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一種耐磨損的磨盤的制作方法

文檔序號(hào):201693閱讀:323來源:國知局
專利名稱:一種耐磨損的磨盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種磨盤,特別涉及一種耐磨損的磨盤。
背景技術(shù)
磨盤是研磨機(jī)上的一種模具,主 要在電力、礦山、水泥、化工、煤炭等部門的立磨中使用,用于煤炭、礦石、水泥生/熟料的等的粉磨。磨盤的耐磨性和韌性直接影響其使用壽命。當(dāng)前用于制作磨盤的材料主要為高合金鋼和鑄鐵等材料高合金鋼雖然具有韌性好,但硬度較低,因此抗磨性能差,而且采用了價(jià)格很貴的稀有合金元素,所以產(chǎn)品成本也高;而采用鑄鐵材料,雖然耐磨性得到了保證,但究其韌性差的弊病,常在使用過程中發(fā)生脆性斷裂,導(dǎo)致生產(chǎn)企業(yè)停工停產(chǎn)。雖然也有一些復(fù)合材料用于制作磨機(jī)磨盤,但仍未達(dá)到良好的使用效果。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種能滿足各種磨損、沖擊等復(fù)雜工況下使用的高性能的磨盤。本實(shí)用新型提供的是這樣一種耐磨損的磨盤,整個(gè)磨盤由金屬基陶瓷顆粒增強(qiáng)復(fù)合材料組成。所述金屬基陶瓷顆粒增強(qiáng)復(fù)合材料由基材金屬和硬質(zhì)陶瓷顆粒組成,其中硬質(zhì)陶瓷顆粒均勻分布于基材金屬中。所述硬質(zhì)陶瓷顆粒的間距為375 2000 U m。這種帶有復(fù)合層的磨盤中硬質(zhì)陶瓷顆粒在磨盤工作區(qū)域均勻分布,以起到彌散強(qiáng)化的作用,提高其耐沖擊和耐磨性能。硬質(zhì)陶瓷顆粒是氧化鋁、碳化硅、碳化鎢、氮化硅、氮化鈦中的一種或任意幾種;基材金屬為鋼或鐵,如普通碳鋼、合金鋼、高錳鋼、灰鑄鐵或球墨鑄鐵。采用消失模發(fā)泡技術(shù),制備出硬質(zhì)陶瓷顆粒在珠粒間均勻分布的磨盤工作面泡沫模樣,然后將該模樣與磨盤其他部分的泡沫模樣拼接成完整磨盤;澆注成型后,即一次性得到陶瓷顆粒增強(qiáng)鋼鐵基局部復(fù)合的磨盤。和現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型有以下有益效果本實(shí)用新型借助消失模發(fā)泡技術(shù),將硬質(zhì)陶瓷顆粒彌散分布于泡沫模型內(nèi)部,提高了基材金屬液與硬質(zhì)陶瓷顆粒的結(jié)合強(qiáng)度,利于金屬液在顆粒間的滲透,使本實(shí)用新型制備的磨盤具有較高的表面質(zhì)量和尺寸精度,整體性能好,可廣泛應(yīng)用于礦山、電力、冶金、煤炭、建材等耐磨領(lǐng)域。

圖I是本實(shí)用新型的磨盤的俯視示意圖;圖2是圖I中A-A的剖視示意圖;圖3是圖2中復(fù)合層3的局部放大圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。實(shí)施例I如圖I 3,耐磨損的磨盤,其整個(gè)磨盤由基材金屬I和硬質(zhì)陶瓷顆粒2組成,其中硬質(zhì)陶瓷顆粒2均勻分布于基材金屬I中;成行和成列分布,且硬質(zhì)陶瓷顆粒的間距為375 u m0硬質(zhì)陶瓷顆粒是氧化鋁;基材金屬為合金鋼。實(shí)施例2如圖I 3,耐磨損的磨盤,其整個(gè)磨盤由基材金屬I和硬質(zhì)陶瓷顆粒2組成,其中硬質(zhì)陶瓷顆粒2均勻分布于基材金屬I中;硬質(zhì)陶瓷顆粒的間距為1000 Pm。硬質(zhì)陶瓷顆粒是碳化娃和碳化鶴;基材金屬為球墨鑄鐵。實(shí)施例3如圖I 3,耐磨損的磨盤,其整個(gè)磨盤由基材金屬I和硬質(zhì)陶瓷顆粒2組成,其中硬質(zhì)陶瓷顆粒2均勻分布于基材金屬I中;硬質(zhì)陶瓷顆粒的間距為2000 u m。硬質(zhì)陶瓷顆粒是碳化鶴、氣化娃和氣化欽;基材金屬為聞猛鋼。
權(quán)利要求1.一種耐磨損的磨盤,其特征在于整個(gè)磨盤由金屬基陶瓷顆粒增強(qiáng)復(fù)合材料組成。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種耐磨損的磨盤,整個(gè)磨盤由基材金屬和硬質(zhì)陶瓷顆粒組成,其中硬質(zhì)陶瓷顆粒均勻分布于基材金屬中。本實(shí)用新型將硬質(zhì)陶瓷顆粒彌散分布于泡沫模型內(nèi)部,提高了基材金屬液與硬質(zhì)陶瓷顆粒的結(jié)合強(qiáng)度,利于金屬液在顆粒間的滲透,使本實(shí)用新型制備的磨盤具有較高的表面質(zhì)量和尺寸精度,這種磨盤整體性能好,可廣泛應(yīng)用于礦山、電力、冶金、煤炭、建材等耐磨領(lǐng)域。
文檔編號(hào)B02C7/12GK202538839SQ20112056228
公開日2012年11月21日 申請(qǐng)日期2011年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月29日
發(fā)明者周榮, 周榮鋒, 李祖來, 蔣業(yè)華, 隋育棟 申請(qǐng)人:昆明理工大學(xué)
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