專利名稱：一種附著有高誘導活性底棲硅藻膜的海參幼體附著基及其制作方法
技術領域：
本發(fā)明屬于海水養(yǎng)殖領域，特別是涉及一種附著有高誘導活性底棲硅藻膜的海參幼苗附著基及其制作方法。
背景技術：
海參幼體由浮游狀態(tài)的樽形幼體變?yōu)楦街鵂顟B(tài)的五觸手幼體的附著變態(tài)過程是海參發(fā)育過程中最為重要的環(huán)節(jié)，同時也是海參育苗成功與否的關鍵所在。海參幼體要實現(xiàn)附著變態(tài)，附著基是不可缺少的重要條件?，F(xiàn)在普遍使用的附著基主要是聚乙烯波紋板、聚乙烯網片等，同時有關海參幼體附著基的專利也有很多，例如專利號為ZL200720013117.9的海參幼體附著基等。目前，海參苗種生產中幼體的低附著變態(tài)率問題嚴重制約了海參養(yǎng)殖業(yè)的發(fā)展，而附著基作為幼體附著變態(tài)的依托是影響海參養(yǎng)殖業(yè)效率 提高的重要因素。但是現(xiàn)在絕大部分苗種生產者仍習慣單獨使用聚乙烯波紋板或網片等附著基，海參幼體在其上的附著變態(tài)率較低，一般為20%左右，嚴重影響刺參業(yè)的發(fā)展。而對于具有誘導作用的底棲硅藻使用較少，這主要是由于難以確定高誘導活性的底棲硅藻種類?，F(xiàn)在尚未出現(xiàn)一種具有高誘導活性的底棲硅藻進行優(yōu)化的高附著變態(tài)率的海參幼體附著基。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是提供一種海參幼體附著基及其制作方法。所述海參幼體附著基包括附著基基質，在基質上有高誘導活性底棲硅藻膜。所述基質可以是聚乙烯波紋板或網片等常規(guī)附著基質。所述高誘導活性底棲硅藻使海參幼體的附著率>80%。上述海參幼體附著基通過下述步驟制備
(O高誘導活性底棲硅藻株的篩選。從海參養(yǎng)殖池塘以及海水中巖石等表面采集微生物膜，利用常規(guī)的固體底棲硅藻培養(yǎng)基(f/2培養(yǎng)基，外加I. 5%的瓊脂)進行劃板培養(yǎng)48小時，通過顯微鏡觀察對形成單克隆的藻株進行二次劃板，最終分離出單細胞底棲硅藻株。利用常規(guī)的m液體培養(yǎng)基培養(yǎng)分離的底棲硅藻，離心濃縮后分別讓底棲硅藻在培養(yǎng)皿中形成硅藻膜。利用海參幼體的附著率(>80%)檢測出高誘導活性的底棲硅藻株。(2)底棲娃藻的規(guī)?；囵B(yǎng)技術。向育苗池塘內接種已篩選的高活性底棲硅藻，添加常規(guī)的f/2硅藻培養(yǎng)基在充氣的情況下對硅藻進行連續(xù)大規(guī)模培養(yǎng)，5-7天后使其處于指數(shù)生長期，密度達到百萬級水平。(3)附著基的預處理技術。將聚乙烯波紋板或網片等常規(guī)附著基浸于次氯酸鈉水溶液中浸泡1-2天，采用自來水沖洗1-2次，再利用育苗用的海水沖洗3次，去除聚乙烯波紋板或網片等表面的污染物，以及殘留的次氯酸鈉，保證附著基的清潔。(4)利用高誘導活性底棲硅藻優(yōu)化附著基技術。將處理過的清潔附著基投入到硅藻培養(yǎng)池中，停止充氣，48-72小時后底棲硅藻將附著在附著基表面，并生長形成底棲硅藻膜。排放掉育苗池中的f/2硅藻培養(yǎng)基并用育苗用水沖洗育苗池，然后將育苗池加滿海水即可。本技術專利有效地解決了刺參苗種生產中幼體附著變態(tài)率低的技術瓶頸能夠有效提高海參幼體的附著率50%以上，同時底棲硅藻作為稚參的食物來源可以保障稚參的后期生長；幼體附著率的提高可以避免苗種生產過程中抗生素的添加，達到清潔生產的效果；底棲娃藻的規(guī)?；囵B(yǎng)技術與娃藻膜的形成技術要求相對簡單，苗種生產企業(yè)完全可以實 現(xiàn)；通過專利相關技術的實施，海參育苗企業(yè)的利潤能夠提高50%以上，因此市場實施可能性大，經濟效益高。


圖I是高誘導活性的底棲硅藻株篩選示意圖。圖2是兩種附著基的附著對比。
具體實施例方式本發(fā)明中用于娃藻培養(yǎng)的培養(yǎng)基選用常規(guī)培養(yǎng)基即可。實施例I.本發(fā)明附著基的制備。本專利的主要實施步驟分為(I)高誘導性底棲硅藻株的篩選；(2)底棲硅藻的規(guī)?；囵B(yǎng)；(3)附著基的預處理；(4)利用高誘導活性底棲硅藻膜優(yōu)化附著基。(I)高誘導活性底棲硅藻株的篩選技術。從海參養(yǎng)殖池塘以及海水中的巖石等表面采集微生物膜，離心得到沉淀物，多次添加滅菌海水離心后，利用常規(guī)的底棲硅藻固體培養(yǎng)基(f/2培養(yǎng)基，外加I. 5%的瓊脂)進行劃板培養(yǎng)48小時，通過顯微鏡觀察對形成單克隆的藻株進行二次劃板，最終分離出單細胞底棲硅藻株。將分離的單細胞硅藻接種到常規(guī)的f/2液體培養(yǎng)基中培養(yǎng)7天，刮取附著生長的底棲硅藻，離心濃縮后分別讓底棲硅藻在培養(yǎng)皿中形成硅藻膜。向培養(yǎng)皿中加入海參成熟幼體，48-72小時后，顯微鏡下觀察幼體的附著率。利用幼體的附著率(>80%)檢測出具有高誘導活性的底棲硅藻株。室內實驗篩選了二十余種附著性能好的底棲硅藻，進行了幼體附著變態(tài)誘導效果檢測(以圖I中9種為例展示)。隨著硅藻密度的增加，底棲硅藻生物膜的誘導活性(幼體的附著變態(tài)率為指標)呈現(xiàn)出不同的模式，其中SI (已鑒定為菱形藻)的誘導活性高達85%。沒有硅藻生物膜的情況下(黑線表示)，幼體的附著變態(tài)率僅為11%。(2)底棲硅藻的規(guī)?；囵B(yǎng)技術。利用2升的大型三角燒瓶對高活性底棲硅藻進行初步大規(guī)模培養(yǎng)，72小時后將藻液轉移到育苗池內。向育苗池內添加常規(guī)的f/2硅藻培養(yǎng)基在充氣的情況下對硅藻進行連續(xù)大規(guī)模培養(yǎng)，5-7天后使其處于指數(shù)生長期，密度達到百萬級水平。
(3)附著基的預處理技術。將聚乙烯波紋板或網片等常規(guī)附著基浸于不低于50 mg/1的次氯酸鈉水溶液中浸泡1-2天，采用自來水沖洗1-2次，再利用育苗用的海水沖洗3次，去除聚乙烯波紋板或網片等表面的污染物，以及殘留的次氯酸鈉，保證附著基的清潔。(4)利用高誘導活性底棲硅藻優(yōu)化附著基技術。將處理過的清潔附著基投入到硅藻培養(yǎng)池中，停止充氣或者微弱充氣，48-72小時后底棲硅藻將附著生長在附著基表面形成底棲硅藻膜。將育苗池中的f/2硅藻培養(yǎng)基排出，并用育苗用水沖洗育苗池，然后將育苗池加滿海水即可。利用室內實驗篩選的菱形藻(圖I中SI)對波紋板進行優(yōu)化，即在波紋板上培養(yǎng)形成底棲硅藻生物膜，育苗場內應用效果表明底棲硅藻生物膜附著基顯著提高了幼體的附著密度。如圖2，底棲硅藻生物膜附著基上的幼體附著密度為90個/dm2，而未經優(yōu)化波紋板上的附著密度僅為58個/dm2，幼體附著效率提高了 55% (實際操作過程中因為底棲硅藻的 培養(yǎng)時間較短，硅藻生物膜中的硅藻密度較低。如果進一步提高硅藻的密度，幼體的附著效率將會更高)。
權利要求
1.一種海參幼體附著基，包括附著基基質，其特征在于，在基質上有高誘導活性底棲硅藻膜。
2.根據(jù)權利要求I所述的海參幼體附著基，其特征在于所述基質是聚乙烯波紋板或網片。
3.根據(jù)權利要求I所述的海參幼體附著基，其特征在于所述高誘導活性底棲硅藻膜使海參幼體的附著率>80%。
4.一種制備權利要求I所述海參幼體附著基的方法，其特征在于包括以下步驟 (O高誘導活性底棲硅藻株的篩選 從海參養(yǎng)殖池塘以及海水中巖石表面采集微生物膜，利用固體底棲硅藻培養(yǎng)基進行劃板培養(yǎng)48小時，通過顯微鏡觀察對形成單克隆的藻株進行二次劃板，最終分離出單細胞底棲娃藻株； 利用液體培養(yǎng)基培養(yǎng)分離的底棲娃藻，離心濃縮后分別讓底棲娃藻在培養(yǎng)皿中形成娃藻膜；利用海參幼體的附著率>80%為指標檢測出高誘導活性的底棲硅藻株； (2)底棲娃藻的規(guī)?；囵B(yǎng) 向育苗池內接種已篩選的高活性底棲硅藻，添加硅藻培養(yǎng)基后在充氣的情況下對硅藻進行連續(xù)大規(guī)模培養(yǎng)，5-7后使其處于指數(shù)生長期，密度達到百萬級水平； (3)附著基的預處理 將附著基浸于次氯酸鈉水溶液中浸泡1-2天,采用自來水沖洗1-2次,再利用育苗用的海水沖洗3次，去除附著基表面的污染物，以及殘留的次氯酸鈉，保證附著基的清潔； (4)利用高誘導活性底棲硅藻優(yōu)化附著基 將處理過的清潔附著基投入到硅藻培養(yǎng)池中，停止充氣，48-72小時后底棲硅藻將附著在附著基表面，并生長形成底棲硅藻膜。
全文摘要
本發(fā)明屬于海水養(yǎng)殖領域，特別是涉及一種附著有高誘導活性底棲硅藻膜的海參幼苗附著基及其制作方法。所述的海參幼體附著基，包括附著基基質，在基質上有高誘導活性底棲硅藻膜。該附著基的制備包括高誘導活性底棲硅藻株的篩選、底棲硅藻的規(guī)模化培養(yǎng)、附著基的預處理、利用高誘導活性底棲硅藻優(yōu)化附著基的步驟。本發(fā)明能夠有效提高海參幼體的附著率50%以上，同時底棲硅藻作為稚參的食物來源可以保障稚參的后期生長；幼體附著率的提高可以避免苗種生產過程中抗生素的添加，達到清潔生產的效果。
文檔編號A01K61/00GK102870723SQ20121043889
公開日2013年1月16日 申請日期2012年11月5日 優(yōu)先權日2012年11月5日
發(fā)明者包衛(wèi)洋, 楊美圓, 孫景春, 張力, 封克 申請人:揚州大學