專利名稱：一種提高金針菇產(chǎn)量的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種提高金針菇產(chǎn)量的方法，屬于農(nóng)業(yè)微生物技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
金針菇是我國最早進(jìn)行人工栽培的食用菌之一。肉質(zhì)脆嫩、味道鮮美，營養(yǎng)豐富， 深受人們喜愛。現(xiàn)有生產(chǎn)技術(shù)有的通過改進(jìn)培養(yǎng)基、有的通過改進(jìn)栽培工藝、出菇管理?xiàng)l件等來實(shí)現(xiàn)提高金針菇的產(chǎn)量的目的。例如CN101514130A(申請?zhí)?00910106333. 1)公開了一種高產(chǎn)金針菇培養(yǎng)基配方，以玉米芯為主要成份取代杉木屑，以40 45%的玉米芯、 10 12%甜菜渣、25 30%米糠、8 10%麩皮、4 6%大豆皮、2 3%玉米粉作為金針菇的培養(yǎng)基原料，通過干拌、濕拌等工藝，并控制其PH值在7. 0 7. 5之間，培養(yǎng)出的金針菇具有菌絲活力強(qiáng)，產(chǎn)量高，出菇整齊，并且金針菇的商品價(jià)值好，子實(shí)體生長整齊，菌帽大小均勻，顏色浩白，沒有感染，單產(chǎn)達(dá)創(chuàng)286 293克/瓶，每瓶干料260克，生物學(xué)轉(zhuǎn)化率高達(dá)110 113%，比常用配方提高30 40%，經(jīng)濟(jì)效益好。CN101946637A(申請?zhí)?01010283584. X)公開了一種黃色金針菇設(shè)施栽培方法， 它包括金針菇培養(yǎng)基的配置，培養(yǎng)基采用棉籽殼、麩皮、廢棉、玉米粉和石灰作為原料，然后將配置好的培養(yǎng)基裝袋，在高壓或常壓下滅菌，并在無菌操作下接入菌種，將接種菌袋放在培養(yǎng)室中培養(yǎng)發(fā)菌，當(dāng)長滿菌絲后，加水進(jìn)行催蕾，同時(shí)對環(huán)境溫度、光照等進(jìn)行控制，當(dāng)金針菇子實(shí)體長至16 20cm長時(shí)進(jìn)行采收。根據(jù)金針菇的生長特性提供了一種易于推廣的人工栽培方法，不受自然條件限制可以周年生產(chǎn)金針菇，經(jīng)過該方法栽培出來的黃色金針菇具有品質(zhì)優(yōu)良、生長周期短、產(chǎn)量高、栽培成本低等優(yōu)點(diǎn)。CN 101352126A(申請?zhí)?00810139160. 9)公開了一種提高平菇生長速度及產(chǎn)量的方法，屬于農(nóng)業(yè)微生物技術(shù)領(lǐng)域。一種提高平菇生長速度及產(chǎn)量的方法，先將平菇菌絲通過磁場磁化處理，然后進(jìn)行磁化后培養(yǎng)，隨后采用現(xiàn)有成熟的平菇栽培技術(shù)，進(jìn)行原種、栽培種、生產(chǎn)種轉(zhuǎn)接，采用袋栽模式，大棚出菇。該發(fā)明通過定量控制磁場強(qiáng)度及處理時(shí)間，能夠使平菇生產(chǎn)性狀得到改良?，F(xiàn)有技術(shù)都不涉及對金針菇菌體材料的處理。

發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種金針菇菌絲處理方法及提高金針菇產(chǎn)量的方法。它采用高壓靜電場處理金針菇菌體材料，將靜電學(xué)與菌物學(xué)兩個(gè)學(xué)科有機(jī)結(jié)合，實(shí)現(xiàn)金針菇栽培產(chǎn)量的大幅提高。術(shù)語說明靜電場處理量指實(shí)際處理菌絲時(shí)所施予的靜電場強(qiáng)和處理時(shí)間之乘積，以S = Et 表示，E為靜電場強(qiáng)，t為處理時(shí)間。本發(fā)明的技術(shù)方案如下一種提高金針菇產(chǎn)量的方法，包括金針菇母種制作培養(yǎng)、原種制作培養(yǎng)、袋栽或瓶
3栽培養(yǎng)、出菇管理，所述金針菇母種制作培養(yǎng)步驟如下將金針菇母種菌絲置于場強(qiáng)為300 1000kV/m的高壓靜電場中，處理10 120分鐘。優(yōu)選的，上述場強(qiáng)為600 900kV/m，處理時(shí)間為40 80分鐘。上述金針菇母種菌絲是將金針菇菌絲接種于母種培養(yǎng)基上，在溫度25 27°C的條件下，培養(yǎng)2 8天制得；母種培養(yǎng)基組分如下去皮馬鈴薯150 250g，葡萄糖15 25g，磷酸二氫鉀0. 8 1. 2g，硫酸鎂0. 8 1. 2g，蛋白胨2. 5 3. 5g，酵母浸粉1. 5 2. 5g，瓊脂18 22g，加水定容至1000ml。上述操作步驟及培養(yǎng)基如無特別說明均可采用本領(lǐng)域常規(guī)技術(shù)。以上所述的金針菇母種制作培養(yǎng)、原種制作培養(yǎng)、袋栽或瓶栽培養(yǎng)、出菇管理均采用現(xiàn)有成熟的金針菇栽培技術(shù)。上述高壓靜電處理，采用如下裝置實(shí)現(xiàn)一種用于處理金針菇菌絲的高壓靜電裝置，包括30KV高壓靜電產(chǎn)生器1、電纜2和 2塊電場極板3、4，所述30KV高壓靜電產(chǎn)生器1的正極和負(fù)極分別通過電纜2與2塊電場極板3、4電連接；所述30KV高壓靜電產(chǎn)生器包括直流穩(wěn)壓電源、方波發(fā)生器、升壓器和高壓整流器，所述直流穩(wěn)壓電源與方波發(fā)生器、升壓器并聯(lián)連接，方波發(fā)生器與升壓器、高壓整流器串聯(lián)連接。所述的2塊電場極板包括上電場極板和下電場極板，所述30KV高壓靜電產(chǎn)生器的正極通過電纜與下電場極板電連接，所述30KV高壓靜電產(chǎn)生器的負(fù)極通過電纜與上電場極板電連接。所述2塊電場極板之間的距離為10-80mm。優(yōu)選的，所述2塊電場極板之間的距離為30mm。所述的2塊電場極板為2塊外形尺寸為50cmX50cm的有絕緣框架的金屬板。優(yōu)選的，所述的金屬板為單面覆銅板，所述2塊電場極板相對的面為覆銅板。高壓靜電場作為影響生物體生存的主要物理因素，對生物體作用的機(jī)制非常復(fù)雜，有關(guān)電生物效應(yīng)的原發(fā)機(jī)制的研究尚沒有突破性進(jìn)展。研究認(rèn)為高壓靜電場主要通過以下幾方面對生物體發(fā)揮作用1、改變酶的活性；2、改變細(xì)胞膜的通透性——影響離子跨膜轉(zhuǎn)運(yùn)；3、對遺傳物質(zhì)DNA的影響。本發(fā)明優(yōu)點(diǎn)1.本發(fā)明采用高壓靜電場處理金針菇菌絲，不涉及有毒有害及放射性物質(zhì)，育成品種不會(huì)危及食品安全，操作方法簡單，對操作人員無傷害。2.在本發(fā)明所采用的高壓靜電場處理?xiàng)l件下，受處理的金針菇菌株實(shí)驗(yàn)材料，在一定范圍內(nèi)表現(xiàn)出正效應(yīng)，能夠有效促進(jìn)金針菇增產(chǎn)，可適用多種金針菇。3.在本發(fā)明處理?xiàng)l件下，試驗(yàn)菌株產(chǎn)量較未處理對照菌株均有大幅提高，增產(chǎn)幅度在 23. 65% 57. 49%。


圖1是實(shí)施例1中abd組和abed組與對照組e增產(chǎn)情況對比的柱狀其中處理組abd為對培養(yǎng)期間的金針菇菌絲在第2、4、8天進(jìn)行高壓靜電處理，共處理3次；處理組abed為培養(yǎng)期間的金針菇菌絲在第2、4、6、8天進(jìn)行高壓靜電處理，共處理4次；圖2是實(shí)施例2中實(shí)驗(yàn)菌株Yck處理組、Wck處理組與對照組增產(chǎn)情況對比的柱狀圖；圖3為處理設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；其中1、30KV高壓靜電產(chǎn)生器；2、電纜；3、上電場極板；4、下電場極板；5、金針菇母種菌絲；圖4是30KV高壓靜電產(chǎn)生器的電路連接示意圖；其中6、直流穩(wěn)壓電源；7、方波產(chǎn)生器；8、升壓器；9、高壓整流器。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明做進(jìn)一步說明，但本發(fā)明所保護(hù)范圍不限于此。實(shí)施例中未明確限定的條件均可按本領(lǐng)域現(xiàn)有技術(shù)。實(shí)施例中所述的金白1號(hào)、魯金針1號(hào)均購自山東省農(nóng)業(yè)科學(xué)院植物保護(hù)研究所。實(shí)施例1一種提高金針菇產(chǎn)量的方法，包括如下步驟母種制作培養(yǎng)金針菇母種(金白1號(hào))經(jīng)活化、轉(zhuǎn)接至母種培養(yǎng)基后，在25 27°C培養(yǎng)，培養(yǎng)期間對金針菇菌絲進(jìn)行高壓靜電處理，處理?xiàng)l件為750kv/m，處理90分鐘。處理組abd為對培養(yǎng)期間的金針菇菌絲在第2、4、8天進(jìn)行高壓靜電處理，共處理3次；處理組abed為培養(yǎng)期間的金針菇菌絲在第2、4、6、8天進(jìn)行高壓靜電處理，共處理4次；每次處理完畢放回原溫度條件下繼續(xù)培養(yǎng)，最后一次處理結(jié)束后，得處理后金針菇母種；母種培養(yǎng)基配方去皮馬鈴薯200g，葡萄糖20g，磷酸二氫鉀lg，硫酸鎂lg，蛋白胨 3g，酵母浸粉2g，瓊脂20g，加水定容至IOOOml，PH自然。原種制作培養(yǎng)將處理后金針菇母種接種于原種培養(yǎng)料中，25 27°C培養(yǎng)22 27天，得金針菇原種；原種培養(yǎng)料配方棉籽殼89%，麥麩9%，石膏1%，石灰1%，料水質(zhì)量比為 1 1.3。袋栽制作培養(yǎng)將金針菇原種轉(zhuǎn)接至栽培袋中，15°C 20°C發(fā)菌，菌絲體生長溫度范圍3 34°C， 最適溫度23°C，視氣溫及菌袋溫度變化采取相應(yīng)通風(fēng)、翻袋或采暖、加溫措施。栽培袋中培養(yǎng)料與原種培養(yǎng)料配方相同。出菇管理待栽培袋菌絲發(fā)滿或接近發(fā)滿時(shí)解開袋口并搔菌，上架，然后蓋上地膜并向棚室內(nèi)噴水，增加濕度。若棚內(nèi)溫度在15°C以上，早晚需要通風(fēng)降溫。正常情況下，每天早晚各通風(fēng)一次，每次20分鐘左右。金針菇子實(shí)體生長溫度范圍5 18°C，最適8 12°C。在菌柄長12 18cm，菇蓋直徑0. 5 1. 5cm時(shí)采收。金針菇生長過程中，每天只需在棚室內(nèi)灌
5或?yàn)⑺?，保持棚室?nèi)溫濕度即可。abd組較對照組e (未處理)顯著增產(chǎn)23. 65 % ；abed組較對照組e (未處理)顯著增產(chǎn)34. 88% (如圖2)。abd組和abed組頭潮菇生物轉(zhuǎn)化率分別為103. 2%和136. 12%。實(shí)施例中所述的高壓靜電處理，采用如下裝置實(shí)現(xiàn)一種用于處理金針菇菌絲的高壓靜電裝置，包括30KV高壓靜電產(chǎn)生器1、電纜2和 2塊電場極板3、4，所述30KV高壓靜電產(chǎn)生器1的正極和負(fù)極分別通過電纜2與2塊電場極板3、4電連接；所述30KV高壓靜電產(chǎn)生器包括直流穩(wěn)壓電源、方波發(fā)生器、升壓器和高壓整流器，所述直流穩(wěn)壓電源與方波發(fā)生器、升壓器并聯(lián)連接，方波發(fā)生器與升壓器、高壓整流器串聯(lián)連接。所述電源用于產(chǎn)生+12V(為方波產(chǎn)生器供電)和+0-24V可調(diào)電壓(為升壓器供電)；所述方波產(chǎn)生器用于產(chǎn)生15KHz激勵(lì)方波；所述升壓器在激勵(lì)方波作用下產(chǎn)生可調(diào)的脈沖高壓；所述高壓整流器將脈沖高壓倍壓整流得到0-30KV負(fù)高壓。所述的2塊電場極板包括上電場極板3和下電場極板4，所述30KV高壓靜電產(chǎn)生器1的正極通過電纜2與下電場極板4電連接，所述30KV高壓靜電產(chǎn)生器1的負(fù)極通過電纜2與上電場極板3電連接。所述2塊電場極板3、4之間的距離為IOmm時(shí)，當(dāng)加有IOKV電壓時(shí)，兩電場極板之間形成106V/m均勻靜電場。所述的2塊電場極板為2塊外形尺寸為50cmX 50cm的有絕緣框架的金屬板，所述的金屬板為單面覆銅板，所述2塊電場極板相對的面為覆銅板。實(shí)施例2如實(shí)施例1所述方法，不同之處在于金針菇母種轉(zhuǎn)接至斜面培養(yǎng)基后的第4天和菌絲長滿試管時(shí)各處理一次，處理?xiàng)l件均為1000kv/m場強(qiáng)條件下處理90分鐘。Yck為魯金針1號(hào)、Wck為金白1號(hào)，Y32為Yck經(jīng)電場處理后獲得的菌株；W32為 Wck經(jīng)電場處理后獲得的菌株。結(jié)果Y32組較Yck組顯著增產(chǎn)31.57%;W32組較Wck組顯著增產(chǎn)57. 49% (如圖 2)。Y32組和W32組頭潮菇生物轉(zhuǎn)化率分別為103. 2%和136. 12%。
權(quán)利要求
1.一種提高金針菇產(chǎn)量的方法，包括金針菇母種制作培養(yǎng)、原種制作培養(yǎng)、袋栽或瓶栽培養(yǎng)、出菇管理，其特征在于，所述金針菇母種制作培養(yǎng)步驟如下將金針菇母種菌絲置于場強(qiáng)為300 1000kV/m的高壓靜電場中，處理10 120分鐘。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述場強(qiáng)為600 900kV/m，處理時(shí)間為 40 80分鐘。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述金針菇母種菌絲是將金針菇菌絲接種于母種培養(yǎng)基上，在溫度25 27°C的條件下，培養(yǎng)2 8天制得。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，母種培養(yǎng)基組分如下去皮馬鈴薯150 250g，葡萄糖15 25g，磷酸二氫鉀0. 8 1. 2g，硫酸鎂0. 8 1. 2g， 蛋白胨2. 5 3. 5g，酵母浸粉1. 5 2. 5g，瓊脂18 22g，加水定容至1000ml。
5.一種用于權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述方法的高壓靜電裝置，其特征在于，該裝置包括30KV高壓靜電產(chǎn)生器、電纜和2塊電場極板，所述30KV高壓靜電產(chǎn)生器的正極和負(fù)極分別通過電纜與2塊電場極板電連接；所述30KV高壓靜電產(chǎn)生器包括直流穩(wěn)壓電源、方波發(fā)生器、升壓器和高壓整流器，所述直流穩(wěn)壓電源與方波發(fā)生器、升壓器并聯(lián)連接，方波發(fā)生器與升壓器、高壓整流器串聯(lián)連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高壓靜電裝置，其特征在于，所述的2塊電場極板包括上電場極板和下電場極板，所述30KV高壓靜電產(chǎn)生器的正極通過電纜與下電場極板電連接，所述 30KV高壓靜電產(chǎn)生器的負(fù)極通過電纜與上電場極板電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高壓靜電裝置，其特征在于，所述2塊電場極板之間的距離為 10-80mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高壓靜電裝置，其特征在于，所述2塊電場極板之間的距離為 30mmo
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高壓靜電裝置，其特征在于，所述的2塊電場極板為2塊外形尺寸為50cmX50cm的有絕緣框架的金屬板。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的高壓靜電裝置，其特征在于，所述的金屬板為單面覆銅板， 所述2塊電場極板相對的面為覆銅板。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種提高金針菇產(chǎn)量的方法，包括金針菇母種制作培養(yǎng)，步驟如下將金針菇母種菌絲置于場強(qiáng)為300～1000kV/m的高壓靜電場中，處理10～120分鐘。本發(fā)明采用高壓靜電場處理金針菇菌絲，不涉及有毒有害及放射性物質(zhì)，育成品種不會(huì)危及食品安全，操作方法簡單，對操作人員無傷害，并且增產(chǎn)幅度在23.65％～57.49％。
文檔編號(hào)A01G1/04GK102498945SQ201110345058
公開日2012年6月20日 申請日期2011年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月4日
發(fā)明者萬魯長, 任海霞, 張柏松, 張海蘭, 黃春燕 申請人:山東省農(nóng)業(yè)科學(xué)院農(nóng)業(yè)資源與環(huán)境研究所