專利名稱：熱輔助磁記錄用磁盤以及使用該磁盤的磁盤裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及f茲盤，特別涉及熱輔助磁記錄用的磁盤以及磁盤裝置。
背景技術(shù)：
近年來，隨著磁盤的大容量化、高記錄密度化，嘗試引入各種新
技術(shù)；作為其中一個方法，為了提高記錄密度而提出了熱輔助磁記錄。 在熱輔助磁記錄中使用高矯頑力的記錄層，例如，如專利文獻(xiàn)i 記載，在記錄時，在施加磁場發(fā)生的同時利用近場光加熱磁盤，使記 錄層的矯頑力降低，從而進行磁記錄。熱輔助磁記錄用的磁盤在記錄 層上形成有保護層，并在保護層的表面涂敷有潤滑劑。 專利文獻(xiàn)1:日本特許第3884031號
在熱輔助磁記錄用的磁盤的保護層和潤滑劑中使用光吸收小的 材料，所以不會發(fā)生由于近場光的光直接照射到潤滑劑而使?jié)櫥瑒?分解、或者由于保護膜的溫度上升而使?jié)櫥瑒岱纸獾默F(xiàn)象。
但是，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)了如下現(xiàn)象存在于保護膜之下的記錄層由 于近場光照射的加熱而從100'C升溫至500'C程度，該熱量被傳遞至 涂敷在磁盤表面上的潤滑劑，而使?jié)櫥瑒岱纸?，或者即使未被熱?解，也由于熱而被蒸發(fā)，從而使磁盤的滑動性劣化。本發(fā)明的目的在 于解決這些問題。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明中，將設(shè)置在磁盤的記錄層的上部的保護層設(shè)為二層以 上的保護膜的層疊結(jié)構(gòu)，并在與保護層上涂敷的潤滑劑之間形成熱阻錄時的熱不易傳遞至潤滑劑。
根據(jù)本發(fā)明，可以防止在對熱輔助磁記錄中使用的磁盤的記錄層 進行加熱時，使涂敷在磁盤表面上的潤滑劑熱分解或蒸發(fā)的現(xiàn)象。另 外，記錄層的熱不易向表面方向逃脫，可以提高記錄層的加熱效率。


圖l是本發(fā)明的磁盤的剖面示意圖。
圖2是比較示出保護層的盤表面?zhèn)鹊淖罡邷囟鹊膱D。
圖3是本發(fā)明的磁盤的剖面示意圖。
圖4是比較示出保護層的盤表面?zhèn)鹊淖罡邷囟鹊膱D。
圖5是本發(fā)明的磁盤的剖面示意圖。
圖6是本發(fā)明的磁盤的剖面示意圖。
圖7是本發(fā)明的磁盤的剖面示意圖。
圖8是本發(fā)明的磁盤的剖面示意圖。
圖9是磁盤裝置的整體圖。
圖IO是滑塊部分的剖面圖。
(附圖標(biāo)記說明) 1基板 2 ^^^A層 3軟磁性層 4中間層 5記錄層 6第一保護膜 7第二保護膜 8潤滑劑 9保護層 10第三保護膜
11異質(zhì)界面12晶界面
13
14滑塊
15懸架
16音圏電機
17磁盤
18主軸
19信號處理用LSI
20半導(dǎo)體激光用封裝
21記錄元件
22再現(xiàn)元件
23力口熱元件
具體實施例方式
以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行詳細(xì)說明。
圖9是進行熱輔助磁記錄的磁盤裝置的概略圖。該磁盤裝置具有 本發(fā)明的磁盤17、對磁盤17進行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動的主軸18、以及搭載磁頭 的滑塊14?；瑝K14被保持在懸架15上，通過音圈電機16關(guān)于磁盤 上的期望磁道進行定位。由信號處理用LSI 19處理向磁頭發(fā)送的記錄 信號或利用磁頭讀出的再現(xiàn)信號。在懸架上固定有半導(dǎo)體激光器用封 裝20，由此發(fā)生的激光通過波導(dǎo)13傳達(dá)至磁頭。
圖IO是滑塊部分的概略剖面圖。在滑塊14中，設(shè)置有發(fā)生記錄 磁場的記錄元件21、用于讀出記錄到磁盤17中的信息的磁阻效應(yīng)元 件等的再現(xiàn)元件22、以及發(fā)生近場光的加熱元件23。由半導(dǎo)體激光 器用封裝20發(fā)生的激光通過波導(dǎo)13照射到加熱元件23。由此從加熱 元件23發(fā)生的近場光對磁盤的記錄磁場施加區(qū)域進行局部加熱，使 記錄層的矯頑力降低，從而進行磁記錄。
以下，對本發(fā)明的磁盤進行詳細(xì)說明。
(實施例1)圖1是放大示出作為本發(fā)明的第一實施例的磁盤的剖面的示意
圖.本實施例的磁盤具有如下結(jié)構(gòu)在基板l上使用濺射、化學(xué)氣相 沉積法等成膜方法依次層疊基底層2、軟磁性層3、中間層4、記錄層 5、保護層9，并在保護層9上涂敷了潤滑劑8。保護層9具有由第一 保護膜6和第二保護膜7構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)。在第一保護膜6和第二保 護膜7中，優(yōu)選使用加熱時的近場光的光吸收少的例如Si02、 SiN、 類金剛石碳之類的材料。
作為一個例子，通過濺射成膜2nm的SiN作為第一保護膜6， 在其上通過濺射成膜2nm的類金剛石碳作為第二保護膜7，從而與磁 盤表面平行地在保護層9內(nèi)設(shè)置熱阻大的異質(zhì)界面11。由此，在記錄 時發(fā)生的記錄層5的熱不易傳遞至潤滑劑8，可以防止?jié)櫥瑒?的熱 分解或蒸發(fā)。
圖2是將在僅由類金剛石碳單層構(gòu)成保護層的情況下和如本實 施例那樣由類金剛石碳和SiN這二層構(gòu)成保護層的情況下的磁盤的保 護層表面的最高溫度進行比較而示出的圖。在任一情況下，保護層整 體的厚度為4nm，在相同激光發(fā)光條件下對記錄層進行加熱。圖2的
表面溫度(使用溫度的單位以。c表示的結(jié)果)。 _
如圖2所示，即使保護層的厚度相同且對記錄層提供的能量相 同，與保護層僅為類金剛石碳單層的情況相比，在保護層為類金剛石 碳與SiN的情況下，保護層的磁盤表面?zhèn)鹊淖罡邷囟茸兊停梢苑乐?潤滑劑的熱分解或蒸發(fā)。另外，成為記錄層5的熱不易向表面方向逃 脫的結(jié)構(gòu)，所以可以提高記錄層5的加熱效率。
另外，作為表面?zhèn)鹊捏识Ｗo膜7的類金剛石碳是比作為內(nèi)側(cè)的 第一保護膜6的SiN硬的材料，所以可以得到表面強度高的磁盤。 (實施例2 )
圖3是放大示出作為本發(fā)明的第二實施例的磁盤的剖面的示意 圖。如圖3所示，本實施例的磁盤具有如下結(jié)構(gòu)在基板l上使用濺 射、化學(xué)氣相沉積法等成膜方法依次層疊基底層2、軟磁性層3、中間層4、記錄層5、保護層9，并在保護層9上涂敷了潤滑劑8。保護 層9具有層疊了第一保護膜6和第二保護膜7的結(jié)構(gòu)。在本實施例中， 在第一保護膜6和第二保護膜7中使用相同材料，但通過改變條件進 行成膜，從而與磁盤表面平行地在保護層9內(nèi)設(shè)置熱阻大的晶界面12。 作為保護層的材料，優(yōu)選使用加熱時的近場光的光吸收少的例如SiN、 類金剛石碳之類的材料。
作為一個例子，在通過化學(xué)氣相沉積法成膜2nm的類金剛石碳 作為第 一保護膜6之后，通過濺射成膜2nm的類金剛石碳作為第二保 護膜7，在保護層9內(nèi)設(shè)置熱阻大的晶界面12。
圖4是將在僅由類金剛石碳單層構(gòu)成保護層的情況下和如本實 施例那樣改變成膜條件而層疊了二層的類金剛石碳的情況下的磁盤 的保護層表面的最高溫度進行比較的圖。無論在哪一種情況下，保護 層整體的厚度為4nm,在相同激光發(fā)光條件下對記錄層進行加熱。圖
層表面溫度(使用溫度的單位以。C表示的結(jié)果)。
如圖4所示，即使保護層的厚度相同且對記錄層提供的能量相 同，與保護層僅為類金剛石碳單層的情況相比，在將類金剛石碳設(shè)為 二層結(jié)構(gòu)并在保護層內(nèi)設(shè)置了晶界面的情況下，加熱時的保護層的磁 盤表面?zhèn)鹊淖罡邷囟茸兊?，可以防止?jié)櫥瑒┑臒岱纸饣蛘舭l(fā)。另外， 在這種結(jié)構(gòu)中，記錄層5的熱不易向表面方向逃脫，所以可以提高記 錄層5的加熱效率。 (實施例3)
圖5是放大示出作為本發(fā)明的第三實施例的磁盤的剖面的示意 圖.如圖5所示，本實施例的磁盤具有如下結(jié)構(gòu)在基板l上使用賊 射、化學(xué)氣相沉積法等成膜方法依次層疊基底層2、軟磁性層3、中 間層4、記錄層5、保護層9，并在保護層9上涂敷了潤滑劑8。保護 層9是具有第一保護膜6、第二保護膜7、第三保護膜10的三層結(jié)構(gòu)。
在保護層9所使用的第一保護膜6、第二保護膜7、第三保護膜 10中，優(yōu)選使用加熱時的近場光的光吸收少的例如Si02、 SiN、類金剛石碳之類的材料。
作為一個例子，通過賊射成膜lnm的類金剛石碳作為第一保護 膜6，通過濺射成膜lnm的SiN作為第二保護膜7,通過濺射成膜2nm 的類金剛石碳作為第三保護膜10，從而與磁盤表面平行地在保護層9 內(nèi)設(shè)置二個異質(zhì)界面11。由此，與實施例l、 2同樣地，保護層9的 磁盤表面?zhèn)鹊淖罡邷囟茸兊?，可以防止?jié)櫥瑒?的熱分解或蒸發(fā)，可 以提高記錄層5的加熱效率。
另外，構(gòu)成保護層的保護膜的數(shù)量不限于三層，即使如圖6所示 設(shè)為層疊四層以上的保護膜而構(gòu)成保護層9,并在保護層內(nèi)形成熱阻 大的n-l個異質(zhì)界面的結(jié)構(gòu)，也能得到同樣的效果。在該情況下， 保護層9中使用的材料只要是近場光的光吸收少的材料，則也可以是 幾種不同的材料。 (實施例4 )
圖7是放大示出作為本發(fā)明的第四實施例的磁盤的剖面的示意 圖。如圖7所示，本實施例的磁盤具有如下結(jié)構(gòu)在基板l上使用濺 射、化學(xué)氣相沉積法等成膜方法依次層疊基底層2、軟磁性層3、中 間層4、記錄層5、保護層9，并在保護層9上涂敷了潤滑劑8。保護 層9具有由第一保護膜6、第二保護膜7、第三保護膜10構(gòu)成的三層 結(jié)構(gòu)，在保護層9內(nèi)具有與磁盤表面平行的異質(zhì)界面ll和晶界面12。 作為構(gòu)成保護層9的第一保護膜6、第二保護膜7、第三保護膜IO， 優(yōu)選使用加熱時的近場光的光吸收少的例如Si02、 SiN、類金剛石碳 之類的材料。
作為一個例子，通過濺射成膜lnm的SiN作為第一保護膜6, 在其上通過化學(xué)氣相沉積成膜lnm的SiN作為第二保護膜7，在其上 通過濺射成膜2nm的類金剛石碳作為笫三保護膜IO，從而在保護層9 內(nèi)分別設(shè)置一個晶界面12和一個異質(zhì)界面11。由此，與實施例l、 2 同樣地，保護層9的磁盤表面?zhèn)鹊淖罡邷囟茸兊?，可以防止?jié)櫥瑒? 的熱分解或蒸發(fā)，可以提高記錄層5的加熱效率。
另外，形成在保護層內(nèi)的晶界面與異質(zhì)界面的數(shù)量不限于各一個，也可以如圖8所示，層疊四層以上的保護膜而形成保護層9,并 在其中將晶界面和異質(zhì)界面中的一方或者其雙方形成多個。
權(quán)利要求
1.一種熱輔助磁記錄用磁盤，其特征在于，具有記錄層；形成在上述記錄層上的保護層；以及設(shè)置在上述保護層上的潤滑劑，上述保護層具有第一保護膜和在上述第一保護膜上成膜的第二保護膜。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱輔助磁記錄用磁盤，其特征在于， 上述第一保護膜與上述第二保護膜由不同的材料構(gòu)成，在保護層內(nèi)部 與磁盤表面平行地設(shè)置有異質(zhì)界面。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱輔助磁記錄用磁盤，其特征在于， 上述第二保護膜的硬度比上述第一保護膜的硬度大。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱輔助磁記錄用磁盤，其特征在于， 上述第一保護膜與第二保護膜具有相同成分，在上述保護層內(nèi)部與磁 盤表面平行地設(shè)置有晶界面。
5. —種熱輔助磁記錄用磁盤，其特征在于，具有 記錄層；形成在上述記錄層上的保護層；以及 設(shè)置在上述保護層上的潤滑劑，上述保護層具有層疊了多個保護膜的結(jié)構(gòu)，在內(nèi)部設(shè)置有多個異 質(zhì)界面和/或晶界面。
6. —種磁盤裝置，其特征在于，具有 磁盤；驅(qū)動上述磁盤的盤驅(qū)動部；滑塊，搭載有發(fā)生記錄磁場的記錄元件、再現(xiàn)元件、以及近場光 發(fā)生用的加熱元件；以及驅(qū)動部，將上述滑塊定位在上述磁盤的期望磁道上， 上述磁盤具有記錄層、形成在上述記錄層上的保護層、以及設(shè)置在上述保護層上的潤滑劑；上述保護層具有層疊了多個保護膜的結(jié) 構(gòu)，在內(nèi)部設(shè)置有多個異質(zhì)界面和/或晶界面。
全文摘要
本發(fā)明提供一種熱輔助磁記錄用磁盤，防止在熱輔助磁記錄中，進行記錄而加熱了記錄層時，記錄層的熱經(jīng)由保護層傳遞至潤滑劑，潤滑劑蒸發(fā)或熱分解的現(xiàn)象。將保護層(9)設(shè)為層疊了多個保護膜(6)、(7)的結(jié)構(gòu)，從而在保護層內(nèi)與磁盤表面平行地設(shè)置熱阻大的異質(zhì)界面(11)或晶界面(12)，從而使記錄層(5)的熱不易傳遞至潤滑劑(8)。
文檔編號G11B5/02GK101609690SQ200910004349
公開日2009年12月23日 申請日期2009年2月12日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月20日
發(fā)明者大倉康孝 申請人:株式會社日立制作所