技術(shù)編號(hào):7038871
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明描述了生長(zhǎng)氮化銦(InN)材料的方法,其通過(guò)在低于300℃的溫度下使用脈沖生長(zhǎng)方法生長(zhǎng)六方和/或立方InN。還描述了一種材料,其包含具有NaCl型晶相的面心立方晶格晶體結(jié)構(gòu)的InN。專利說(shuō)明低溫下立方和六方InN及其與AIN的合金的等離子體輔助 原子層外延[0001] 相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用[0002] 本申請(qǐng)要求2012年6月18日提交的第61/661,016號(hào)美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)的權(quán)益。[0003] 背景[0004] 在III族氮化物半導(dǎo)體中,氮化銦(InN...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。