一種超極結(jié)mos應(yīng)用的保護(hù)電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于LED電源技術(shù)領(lǐng)域，尤其設(shè)及一種超極結(jié)M0S應(yīng)用的保護(hù)電路，具體應(yīng) 用到可W用到超極結(jié)M0S的電路里，保護(hù)超極結(jié)M0S。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著技術(shù)的進(jìn)步，現(xiàn)在的CoolMOS的發(fā)展朝著Rds (ON)小，電流大，忍片小，生產(chǎn)工 藝更成熟，成本更低的方向發(fā)展，但因?yàn)槿唐娣e小，其耐沖擊電流的能力，抗雪崩的能力 也會(huì)隨著下降。高溫下的電流沖擊及生產(chǎn)中的打火電流沖擊等等會(huì)產(chǎn)生不良，在實(shí)際應(yīng)用 過(guò)程中，會(huì)因此而受到限制，更嚴(yán)重時(shí)產(chǎn)生相當(dāng)嚴(yán)重的客戶投訴或賠款，在此情況下，現(xiàn)已 發(fā)明一種CoolM0S(超極結(jié)M0S)的保護(hù)電路，可W有效的保護(hù)到CoolMOS.有效的解決此問(wèn) 題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明是提供一種超極結(jié)M0S應(yīng)用的保護(hù)電路，特別是應(yīng)用在單級(jí)PFC L抓電源里 的CoolM0S(超極結(jié)M0S)提供保護(hù)電路，防止M0S在生產(chǎn)及測(cè)試及客戶端因各種較惡劣的應(yīng) 用情況下對(duì)M0S提供保護(hù)，防止CoolMOS因此情況下的崩潰，而產(chǎn)生不良，充分用到CoolMOS 優(yōu)式，使產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)能力強(qiáng)。
[0004] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用了如下技術(shù)方案： 一種超極結(jié)M0S應(yīng)用的保護(hù)電路，包括電阻R1和PWM IC1，所述電阻R1分別與高壓電HV 和R2串聯(lián)，所述R2分別與二極管Z1和R5串聯(lián)，所述二極管Z1和R5并聯(lián)，所述二極管Z1分別與 電阻R10和NPN型Ξ極管串聯(lián)，所述電阻R10和NPN型Ξ極管Q2并聯(lián)，所述電阻R10與電阻R16 串聯(lián)，所述電阻R16與NPN型Ξ極管Q2并聯(lián)，且電阻R16串接于NPN型Ξ極管Q3,所述電阻R16 連接于地線，所述NPN型Ξ極管Q3的兩個(gè)引腳與NPN型Ξ極管Q2的兩個(gè)引腳連接，且所述NPN 型Ξ極管Q3的另一個(gè)引腳連接于地線，所述R5分別與電阻R4和電容C3串聯(lián)，所述電阻R4和 電容C2串聯(lián)，所述電容C2并聯(lián)于電阻R4,所述電阻R4與電阻R3并聯(lián)，所述電容C3與PWM 1C (SD6**)的公共端電性連接，所述PWM IC1的另一個(gè)引腳與IC1 Comp 1腳引腳電性連接，IC1 Comp 1腳引腳分別與NPN型Ξ極管Q2和NPN型Ξ極管Q3連接，所述電容C2連接于IC1 Comp 1 腳引腳。
[0005] 優(yōu)選的，所述電阻R3與電容C12并聯(lián)，所述電容C12連接于地線和PWM IC1的公共 玉山 乂而。
[0006] 本發(fā)明還提供了一種超極結(jié)M0S應(yīng)用的保護(hù)方法，該方法是把在異常交流輸入時(shí)， 通過(guò)檢測(cè)輸入時(shí)的電壓，過(guò)壓時(shí)關(guān)斷1C的Ton時(shí)間，進(jìn)而把CoolMOS的Id降低，起到防止變 壓器飽和，保護(hù)CoolMOS的功能，具體工作過(guò)程如下： 51、 當(dāng)交流有較高的輸入電壓進(jìn)來(lái)時(shí)，經(jīng)電阻R1和R2檢測(cè)分壓加到Z1當(dāng)輸入電壓足夠 高，把Z1擊穿則該電壓直接加到Q2、Q3和Vbe兩極； 52、 當(dāng)Q2、Q3和Vbe電壓逐漸升高到Ξ極管的導(dǎo)通電壓時(shí)，貝化2和Q3導(dǎo)通，則把IC1 Comp 1腳引腳拉低； S3、當(dāng)IC1 Compl腳引腳低時(shí)，則把1C的Ton時(shí)間拉短，控制了MOS Id，讓MOS提前關(guān)斷， W免進(jìn)入飽和狀態(tài)，進(jìn)而保護(hù)CoolMOS避免進(jìn)入雪崩至熱崩潰而損壞。
[0007] 本發(fā)明提供的一種超極結(jié)M0S應(yīng)用的保護(hù)電路，與L抓電路相比，本發(fā)明通過(guò)增加 的電路較好的保護(hù)CoolMOS在異常情況下對(duì)M0S的電壓電流沖擊，防止變壓器飽和，減小 CoolMOS的雪崩機(jī)會(huì)，有效的保護(hù)CoolMOS不至于損壞;本發(fā)明電路應(yīng)用在單級(jí)PFC電路里， 或是通用的適配器里都可W，可W解決CoolMOS同類問(wèn)題，相對(duì)于同規(guī)格的M0S，CoolMOS RDS(ON)小，降低了損耗，提高了整機(jī)效率，可W降低產(chǎn)品的成本，做到更高的功率密度，實(shí) 現(xiàn)產(chǎn)品的優(yōu)式。
【附圖說(shuō)明】
[0008] 圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0009] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。
[0010] 請(qǐng)參照?qǐng)D1，本發(fā)明采用了如下技術(shù)方案： 一種超極結(jié)M0S應(yīng)用的保護(hù)電路，包括電阻R1和PWM IC1，所述電阻R1分別與高壓電HV 和R2串聯(lián)，所述R2分別與二極管Z1和R5串聯(lián)，所述二極管Z1和R5并聯(lián)，所述二極管Z1分別與 電阻R10和NPN型Ξ極管串聯(lián)，所述電阻R10和NPN型Ξ極管Q2并聯(lián)，所述電阻R10與電阻R16 串聯(lián)，所述電阻R16與NPN型Ξ極管Q2并聯(lián)，且電阻R16串接于NPN型Ξ極管Q3,所述電阻R16 連接于地線，所述NPN型Ξ極管Q3的兩個(gè)引腳與NPN型Ξ極管Q2的兩個(gè)引腳連接，且所述NPN 型Ξ極管Q3的另一個(gè)引腳連接于地線，所述R5分別與電阻R4和電容C3串聯(lián)，所述電阻R4和 電容C2串聯(lián)，所述電容C2并聯(lián)于電阻R4,所述電阻R4與電阻R3并聯(lián)，所述電阻R3與電容C12 并聯(lián)，所述電容C12連接于地線和PWM IC1的公共端，所述電容C3與PWM IC1的公共端電性連 接，所述P歷IC1的另一個(gè)引腳與IC1 Comp 1腳引腳電性連接，IC1 Comp 1腳引腳分別與 NPN型Ξ極管Q2和NPN型Ξ極管Q3連接，所述電容C2連接于IC1 Comp 1腳引腳。
[0011] 本發(fā)明還提供了一種超極結(jié)M0S應(yīng)用的保護(hù)方法，該方法是把在異常交流輸入時(shí)， 通過(guò)檢測(cè)輸入時(shí)的電壓，過(guò)壓時(shí)關(guān)斷1C的Ton時(shí)間，進(jìn)而把CoolMOS的Id降低，起到防止變 壓器飽和，保護(hù)CoolMOS的功能，具體工作過(guò)程如下： 51、 當(dāng)交流有較高的輸入電壓進(jìn)來(lái)時(shí)，經(jīng)電阻R1和R2檢測(cè)分壓加到Z1當(dāng)輸入電壓足夠 高，把Z1擊穿則該電壓直接加到Q2、Q3和Vbe兩極； 52、 當(dāng)Q2、Q3和Vbe電壓逐漸升高到Ξ極管的導(dǎo)通電壓時(shí)，貝化2和Q3導(dǎo)通，則把IC1 Comp 1腳引腳拉低； 53、 當(dāng)IC1 Compl腳引腳低時(shí)，則把1C的Ton時(shí)間拉短，控制了M0S Id，讓M0S提前關(guān)斷， W免進(jìn)入飽和狀態(tài)，進(jìn)而保護(hù)CoolMOS避免進(jìn)入雪崩至熱崩潰而損壞。
[001^ 從附表可從看出，增加了防雷電路能有效保護(hù)MOS，w免MOS在電壓應(yīng)力電流應(yīng)力 超柄，而損壞。700V CoolMOS應(yīng)用了防雷擊電路后，由超過(guò)電壓應(yīng)力785V降到574V，完全可 W滿足設(shè)計(jì)余量的10%電壓應(yīng)力要求。
[OOU]綜上所述:本發(fā)明通過(guò)增加的電路較好的保護(hù)CoolMOS在異常情況下對(duì)M0S的電壓 電流沖擊，防止變壓器飽和，減小CoolMOS的雪崩機(jī)會(huì)，有效的保護(hù)CoolMOS不至于損壞;本 發(fā)明電路應(yīng)用在單級(jí)PFC電路里，或是通用的適配器里都可W，可W解決CoolMOS同類問(wèn) 題，相對(duì)于同規(guī)格的MOS，C〇〇1MOS RDS(ON)小，降低了損耗，提高了整機(jī)效率，可W降低產(chǎn)品 的成本，做到更高的功率密度，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的優(yōu)式。
[0014] W上所述，僅為本發(fā)明較佳的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此， 任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明掲露的技術(shù)范圍內(nèi)，根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案及其 發(fā)明構(gòu)思加 W等同替換或改變，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種超極結(jié)MOS應(yīng)用的保護(hù)電路，包括電阻R1和PWM IC1，其特征在于:所述電阻R1分 另IJ與高壓電HV和R2串聯(lián)，所述R2分別與二極管Z1和R5串聯(lián)，所述二極管Z1和R5并聯(lián)，所述二 極管Z1分別與電阻R10和NPN型三極管串聯(lián)，所述電阻R10和NPN型三極管Q2并聯(lián)，所述電阻 R10與電阻R16串聯(lián)，所述電阻R16與NPN型三極管Q2并聯(lián)，且電阻R16串接于NPN型三極管Q3， 所述電阻R16連接于地線，所述NPN型三極管Q3的兩個(gè)引腳與NPN型三極管Q2的兩個(gè)引腳連 接，且所述NPN型三極管Q3的另一個(gè)引腳連接于地線，所述R5分別與電阻R4和電容C3串聯(lián)， 所述電阻R4和電容C2串聯(lián)，所述電容C2并聯(lián)于電阻R4,所述電阻R4與電阻R3并聯(lián)，所述電容 C3與P麗IC1的公共端電性連接，所述P麗IC1的另一個(gè)引腳與IC1 Comp 1腳引腳電性連 接，IC1 Comp 1腳引腳分別與NPN型三極管Q2和NPN型三極管Q3連接，所述電容C2連接于IC1 Comp 1腳引腳。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超極結(jié)M0S應(yīng)用的保護(hù)電路，其特征在于:所述電阻R3與 電容C12并聯(lián)，所述電容C12連接于地線和PWM IC1的公共端。3. -種權(quán)利要求1所述的超極結(jié)M0S應(yīng)用的保護(hù)方法，其特征在于:該方法是把在異常 交流輸入時(shí)，通過(guò)檢測(cè)輸入時(shí)的電壓，過(guò)壓時(shí)關(guān)斷1C的Ton時(shí)間，進(jìn)而把CoolMOS的Id降低， 起到防止變壓器飽和，保護(hù)CoolMOS的功能，具體工作過(guò)程如下： 51、 當(dāng)交流有較高的輸入電壓進(jìn)來(lái)時(shí)，經(jīng)電阻R1和R2檢測(cè)分壓加到Z1當(dāng)輸入電壓足夠 高，把Z1擊穿則該電壓直接加到Q2、Q3和Vbe兩極； 52、 當(dāng)Q2、Q3和Vbe電壓逐漸升高到三極管的導(dǎo)通電壓時(shí)，則Q2和Q3導(dǎo)通，則把IC1 Comp 1腳引腳拉低； 53、 當(dāng)IC1 Compl腳引腳低時(shí)，則把1C的Ton時(shí)間拉短，控制了MOS Id，讓M0S提前關(guān)斷， 以免進(jìn)入飽和狀態(tài)，進(jìn)而保護(hù)CoolMOS避免進(jìn)入雪崩至熱崩潰而損壞。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種超極結(jié)MOS應(yīng)用的保護(hù)電路，包括電阻R1和PWM？IC1？，所述電阻R1分別與高壓電HV和R2串聯(lián)，所述R2分別與二極管Z1和R5串聯(lián)，所述電容C2并聯(lián)于電阻R4，所述電阻R4與電阻R3并聯(lián)，所述電容C3與PWM？IC1的公共端電性連接，所述PWM？IC1的另一個(gè)引腳與IC1？Comp？1腳引腳電性連接，IC1？Comp？1腳引腳分別與NPN型三極管Q2和NPN型三極管Q3連接，所述電容C2連接于IC1？Comp？1腳引腳。本發(fā)明電路應(yīng)用在單級(jí)PFC電路里，或是通用的適配器里都可以，可以解決CoolMOS？同類問(wèn)題，相對(duì)于同規(guī)格的MOS，CoolMOS？RDS(ON)小，降低了損耗，提高了整機(jī)效率，可以降低產(chǎn)品的成本，做到更高的功率密度，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的優(yōu)式。
【IPC分類】H03K17/081
【公開(kāi)號(hào)】CN105656463
【申請(qǐng)?zhí)枴?br>【發(fā)明人】朱俊高, 王斌, 黃斌
【申請(qǐng)人】深圳市萊福德光電有限公司
【公開(kāi)日】2016年6月8日
【申請(qǐng)日】2016年4月5日