光電子構(gòu)件和用于制造光電子構(gòu)件的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種光電子構(gòu)件。本發(fā)明還涉及一種用于制造光電子構(gòu)件的方法。
[0002]本申請(qǐng)要求德國(guó)專利申請(qǐng)10 2012 217 539.3的優(yōu)先權(quán)，其公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)參考并入本文。
【背景技術(shù)】
[0003]從公開(kāi)文獻(xiàn)WO 92/10852A1中已知在共同的板上制造并且此后分割的相同類型的半導(dǎo)體芯片。在共同的板上形成半導(dǎo)體芯片之后，在半導(dǎo)體芯片旁邊、但是在板上形成記號(hào)，所述記號(hào)分別對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體芯片在共同的板上的位置。在分割半導(dǎo)體芯片之后，所述半導(dǎo)體芯片分別包括之前的共同的板的所述邊緣區(qū)域，使得還能夠?qū)崿F(xiàn)關(guān)于其在共同的板上的較早的位置的了解。
[0004]關(guān)于此尤其不利的是，這種類型的標(biāo)記需要大量位置，由于總是必須充足地為共同的板上的記號(hào)預(yù)留位置，其中因此該預(yù)留的位置不再能夠用于芯片本身。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]因此，本發(fā)明所基于的目的能夠在于:提供一種改進(jìn)的光電子構(gòu)件，所述光電子構(gòu)件克服已知的缺點(diǎn)。
[0006]本發(fā)明所基于的目的也能夠在于:提供一種相應(yīng)的用于制造光電子構(gòu)件的方法。
[0007]所述目的借助于獨(dú)立權(quán)利要求的相應(yīng)的主題來(lái)實(shí)現(xiàn)。有利的設(shè)計(jì)方案是相應(yīng)的從屬權(quán)利要求的主題。
[0008]根據(jù)一個(gè)方面，提供一種光電子構(gòu)件。所述光電子構(gòu)件包括襯底，在所述襯底上施加有半導(dǎo)體層序列。半導(dǎo)體層序列具有用于標(biāo)識(shí)構(gòu)件的至少一個(gè)標(biāo)識(shí)件。
[0009]根據(jù)另一個(gè)方面，提供一種用于制造光電子構(gòu)件的方法。在生長(zhǎng)襯底上形成半導(dǎo)體層序列。此外，將半導(dǎo)體層序列設(shè)有用于標(biāo)識(shí)構(gòu)件的標(biāo)識(shí)件。
[0010]因此，本發(fā)明尤其包括如下思想:設(shè)有用于標(biāo)識(shí)構(gòu)件的標(biāo)識(shí)件，所述標(biāo)識(shí)件直接地由半導(dǎo)體層序列包括。因此，有利地，不必再在生長(zhǎng)襯底上為相應(yīng)的記號(hào)預(yù)留面積。因此，生長(zhǎng)襯底的現(xiàn)有的面積能夠尤其有效地用于半導(dǎo)體層序列的各個(gè)半導(dǎo)體層的生長(zhǎng)。即這尤其是說(shuō)，與已知的現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠在共同的生長(zhǎng)襯底上形成更多的光電子構(gòu)件，其中盡管如此經(jīng)由半導(dǎo)體層序列的標(biāo)識(shí)件，仍能夠?qū)崿F(xiàn)標(biāo)識(shí)相應(yīng)的半導(dǎo)體構(gòu)件。
[0011]此外，有利地能夠?qū)崿F(xiàn):將生長(zhǎng)襯底在形成包括標(biāo)識(shí)件的半導(dǎo)體層序列之后移除，并且隨后將半導(dǎo)體層序列設(shè)置到另一個(gè)襯底或薄膜上，而在此沒(méi)有失去標(biāo)識(shí)光電子構(gòu)件的可能性。這因此是因?yàn)闃?biāo)識(shí)件不是生長(zhǎng)襯底的一部分、而是更確切地說(shuō)是半導(dǎo)體層序列的一部分。
[0012]在本發(fā)明的范圍中，標(biāo)識(shí)件尤其也能夠稱作為識(shí)別標(biāo)志并且尤其有利地引起單義地標(biāo)識(shí)光電子構(gòu)件。標(biāo)識(shí)件例如能夠包括數(shù)字編碼、字母編碼或字母數(shù)字編碼。例如，標(biāo)識(shí)件能夠包括顏色編碼。即這尤其是說(shuō)，能夠應(yīng)用數(shù)字、字母或顏色，以便標(biāo)識(shí)光電子構(gòu)件。因此，借助于標(biāo)識(shí)件，能夠尤其有利地實(shí)現(xiàn)該光電子構(gòu)件相對(duì)于其他的光電子構(gòu)件的區(qū)分。即這尤其是說(shuō)，當(dāng)在共同的生長(zhǎng)襯底上形成多個(gè)光電子構(gòu)件時(shí)，能夠?qū)⑺龉怆娮訕?gòu)件彼此區(qū)分。特別地，標(biāo)識(shí)件包括關(guān)于半導(dǎo)體層序列在生長(zhǎng)襯底上的位置的位置信息。
[0013]根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，能夠形成多個(gè)標(biāo)識(shí)件。所述標(biāo)識(shí)件能夠優(yōu)選相同地或尤其不同地形成。通過(guò)設(shè)置多個(gè)標(biāo)識(shí)件，有利地如下引起冗余:即使在一個(gè)標(biāo)識(shí)件失效的情況下、即當(dāng)例如不再能夠可靠地讀取所述標(biāo)識(shí)件時(shí)，總是還設(shè)有至少一個(gè)另外的用于標(biāo)識(shí)構(gòu)件的標(biāo)識(shí)件。結(jié)合標(biāo)識(shí)件所進(jìn)行的實(shí)施方案類似地適用于具有多個(gè)標(biāo)識(shí)件的實(shí)施方式。
[0014]根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式能夠提出:半導(dǎo)體層序列包括用于產(chǎn)生電磁輻射的有源區(qū)。有源區(qū)例如能夠形成為發(fā)射體層。
[0015]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方式能夠提出:設(shè)有用于從有源區(qū)或發(fā)射體層中耦合輸出電磁輻射的耦合輸出層。
[0016]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方式能夠提出:標(biāo)識(shí)件包括半導(dǎo)體層序列的層中的一個(gè)層的以編碼的方式結(jié)構(gòu)化的區(qū)域。即這尤其是說(shuō)，層的區(qū)域被結(jié)構(gòu)化或者是結(jié)構(gòu)化的，使得在結(jié)構(gòu)化的區(qū)域編入編碼。因此，該區(qū)域尤其以編碼的方式結(jié)構(gòu)化。
[0017]根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式能夠提出:編碼的結(jié)構(gòu)化的區(qū)域包括耦合輸出層的編碼的表面結(jié)構(gòu)。即這尤其是說(shuō)，通過(guò)耦合輸出層的表面以相應(yīng)編碼的方式結(jié)構(gòu)化，將編碼寫(xiě)入或編入到耦合輸出層的表面中。例如能夠提出:耦合輸出層的表面借助于沖模以編碼的方式結(jié)構(gòu)化。
[0018]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方式能夠提出:編碼的結(jié)構(gòu)化的區(qū)域形成為條形碼。特別地，條形碼能夠形成為一維條形碼或二維條形碼。特別地，設(shè)有多個(gè)條形碼，所述條形碼能夠尤其相同地或優(yōu)選不同地形成。
[0019]半導(dǎo)體層序列的層中的一個(gè)層的以編碼的方式結(jié)構(gòu)化的區(qū)域例如能夠設(shè)置在層本身中或尤其在層的表面上形成。尤其能夠提出:在具有編碼的表面結(jié)構(gòu)的層上還施加或設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)另外的層。例如，這種層能夠形成為用于將第一波長(zhǎng)的電磁輻射轉(zhuǎn)換成第二波長(zhǎng)的電磁輻射的轉(zhuǎn)換層。
[0020]根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式能夠提出:區(qū)域包括層的編碼的結(jié)構(gòu)化的表面覆層。即這尤其是說(shuō)，層的表面被覆層，其中所述覆層以編碼的方式結(jié)構(gòu)化或是以編碼的方式結(jié)構(gòu)化的，使得在結(jié)構(gòu)化的表面覆層中寫(xiě)入或編入編碼。
[0021]根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式能夠提出:表面覆層是抗反射覆層。
[0022]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方式能夠提出:半導(dǎo)體層序列在生長(zhǎng)襯底上的位置被編碼到標(biāo)識(shí)件中或是編碼到標(biāo)識(shí)件中的。即這尤其是說(shuō)，由此有利地也能夠?qū)崿F(xiàn)包括半導(dǎo)體層序列的光電子構(gòu)件相對(duì)于其生長(zhǎng)襯底的稍后的位置確定。對(duì)光電子構(gòu)件在通常尤其能夠是晶片的生長(zhǎng)襯底上的位置的了解尤其能夠以有利的方式實(shí)現(xiàn)有針對(duì)性地降低錯(cuò)誤率進(jìn)而提高產(chǎn)量和可靠性。
[0023]優(yōu)選地，在生長(zhǎng)襯底上、尤其在晶片上形成多個(gè)半導(dǎo)體層序列，其中借助于相應(yīng)的標(biāo)識(shí)件能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體層序列的標(biāo)識(shí)。特別地，由于設(shè)有標(biāo)識(shí)件能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體層序列在生長(zhǎng)襯底上的相應(yīng)的位置的了解。
[0024]即這尤其是說(shuō)，在分割或分離各個(gè)光電子構(gòu)件之后也還仍能夠跟蹤每個(gè)單獨(dú)的光電子構(gòu)件在生長(zhǎng)襯底上、尤其是在晶片上的位置，而在此沒(méi)有產(chǎn)生附加的成本或降低光電子構(gòu)件的性能或效能。通過(guò)對(duì)光電子構(gòu)件的位置的了解，在事后、即尤其在分離之后仍能夠更快速地識(shí)別多個(gè)錯(cuò)誤原因。尤其能夠跟蹤:是否在生長(zhǎng)襯底的邊緣區(qū)域中出現(xiàn)特定的錯(cuò)誤。這有利地尤其在事后能夠?qū)崿F(xiàn)質(zhì)量的改進(jìn)。
[0025]根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式能夠提出:襯底對(duì)應(yīng)于生長(zhǎng)襯底的分離的部分。
[0026]根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式能夠提出:將半導(dǎo)體層序列設(shè)有標(biāo)識(shí)件的步驟包括形成半導(dǎo)體層序列的層中的一個(gè)層的編碼的結(jié)構(gòu)化的區(qū)域。
[0027]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方式能夠提出:形成編碼的結(jié)構(gòu)化的區(qū)域包括將編碼的結(jié)構(gòu)化的表面覆層施加在層上，其中表面覆層在層上的位置根據(jù)半導(dǎo)體層序列在生長(zhǎng)襯底上的位置來(lái)選擇或是這樣選擇的。
[0028]即這尤其是說(shuō)，并非隨機(jī)地將表面覆層施加到層上、即施加到其表面上，而是根據(jù)半導(dǎo)體層序列在生長(zhǎng)襯底上的位置來(lái)施加。因此，共同的生長(zhǎng)襯底上的多個(gè)光電子構(gòu)件至少通過(guò)如下方式區(qū)分:其表面覆層的相應(yīng)的位置是不同的。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)各個(gè)光電子構(gòu)件的簡(jiǎn)單的并且尤其成本適宜的標(biāo)識(shí)。
[0029]根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式能夠提出:表面覆層形成為抗反射覆層。
[0030]根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式能夠提出:形成半導(dǎo)體層序列包括形成用于產(chǎn)生電磁輻射的有源區(qū)。
[0031]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方式能夠提出:形成半導(dǎo)體層序列包括形成用于從有源區(qū)中耦合輸出電磁福射的親合輸出層。
[0032]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方式能夠提出:形成編碼的結(jié)構(gòu)化的區(qū)域包括形成耦合輸出層的編碼的表面結(jié)構(gòu)。耦合輸出層尤其具有編碼的表面結(jié)構(gòu)。
[0033]根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式能夠提出:編碼的表面結(jié)構(gòu)在耦合輸出層上的位置根據(jù)半導(dǎo)體層序列在