專利名稱：具有InGaN層的半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包括載體襯底(carrier substrate)上的InGaN層的半導(dǎo)體器件的制 造，特別涉及包括作為有源層的hGaN層的垂直光電結(jié)構(gòu)的制造。
背景技術(shù)：
高質(zhì)量III族氮化物薄層的形成給目前的高性能半導(dǎo)體器件造成了嚴(yán)重的問題， 所述的高性能半導(dǎo)體器件例如是晶體管器件和光電器件，特別是作為垂直腔面發(fā)射激光器 (VCSEL)的激光器器件。通常，通過在諸如藍(lán)寶石襯底的晶種襯底(seed substrate)上外延生長來形成高 質(zhì)量III族氮化物薄層，所述外延例如是分子束外延、金屬有機(jī)氣相外延或混合氣相外延。 晶種襯底上的外延生長通常涉及高質(zhì)量III族氮化物薄層生長之前的厚的III族氮化物層 (通常被稱為過渡層)的生長，其中厚的III族氮化物層有利于提高III族氮化物材料的質(zhì)量。然后，通過現(xiàn)有技術(shù)中已知的一些晶片轉(zhuǎn)移工藝，例如鍵合和激光剝離(laser lift-off)或SMART Cut 工藝，生長的層可以被轉(zhuǎn)移到目標(biāo)晶片上。通過在晶片轉(zhuǎn)移之后 去除厚的過渡層，可以實(shí)現(xiàn)用于制造高質(zhì)量III族氮化物薄層的III族氮化物層的減薄。例 如，可以通過研磨、拋光或等離子蝕刻來實(shí)現(xiàn)這種減薄過程。由于過渡層的厚度，III族氮化 物材料的受控均勻減薄可能很復(fù)雜，這可能影響高質(zhì)量III族氮化物薄層的厚度均勻性。被轉(zhuǎn)移的III族氮化物層的缺陷密度對于最終獲得的半導(dǎo)體器件的性能特性至 關(guān)重要。形成缺陷的主要原因在于層上的生長表現(xiàn)出不同的晶體結(jié)構(gòu)，即III族氮化物層 和外延生長III族氮化物層的晶種層(seed layer)的晶格常數(shù)不匹配，從而導(dǎo)致III族氮 化物層中出現(xiàn)應(yīng)變。此外，轉(zhuǎn)移的III族氮化物層的應(yīng)變狀態(tài)和極性對于最終獲得的半導(dǎo)體器件的性 能特性也至關(guān)重要。這些特性可以包括例如載流子復(fù)合效率。轉(zhuǎn)移的III族氮化物層和后 續(xù)有源層之間的應(yīng)變可能影響半導(dǎo)體器件中的內(nèi)部壓電場。此外，轉(zhuǎn)移的III族氮化物層 的極性還可能影響半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的壓電場，為了減輕應(yīng)變對內(nèi)部電場的影響，可以利用極 性選擇。III族氮化物薄層代表目前的小規(guī)模光電器件(特別是作為垂直腔面發(fā)射激光器 (VCSEL)的激光器器件)的主要元件。US6，320，206B1公開了一種制造具有晶片鍵合的鋁 鎵銦氮結(jié)構(gòu)和反光鏡堆疊的VCSEL的方法。根據(jù)US6，320，206B1的教導(dǎo)，在藍(lán)寶石襯底上 生長P摻雜和η摻雜的InAKiaN層，然后該層被轉(zhuǎn)移到目標(biāo)襯底上。在所得到的結(jié)構(gòu)中， InAlGaN層被夾在反光鏡層之間以便獲得VCSEL。但是，盡管存在目前的設(shè)計(jì)工藝，仍需要提供在總體上具有增強(qiáng)的均勻性以及減 小的缺陷密度的III族氮化物層，特別是基于III族氮化物層的改進(jìn)的VCSEL。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明著眼于上述需求，并相應(yīng)地提供一種制造方法，包括下列步驟a)提供第一襯底和形成在第一襯底上的InGaN晶種層的堆疊，所述InGaN晶種層 特別是松弛的InGaN晶種層；以及b)在InGaN晶種層上生長InGaN層，以便獲得襯底上InGaN結(jié)構(gòu)。通過在薄的InGaN晶種層上生長InGaN層，特別是松弛的InGaN晶種層，更特別的 是極性松弛(relaxed polar)、半極性松弛(relaxed semi-polar)或無極性松弛(relaxed non-polar)的hGaN晶種層，可以獲得襯底上hGaN結(jié)構(gòu)，該襯底上hGaN結(jié)構(gòu)可用于進(jìn)一 步制造半導(dǎo)體器件，而無需去除在后續(xù)處理步驟中在其上生長InGaN層的厚層。從而可以 獲得具有高均勻性的生長的InGaN層。所述方法還包括以下步驟c)形成覆蓋InGaN層的表面的第一反光鏡層；d)分離第一襯底；以及e)形成覆蓋InGaN的相對表面(與第一反光鏡層所覆蓋的表面相對的表面)的第
二反光鏡層。根據(jù)示例的創(chuàng)造性方法還包括提供第二襯底，在所述第二襯底上形成有所述第一反光鏡層，特別地，所述第一反 光鏡層由分布式布拉格反射器形成；將襯底上hGaN結(jié)構(gòu)鍵合到形成在所述第二襯底上的所述第一反光鏡層上；分離所述第一襯底并去除InGaN晶種層，以便暴露InGaN層的表面；以及在InGaN層的暴露表面上形成所述第二反光鏡層，特別地，所述第二反光鏡層由 分布式布拉格反射器形成?？蛇x地，包括反光鏡層的結(jié)構(gòu)可以通過以下步驟獲得在InGaN層上形成第一反光鏡層；將第二襯底鍵合到所述第一反光鏡層上，特別地，所述第一反光鏡層由分布式布 拉格反射器形成；分離所述第一襯底并去除InGaN晶種層，以便暴露InGaN層的表面；以及在hGaN層的暴露表面上形成所述第二反光鏡層，特別地，所述第二反光鏡層由 分布式布拉格反射器形成。在上述兩種可選方式中，可以通過蝕刻或拋光來去除InGaN晶種層。在本發(fā)明的 其他實(shí)施例中，可以通過熱氧化/還原過程或者通過光電化學(xué)(PEC)蝕刻過程來去除化6鄉(xiāng) 晶種層。由于InGaN晶種層可以被設(shè)置為較薄的層，因此可以容易地執(zhí)行該層的完全去除 以便暴露下面的InGaN的表面。根據(jù)另一種可選方式，所述創(chuàng)造性方法包括以下步驟在hGaN層上形成第一反光鏡層，特別地，所述第一反光鏡層由分布式布拉格反 射器形成；將第二襯底鍵合到所述第一反光鏡層上；分離所述第一襯底并暴露InGaN晶種層的表面；以及在InGaN晶種層的暴露表面上形成第二反光鏡層，特別地，所述第二反光鏡層由分布式布拉格反射器形成。由于InGaN晶種層被設(shè)置為高質(zhì)量的薄層，優(yōu)選地可以省略去 除該層的步驟，從而簡化整個(gè)過程。根據(jù)可選的過程，可以制造包括反光鏡層的垂直光電結(jié)構(gòu)。在這種垂直光電結(jié)構(gòu) (例如可以是垂直腔面發(fā)射激光器，VCSEL)中，InGaN層作為有源層。該創(chuàng)造性的方法導(dǎo)致 生長在InGaN晶種層上的有源InGaN層具有高均勻性和低位錯(cuò)密度，其中所述InGaN晶種 層特別是松弛的InGaN晶種層而不是厚的中間襯底，例如中間GaN襯底或GaN過渡層。這 樣，不需要用于減薄形成在反光鏡之間的腔區(qū)域的精加工，從而與現(xiàn)有技術(shù)相比，提高了腔 區(qū)域的質(zhì)量。此外，松弛的InGaN晶種層可以減小所述晶種層和生長在其上的有源InGaN 層之間的應(yīng)變。這種應(yīng)變的減小可以改進(jìn)VCSEL結(jié)構(gòu)的內(nèi)部電場和操作特性，例如增強(qiáng)載 流子復(fù)合效率。利用松弛的半極性或無極性InGaN晶種也可以獲得VCSEL操作特性的上述 改進(jìn)。此外，注意在上述實(shí)施例中，第一襯底可以是藍(lán)寶石襯底，第二襯底可以是含硅襯底， 例如硅襯底。所提供的上述堆疊可以包括第一襯底和InGaN晶種層之間的介電層，即InGaN晶 種層不直接設(shè)置在第一襯底的表面上，而是設(shè)置在先前形成在第一襯底的表面上的介電層 的表面上。提供介電層有利于松弛的^GaN晶種層向第一襯底的轉(zhuǎn)移。介電層的適當(dāng)示例 是510!￡或51!^層。介電層可用于輔助晶片向第二襯底的轉(zhuǎn)移。在本發(fā)明的某些實(shí)施例中， 介電層可以包括促進(jìn)激光剝離過程的電磁吸收層。在去除第一襯底之后，例如通過蝕刻或 研磨從InGaN晶種層的表面去除介電層的剩余材料。更具體而言，根據(jù)本發(fā)明，所述堆疊可通過以下步驟形成在第三襯底上生長InGaN晶種層；通過鍵合層將生長的InGaN晶種層鍵合到第四襯底，所述鍵合層特別包括或包含 硼磷硅玻璃(borophosphosilicate glass)層或者包含硼或磷的SiO2化合物層；在去除第三襯底之前或之后，通過熱處理松弛(relaxing)所述InGaN晶種層；以 及將松弛的InGaN晶種層轉(zhuǎn)移到第一襯底上?？蛇x地，所述堆疊通過以下步驟形成在第三襯底上生長InGaN晶種層；通過鍵合層將生長的InGaN晶種層鍵合到第四襯底，所述鍵合層特別包括或包含 硼磷硅玻璃層或者包含硼或磷的S^2化合物層；在去除第三襯底之前或之后，通過熱處理松弛所述InGaN晶種層；以及通過介電層將松弛的InGaN晶種層轉(zhuǎn)移到第一襯底上。根據(jù)以上兩種可選方式，其上生長有hGaN層的第三襯底可以是GaN襯底。有 利地，GaN襯底的位錯(cuò)密度不大于5X108cm_2，或者不大于107cm_2。該低位錯(cuò)密度被生長 的InGaN晶種層承襲，從而能夠獲得生長在InGaN晶種層上的高質(zhì)量的(有源)InGaN層。 hGaN層可以生長到IOOnm到2000nm的范圍內(nèi)的厚度，特別是500nm到1500nm的范圍內(nèi)的 厚度。根據(jù)該創(chuàng)造性方法，InGaN晶種層在位錯(cuò)密度不大于107cm_2的GaN襯底上生長到較 低厚度。InGaN晶種層的厚度在5nm到500nm的范圍內(nèi)。InGaN晶種層的成分可以是銦在 1到30%的范圍內(nèi)，即In0."ει。.99N至In。.3Gei。.7N。由于用于生長(有源)InGaN層的InGaN 晶種層很薄，因此與現(xiàn)有技術(shù)相比，根據(jù)本發(fā)明形成的VCSEL器件的腔厚被減小，從而改進(jìn)(減小)了器件操作所需的閾值電流。如上所述，創(chuàng)造性方法的以上所有示例均可用于制造垂直光電結(jié)構(gòu)，特別是垂直 腔面發(fā)射激光器(VCSEL))，從而獲得在腔/有源層的均勻性、閾值電流、波腹(anti-nodes) 相對于有源層的多個(gè)量子阱的位置對齊等方面具有優(yōu)異質(zhì)量的器件。特別是，提供一種垂 直腔面發(fā)射激光器，包括特別由分布式布拉格反射器形成的兩個(gè)反光鏡層，所述反光鏡層 夾在a)有源InGaN層或b)有源InGaN層和InGaN晶種層之間，并且可通過根據(jù)上述實(shí)施 例之一的方法獲得。此外，提供一種垂直腔面發(fā)射激光器，包括以如下順序包含以下的層的堆疊襯底；第一反光鏡層，特別由分布式布拉格反射器形成；有源InGaN 層；InGaN晶種層；以及第二反光鏡層，特別由分布式布拉格反射器形成。


下面將參考附圖描述本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)。在描述中，參考用于顯示本發(fā)明 的優(yōu)選實(shí)施例的附圖?？梢岳斫膺@些實(shí)施例不代表本發(fā)明的全部范圍。圖1顯示了制造包括InGaN有源層的VCSEL的創(chuàng)造性方法的示例。圖2顯示了制造包括InGaN有源層的VCSEL的創(chuàng)造性方法的另一示例。
具體實(shí)施例方式圖1顯示了在此公開的用于制造包括InGaN層的目標(biāo)晶片的方法的一個(gè)示例。圖 1顯示了 InGaN層在hGaNoS(襯底上hGaN)加工襯底上的生長。根據(jù)該示例，InGaNoS結(jié) 構(gòu)包括藍(lán)寶石襯底1、介電鍵合層2和松弛的InGaN晶種層3，其中晶種層3可以是極性松弛 (polar re laxed)、半極性松弛(semi-polar relaxed)或無極性松弛(non-polar relaxed) 的MGaN層?？梢酝ㄟ^以下過程獲得藍(lán)寶石襯底1上的松弛的InGaN晶種層3。設(shè)置GaN模板 (自支撐襯底)，其可以表現(xiàn)出將被在其上生長的InGaN層承襲的極性、半極性或無極性。 GaN模板有利地具有低位錯(cuò)密度(例如不高于107cm_2)，該低位錯(cuò)密度也將被在其上生長的 InGaN晶種層3承襲。InGaN層在GaN模板上生長之后，可以對其進(jìn)行離子注入以形成弱化 區(qū)，從而有利于轉(zhuǎn)移到另一襯底上?？梢岳秒x子注入過程來限定InGaN晶種層的厚度和 厚度均勻性。例如，可以選擇注入劑量以便在InGaN層中理想的厚度處形成弱化區(qū)，從而限 定晶種層的厚度。此外，可以選擇注入劑量和分離參數(shù)以便在InGaN晶種層中產(chǎn)生理想的 厚度均勻性。例如，InGaN晶種層3可以被鍵合到玻璃狀可回流鍵合層(glassy reflowable bonding layer)，例如硼磷硅玻璃(BPSG)或包含B (BSG)或P (PSG)的SiO2K合物。當(dāng)溫 度超過大約800°C或850°C時(shí)(取決于玻璃的實(shí)際成分)，硼磷硅玻璃表現(xiàn)出回流特性，從 而允許InGaN晶種層3中產(chǎn)生的應(yīng)變松弛?？蛇x的，在hGaN晶種層3上形成一個(gè)可回流 鍵合層，并在襯底的表面上形成另一個(gè)可回流鍵合層，兩個(gè)鍵合層彼此鍵合。在某些實(shí)施例
7中，InGaN晶種層3可以包括玻璃狀可回流鍵合層上的覆蓋層，可選地，如現(xiàn)有技術(shù)中已知 的，InGaN晶種層3可以被裝飾和蝕刻成具有幾何圖案的一個(gè)或多個(gè)InGaN晶種層，所述幾 何圖案包括但不限于圓、矩形等。除去GaN模板之前或之后，對結(jié)構(gòu)進(jìn)行熱處理，以便松弛InGaN晶種層3。松弛 之后，松弛的InGaN晶種層3被轉(zhuǎn)移到藍(lán)寶石襯底1，以便作為用于進(jìn)一步處理的松弛的 hGaN晶種層3。優(yōu)選地，在藍(lán)寶石襯底1的表面上直接形成介電層2，例如510!￡或51!￡乂層， 以便有助于松弛的InGaN晶種層3至藍(lán)寶石襯底1的轉(zhuǎn)移。以任意一種方式，通過在就缺 陷密度而言具有高質(zhì)量的施主材料(上述GaN模板)上的生長，獲得hGaN晶種層3，因此， 松弛的InGaN晶種層3的厚度可以很小(例如在5nm到500nm的范圍內(nèi))，而不影響材料質(zhì) 量。然后，可以在設(shè)置在藍(lán)寶石襯底1上的松弛的InGaN晶種層3上外延生長InGaN層4。 MGaN層的厚度在200nm到2000nm的范圍內(nèi)，特別在500nm到1500nm的范圍內(nèi)。如圖1所示，所得到的結(jié)構(gòu)被鍵合到形成在載體襯底5上的反光鏡層6。如現(xiàn)有 技術(shù)中已知，可以通過高反射率(大約99%)的分布式布拉格反射器(DBR)來制造反光鏡 層5。鍵合過程之后，通過化學(xué)蝕刻、研磨、拋光去除藍(lán)寶石襯底1。在本發(fā)明的某些實(shí)施例 中，通過激光剝離工藝去除藍(lán)寶石襯底1。在激光剝離的實(shí)施例中，介電鍵合層2可以包括 促進(jìn)電磁輻射的吸收的電磁吸收層，所述電磁輻射例如是通過藍(lán)寶石襯底1的介電鍵合層 2的激光輻射。包括電磁吸收層的介電鍵合層的這種輻射有利于去除藍(lán)寶石襯底1。可以 通過蝕刻、研磨和/或拋光從InGaN晶種層3上去除介電鍵合層2的剩余材料。然后，去除InGaN晶種層3以便暴露InGaN層4，如圖1所示。由于松弛的InGaN 晶種層3較薄，可以通過蝕刻或拋光準(zhǔn)確均勻地去除該晶種層。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中， 可以通過熱氧化/還原過程或通過光電化學(xué)(PEC)蝕刻過程實(shí)現(xiàn)松弛的InGaN晶種層3的去 除。在下一步驟中，在變?yōu)樗玫降腣CSEL結(jié)構(gòu)的有源層的InGaN層4的暴露表面上形成第二 反光鏡層7，第二反光鏡層7也可以通過高反射率(大約99% )的分布式布拉格反射器(DBR) 來制造。然后繼續(xù)現(xiàn)有技術(shù)中已知的其他處理步驟(包括接觸)，以便完成VCSEL器件。與現(xiàn)有技術(shù)相反，根據(jù)本發(fā)明，可以近乎完美地去除松弛的InGaN晶種層3而沒有 顯著殘留物。不需要對較厚有源層的后面進(jìn)行蝕刻。因此，可以嚴(yán)格對齊光學(xué)模(optical mode)的波腹和由hGaN層4單獨(dú)限定的有源hGaN區(qū)域的多個(gè)量子阱(沒有殘留物)。與 現(xiàn)有技術(shù)相比，該對齊導(dǎo)致VCSEL的激光場與腔更好地耦合。圖2顯示了與圖1中所示的示例相對比的創(chuàng)造性方法的可選示例。根據(jù)該示例， 參考圖1所述形成MGaNoS結(jié)構(gòu)。介電鍵合層2可以包括用于促進(jìn)后續(xù)分離的電磁吸收層 8。此外，在隨后將作為有源層的hGaN層4上形成反光鏡層(DBR)6。所得到的結(jié)構(gòu)被鍵合 到載體襯底5上。通過電磁吸收層8的輻射來調(diào)節(jié)藍(lán)寶石襯底1的分離，以促進(jìn)藍(lán)寶石襯 底1的激光剝離去除。但是，介電層2的剩余材料從InGaN晶種層3上去除，根據(jù)該示例， InGaN晶種層3被保留在InGaN層4上。不去除InGaN晶種層3，而是用InGaN晶種層3作 為用于生長第二反光鏡(DBR)層7的晶種層。由于松弛的InGaN晶種層3的低厚度和均勻 性，因此InGaN晶種層3能夠作為用于生長第二反光鏡(DBR)層7的晶種層。InGaN晶種層 3的使用可以增強(qiáng)反光鏡層7在其上的粘附性。在圖1和圖2中顯示的上述例子中，反光鏡層6和7可以例如包括低損耗電介質(zhì) (low loss dielectrics)的堆疊對。反光鏡可以包括全氧化物分布式布拉格反射器或可選的基于III族氮化物的布拉格反射器。大體上，對于全氧化物分布式布拉格反射器，可以選 擇二氧化硅和二氧化鈦、二氧化鋯、氧化鉭、二氧化鉿的成對的層。大體上，對于基于III族 氮化物的布拉格反射器，可以選擇Alx(;ai_xN和GaN的成對的層。在其他示例中，反光鏡層6 和7可以包括金屬材料。此外，可以在各個(gè)反光鏡層和有源InGaN層4之間適當(dāng)?shù)脑O(shè)置中 間鍵合層。 所有的上述實(shí)施例都不用于限定本發(fā)明，而是作為說明本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)的示 例?？梢岳斫庖部梢砸圆煌绞浇M合上述特征的一部分或全部。
權(quán)利要求
1.一種制造垂直光電結(jié)構(gòu)的方法，包括以下步驟a)提供第一襯底(1)和形成在所述第一襯底(1)上的hfeiN晶種層(3)的堆疊；b)在所述InGaN晶種層(3)上生長InGaN層(4)，以便獲得襯底上InGaN結(jié)構(gòu)；c)形成覆蓋LGaN層(4)的表面的第一反光鏡層(6)；d)分離第一襯底⑴；以及e)形成覆蓋^6&則4)的相對表面的第二反光鏡層(7)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造垂直光電結(jié)構(gòu)的方法，還包括提供第二襯底(5)，其中在所述第二襯底( 上形成有所述第一反光鏡層(6)； 將襯底上InGaN結(jié)構(gòu)鍵合到形成在所述第二襯底( 上的所述第一反光鏡層(6)上；以及去除所述化6鄉(xiāng)晶種層(3)以便暴露化6鄉(xiāng)層的相對表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造垂直光電結(jié)構(gòu)的方法，還包括 在InGaN層(4)上形成所述第一反光鏡層(6)；將第二襯底( 鍵合到所述第一反光鏡層(6)上；去除所述化6鄉(xiāng)晶種層(3)以便暴露化6鄉(xiāng)層的相對表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造垂直光電結(jié)構(gòu)的方法，還包括 在InGaN層(4)上形成所述第一反光鏡層(6)；將第二襯底( 鍵合到所述第一反光鏡層(6)上； 暴露所述InGaN晶種層(3)的表面；以及在所述InGaN晶種層(3)的暴露表面上形成所述第二反光鏡層(7)。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的制造垂直光電結(jié)構(gòu)的方法，其中所提供的堆疊包 括所述第一襯底(1)和所述InGaN晶種層(3)之間的介電層O)。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的制造垂直光電結(jié)構(gòu)的方法，其中所述堆疊通過以 下步驟形成在第三襯底上生長所述InGaN晶種層(3)；通過鍵合層將生長的InGaN晶種層( 鍵合到第四襯底，所述鍵合層特別包括或包含 硼磷硅玻璃層或者包含硼或磷的S^2化合物層；在去除所述第三襯底之前或之后，通過熱處理松弛所述hGaN晶種層(3)；以及 將松弛的InGaN晶種層(3)轉(zhuǎn)移到所述第一襯底(1)上。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造垂直光電結(jié)構(gòu)的方法，其中所述堆疊通過以下步驟形成在第三襯底上生長所述InGaN晶種層(3)；通過鍵合層將生長的MGaN晶種層C3)鍵合到第四襯底，所述鍵合層特別包括或包含 硼磷硅玻璃層或者包含硼或磷的SiO2化合物層；在去除所述第三襯底之前或之后，通過熱處理松弛所述hGaN晶種層(3)；以及 通過所述介電層⑵將松弛的InGaN晶種層(3)轉(zhuǎn)移到所述第一襯底⑴上。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的制造垂直光電結(jié)構(gòu)的方法，其中所述第三襯底是GaN襯 底，特別是位錯(cuò)密度不大于5 X IO8CnT2的GaN襯底。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的制造垂直光電結(jié)構(gòu)的方法，其中所述InGaN層⑷生長到IOOnm到2000nm的范圍內(nèi)的厚度，和/或其中所述InGaN晶種層(3)生長到5nm 到500nm的范圍內(nèi)的厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造垂直光電結(jié)構(gòu)的方法，其中通過蝕刻或拋光去除所述 InGaN晶種層(3)。
11.一種制造垂直光電結(jié)構(gòu)的方法，其中所述垂直光電結(jié)構(gòu)特別是垂直腔面發(fā)射激光 器，包括根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的制造垂直光電結(jié)構(gòu)的方法的步驟。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的制造垂直光電結(jié)構(gòu)的方法，其中所述第一反光 鏡層(6)和所述第二反光鏡層(7)包括全氧化物分布式布拉格反射器或者III族氮化物分 布式布拉格反射器。
13.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的制造垂直光電結(jié)構(gòu)的方法，其中通過離子注入 產(chǎn)生的弱化區(qū)來限定所述第一襯底(1)上的所述InGaN晶種層(3)的厚度。
14.一種垂直腔面發(fā)射激光器，包括夾在InGaN晶種層(3)和生長在InGaN晶種層(3)上的有源InGaN層(4)之間的兩個(gè) 反光鏡層(6，7)，其中所述反光鏡層特別由全氧化物分布式布拉格反射器形成，并且通過根 據(jù)權(quán)利要求1或4所述的制造垂直光電結(jié)構(gòu)的方法得到。
15.一種垂直腔面發(fā)射激光器，包括以如下順序包含以下的層的堆疊襯底(5)；第一反光鏡層(6)，特別由分布式布拉格反射器形成；InGaN晶種層(3)；生長在所述InGaN晶種層(3)上的有源InGaN層(4)；以及第二反光鏡層(7)，特別由分布式布拉格反射器形成。
全文摘要
本發(fā)明涉及具有InGaN層的半導(dǎo)體器件。本發(fā)明還涉及一種制造垂直光電結(jié)構(gòu)的方法，包括以下步驟a)提供第一襯底和形成在第一襯底上的InGaN晶種層的堆疊；b)在InGaN晶種層上生長InGaN層，以便獲得襯底上InGaN結(jié)構(gòu)；c)形成覆蓋InGaN層的表面的第一反光鏡層；d)分離第一襯底；以及e)形成覆蓋InGaN的相對表面的第二反光鏡層。
文檔編號H01S5/343GK102088163SQ201010508579
公開日2011年6月8日 申請日期2010年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月7日
發(fā)明者F·勒泰特 申請人:S.O.I.Tec絕緣體上硅技術(shù)公司