下，優(yōu)選鰭片散熱器的開(kāi)口部為與空氣流量的方向相同的方向。[0303]此外，也可構(gòu)成為，在基板I的背面設(shè)置了使液體培養(yǎng)液循環(huán)的管。即，例如舉出將用于培養(yǎng)栽培生物的液體培養(yǎng)液為了冷卻而進(jìn)行使用，然后為了生物栽培培養(yǎng)而進(jìn)行使用這樣的構(gòu)成。由此，可以適當(dāng)?shù)乩鋮s基板型LED光源10，能夠照射穩(wěn)定的與葉綠素的光吸收特性的光吸收峰值相適的藍(lán)色光和紅色光。
[0304]這樣，在本前提技術(shù)的基板型發(fā)光裝置10中，優(yōu)選在基板I的背面設(shè)有作為冷卻單元的鰭片散熱器。
[0305]由此，可以對(duì)變?yōu)楦邷氐乃{(lán)色LED芯片2進(jìn)行冷卻。
[0306](藍(lán)色復(fù)合型發(fā)光裝置)
[0307]基于圖13來(lái)說(shuō)明藍(lán)色復(fù)合型發(fā)光裝置，如下所述。
[0308]上述的基板型發(fā)光裝置10包括為了與葉綠素的藍(lán)色波段吸收峰值對(duì)應(yīng)而在波長(zhǎng)為400?480nm的范圍內(nèi)具有發(fā)光峰值的至少一個(gè)藍(lán)色LED芯片。
[0309]在此所說(shuō)明的藍(lán)色復(fù)合型發(fā)光裝置中，不同點(diǎn)在于，藍(lán)色LED芯片包括:至少一個(gè)葉綠素a用藍(lán)色LED芯片，其為了與葉綠素a的藍(lán)色波段吸收峰值對(duì)應(yīng)而在波長(zhǎng)為400?450nm的范圍內(nèi)具有發(fā)光峰值；以及至少一個(gè)葉綠素b用藍(lán)色LED芯片，其為了與葉綠素b的藍(lán)色波段吸收峰值對(duì)應(yīng)而在波長(zhǎng)為400?480nm的范圍內(nèi)具有發(fā)光峰值。
[0310]S卩，如圖13(a)所示，作為植物栽培用的發(fā)光裝置的基板型發(fā)光裝置50，在基板I上搭載有多個(gè)藍(lán)色LED芯片2和藍(lán)色LED芯片52，在其周圍設(shè)有由樹(shù)脂構(gòu)成的樹(shù)脂壩3。
[0311]如圖13(b)所示，上述各藍(lán)色LED芯片2以及各藍(lán)色LED芯片52，在樹(shù)脂壩3的內(nèi)側(cè)利用導(dǎo)電性的引線5而分別與設(shè)于各列的藍(lán)色LED芯片2.52的兩側(cè)的布線4a和布線4b進(jìn)行連接。而且，布線4a和布線4b分別與在基板I上搭載在樹(shù)脂壩3的外側(cè)的陰極電極焊盤(pán)6a和陽(yáng)極電極焊盤(pán)6b進(jìn)行連接。
[0312]如圖13(a)所示，在上述樹(shù)脂壩3的內(nèi)側(cè)，設(shè)有對(duì)多個(gè)藍(lán)色LED芯片2 *52的上側(cè)進(jìn)行覆蓋的樹(shù)脂層7。該樹(shù)脂層7構(gòu)成為在被填充的樹(shù)脂7a中混合分散有紅色熒光體7b。
[0313]而且，藍(lán)色LED芯片2產(chǎn)生作為與葉綠素b的藍(lán)色波段吸收峰值對(duì)應(yīng)的藍(lán)色光的波長(zhǎng)400nm?480nm的藍(lán)色區(qū)域長(zhǎng)波長(zhǎng)的光。因此，藍(lán)色區(qū)域長(zhǎng)波長(zhǎng)用的藍(lán)色LED芯片2作為本發(fā)明的葉綠素b用藍(lán)色LED芯片而發(fā)揮功能。
[0314]另一方面，藍(lán)色LED芯片52產(chǎn)生作為與葉綠素a的藍(lán)色波段吸收峰值對(duì)應(yīng)的藍(lán)色光的波長(zhǎng)400nm?450nm的藍(lán)色區(qū)域短波長(zhǎng)的光。因此，藍(lán)色區(qū)域短波長(zhǎng)用的藍(lán)色LED芯片52作為本發(fā)明的葉綠素a用藍(lán)色LED芯片而發(fā)揮功能。
[0315]此外，紅色熒光體7b構(gòu)成為吸收藍(lán)色LED芯片2以及藍(lán)色LED芯片52的光，并發(fā)出與葉綠素a以及葉綠素b的紅色波段吸收峰值對(duì)應(yīng)的發(fā)光峰值為波長(zhǎng)620?700nm的紅色光。
[0316]S卩，植物具有葉綠素a和葉綠素b。在此，葉綠素a和葉綠素b在藍(lán)色區(qū)域中的光吸收特性分別不同。具體而言，如在上述中說(shuō)明過(guò)的圖8所示，葉綠素a在藍(lán)色區(qū)域中于400?450nm具有吸收峰值，葉綠素b在藍(lán)色區(qū)域中于400?480nm具有吸收峰值。
[0317]因此，在作為本前提技術(shù)的植物栽培用的發(fā)光裝置的基板型發(fā)光裝置50中，藍(lán)色LED芯片包括:至少一個(gè)作為葉綠素a用藍(lán)色LED芯片的藍(lán)色區(qū)域短波長(zhǎng)用的藍(lán)色LED芯片52，其為了與葉綠素a的藍(lán)色區(qū)域的吸收峰值對(duì)應(yīng)而在波長(zhǎng)為400?450nm的范圍內(nèi)具有發(fā)光峰值；以及至少一個(gè)作為葉綠素b用藍(lán)色LED芯片的藍(lán)色區(qū)域長(zhǎng)波長(zhǎng)用的藍(lán)色LED芯片2，其為了與葉綠素b的藍(lán)色區(qū)域吸收峰值對(duì)應(yīng)而在波長(zhǎng)為400~480nm的范圍內(nèi)具有發(fā)光峰值。
[0318]其結(jié)果，能夠提供更適于具有葉綠素a以及葉綠素b的植物的植物栽培用LED光源。
[0319]另外，在上述的說(shuō)明中，說(shuō)明了將基板型LED光源10的構(gòu)成一部分變更后的作為植物栽培用LED光源的基板型LED光源50。但是，本發(fā)明的植物栽培用LED光源未必限于此，也可應(yīng)用在以下的比較技術(shù)中說(shuō)明的炮彈型LED燈40的構(gòu)成一部分變更后的炮彈型LED 燈。
[0320]〔比較技術(shù)〕
[0321]基于圖12來(lái)說(shuō)明比較技術(shù)，則如下所述。另外，在本比較技術(shù)中說(shuō)明之外的構(gòu)成與在上述前提技術(shù)中示出的構(gòu)成相同。
[0322](比較技術(shù)的發(fā)光裝置的構(gòu)成)
[0323]在上述前提技術(shù)中說(shuō)明過(guò)的基板型發(fā)光裝置10以及照明用的發(fā)光裝置20構(gòu)成為在基板I上搭載至少一個(gè)以上的藍(lán)色LED芯片2。但是，如圖12(a)、(b)所示，不同點(diǎn)在于，本比較技術(shù)的植物栽培用的發(fā)光裝置具有形狀一般的炮彈型形態(tài)。
[0324]基于圖12(a)、(b)來(lái)說(shuō)明本比較技術(shù)的植物栽培用的發(fā)光裝置的構(gòu)成。圖12(a)、(b)是表示炮彈型LED燈的構(gòu)成的示意性截面圖。
[0325]如圖12(a)、( b)所示，作為本比較技術(shù)的植物栽培用的發(fā)光裝置的炮彈型LED燈40，包括:藍(lán)色LED芯片2，其被粘接在作為杯的安裝引線杯41內(nèi)；樹(shù)脂層7，其包括由硅酮樹(shù)脂構(gòu)成的樹(shù)脂7a以及紅色熒光體7b ;作為導(dǎo)線的導(dǎo)電性的引線5 ;作為陽(yáng)極引線的陽(yáng)極引線框42 ;作為陰極引線的陰極引線框43 ;以及密封樹(shù)脂44，其形成為炮彈型，包含除了上述陽(yáng)極引線框42以及陰極引線框43的前端之外整體密封為炮彈型的環(huán)氧樹(shù)脂。紅色熒光體7b例如能夠使用CaAlSiN3 =Eu0
[0326]在制造上述炮彈型LED燈40時(shí)，在安裝引線杯41內(nèi)粘接藍(lán)色LED芯片2。接下來(lái)，通過(guò)導(dǎo)電性引線5分別導(dǎo)通藍(lán)色LED芯片2和未圖示的安裝引線、以及藍(lán)色LED芯片2和未圖示的內(nèi)部引線。然后，使紅色熒光體7b混合、分散到樹(shù)脂7a中，流入到安裝引線杯41內(nèi)，從而形成樹(shù)脂層7。其結(jié)果，由樹(shù)脂層7覆蓋藍(lán)色LED芯片2并進(jìn)行固定。最后，以包含環(huán)氧樹(shù)脂的密封樹(shù)脂44所構(gòu)成的鑄型構(gòu)件來(lái)覆蓋以及保護(hù)整體。
[0327]在上述炮彈型LED燈40中，藍(lán)色LED芯片2產(chǎn)生作為藍(lán)色光的波長(zhǎng)400nm~480nm的光。該藍(lán)色光與葉綠素的藍(lán)色區(qū)域的吸收峰值對(duì)應(yīng)。另一方面，紅色突光體7b吸收藍(lán)色LED芯片2的光，并發(fā)出發(fā)光峰值為波長(zhǎng)620~700nm的紅色光。該紅色光與葉綠素的紅色波段吸收峰值對(duì)應(yīng)。
[0328]而且，在本比較技術(shù)中，在圖12(a)所示的炮彈型LED燈40中，成為樹(shù)脂7a和紅色熒光體7b的配比設(shè)為1: 0.05的炮彈型LED燈40A，輸出與前提技術(shù)的基板型LED光源IOA相同的圖7(a)所示的光譜。
[0329]因此，炮彈型LED燈40A優(yōu)選與葉綠素的藍(lán)色區(qū)域的吸收峰值，且使用于發(fā)芽?育苗用。其中，未必限于此，也可成為樹(shù)脂7a和紅色熒光體7b的配比設(shè)為1: 0.10~I: 0.15的炮彈型LED燈40。
[0330]另一方面，圖12 (b)所示的炮彈型LED燈40，成為樹(shù)脂7a和紅色熒光體7b的配比設(shè)為1: 0.20的炮彈型LED燈40D。因此，該炮彈型LED燈40D輸出與上述前提技術(shù)的基板型發(fā)光裝置IOD相同的圖7(d)所示的發(fā)光光譜。由此，炮彈型LED燈40D成為優(yōu)選與葉綠素的紅色波段吸收峰值對(duì)應(yīng)，且使用于栽培用的燈。
[0331]這樣的炮彈型LED燈40，被安裝到在上述前提技術(shù)中說(shuō)明過(guò)的基板I上搭載了藍(lán)色LED芯片2的基板型發(fā)光裝置10難以安裝之處。鑒于此，由于認(rèn)為基板型發(fā)光裝置10難以安裝之處少，因此可以兼用上述前提技術(shù)的基板型發(fā)光裝置10和本比較技術(shù)的炮彈型LED燈40。
[0332]最后，在表1中示出與上述前提技術(shù)的基板型發(fā)光裝置10、本比較技術(shù)的炮彈型LED燈40、現(xiàn)有的紅色炮彈型LED燈和藍(lán)色炮彈型LED燈組合后的情形的比較。另外，在此示出的現(xiàn)有的紅色炮彈型LED燈是基于上述專利文獻(xiàn)2的“發(fā)明的實(shí)施方式”、圖1、2而制作出的發(fā)光裝置。
[0333][表1]
[0334]
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光裝置，其特征在于，具備: 基板；和 在上述基板上相互鄰接地形成的第I發(fā)光部以及第2發(fā)光部， 上述第I發(fā)光部由發(fā)出藍(lán)色光的至少一個(gè)藍(lán)色LED芯片、以及覆蓋該藍(lán)色LED芯片且分散有紅色熒光體的樹(shù)脂構(gòu)成，該紅色熒光體通過(guò)來(lái)自該藍(lán)色LED芯片的激勵(lì)光而發(fā)出紅色光， 上述第2發(fā)光部由發(fā)出藍(lán)色光的至少一個(gè)藍(lán)色LED芯片構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 上述藍(lán)色LED芯片發(fā)出在400~480nm的范圍內(nèi)具有發(fā)光峰值波長(zhǎng)的光，且 上述紅色熒光體發(fā)出在620~700nm的范圍內(nèi)具有發(fā)光峰值波長(zhǎng)的光。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 從配備于上述第I發(fā)光部的藍(lán)色LED芯片所發(fā)出的光的發(fā)光峰值波長(zhǎng)、與從配備于上述第2發(fā)光部的藍(lán)色LED芯片所發(fā)出的光的發(fā)光峰值波長(zhǎng)不同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 400nm~480nm的波長(zhǎng)區(qū)域即藍(lán)色波段中的光合光子通量與波長(zhǎng)620nm~700nm的波長(zhǎng)區(qū)域即紅色波段中的光合光子通量之比為1: 1.3~1: 10。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 上述紅色熒光體具有(Sr，Ca)` AlSiN3 =Eu系、或者/以及、CaAlSiN3 =Eu系的成分。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 上述藍(lán)色LED芯片為以下藍(lán)色LED芯片當(dāng)中的至少一者的藍(lán)色LED芯片: 發(fā)出在430~440nm的范圍內(nèi)具有發(fā)光峰值波長(zhǎng)的光的至少一個(gè)藍(lán)色LED芯片；以及 發(fā)出在450~460nm的范圍內(nèi)具有發(fā)光峰值波長(zhǎng)的光的至少一個(gè)藍(lán)色LED芯片。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述發(fā)光裝置具備:樹(shù)脂壁，其形成為包圍形成有上述藍(lán)色LED芯片的區(qū)域， 在上述第I發(fā)光部中的被上述樹(shù)脂壁包圍的區(qū)域內(nèi)，填充有使上述紅色熒光體分散后的樹(shù)脂， 在上述第2發(fā)光部中的被上述樹(shù)脂壁包圍的區(qū)域內(nèi)，填充有對(duì)藍(lán)色LED芯片進(jìn)行密封的透光性的樹(shù)脂。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 在上述基板的與形成有發(fā)光部的面為相反側(cè)的面，安裝有鰭片散熱器。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 在上述基板的與形成有發(fā)光部的面為相反側(cè)的面，形成有使液體培養(yǎng)液循環(huán)的管。
10.一種發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，包含: 接合工序，在基板上形成發(fā)出藍(lán)色光的多個(gè)藍(lán)色LED芯片；和含有熒光體的樹(shù)脂層形成工序，在基板上的第I區(qū)域中，針對(duì)該區(qū)域中所含的至少一個(gè)上述藍(lán)色LED芯片，由使通過(guò)來(lái)自該藍(lán)色LED芯片的激勵(lì)光而發(fā)出紅色光的紅色熒光體分散后的樹(shù)脂來(lái)進(jìn)行密封，從而形成第I發(fā)光部， 制造將由基板上的與上述第I區(qū)域鄰接的第2區(qū)域中所含的至少一個(gè)藍(lán)色LED芯片而形成的發(fā)光部作為第2發(fā)光部的發(fā)光裝置。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于， 在上述接合工序與含有熒光體的樹(shù)脂層形成工序之間， 包含:樹(shù)脂壩形成工序，按照包圍上述第I區(qū)域以及第2區(qū)域的各區(qū)域的方式形成樹(shù)脂壁， 還包含:透光性樹(shù)脂層形成工序，在上述第2發(fā)光部中由透光性的樹(shù)脂來(lái)密封藍(lán)色LED-H-* I I心/T， 在上述含有熒光體的樹(shù)脂層形成工序中，在被上述樹(shù)脂壁包圍的上述第I區(qū)域內(nèi)按照覆蓋該第I區(qū)域中所含的藍(lán)色LED芯片的方式填充使上述紅色熒光體分散后的樹(shù)脂， 在上述透光性樹(shù)脂層形成工序中，在被上述樹(shù)脂壁包圍的上述第2區(qū)域內(nèi)按照覆蓋該第2區(qū)域中所含的藍(lán)色LED芯片的方式填充透光性的樹(shù)脂。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于， 上述樹(shù)脂層由硅酮樹(shù)脂形成， 形成于上述第I發(fā)光部的樹(shù)脂層`的硅酮樹(shù)脂為觸變性高且無(wú)流動(dòng)性的樹(shù)脂。
【文檔編號(hào)】A01G7/00GK103797595SQ201280044315
【公開(kāi)日】2014年5月14日 申請(qǐng)日期:2012年8月9日 優(yōu)先權(quán)日:2011年9月14日
【發(fā)明者】幡俊雄, 尾崎信二, 植村豐德, 石崎真也, 松田誠(chéng) 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社