1.一種2.7-3.5GHz、2W的GaN單片功率放大器，其特征在于，包括輸入匹配網(wǎng)絡(luò)、級間匹配網(wǎng)絡(luò)網(wǎng)絡(luò)、輸出匹配網(wǎng)絡(luò)、柵極偏置電源、漏極偏置電源、pHEMT晶體管S1、S2；
所述的輸入匹配網(wǎng)絡(luò)的端口1與信號源連接，輸入匹配網(wǎng)絡(luò)的端口3分別與級間匹配網(wǎng)絡(luò)的端口3和電感L1的一端相連，電感L1的另一端與柵極偏置電源的正極相連，柵極偏置電流的負(fù)極接地，輸入匹配網(wǎng)絡(luò)的端口2與pHEMT晶體管S1的柵極相連，pHEMT晶體管S1的源極接地，pHEMT晶體管S1的漏極與級間匹配網(wǎng)絡(luò)的端口1相連，級間匹配網(wǎng)絡(luò)的端口4與漏極偏置電源的正極相連，漏極偏置電源的負(fù)極接地，級間匹配網(wǎng)絡(luò)的端口2與pHEMT晶體管S2的柵極相連，pHEMT晶體管S2的源極接地，pHEMT晶體管S2的漏極與輸出匹配網(wǎng)絡(luò)的端口1相連，輸出匹配網(wǎng)絡(luò)的端口2與負(fù)載相連，輸出匹配網(wǎng)絡(luò)的端口3與漏極偏置電源的正極相連，漏極偏置電源的負(fù)極接地；
所述的輸入匹配網(wǎng)絡(luò)包括與級間匹配網(wǎng)絡(luò)的端口3連接的電容C1、電容C2和電阻R1相連電容C1的另一端與背孔BVIA1的一端連接，背孔BVIA1的另一端接地，圓電容C2的另一端與背孔BVIA2的一端相連，背孔BVIA2的另一端接地，電阻R1的另一端與電感L2的一端相連，電感L2的另一端與微帶線TL1的一端相連，微帶線TL1的另一端分別與電阻R2的一端，微帶線TL2的一端，電容C5的一端以及電阻R3的一端相連，微帶線TL2的另一端與電容C3的一端相連，電容C3的另一端與輸入匹配網(wǎng)絡(luò)的端口1相連，電阻R2的另一端與電容C4的一端相連，電容C4的另一端與背孔BVIA3的一端相連，背孔BVIA3的另一端接地，輸入匹配網(wǎng)絡(luò)的端口2分別與電容C5的另一端與電阻R3的另一端相連；
所述的級間匹配網(wǎng)絡(luò)包括與級間匹配網(wǎng)絡(luò)的端口3相連的電容C6、電容C7和電感L3相連；
電容C6的另一端與背孔BVIA4的一端相連，背孔BVIA4的另一端接地，電容C7的另一端與背孔BVIA5的一端相連，背孔BVIA5的另一端接地，電感L3的另一端與微帶線TL3的一端相連，微帶線TL3的另一端分別與微帶線TL4的一端和電感L4的一端相連，微帶線TL4的另一端與級間匹配網(wǎng)絡(luò)的端口1相連，電感L4的另一端與電容C10的一端相連，電容C10的另一端分別與微帶線TL5的一端，電容C11的一端以及電阻R4的一端相連，電容C11的另一端分別與電阻R4的另一端和級間匹配網(wǎng)絡(luò)的端口4相連，微帶線TL5的另一端與電感L5的一端相連，電感L5的另一端分別與電容C9的一端，電容C8的一端以及級間匹配網(wǎng)絡(luò)的端口2 相連，電容C9的另一端與背孔BVIA7的一端連接，背孔BVIA7的另一端接地，電容C8的另一端與背孔BVIA7的一端連接，背孔BVIA6的另一端接地；
所述的輸出匹配網(wǎng)絡(luò)包括與輸出匹配網(wǎng)絡(luò)的端口3相連的電容C12、電容C13和電感L6，電容C12的另一端與背孔BVIA8的一端相連，背孔BVIA8的另一端接地，電容C13的另一端與背孔BVIA9的一端相連，背孔BVIA9的另一端接地，電感L6的另一端與微帶線TL6的一端相連，微帶線TL6的另一端分別與輸出匹配網(wǎng)絡(luò)端口1和電容C14的一端相連，電容C14的另一端分別與電容C15的一端和微帶線TL7的一端相連，電容C15的另一端和背孔BVIA10的一端相連，背孔BVIA10的另一端接地，微帶線TL7的另一端與電感L7的一端相連，電感L7的另一端分別與電容C16的一端和輸出匹配網(wǎng)絡(luò)的端口2相連，電容C16的另一端和背孔BVIA11的一端相連，背孔BVIA11的另一端接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種2.7-3.5GHz、2W GaN的單片功率放大器，其特征在于，所述的pHEMT晶體管S1、S2，其中pHEMT晶體管S1為輸入級管芯，pHEMT晶體管S2為輸出級管芯；
其中所述的電容C2、電容C3、電容C4、電容C5、電容C7、電容C9、電容C11、電容C12、電容C13、電容C15、電容C16均為MIM電容；電阻R1、R2、電阻R3、電阻R4均為薄膜電阻，所述的電感L2、電感L3、電感L4、電感L5、電感L6、電感L7均為方形線圈平面電感。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種2.7-3.5GHz、2W的GaN單片功率放大器，其特征在于，所述的輸出級管芯和輸入管級芯采用NP25-00工藝。